JPH0375945B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 ＜技術分野＞ 本発明は光学的に情報を記録再生する光メモリ
素子に関する。

＜従来技術＞ 近年、光メモリ装置は高密度で大容量のメモリ
装置として注目されている。この光メモリが高密
度及び大容量となる理由は、情報の記録単位であ
るビツトが光のビート径だけで決まるため、その
ビツト形状を1μm程度の大きさにすることができ
るためである。しかしこの事は光メモリ装置に多
くの制限を加える事になる。即ちある定まつた場
所に情報を記録したり、あるいはある定まつた場
所に記録された情報を再生したりするためには光
ビームを極めて正確に位置決めしなければならな
いのである。一般に再生専用の光メモリでは記録
したビツトに予め番地情報を入れておく事ができ
るので記録情報を再生しながら光ビームの位置決
めをすることができるが、追加記録メモリあるい
は書き換え可能なメモリにおいては情報記録時に
番地情報まで一諸に記録する事は極めて困難であ
る。従つて追加記録メモリあるいは書き換え可能
なメモリではメモリ基板に予め何等かのガイド信
号及びガイド番地を入れておくという方法が採ら
れている。例えば第５図に従来の追加記録メモリ
あるいは書き換え可能なメモリのメモリ基板の一
部斜視図を示すが同図に示す如く基板に凹凸の溝
を形成しておき、この溝に添つて情報を記録ある
いは再生する方法が一般的である。上記凹凸の溝
は図示されていないが円周方向に断続した形状を
有し、これが溝の番地を示すビツト情報を与える
のである。この凹凸の溝の形成方法はすでに何種
類か提案されており、大きく分けて次の３種類が
ある。

即ち、 (i) アクリル樹脂又はポリカーボネイト樹脂を用
い、射出成形によつて上記溝を作成する方法。
この成形によりガイドトラツク及びガイド番地
を予め形成したNiスタンパーの形状を写し取
る。

(ii) アクリル樹脂を上記ガイドラツク及びガイド
番地を予め形成したNiスタンパーに流し込み
温度をかけて固まらせるキヤステイング法。

(iii) アクリル樹脂基板やガラス基板等の基板と上
記ガイドトラツク及びガイド番地を予め形成し
たNiスタンパーとの間に紫外線硬化形の樹脂
を流し込み、上記基板ごしに紫外線を照射し、
その樹脂を硬化させ、その後で上記Niスタン
パーを取りはずす所謂2P法である。

しかし、これらの方法はいずれも樹脂を用いる
のでその樹脂を通して酸素あるいは水分等が記録
媒体に達する危険性がある。この為記録媒体の品
質が劣化するという欠点を有する。この欠点に対
処する為に本発明者等は既にガラス基板上にフオ
トレジスト材を塗布し、該フオトレジスト材に対
して光学マスクを介して紫外線光を照射してガイ
ドパターン（ガイドトラツク及びガイド番地）を
記録し、その後エツチングによつてガイドパター
ン状に溝を形成する方法を提案している（特開昭
59−210547）。

＜目的＞ 本発明は上述したガラス基板の形状に改良を施
こすことによつて、上記溝に形状の精度を向上せ
しめることを目的とするものである。

＜実施例＞ 以下、本発明に係る光メモリ素子の実施例を図
面を用いて詳細に説明する。

第１図は本発明に係る光メモリ素子の基板の製
法を工程順に示す説明図である。

次に同図に従い本発明に係る光メモリ素子の基
板の製法を工程順に説明する。

工程(i)…酸素、水分等の通過に対して信頼性の高
い（酸素、水分等を通過させない）光メ
モリ素子用のガラス基板を洗浄し、その
ガラス基板１の上にフオトレジスト膜２
を塗布する（第１図ａ）。このフオトレ
ジスト膜２の膜厚は100nm〜500nm程度
が好ましい。

工程(ii)…上記フオトレジスト膜２を塗布したガラ
ス基板１上にガイドトラツク及びガイド
情報をパターン化したマスク板３を密着
せしめ、該マスク板３ごしに紫外線Ａを
照射しマスク板３のマスクパターンを上
記フオトレジスト膜２に転写する（第１
図ｂ）。ここで光メモリ素子は円板状で
あるので上記マスク板３も円板状である
ことが望ましい。

工程(iii)…上記マスクパターンを書き込んだフオト
レジスト膜２を現像工程に通すことで上
記フオトレジスト膜２に溝を形成する
（第１図ｃ）。

工程(iv)…上記溝を形成したフオトレジスト膜２の
被覆状態において、ウエツトエツチング
若しくはCF₄、CEF₃等のエツチングガ
ス中でのスパツタリング（リアクテイブ
イオンエツチング）等のドライエツチン
グを行ない、ガラス基板１に溝４を形成
する（第１図ｄ）。

工程(v)…上記レジスト膜２をアセトン等の溶媒、
O₂中でのスパツタリング等により除去
する。この結果ガラス基板１に溝４が残
る（第１図ｅ）。

以上の工程によつてガイドトラツク及びガイド
番地の情報を示す溝を有するガラス基板１が完成
する。この工程によれば予めガイドトラツク及び
ガイド情報をパターン化したマスク板３を作成し
ておき、該マスク板３をフオトレジスト膜２が塗
布されたガラス基板１上に順次密着せしめてマス
ク板３のパターンを転写して行けばよいのでガイ
ドパターンの記録時間を極めて短縮化できるもの
である。

次にガラスデイスク基板の形状について断面図
を用いて説明する。

第２図ａはガラスデイスク基板１の平面図であ
り、第２図ｂは該ガラスデイスク基板１の直径で
の断面図を示している。同図において５は該ガラ
スデイスク基板１の外周エツジの面取り部分を示
している。

第３図は上記ガラス基板エツジ部分の拡大断面
図を示している。同図ａは従来のガラスデイスク
基板エツジの面取り部分５の断面図であり、同図
ｂ，ｃが本発明に係るガラスデイスク基板エツジ
形状の例を示す断面図である。同図において符号
８はガラスデイスク基板面であつて、この面にガ
イドトラツク及びガイド番地の情報を示す溝が形
成される。またガイド溝は符号６の部分に形成さ
れており、ガイド溝が形成されていない部分７は
このガイド溝が形成されている部分６に比べると
小さい。同図ａに示す従来例では基板の周辺部分
はガラス基板エツジの研磨部分９と面取り部分５
という２つの部分を有しておらず、ガイド溝が形
成されていない部分７にはガラス基板エツジの面
取り部分５があるだけである。これに対して本願
発明の実施例である同図ｂでは、ガイド溝が形成
されていない部分７はガラス基板エツジの研磨部
分９と面取り部分５とで構成されており、しか
も、ガラス基板エツジの研磨部分９はガラスデイ
スク基板面８よりも低くなされている。このよう
に、ガラス基板エツジの研磨部分９は、ガイド溝
の形成されていない部分７において、ガラスデイ
スク基板面８よりも深く研磨されている。同図ｃ
はガラス基板エツジの研磨部分９を曲面で形成し
た例を示している。

次に第４図ａ，ｂ，ｃはそれぞれ第３図ａ，
ｂ，ｃに示すエツジ形状を有するガラスデイスク
基板にスピンコート法でレジストを塗布した時の
状態を示す断面図である。ガラスデイスク基板エ
ツジでは表面張力のためレジストのもり上り１０
が発生する。

ここで同図ａに示す従来のガラスデイスク基板
形状の場合レジスト膜２のもり上り１０はレジス
ト塗布平面１１より上に突出してしまい、上記光
メモリ素子の製造工程(ii)においてマスク板３はレ
ジスト膜２に対して同図１１′の状態にて位置し、
マスク板３とレジスト膜２とが十分に密着しない
部分が広く発生する。一方、同図ｂ，ｃの場合、
レジストのもり上り１０はレジスト塗布平面１１
よりも下方にあり、マスク板３はレジスト塗布平
面１１に位置し、ガイド溝が形成されている部分
６においてマスク板３とレジスト膜２は十分な密
着が得られる。

＜効果＞ 以上説明したように、本発明によれば前記ガイ
ド溝が形成されていない周辺部分に研磨部分と該
研磨部分に連続する面取り部分とを設け、前記研
磨部分を前記ガイド溝が形成されている部分の基
板表面より低くなすので、基板面にレジストを塗
布した時のレジスト膜のもり上がりの発生を防ぐ
ことができ、マスク板をレジスト膜に密着させる
ことができる。この結果、光メモリ素子の案内溝
を全面に渡つて良好な形状に形成することがで
き、再生信号の雑音が低減された光メモリ素子を
提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に係る光メモリ素子の実施例を
製造する為の工程を示す説明図、第２図ａはガラ
ス基板の平面図、第２図ｂはその側断面図、第３
図はその一部拡大側断面図、第４図はガラス基板
にレジスト膜を塗布した状態での拡大側断面図、
第５図は溝形成後のガラス基板の斜視図を示す。 図中、１：ガラス基板、２：フオトレジスト
膜、３：マスク板、４：溝、５：ガラス基板エツ
ジの面取り部分、６：ガイド溝が形成されている
部分、７：ガイド溝が形成されていない部分、
８：ガラス基板平面、９：ガラス基板エツジの研
磨部分、１０：レジスト膜のもり上り、１１：レ
ジスト膜平面、１１′：マスク板が位置する面。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ ガイド溝が形成されている部分とガイド溝が
   形成されていない周辺部分とからなる基板を備え
   た光メモリ素子において、 前記ガイド溝が形成されていない周辺部分に研
   磨部分と該研磨部分に連続する面取り部分とを設
   け、前記研磨部分を前記ガイド溝が形成されてい
   る部分の基板表面より低くなすことを特徴とする
   光メモリ素子。