JPS6266445A - 光メモリ素子の製造方法 - Google Patents
光メモリ素子の製造方法Info
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- JPS6266445A JPS6266445A JP60207988A JP20798885A JPS6266445A JP S6266445 A JPS6266445 A JP S6266445A JP 60207988 A JP60207988 A JP 60207988A JP 20798885 A JP20798885 A JP 20798885A JP S6266445 A JPS6266445 A JP S6266445A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- optical memory
- memory element
- substrate
- grooves
- resist film
- Prior art date
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- Granted
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
く技術分野〉
本発明は光学的に情報を記録・再生する光メモリ素子の
製造方法に関する。
製造方法に関する。
〈従来技術〉
近年、光メモリ装置は高密度で大容量のメモリ装置とし
て注目されている。この光メモリ装置が高密度及び大容
量となる理由は、情報の記録単位であるビットが光ビー
ム径だけで決まるため、その形状を1μm程度の大きさ
にすることができるからである。しかしこの事は光メモ
リ装置に多くの制限を加える事になる。即ちある定まっ
た場所に情報を記録したり、あるいはある定まった場所
に記録された情報を再生したシするためには光ビ−ム極
極めて正確に位置決めしなければならないのである。一
般に再生専用の光メモリ装置では光メモリ素子に記録し
たビットに予め番地情報を入れておく事ができるので記
録情報を再生しながら光ビームの位置決めをすることが
できるが、追加記録メモリあるいは書き換え可能なメモ
リにおいでは情報記録時に光メモリ素子に番地情報まで
一所に記録する事は極めて困難である。従って追加記録
メモリあるいは書き換え可能なメモリでは光メモリ素子
の基板に予め何等かのガイド信号及びガイド番地を記録
しておくという方法が採られている。
て注目されている。この光メモリ装置が高密度及び大容
量となる理由は、情報の記録単位であるビットが光ビー
ム径だけで決まるため、その形状を1μm程度の大きさ
にすることができるからである。しかしこの事は光メモ
リ装置に多くの制限を加える事になる。即ちある定まっ
た場所に情報を記録したり、あるいはある定まった場所
に記録された情報を再生したシするためには光ビ−ム極
極めて正確に位置決めしなければならないのである。一
般に再生専用の光メモリ装置では光メモリ素子に記録し
たビットに予め番地情報を入れておく事ができるので記
録情報を再生しながら光ビームの位置決めをすることが
できるが、追加記録メモリあるいは書き換え可能なメモ
リにおいでは情報記録時に光メモリ素子に番地情報まで
一所に記録する事は極めて困難である。従って追加記録
メモリあるいは書き換え可能なメモリでは光メモリ素子
の基板に予め何等かのガイド信号及びガイド番地を記録
しておくという方法が採られている。
第4図に従来の追加記録あるいは書き換え可能な光メモ
リ素子基板の一部斜視図を示す。同図に示す如〈従来で
は光メモリ素子の基板に凹凸の溝を形成しておき、この
溝に添って情報を記録あるいは再生する方法が一般的で
あった。尚、上記凹凸の溝は図には表われてないが円周
方向に断続した形状を有しこれが溝の番地を示すビット
情報を与えるのである。この凹凸の溝の形成方法はすで
に何種類か提案されている。たとえば第5図に示す如く
凹凸の溝の入ったNiスタンパ−1を用い射出成形によ
りアクリルやポリカーボネート等の樹脂基板2に直接凹
凸の溝を転写する方法や、第6図に示す如くガラスある
いはアクリル等の基板4と凹凸の溝の入ったスタンパ−
1との間に紫外線硬化樹脂3を挿入し該紫外線硬化樹脂
3に凹凸の溝を転写する方法(2P法)等である。
リ素子基板の一部斜視図を示す。同図に示す如〈従来で
は光メモリ素子の基板に凹凸の溝を形成しておき、この
溝に添って情報を記録あるいは再生する方法が一般的で
あった。尚、上記凹凸の溝は図には表われてないが円周
方向に断続した形状を有しこれが溝の番地を示すビット
情報を与えるのである。この凹凸の溝の形成方法はすで
に何種類か提案されている。たとえば第5図に示す如く
凹凸の溝の入ったNiスタンパ−1を用い射出成形によ
りアクリルやポリカーボネート等の樹脂基板2に直接凹
凸の溝を転写する方法や、第6図に示す如くガラスある
いはアクリル等の基板4と凹凸の溝の入ったスタンパ−
1との間に紫外線硬化樹脂3を挿入し該紫外線硬化樹脂
3に凹凸の溝を転写する方法(2P法)等である。
しかし、これらの方法はいずれも樹脂を用いているので
樹脂を通して酸素あるいは水分等が記録媒体に達するた
め記録媒体の品質が劣化するという欠点を有する。この
欠点に鑑み本発明者等は既に樹脂材を用いなくとも光メ
モリ素子の基板に凹凸の溝を形成できる製造方法を提案
している(特願昭58−84613 )。
樹脂を通して酸素あるいは水分等が記録媒体に達するた
め記録媒体の品質が劣化するという欠点を有する。この
欠点に鑑み本発明者等は既に樹脂材を用いなくとも光メ
モリ素子の基板に凹凸の溝を形成できる製造方法を提案
している(特願昭58−84613 )。
〈目 的〉
本発明は上述した樹脂を用いなくとも光メモリ素子の基
板に凹凸の溝を形成できる製造方法に更に改良を施こす
ことによって、上記溝の形状の精度を向上せしめること
を目的とするものである。
板に凹凸の溝を形成できる製造方法に更に改良を施こす
ことによって、上記溝の形状の精度を向上せしめること
を目的とするものである。
〈実施例〉
以下本発明に係る光メモリ素子の製造方法の実施例を図
面を用いて詳細に説明する。
面を用いて詳細に説明する。
第1図は、本発明に係る光メモリ素子の基板の製造方法
を工程順に示す説明図である。次に同図に従い本発明に
係る光メモリ素子の製造方法の一実施例を工程順に説明
する。
を工程順に示す説明図である。次に同図に従い本発明に
係る光メモリ素子の製造方法の一実施例を工程順に説明
する。
工程(1)・・・酸素、水分等の通過に対して信頼性の
高い(酸素、水分等を通過させない)ガラス基板5の上
にレジスト膜6を塗布する(第1図(a))。
高い(酸素、水分等を通過させない)ガラス基板5の上
にレジスト膜6を塗布する(第1図(a))。
工程(11)・・・上記ガラス基板5の上に塗布したレ
ジメト膜6にArレーザ等の光7を対物レンズ8を介し
て照射する(第1図(b))か、又は紫外線等の光9を
Crマヌク10を介して照射して光メモリ素子のガイド
溝(第4図参照)の巾と同一の巾を持つ線(あるいは番
地信号を記録する断続線)を書き込む(第4図(aブ)
。
ジメト膜6にArレーザ等の光7を対物レンズ8を介し
て照射する(第1図(b))か、又は紫外線等の光9を
Crマヌク10を介して照射して光メモリ素子のガイド
溝(第4図参照)の巾と同一の巾を持つ線(あるいは番
地信号を記録する断続線)を書き込む(第4図(aブ)
。
工程011)・・・上記線(若しくは断続線)を書き込
んだレジスト膜6を現像工程に通すことで上記レジスト
膜6に凹凸の溝を形成する(第4図(C))。
んだレジスト膜6を現像工程に通すことで上記レジスト
膜6に凹凸の溝を形成する(第4図(C))。
工程(iV)・・・上記凹凸の溝を形成したレジスト膜
6の被覆状態において、レジスト材料の変形温度以上の
温度でポストベークする(第4図(d))。
6の被覆状態において、レジスト材料の変形温度以上の
温度でポストベークする(第4図(d))。
工程(V)・・・上記ポストベークを行々った後のレジ
スト膜6の被覆状態において、CF4゜ CHF3等のエツチングガス中でスパッタリング(リア
クティブイオンエツチング)を行ないガラス基板5に溝
11を形成する(第鴫図(e))。
スト膜6の被覆状態において、CF4゜ CHF3等のエツチングガス中でスパッタリング(リア
クティブイオンエツチング)を行ないガラス基板5に溝
11を形成する(第鴫図(e))。
工程■・・・上記レジスト膜6をアセトン等の溶媒によ
る溶解、あるいは0□中でのスパッタリング(灰化)等
によシ除去する。この結果ガラス基板5に溝11が残る
(第4図(f))。
る溶解、あるいは0□中でのスパッタリング(灰化)等
によシ除去する。この結果ガラス基板5に溝11が残る
(第4図(f))。
次に第2図に、上記ポストベーク温度を変えた時のレジ
スト膜6の断面形状と、上記リアクティブイオンエツチ
ングを行なった後の溝11の断面形状と、レジスト膜6
を除去した後の溝11の断面形状を示す。この断面形状
はタリステップによる測定で求めた。同図(a)にはレ
ジスト膜6をレジスト材の変形温度以下でポストベーク
した時の断面形状を示す。一方向図(d)にはレジスト
膜6をレジスト材の変形温度以上でポストベークした時
の断面形状を示す。同図(b)、 (e)はそれぞれ、
同図(a)。
スト膜6の断面形状と、上記リアクティブイオンエツチ
ングを行なった後の溝11の断面形状と、レジスト膜6
を除去した後の溝11の断面形状を示す。この断面形状
はタリステップによる測定で求めた。同図(a)にはレ
ジスト膜6をレジスト材の変形温度以下でポストベーク
した時の断面形状を示す。一方向図(d)にはレジスト
膜6をレジスト材の変形温度以上でポストベークした時
の断面形状を示す。同図(b)、 (e)はそれぞれ、
同図(a)。
(d)のものにリアクティブイオンエツチングを行なっ
た後の断面形状を示す。この時、レジスト膜6の断面形
状が同図(a)の状態であれば、レジスト膜6はレジス
トの上面からけずシ取られ、ガラス基板5に形成される
溝11のエツジは、ガラス基板面に対して垂直となる。
た後の断面形状を示す。この時、レジスト膜6の断面形
状が同図(a)の状態であれば、レジスト膜6はレジス
トの上面からけずシ取られ、ガラス基板5に形成される
溝11のエツジは、ガラス基板面に対して垂直となる。
一方、レジスト膜6の断面形状が同図(d)の状態であ
れば、同図(e)のようにレジスト膜6はレジスト表面
が上からけずり取られるとともに、溝110幅が広くな
り、ガラス基板5に形成される溝11のエツジは同図(
f)のようにガラス基板面に対して傾き、台形状の溝が
形成される。同図(c)、(f)は、それぞれレジスト
膜6を除去した後の断面形状を示す。
れば、同図(e)のようにレジスト膜6はレジスト表面
が上からけずり取られるとともに、溝110幅が広くな
り、ガラス基板5に形成される溝11のエツジは同図(
f)のようにガラス基板面に対して傾き、台形状の溝が
形成される。同図(c)、(f)は、それぞれレジスト
膜6を除去した後の断面形状を示す。
第3図(a)、 (b)は、それぞれ、第2図(c)、
(f)に示す溝を形成した基板を具備した光メモリ素
子の一部側面断面図である。5は溝が形成されたガラス
基板、12はAIN膜、5i3N、膜等の窒化膜からな
る誘電体膜、13はGdNdF e、GdTbFe。
(f)に示す溝を形成した基板を具備した光メモリ素
子の一部側面断面図である。5は溝が形成されたガラス
基板、12はAIN膜、5i3N、膜等の窒化膜からな
る誘電体膜、13はGdNdF e、GdTbFe。
GdCo等の希土類とFe等の遷移金属との合金薄膜(
記録媒体)、14はAI膜、ステンレス膜等からなる反
射膜である。上記誘電体膜12及び反射膜14は磁気光
学効果の特性向上を促すとともに上記合金薄膜13への
酸素及び水分の到達を防止する作用を有する。15は接
着層、16は該接着層15よシ接着されるガラス、アク
リル等からなる保護板である。この保護板16の代わり
にメモリ素子の2枚を背中合わせに貼シ合わせて両面使
用のメモリ素子にすることも可能である。ここで、同図
(a)の場合、溝11のエツジ個所の12゜13.14
の各層の膜厚は平担部に比べて著しく薄くなり外部から
の酸素や水分の侵入源となり易く、また、溝11のエツ
ジ個所において発生する膜12,13.14の不連続が
原因となり信号品質が低下する。しかし本発明において
光メモリ素子の基板に形成された同図(b)の台形状の
溝であれば、エツジにおいて膜12,13.14の不連
続は発生せず、よって光メモリ素子の信頼性、信号品質
ともに大幅な向上がなされる。
記録媒体)、14はAI膜、ステンレス膜等からなる反
射膜である。上記誘電体膜12及び反射膜14は磁気光
学効果の特性向上を促すとともに上記合金薄膜13への
酸素及び水分の到達を防止する作用を有する。15は接
着層、16は該接着層15よシ接着されるガラス、アク
リル等からなる保護板である。この保護板16の代わり
にメモリ素子の2枚を背中合わせに貼シ合わせて両面使
用のメモリ素子にすることも可能である。ここで、同図
(a)の場合、溝11のエツジ個所の12゜13.14
の各層の膜厚は平担部に比べて著しく薄くなり外部から
の酸素や水分の侵入源となり易く、また、溝11のエツ
ジ個所において発生する膜12,13.14の不連続が
原因となり信号品質が低下する。しかし本発明において
光メモリ素子の基板に形成された同図(b)の台形状の
溝であれば、エツジにおいて膜12,13.14の不連
続は発生せず、よって光メモリ素子の信頼性、信号品質
ともに大幅な向上がなされる。
以上の説明において光メモリ素子の例としては反射膜構
造の光磁気メモリ素子について示したが、本発明は第3
図に示した合金薄膜13の膜厚を厚くして反射膜14を
除去した構造を有する所謂単層膜構造の光磁気メモリ素
子、あるいはTe。
造の光磁気メモリ素子について示したが、本発明は第3
図に示した合金薄膜13の膜厚を厚くして反射膜14を
除去した構造を有する所謂単層膜構造の光磁気メモリ素
子、あるいはTe。
TeS、TeOx等を記録媒体とする所謂追加記録型の
光メモリ素子等においても充分適用可能である。
光メモリ素子等においても充分適用可能である。
く効 果〉
以上の本発明によれば光メモリ素子の案内溝を良好な形
状に形成でき、その為に信頼性を向上させ、再生信号の
雑音を低減化することが出来るものである。
状に形成でき、その為に信頼性を向上させ、再生信号の
雑音を低減化することが出来るものである。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の光メモリ素子の製造方法に係る一実
施例を示す説明図、第2図はl溝形成過程を示す説明図
、第3図は光メモリ素子の一部側面断面図、第4図は従
来のメモリ基板の一部斜視図、第5図、第6図は従来の
メモリ基板の製造過程を示す説明図である。 図中、1:Niヌタンパ−2=樹脂基板3:紫外線硬化
樹脂 4:基板 5ニガラス基板 6:レジスト膜7:レーザ光
8:対物レンズ9:紫外線光 1
0:マスク 11:溝 12:誘電体膜13:合金
膜 14:反射膜15:接着層
16:保護板代理人 弁理士 福 士 愛 彦(他2
名)tσノ II (b) (C) 第2 tθノ tθ ズ tσノ 1l (b) 第3図 第4図 第5図 伽聞 C剛 指 0 凶
施例を示す説明図、第2図はl溝形成過程を示す説明図
、第3図は光メモリ素子の一部側面断面図、第4図は従
来のメモリ基板の一部斜視図、第5図、第6図は従来の
メモリ基板の製造過程を示す説明図である。 図中、1:Niヌタンパ−2=樹脂基板3:紫外線硬化
樹脂 4:基板 5ニガラス基板 6:レジスト膜7:レーザ光
8:対物レンズ9:紫外線光 1
0:マスク 11:溝 12:誘電体膜13:合金
膜 14:反射膜15:接着層
16:保護板代理人 弁理士 福 士 愛 彦(他2
名)tσノ II (b) (C) 第2 tθノ tθ ズ tσノ 1l (b) 第3図 第4図 第5図 伽聞 C剛 指 0 凶
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、基板上にレジスト膜を被覆する工程と、該レジスト
膜にレーザ光または紫外線光等の光を照射して光メモリ
素子基板のガイド溝のパターンを露光する工程と、 前記ガイド溝のパターンを露光したレジスト膜を現像す
る工程と、 該現像後のレジスト膜をポストベークした後リアクティ
ブイオンエッチングを行なうことによって前記基板にガ
イド溝を形成する工程を備え、 前記ポストベーク時におけるベーキング温度を前記レジ
ストの変形温度以上とし、エッチング後のガイド溝形状
を台形状としたことを特徴とする光メモリ素子の製造方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60207988A JPH0648548B2 (ja) | 1985-09-18 | 1985-09-18 | 光メモリ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60207988A JPH0648548B2 (ja) | 1985-09-18 | 1985-09-18 | 光メモリ素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6266445A true JPS6266445A (ja) | 1987-03-25 |
JPH0648548B2 JPH0648548B2 (ja) | 1994-06-22 |
Family
ID=16548819
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60207988A Expired - Fee Related JPH0648548B2 (ja) | 1985-09-18 | 1985-09-18 | 光メモリ素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0648548B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05198016A (ja) * | 1992-01-21 | 1993-08-06 | Sharp Corp | 光メモリ素子用原盤及びその製造方法 |
-
1985
- 1985-09-18 JP JP60207988A patent/JPH0648548B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05198016A (ja) * | 1992-01-21 | 1993-08-06 | Sharp Corp | 光メモリ素子用原盤及びその製造方法 |
US5347510A (en) * | 1992-01-21 | 1994-09-13 | Sharp Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing a master plate where its guide groove has an inclined angle |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0648548B2 (ja) | 1994-06-22 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |