JP2664373B2 - 太陽電池の製造方法 - Google Patents
太陽電池の製造方法Info
- Publication number
- JP2664373B2 JP2664373B2 JP62096463A JP9646387A JP2664373B2 JP 2664373 B2 JP2664373 B2 JP 2664373B2 JP 62096463 A JP62096463 A JP 62096463A JP 9646387 A JP9646387 A JP 9646387A JP 2664373 B2 JP2664373 B2 JP 2664373B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- solar cell
- substrate
- thin
- support base
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 24
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 claims description 17
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 12
- 239000010408 film Substances 0.000 description 19
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 16
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 239000000047 product Substances 0.000 description 2
- 239000011265 semifinished product Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 1
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
- H01L31/03921—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate including only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
（イ） 産業上の利用分野
本発明は、特にフレキシブルな太陽電池の製造方法に
関する。 （ロ） 従来の技術 従来、この種太陽電池の製造方法として、ガラス等の
支持基体の表面に金属膜を真空蒸着したものを準備し、
斯る金属膜の上にアモルファスシリコンからなる薄膜太
陽電池を形成した後、上記支持基体と金属膜とを剥離す
る手法が提案されている（例えば特開昭61−85872号公
報）。 （ハ） 発明が解決しようとする問題点 本発明は、支持基体と薄膜太陽電池との相互分離を、
より容易に行い得る方法を提供しようとするものであ
る。 （ニ） 問題点を解決するための手段 本発明の特徴は、支持基体上に粘着膜を介して基板を
配置する工程と、前記基板を含んで前記支持基体上に封
止絶縁膜を形成する工程と、前記封止絶縁膜を介して前
記基板上に太陽電池を形成する工程と、前記粘着膜を境
として、前記支持基体と、前記太陽電池が形成された前
記基板とを分離する工程とからなることである。 （ホ） 作用 支持基体と薄膜太陽電池とは粘着膜により接着されて
いるから、それらの分離は容易に行われる。 （ヘ） 実施例 第１図に示す工程において、支持基体（１）上に、こ
の基体よりも小面積の粘着膜（２）を形成し、次いで、
粘着膜（２）上に、これと同面積の薄膜基板（３）を貼
り付けた後、薄膜基板（３）を含んで支持基体（１）の
全面を封止絶縁膜（４）で覆う。支持基体（１）として
は、ガラスやステンレス等を使用し得る。粘着膜（２）
には、シリコン系の耐熱性粘着材が、又、薄膜基板
（３）には、数100μｍのフレキシブルな極薄ステンレ
スフィルムやポリイミド系耐熱性高分子膜が夫々適当で
ある。封止絶縁膜（４）はセラミック系のSiO2やTiO2を
１μｍ程度の厚みに真空蒸着して形成される。 第２図に示す工程では、封止絶縁膜（４）を介して薄
膜基板（３）の直上に、金属導電膜（５）、アモルファ
ス半導体製光活性膜（６）及び透明導電膜（７）の積層
体からなる、それ自体周知の薄膜太陽電池（８）を形成
し、更に、この電池表面全面を透明絶縁膜（９）で被覆
保護する。薄膜太陽電池（８）の形成時の反応熱によ
り、粘着膜（２）からガスが発生しても、それは封止絶
縁膜（４）で封じられ、光活性層（６）へ影響が及ばな
い。透明絶縁膜（９）はアクリル系透明ラッカーをスプ
レーして形成される。 第３図に示す工程では、薄膜太陽電池（８）の垂直透
影部分を、打ち抜き又は切断することにより、準完成体
（10）が得られる。 第４図に示す最終工程では、準完成体において、その
粘着膜（２）より上の部分を剥離し、薄膜基板（３）、
封止絶縁膜（４）、薄膜太陽電池（８）及び透明保護層
（９）からなるフレキシブルな薄膜太陽電池完成体（1
1）を得る。このときの剥離作業は、粘着膜（２）に対
する剥離であるため容易に行われる。 第１図に示す工程の変更例として、支持基体（１）上
に予め粘着膜（２）をつけるのではなく、粘着膜のつい
た、ポリイミド系耐熱性有機高分子からなる接着テープ
を薄膜基板（３）とし、これを支持基体（１）に貼り付
けても良く、この場合、第４図に示す工程では、支持基
体（１）が粘着膜付きの薄膜基板（３）より剥離され
る。得られる完成体には、粘着膜が残り、それを利用し
て、所定壁等に完成体を貼り付けることができる。 （ト） 発明の効果 本発明によれば、支持基体と太陽電池との相互分離が
容易に行え、太陽電池の生産性が向上する。加えて、基
板を含んで支持基体上に封止絶縁膜を形成した後、封止
絶縁膜を介して基板上に太陽電池を形成するので、太陽
電池の形成時の反応熱により、粘着膜からガスが発生し
ても、それは封止絶縁膜で封じられ、太陽電池への影響
が及ばない。
関する。 （ロ） 従来の技術 従来、この種太陽電池の製造方法として、ガラス等の
支持基体の表面に金属膜を真空蒸着したものを準備し、
斯る金属膜の上にアモルファスシリコンからなる薄膜太
陽電池を形成した後、上記支持基体と金属膜とを剥離す
る手法が提案されている（例えば特開昭61−85872号公
報）。 （ハ） 発明が解決しようとする問題点 本発明は、支持基体と薄膜太陽電池との相互分離を、
より容易に行い得る方法を提供しようとするものであ
る。 （ニ） 問題点を解決するための手段 本発明の特徴は、支持基体上に粘着膜を介して基板を
配置する工程と、前記基板を含んで前記支持基体上に封
止絶縁膜を形成する工程と、前記封止絶縁膜を介して前
記基板上に太陽電池を形成する工程と、前記粘着膜を境
として、前記支持基体と、前記太陽電池が形成された前
記基板とを分離する工程とからなることである。 （ホ） 作用 支持基体と薄膜太陽電池とは粘着膜により接着されて
いるから、それらの分離は容易に行われる。 （ヘ） 実施例 第１図に示す工程において、支持基体（１）上に、こ
の基体よりも小面積の粘着膜（２）を形成し、次いで、
粘着膜（２）上に、これと同面積の薄膜基板（３）を貼
り付けた後、薄膜基板（３）を含んで支持基体（１）の
全面を封止絶縁膜（４）で覆う。支持基体（１）として
は、ガラスやステンレス等を使用し得る。粘着膜（２）
には、シリコン系の耐熱性粘着材が、又、薄膜基板
（３）には、数100μｍのフレキシブルな極薄ステンレ
スフィルムやポリイミド系耐熱性高分子膜が夫々適当で
ある。封止絶縁膜（４）はセラミック系のSiO2やTiO2を
１μｍ程度の厚みに真空蒸着して形成される。 第２図に示す工程では、封止絶縁膜（４）を介して薄
膜基板（３）の直上に、金属導電膜（５）、アモルファ
ス半導体製光活性膜（６）及び透明導電膜（７）の積層
体からなる、それ自体周知の薄膜太陽電池（８）を形成
し、更に、この電池表面全面を透明絶縁膜（９）で被覆
保護する。薄膜太陽電池（８）の形成時の反応熱によ
り、粘着膜（２）からガスが発生しても、それは封止絶
縁膜（４）で封じられ、光活性層（６）へ影響が及ばな
い。透明絶縁膜（９）はアクリル系透明ラッカーをスプ
レーして形成される。 第３図に示す工程では、薄膜太陽電池（８）の垂直透
影部分を、打ち抜き又は切断することにより、準完成体
（10）が得られる。 第４図に示す最終工程では、準完成体において、その
粘着膜（２）より上の部分を剥離し、薄膜基板（３）、
封止絶縁膜（４）、薄膜太陽電池（８）及び透明保護層
（９）からなるフレキシブルな薄膜太陽電池完成体（1
1）を得る。このときの剥離作業は、粘着膜（２）に対
する剥離であるため容易に行われる。 第１図に示す工程の変更例として、支持基体（１）上
に予め粘着膜（２）をつけるのではなく、粘着膜のつい
た、ポリイミド系耐熱性有機高分子からなる接着テープ
を薄膜基板（３）とし、これを支持基体（１）に貼り付
けても良く、この場合、第４図に示す工程では、支持基
体（１）が粘着膜付きの薄膜基板（３）より剥離され
る。得られる完成体には、粘着膜が残り、それを利用し
て、所定壁等に完成体を貼り付けることができる。 （ト） 発明の効果 本発明によれば、支持基体と太陽電池との相互分離が
容易に行え、太陽電池の生産性が向上する。加えて、基
板を含んで支持基体上に封止絶縁膜を形成した後、封止
絶縁膜を介して基板上に太陽電池を形成するので、太陽
電池の形成時の反応熱により、粘着膜からガスが発生し
ても、それは封止絶縁膜で封じられ、太陽電池への影響
が及ばない。
【図面の簡単な説明】
第１図乃至第４図は本発明実施例方法の工程図を示し、
第１図乃至第３図は断面図、第４図は斜視図である。 （１）……支持基体、（２）……粘着膜、（８）……薄
膜太陽電池。
第１図乃至第３図は断面図、第４図は斜視図である。 （１）……支持基体、（２）……粘着膜、（８）……薄
膜太陽電池。
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 １．支持基体上に粘着膜を介して基板を配置する工程
と、 前記基板を含んで前記支持基体上に封止絶縁膜を形成す
る工程と、 前記封止絶縁膜を介して前記基板上に太陽電池を形成す
る工程と、 前記粘着膜を境として、前記支持基体と、前記太陽電池
が形成された前記基板とを分離する工程とからなること
を特徴とする太陽電池の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62096463A JP2664373B2 (ja) | 1987-04-20 | 1987-04-20 | 太陽電池の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62096463A JP2664373B2 (ja) | 1987-04-20 | 1987-04-20 | 太陽電池の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63261761A JPS63261761A (ja) | 1988-10-28 |
| JP2664373B2 true JP2664373B2 (ja) | 1997-10-15 |
Family
ID=14165722
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62096463A Expired - Fee Related JP2664373B2 (ja) | 1987-04-20 | 1987-04-20 | 太陽電池の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2664373B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2783918B2 (ja) * | 1991-03-28 | 1998-08-06 | 三洋電機株式会社 | 光起電力装置の製造方法 |
| JP3672436B2 (ja) | 1998-05-19 | 2005-07-20 | シャープ株式会社 | 太陽電池セルの製造方法 |
| US8137417B2 (en) | 2006-09-29 | 2012-03-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Peeling apparatus and manufacturing apparatus of semiconductor device |
| CN103465385B (zh) * | 2013-09-18 | 2015-09-16 | 北京汉能创昱科技有限公司 | 一种柔性薄膜太阳能电池及其分片、连接与制备方法 |
-
1987
- 1987-04-20 JP JP62096463A patent/JP2664373B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63261761A (ja) | 1988-10-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH07321363A (ja) | 半導体ウェハの成形加工方法 | |
| IN170221B (ja) | ||
| EP0814509A3 (en) | Method for making a substrate structure with improved heat dissipation | |
| JP2664373B2 (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| JP2783918B2 (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JP2680582B2 (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| US4714510A (en) | Method of bonding protective covers onto solar cells | |
| JP2889719B2 (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JPH0456351U (ja) | ||
| JPS61280660A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS639159A (ja) | 太陽電池モジユ−ル | |
| JPS58207680A (ja) | 薄膜半導体装置の製造方法 | |
| JP2869184B2 (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JP2698189B2 (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JPH04234178A (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JPS6351494B2 (ja) | ||
| JPS6480017A (en) | Manufacture of semiconductor single crystal layer | |
| JPH04196365A (ja) | 光起電力装置の製造方法 | |
| JP2877545B2 (ja) | 光起電力装置及びその製造方法 | |
| JPS6165483A (ja) | 太陽電池 | |
| JPS5992577A (ja) | 薄膜素子板 | |
| JPS62142369A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| JPS6472568A (en) | Photoelectric conversion device | |
| JPS6286875A (ja) | 太陽電池モジユ−ル | |
| JPH1040579A (ja) | 光ディスクとその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |