JP2966535B2 - 光起電力装置の製造方法 - Google Patents
光起電力装置の製造方法Info
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- JP2966535B2 JP2966535B2 JP2416918A JP41691890A JP2966535B2 JP 2966535 B2 JP2966535 B2 JP 2966535B2 JP 2416918 A JP2416918 A JP 2416918A JP 41691890 A JP41691890 A JP 41691890A JP 2966535 B2 JP2966535 B2 JP 2966535B2
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、可撓性を有する光起電
力装置の製造方法に関する。
力装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の可撓性光起電力装置の製造方法に
ついて、図５ないし図８に従い説明する。
ついて、図５ないし図８に従い説明する。
【０００３】まず、図５に示すように、ガラス、セラミ
ックス、金属等からなる支持基台１の一方の主面上の光
電変換素子が形成される領域より小許小さい領域にシリ
コン樹脂からなる離型剤層２が塗布形成される。
ックス、金属等からなる支持基台１の一方の主面上の光
電変換素子が形成される領域より小許小さい領域にシリ
コン樹脂からなる離型剤層２が塗布形成される。
【０００４】次に、図６に示すように、支持基台１の離
型剤層２を含んで一方の主面上に透光性、絶縁性且つ可
撓性を有する有機高分子からなる第１樹脂層３が5〜100
μmの厚さで形成される。具体的には、透明ポリイミド
等の有機高分子材料からなるワニスをスピンコータある
いはロールコータ等で均一に塗布し、100℃から300℃ま
で段階的に昇温しながら処理する。
型剤層２を含んで一方の主面上に透光性、絶縁性且つ可
撓性を有する有機高分子からなる第１樹脂層３が5〜100
μmの厚さで形成される。具体的には、透明ポリイミド
等の有機高分子材料からなるワニスをスピンコータある
いはロールコータ等で均一に塗布し、100℃から300℃ま
で段階的に昇温しながら処理する。
【０００５】その後、この第１樹脂層３の上面に、酸化
錫（ＳｎＯ2）、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）等からな
る透明電極４が膜厚２０００〜５０００Åで形成され
る。
錫（ＳｎＯ2）、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）等からな
る透明電極４が膜厚２０００〜５０００Åで形成され
る。
【０００６】続いて、透明電極４の上面に、内部に膜面
に平行なpin接合等の半導体光活性層を含む半導体接合
を備えた膜厚３０００〜７０００Åのアモルファスシリ
コン（ａ−Ｓｉ）、アモルファスシリコンカーバイド
（ａ−ＳｉＣ）、アモルファスシリコンゲルマニウム
（ａ−ＳｉＧｅ）等のアモルファスシリコン系の半導体
膜５がプラズマＣＶＤ法や光ＣＶＤ法により形成され
る。
に平行なpin接合等の半導体光活性層を含む半導体接合
を備えた膜厚３０００〜７０００Åのアモルファスシリ
コン（ａ−Ｓｉ）、アモルファスシリコンカーバイド
（ａ−ＳｉＣ）、アモルファスシリコンゲルマニウム
（ａ−ＳｉＧｅ）等のアモルファスシリコン系の半導体
膜５がプラズマＣＶＤ法や光ＣＶＤ法により形成され
る。
【０００７】更に、半導体膜５の上面に、４０００Å〜
２μm程度の厚さのアルミニウム（Ａｌ）単層構造、ま
たは該アルミニウムにチタン（Ｔｉ）またはチタン銀合
金（ＴｉＡｇ）を積層した２重構造、更には斯る２重構
造を２重に積み重ねた金属背面電極６が形成される。
２μm程度の厚さのアルミニウム（Ａｌ）単層構造、ま
たは該アルミニウムにチタン（Ｔｉ）またはチタン銀合
金（ＴｉＡｇ）を積層した２重構造、更には斯る２重構
造を２重に積み重ねた金属背面電極６が形成される。
【０００８】然る後、背面電極６の上面に、２０〜１０
０μm程度のポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、
エチレンビニールアルコール（ＥＶＡ）等の熱可塑性樹
脂シートからなる保護樹脂層７が形成される。
０μm程度のポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、
エチレンビニールアルコール（ＥＶＡ）等の熱可塑性樹
脂シートからなる保護樹脂層７が形成される。
【０００９】次の工程において、図７及び図８に示すよ
うに、第１樹脂層３及び保護樹脂層７の間に光電変換素
子が挟まれた形態の可撓性光起電力装置９が離型剤層２
の領域内で、支持基台１のふち周辺部から切断ライン８
に沿って、ナイフなどを用いて機械的に切断される。
うに、第１樹脂層３及び保護樹脂層７の間に光電変換素
子が挟まれた形態の可撓性光起電力装置９が離型剤層２
の領域内で、支持基台１のふち周辺部から切断ライン８
に沿って、ナイフなどを用いて機械的に切断される。
【００１０】最後に、支持基台１と島状に切断された光
起電力装置９を水槽内に浸漬し、光起電力装置９の樹脂
層３と支持基台１とを剥離して可撓性光起電力装置が形
成される。
起電力装置９を水槽内に浸漬し、光起電力装置９の樹脂
層３と支持基台１とを剥離して可撓性光起電力装置が形
成される。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
方法では、切断ライン８に沿って切断された各層の切断
面が露出しているため、水槽内に浸漬し、光起電力装置
９の樹脂層３と支持基台１とを剥離する際に、透明電極
４と半導体膜５界面に剥離現象が発生するという問題が
あり、その結果歩留まりが低下するという難点があっ
た。
方法では、切断ライン８に沿って切断された各層の切断
面が露出しているため、水槽内に浸漬し、光起電力装置
９の樹脂層３と支持基台１とを剥離する際に、透明電極
４と半導体膜５界面に剥離現象が発生するという問題が
あり、その結果歩留まりが低下するという難点があっ
た。
【００１２】本発明は、前述した従来の問題点に鑑み、
剥離の発生をなくした光起電力装置の製造方法を提供す
ることをその課題とする。
剥離の発生をなくした光起電力装置の製造方法を提供す
ることをその課題とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、支持基台上
に、可撓性の樹脂層、金属電極、薄膜半導体層及び透明
電極からなる光電変換素子をこの順序で形成し、この光
電変換素子上に保護樹脂層を添着した後、前記保護樹脂
層側からレーザを照射することにより、溶融した保護樹
脂層で切断面を被覆しながら保護樹脂層、光電変換素子
の周辺部を切断した後、支持基台から樹脂層を剥離する
ことを特徴とする。
に、可撓性の樹脂層、金属電極、薄膜半導体層及び透明
電極からなる光電変換素子をこの順序で形成し、この光
電変換素子上に保護樹脂層を添着した後、前記保護樹脂
層側からレーザを照射することにより、溶融した保護樹
脂層で切断面を被覆しながら保護樹脂層、光電変換素子
の周辺部を切断した後、支持基台から樹脂層を剥離する
ことを特徴とする。
【００１４】
【００１５】更に、本発明は、波長１．０６μｍ、パワ
ー密度５．０×１０8ないし５．０×１０9Ｗ／ｃｍ2の
レーザを用いると良い。
ー密度５．０×１０8ないし５．０×１０9Ｗ／ｃｍ2の
レーザを用いると良い。
【００１６】
【作用】この発明によれば、切断面が溶融した樹脂層で
被覆されるので、切断面が保護され、透明電極と薄膜半
導体膜間の剥離が防止される。
被覆されるので、切断面が保護され、透明電極と薄膜半
導体膜間の剥離が防止される。
【００１７】
【実施例】本発明は支持基台上から可撓性の光電変換装
置を剥離するための一連の工程に特徴を有する。以下、
図１ないし図４に従い本発明を説明する。
置を剥離するための一連の工程に特徴を有する。以下、
図１ないし図４に従い本発明を説明する。
【００１８】尚、支持基台上に、可撓性の樹脂層、第１
の電極、薄膜半導体層及び第２の電極からなる光電変換
素子をこの順序で形成し、この光電変換素子上に保護樹
脂層を添着するまでの工程は前述の従来技術と同じであ
り、同一部分には同一符号を付し、ここでは説明を省略
する。
の電極、薄膜半導体層及び第２の電極からなる光電変換
素子をこの順序で形成し、この光電変換素子上に保護樹
脂層を添着するまでの工程は前述の従来技術と同じであ
り、同一部分には同一符号を付し、ここでは説明を省略
する。
【００１９】図１は本発明の一工程を示す上面図、図２
は同断面図、図３は図２の要部拡大断面図である。図４
は支持基台と樹脂層との剥離工程を示す側面図である。
は同断面図、図３は図２の要部拡大断面図である。図４
は支持基台と樹脂層との剥離工程を示す側面図である。
【００２０】支持基台１上に、第１樹脂層３及び保護樹
脂層７の間に光電変換素子が挟まれた形態の可撓性光起
電力装置９を形成した後、図１及び図２に示すように、
離型剤層２の領域内で、支持基台１のふち周辺部から切
断ライン１８に沿って、保護樹脂層７側からレーザビー
ム２０を照射する。
脂層７の間に光電変換素子が挟まれた形態の可撓性光起
電力装置９を形成した後、図１及び図２に示すように、
離型剤層２の領域内で、支持基台１のふち周辺部から切
断ライン１８に沿って、保護樹脂層７側からレーザビー
ム２０を照射する。
【００２１】このレーザビーム照射により、図３に示す
ように、レーザビーム２０によって、樹脂層７、透明電
極６、薄膜半導体膜５、背面電極４及び第１樹脂層３は
切断される。この時レーザビーム２０の熱により、樹脂
層７は溶融し、この溶融した樹脂層７が切断面を被覆し
つつ切断が進行する。そして、この樹脂層７と第１樹脂
層３が接着した状態で切断が終了する。
ように、レーザビーム２０によって、樹脂層７、透明電
極６、薄膜半導体膜５、背面電極４及び第１樹脂層３は
切断される。この時レーザビーム２０の熱により、樹脂
層７は溶融し、この溶融した樹脂層７が切断面を被覆し
つつ切断が進行する。そして、この樹脂層７と第１樹脂
層３が接着した状態で切断が終了する。
【００２２】このレーザの加工は、具体的には、波長
１．０６μｍのＮｄ：ＹＡＧレーザを用い、加工条件と
して、パワー密度５．０×１０8ないし５．０×１０9Ｗ
／ｃｍ2にて行なう。パワー密度が上記条件以下である
と切断が上手くいかず、又これ以上のパワー密度である
と支持基台１にダメージが発生するため、この範囲が好
ましい。
１．０６μｍのＮｄ：ＹＡＧレーザを用い、加工条件と
して、パワー密度５．０×１０8ないし５．０×１０9Ｗ
／ｃｍ2にて行なう。パワー密度が上記条件以下である
と切断が上手くいかず、又これ以上のパワー密度である
と支持基台１にダメージが発生するため、この範囲が好
ましい。
【００２３】続いて図４に示すように、支持基台１と島
状に切断された光起電力装置９を水槽３０内に浸漬し、
光起電力装置９の樹脂層３と支持基台１とを剥離する。
この時、切断面は樹脂層７で被覆されているので、透明
電極６と薄膜半導体膜５間への水分の侵入が防止され、
両者間の剥離が防止できる。
状に切断された光起電力装置９を水槽３０内に浸漬し、
光起電力装置９の樹脂層３と支持基台１とを剥離する。
この時、切断面は樹脂層７で被覆されているので、透明
電極６と薄膜半導体膜５間への水分の侵入が防止され、
両者間の剥離が防止できる。
【００２４】
【００２５】
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の製造方法
によれば、切断面が溶融した樹脂層で被覆されるので、
切断面が保護され、電極と薄膜半導体膜間の剥離が防止
される。従って、歩留まりが飛躍的に向上する。
によれば、切断面が溶融した樹脂層で被覆されるので、
切断面が保護され、電極と薄膜半導体膜間の剥離が防止
される。従って、歩留まりが飛躍的に向上する。
【図１】本発明の一工程を示す上面図である。
【図２】本発明の一工程を示す同断面図である。
【図３】図２の要部拡大断面図である。
【図４】支持基台と樹脂層との剥離工程を示す側面図で
ある。
ある。
【図５】従来の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図６】従来の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図７】従来の製造方法の一工程を示す断面図である。
【図８】図７の平面図である。
１ 支持基台 ３ 第１樹脂層 ４ 透明電極 ５ 半導体膜 ６ 背面電極 ７ 保護樹脂層
フロントページの続き (72)発明者 井上 浩 守口市京阪本通２丁目18番地 三洋電機 株式会社内 (72)発明者 岸 靖雄 守口市京阪本通２丁目18番地 三洋電機 株式会社内 (56)参考文献 特開 平１−105581（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−208869（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−261761（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 31/04 - 31/078
Claims (1)
- 【請求項１】 支持基台上に、可撓性の樹脂層、金属電
極、薄膜半導体層及び透明電極からなる光電変換素子を
この順序で形成し、この光電変換素子上に保護樹脂層を
添着した後、レーザを照射することにより、溶融した保
護樹脂層で切断面を被覆しながら保護樹脂層、光電変換
素子の周辺部を切断した後、支持基台から樹脂層を剥離
することを特徴とする光起電力装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2416918A JP2966535B2 (ja) | 1990-12-28 | 1990-12-28 | 光起電力装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2416918A JP2966535B2 (ja) | 1990-12-28 | 1990-12-28 | 光起電力装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04234178A JPH04234178A (ja) | 1992-08-21 |
| JP2966535B2 true JP2966535B2 (ja) | 1999-10-25 |
Family
ID=18525093
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2416918A Expired - Fee Related JP2966535B2 (ja) | 1990-12-28 | 1990-12-28 | 光起電力装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2966535B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN111463315B (zh) * | 2019-08-26 | 2021-08-20 | 杭州纤纳光电科技有限公司 | 一种太阳能电池切割钝化一体化加工方法及其太阳能电池 |
-
1990
- 1990-12-28 JP JP2416918A patent/JP2966535B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04234178A (ja) | 1992-08-21 |
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