JPH0536121A - 光メモリ素子の製造方法 - Google Patents
光メモリ素子の製造方法Info
- Publication number
- JPH0536121A JPH0536121A JP12077691A JP12077691A JPH0536121A JP H0536121 A JPH0536121 A JP H0536121A JP 12077691 A JP12077691 A JP 12077691A JP 12077691 A JP12077691 A JP 12077691A JP H0536121 A JPH0536121 A JP H0536121A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist film
- film
- mask plate
- guide
- optical memory
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】 (修正有)
【目的】 光メモリ素子の基板に対するガイドトラッ
ク、ガイド番地等の情報を示す溝の形成を短時間で行い
得る新規な製造方法を提供する。 【構成】 透明基板上に螺旋状若しくは同心円状のガイ
ドパターン状に欠如された金属膜が被覆されてなるマス
ク板を第1のフォトレジスト膜2が塗布した光メモリ素
子用のガラス基板上に重ね第1のフォトレジスト膜に紫
外線を照射し、マスク板3のガイドパターンを第1のフ
ォトレジスト膜2に転写する。第1のフォトレジスト膜
を現像し、エッチングにより前記ガラス基板にガイドパ
ターンを掘り込んで光メモリ素子を製造する。また、透
明基板上に金属膜を形成し、この金属膜上に第2のフォ
トレジスト膜を塗布し、マスク板の半径方向に移動する
構造体からレーザ光ビームを照射して第2のフォトレジ
スト膜にガイドパターンを記録し、する。
ク、ガイド番地等の情報を示す溝の形成を短時間で行い
得る新規な製造方法を提供する。 【構成】 透明基板上に螺旋状若しくは同心円状のガイ
ドパターン状に欠如された金属膜が被覆されてなるマス
ク板を第1のフォトレジスト膜2が塗布した光メモリ素
子用のガラス基板上に重ね第1のフォトレジスト膜に紫
外線を照射し、マスク板3のガイドパターンを第1のフ
ォトレジスト膜2に転写する。第1のフォトレジスト膜
を現像し、エッチングにより前記ガラス基板にガイドパ
ターンを掘り込んで光メモリ素子を製造する。また、透
明基板上に金属膜を形成し、この金属膜上に第2のフォ
トレジスト膜を塗布し、マスク板の半径方向に移動する
構造体からレーザ光ビームを照射して第2のフォトレジ
スト膜にガイドパターンを記録し、する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は光学的に情報を記録再生
する光メモリ素子の製造方法に関する。
する光メモリ素子の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、光メモリ装置は高密度で大容量の
メモリ装置として注目されている。この光メモリが高密
度及び大容量となる理由は、情報の記録単位であるビッ
トが光のビーム径だけで決まるため、その形状を1μm
程度の大きさにすることができるからである。しかしこ
のことは光メモリ装置に多くの制限を加えることにな
る。すなわちある定まった場所に情報を記録したり、あ
るいはある定まった場所に記録された情報を再生したり
するためには光ビームを極めて正確に位置決めしなけれ
ばならなくなる。一般に再生専用の光メモリでは記録し
たビットに予め番地情報を入れておくことができるので
記録情報を再生しながら光ビームの位置決めをすること
ができるが、追加記録メモリあるいは書き換え可能なメ
モリにおいては情報記録時に番地情報まで一緒に記録す
ることは極めて困難である。従って追加記録メモリある
いは書き換え可能なメモリではメモリ基板に予め何らか
のガイドトラック及びガイド番地を入れておくという方
法がとられている。例えば、図7に従来の追加記録メモ
リあるいは書き換え可能なメモリのメモリ基板の位置部
斜視図を示すが同図に示す如く基板に凹凸の溝を形成し
ておきこの溝に沿って情報を記録あるいは再生する方法
が一般的である。上記凹凸の溝は円周方向に断続した形
状を有しこれが溝の番地を示すビット情報を与える。
メモリ装置として注目されている。この光メモリが高密
度及び大容量となる理由は、情報の記録単位であるビッ
トが光のビーム径だけで決まるため、その形状を1μm
程度の大きさにすることができるからである。しかしこ
のことは光メモリ装置に多くの制限を加えることにな
る。すなわちある定まった場所に情報を記録したり、あ
るいはある定まった場所に記録された情報を再生したり
するためには光ビームを極めて正確に位置決めしなけれ
ばならなくなる。一般に再生専用の光メモリでは記録し
たビットに予め番地情報を入れておくことができるので
記録情報を再生しながら光ビームの位置決めをすること
ができるが、追加記録メモリあるいは書き換え可能なメ
モリにおいては情報記録時に番地情報まで一緒に記録す
ることは極めて困難である。従って追加記録メモリある
いは書き換え可能なメモリではメモリ基板に予め何らか
のガイドトラック及びガイド番地を入れておくという方
法がとられている。例えば、図7に従来の追加記録メモ
リあるいは書き換え可能なメモリのメモリ基板の位置部
斜視図を示すが同図に示す如く基板に凹凸の溝を形成し
ておきこの溝に沿って情報を記録あるいは再生する方法
が一般的である。上記凹凸の溝は円周方向に断続した形
状を有しこれが溝の番地を示すビット情報を与える。
【0003】この凹凸の溝の形成方法はすでに何種類か
提案されており、大きく分けて次の3種類がある。 (1)アクリル樹脂又はポリカーボネイト樹脂を用い、
射出成型によって上記溝を作成する方法。この成形によ
りガイドトラック及びガイド番地を予め形成したNiス
タンパーの形状を移し取る方法 (2)アクリル樹脂を上記ガイドトラック及びガイド番
地を予め形成したNiスタンパーに流し込み、温度をか
けて固まらせるキャスティング法 (3)アクリル樹脂基板やガラス基板当の基板と上記ガ
イドトラック及びガイド番地を予め形成したNiスタン
パーとの間に紫外線硬化形の樹脂を流し込み、上記基板
ごしに紫外線を照射し、その樹脂を硬化させ、その後で
上記Niスタンパーを取り外す、いわゆる2P法であ
る。
提案されており、大きく分けて次の3種類がある。 (1)アクリル樹脂又はポリカーボネイト樹脂を用い、
射出成型によって上記溝を作成する方法。この成形によ
りガイドトラック及びガイド番地を予め形成したNiス
タンパーの形状を移し取る方法 (2)アクリル樹脂を上記ガイドトラック及びガイド番
地を予め形成したNiスタンパーに流し込み、温度をか
けて固まらせるキャスティング法 (3)アクリル樹脂基板やガラス基板当の基板と上記ガ
イドトラック及びガイド番地を予め形成したNiスタン
パーとの間に紫外線硬化形の樹脂を流し込み、上記基板
ごしに紫外線を照射し、その樹脂を硬化させ、その後で
上記Niスタンパーを取り外す、いわゆる2P法であ
る。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、これらの方法
はいずれも樹脂を用いるのでその樹脂を通して酸素ある
いは水分等が記録媒体に達する危険性がある。このため
記録媒体の品質が劣化するという欠点を有する。この欠
点に対処するために本発明者はすでにガラス基板上にフ
ォトレジスト材を塗布し、該フォトレジスト材に対して
レーザ光を照射してガイドパターン(ガイドトラック及
びガイド番地)を記録し、その後でエッチングによって
ガイドパターン状に溝を形成する方法を特願昭58−8
4613号によって提案している。しかしこの方法では
レーザ光によって各ガイドパターンをトラック毎に順次
記録して行かねばならないのでその記録に長い時間を要
し、量産には不向きであるという欠点がある。
はいずれも樹脂を用いるのでその樹脂を通して酸素ある
いは水分等が記録媒体に達する危険性がある。このため
記録媒体の品質が劣化するという欠点を有する。この欠
点に対処するために本発明者はすでにガラス基板上にフ
ォトレジスト材を塗布し、該フォトレジスト材に対して
レーザ光を照射してガイドパターン(ガイドトラック及
びガイド番地)を記録し、その後でエッチングによって
ガイドパターン状に溝を形成する方法を特願昭58−8
4613号によって提案している。しかしこの方法では
レーザ光によって各ガイドパターンをトラック毎に順次
記録して行かねばならないのでその記録に長い時間を要
し、量産には不向きであるという欠点がある。
【0005】そこで本発明は以上の問題点に鑑みてなさ
れたものであり、上記特願昭58−84613号に記載
された製造方法に改良を加えることによって、光メモリ
素子の基板に対するガイドトラック、ガイド番地等の情
報を示す溝の形成を短時間で行い得る新規な製造方法を
提供することをその目的とする。
れたものであり、上記特願昭58−84613号に記載
された製造方法に改良を加えることによって、光メモリ
素子の基板に対するガイドトラック、ガイド番地等の情
報を示す溝の形成を短時間で行い得る新規な製造方法を
提供することをその目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
め、本発明は光メモリ素子用のガラス基板上に第1のフ
ォトレジスト膜を塗布し、透明基板上に螺旋状若しくは
同心円状のガイドパターン状に欠如された金属膜が被覆
されてなるマスク板を前記第1のフォトレジスト膜が塗
布されたガラス基板上に重ね、前記マスク板を介して前
記第1のフォトレジスト膜に紫外線を照射し、前記マス
ク板のガイドパターンを前記第1のフォトレジスト膜に
転写し、該第1のフォトレジスト膜を現像した後でエッ
チングにより前記ガラス基板にガイドパターンを掘り込
んだことを特徴とする光メモリ素子の製造方法である。
め、本発明は光メモリ素子用のガラス基板上に第1のフ
ォトレジスト膜を塗布し、透明基板上に螺旋状若しくは
同心円状のガイドパターン状に欠如された金属膜が被覆
されてなるマスク板を前記第1のフォトレジスト膜が塗
布されたガラス基板上に重ね、前記マスク板を介して前
記第1のフォトレジスト膜に紫外線を照射し、前記マス
ク板のガイドパターンを前記第1のフォトレジスト膜に
転写し、該第1のフォトレジスト膜を現像した後でエッ
チングにより前記ガラス基板にガイドパターンを掘り込
んだことを特徴とする光メモリ素子の製造方法である。
【0007】また、本発明は前記マスク板が、透明基板
上に形成された金属膜上に第2のフォトレジスト膜を塗
布し、前記マスク板の半径方向に移動する構造体から照
射されるレーザ光ビームにて前記第2のフォトレジスト
膜にガイドパターンを記録し、前記第2のフォトレジス
ト膜を現像した後でエッチングにより前記金属膜にガイ
ドパターン状の欠如部分を形成することにより構成され
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光メモ
リ素子の製造方法である。
上に形成された金属膜上に第2のフォトレジスト膜を塗
布し、前記マスク板の半径方向に移動する構造体から照
射されるレーザ光ビームにて前記第2のフォトレジスト
膜にガイドパターンを記録し、前記第2のフォトレジス
ト膜を現像した後でエッチングにより前記金属膜にガイ
ドパターン状の欠如部分を形成することにより構成され
ることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の光メモ
リ素子の製造方法である。
【0008】
【作用】透明基板上に螺旋状若しくは同心円状のガイド
パターン状に欠如された金属膜が被覆されてなるマスク
板を前記第1のフォトレジスト膜が塗布した光メモリ素
子用のガラス基板上に重ねる。このマスク板を介して前
記第1のフォトレジスト膜に紫外線を照射して前記マス
ク板のガイドパターンを前記第1のフォトレジスト膜に
転写する。その後、第1のフォトレジスト膜を現像し、
エッチングにより前記ガラス基板にガイドパターンを掘
り込んで光メモリ素子を製造する。
パターン状に欠如された金属膜が被覆されてなるマスク
板を前記第1のフォトレジスト膜が塗布した光メモリ素
子用のガラス基板上に重ねる。このマスク板を介して前
記第1のフォトレジスト膜に紫外線を照射して前記マス
ク板のガイドパターンを前記第1のフォトレジスト膜に
転写する。その後、第1のフォトレジスト膜を現像し、
エッチングにより前記ガラス基板にガイドパターンを掘
り込んで光メモリ素子を製造する。
【0009】また、前記の光メモリ素子の製造方法にお
いて、透明基板上に金属膜を形成し、この金属膜上に第
2のフォトレジスト膜を塗布し、マスク板の半径方向に
移動する構造体からレーザ光ビームを照射して前記第2
のフォトレジスト膜にガイドパターンを記録し、前記第
2のフォトレジスト膜を現像した後でエッチングするこ
とにより前記金属膜にガイドパターン状の欠如部分を形
成することにより構成されるマスク板を用いる。
いて、透明基板上に金属膜を形成し、この金属膜上に第
2のフォトレジスト膜を塗布し、マスク板の半径方向に
移動する構造体からレーザ光ビームを照射して前記第2
のフォトレジスト膜にガイドパターンを記録し、前記第
2のフォトレジスト膜を現像した後でエッチングするこ
とにより前記金属膜にガイドパターン状の欠如部分を形
成することにより構成されるマスク板を用いる。
【0010】
【実施例】以下本発明に係る光メモリ素子の製造方法の
実施例を図面をもちいて詳細に説明する。
実施例を図面をもちいて詳細に説明する。
【0011】図1は、本発明に係る光メモリ素子の基板
の製造方法を工程順に示す説明図である。同図に従い本
発明に係る光メモリ素子の基板の製造方法の一実施例を
工程順に説明する。
の製造方法を工程順に示す説明図である。同図に従い本
発明に係る光メモリ素子の基板の製造方法の一実施例を
工程順に説明する。
【0012】工程(1)…酸素、水分等の通過に対して
信頼性の高い(酸素、水分等を通過させない)光メモリ
素子用のガラス基板を洗浄し、そのガラス基板1の上に
フォトレジスト膜2を塗布する(図1(a))。このフ
ォトレジスト膜2の膜厚は100nm〜500nm程度
が好ましい。
信頼性の高い(酸素、水分等を通過させない)光メモリ
素子用のガラス基板を洗浄し、そのガラス基板1の上に
フォトレジスト膜2を塗布する(図1(a))。このフ
ォトレジスト膜2の膜厚は100nm〜500nm程度
が好ましい。
【0013】工程(2)…上記フォトレジスト膜2を塗
布したガラス基板1上に後述するガイドトラック及びガ
イド情報をパターン化したマスク板3を密着せしめ、該
マスク板3ごしに紫外線Aを照射しマスク板3のマスク
パターンを上記フォトレジスト膜2に転写する(図1
(b))。ここで光メモリ素子は円板状であるので上記
マスク板3も円板状であることが望ましい。
布したガラス基板1上に後述するガイドトラック及びガ
イド情報をパターン化したマスク板3を密着せしめ、該
マスク板3ごしに紫外線Aを照射しマスク板3のマスク
パターンを上記フォトレジスト膜2に転写する(図1
(b))。ここで光メモリ素子は円板状であるので上記
マスク板3も円板状であることが望ましい。
【0014】工程(3)…上記マスクパターンを書き込
んだフォトレジスト膜2を現像工程に通すことで上記フ
ォトレジスト膜2に溝を形成する(図1(c))。
んだフォトレジスト膜2を現像工程に通すことで上記フ
ォトレジスト膜2に溝を形成する(図1(c))。
【0015】工程(4)…上記溝を形成したフォトレジ
スト膜2の被覆状態において、ウェットエッチング若し
くはCF4、CHF3等のエッチングガス中でのスパッタ
リング(リアクティブイオンエッチング)等のドライエ
ッチングを行いガラス基板1に溝4を形成する(図1
(d))。
スト膜2の被覆状態において、ウェットエッチング若し
くはCF4、CHF3等のエッチングガス中でのスパッタ
リング(リアクティブイオンエッチング)等のドライエ
ッチングを行いガラス基板1に溝4を形成する(図1
(d))。
【0016】工程(5)…上記フォトレジスト膜2をア
セトン等の溶媒、O2中でのスパッタリング等により除
去する。この結果ガラス基板1に溝4が残る(図1
(e))。
セトン等の溶媒、O2中でのスパッタリング等により除
去する。この結果ガラス基板1に溝4が残る(図1
(e))。
【0017】以上の工程によってガイドトラック及びガ
イド番地の情報を示す溝を有するガラス基板が完成す
る。この工程によれば予めガイドトラック及びガイド情
報をパターン化したマスク板を作成しておき、該マスク
板をフォトレジスト膜が塗布されたガラス基板上に順次
密着せしめてマスク板のパターンを転写して行けばよい
のでガイドパターンの記録時間を極めて短縮できるもの
である。
イド番地の情報を示す溝を有するガラス基板が完成す
る。この工程によれば予めガイドトラック及びガイド情
報をパターン化したマスク板を作成しておき、該マスク
板をフォトレジスト膜が塗布されたガラス基板上に順次
密着せしめてマスク板のパターンを転写して行けばよい
のでガイドパターンの記録時間を極めて短縮できるもの
である。
【0018】次に上記マスク板の製造方法について工程
順に詳細に説明する。
順に詳細に説明する。
【0019】図2はマスク板の製造方法を示す説明図で
ある。
ある。
【0020】工程(1)…まず円板状の低反射Crマス
クブランク5を準備する。図2(a)はそのマスクブラ
ンク5の一部側面断面図である。6は紫外線を良く通す
石英ガラス基板(紫外線Aの種類によっては通常のソー
ダライムガラスを精度良く研磨したものでも良い。)、
7はCr膜、8は反射防止用のCrOx膜である。この
マスクブランク5の構造としては、Cr単層膜やCrO
x膜、Cr膜、CrOx膜の3層膜の構造であっても構
わない。
クブランク5を準備する。図2(a)はそのマスクブラ
ンク5の一部側面断面図である。6は紫外線を良く通す
石英ガラス基板(紫外線Aの種類によっては通常のソー
ダライムガラスを精度良く研磨したものでも良い。)、
7はCr膜、8は反射防止用のCrOx膜である。この
マスクブランク5の構造としては、Cr単層膜やCrO
x膜、Cr膜、CrOx膜の3層膜の構造であっても構
わない。
【0021】工程(2)…上記マスクブランク5上にフ
ォトレジスト膜9をコートする(図2(b))。このフ
ォトレジスト膜9としては例えばShipley社製の
AZ−1400等のポジ型のものを使用すればよい。こ
のフォトレジスト膜9の厚みは次の工程(3)において
用いるレーザ光のパワーにもよるが通常100nm〜5
00nm程度が適当である。
ォトレジスト膜9をコートする(図2(b))。このフ
ォトレジスト膜9としては例えばShipley社製の
AZ−1400等のポジ型のものを使用すればよい。こ
のフォトレジスト膜9の厚みは次の工程(3)において
用いるレーザ光のパワーにもよるが通常100nm〜5
00nm程度が適当である。
【0022】工程(3)…上記フォトレジスト膜9をコ
ートしたマスクブランク5にArレーザ10の光を集光
してガイドトラック及びガイド番地を記録する(図2
(c))。波長が4579オングストームのArレーザ
を用い対物レンズ11で0.5μmφ程度のスポット径
を持つよう集光した場合、上記フォトレジスト膜9面上
では約10mWのレーザパワーを得、0.6μm幅のト
ラックを記録することができる。ここで上記パターン形
成用の光としては5000オングストームより短い波長
のレーザであることが上記ガイドトラック及びガイド番
地のパターンを微細化するため及びフォトレジスト膜9
の感度のために適切であり、Arレーザ以外にはクリプ
トンレーザが有用である。
ートしたマスクブランク5にArレーザ10の光を集光
してガイドトラック及びガイド番地を記録する(図2
(c))。波長が4579オングストームのArレーザ
を用い対物レンズ11で0.5μmφ程度のスポット径
を持つよう集光した場合、上記フォトレジスト膜9面上
では約10mWのレーザパワーを得、0.6μm幅のト
ラックを記録することができる。ここで上記パターン形
成用の光としては5000オングストームより短い波長
のレーザであることが上記ガイドトラック及びガイド番
地のパターンを微細化するため及びフォトレジスト膜9
の感度のために適切であり、Arレーザ以外にはクリプ
トンレーザが有用である。
【0023】工程(4)…工程(3)によってフォトレ
ジスト膜9にガイドトラック及びガイド番地が記録され
たマスクブランク5を現像工程に通すことで上記フォト
レジスト膜9に溝を形成する(図2(d))。なお、こ
の図2(d)以下図2(f)までは横方向の倍率を大き
くしている。
ジスト膜9にガイドトラック及びガイド番地が記録され
たマスクブランク5を現像工程に通すことで上記フォト
レジスト膜9に溝を形成する(図2(d))。なお、こ
の図2(d)以下図2(f)までは横方向の倍率を大き
くしている。
【0024】工程(5)…上記溝を形成したフォトレジ
スト膜9の被覆状態においてエッチングを行い、ガラス
基板6上の所定の部分のCr膜7及びCrOx膜8を除
去する(図2(e))。
スト膜9の被覆状態においてエッチングを行い、ガラス
基板6上の所定の部分のCr膜7及びCrOx膜8を除
去する(図2(e))。
【0025】工程(6)…残存した上記フォトレジスト
膜9をアセトン等の溶媒、O2中でのスパッタリング等
により除去する(図2(f))。この結果、ガラス基板
6上にガイドトラック及びガイド番地の情報を示す溝を
有したCr膜7及びCrOx膜8の積層膜を得ることが
できる。
膜9をアセトン等の溶媒、O2中でのスパッタリング等
により除去する(図2(f))。この結果、ガラス基板
6上にガイドトラック及びガイド番地の情報を示す溝を
有したCr膜7及びCrOx膜8の積層膜を得ることが
できる。
【0026】以上の工程によって螺旋状のガイドトラッ
クとガイドトラックの断続形状によるガイド番地が記録
された円板状のマスク板を得る。
クとガイドトラックの断続形状によるガイド番地が記録
された円板状のマスク板を得る。
【0027】図3は完成したマスク板12の外観斜視
図、図4(a)はその一部拡大平面図、図4(b)はそ
のa−a’線での切断断面図を示す。図3に示される如
くマスク板12には中央に穴13が形成される。この穴
13によってマスク板12の製造の際の回転駆動が容易
になるように工夫されている。すなわちマスク板12の
上記中央の穴13を利用してネジ押えやマグネットチャ
ックを行い、その固定保持によりマスク板12の回転動
作を安定的に行うことができるものである。ただし、マ
スク板12の外周部分を保持する機構や真空吸引により
マスク板12の面全体を保持する機構を採用する場合は
必ずしも上記マスク板の中央の穴13は必要でない。1
4には光メモリ素子のガイドトラックのパターンが形成
され、15には光メモリ素子のガイド番地のパターンガ
イド形成される。
図、図4(a)はその一部拡大平面図、図4(b)はそ
のa−a’線での切断断面図を示す。図3に示される如
くマスク板12には中央に穴13が形成される。この穴
13によってマスク板12の製造の際の回転駆動が容易
になるように工夫されている。すなわちマスク板12の
上記中央の穴13を利用してネジ押えやマグネットチャ
ックを行い、その固定保持によりマスク板12の回転動
作を安定的に行うことができるものである。ただし、マ
スク板12の外周部分を保持する機構や真空吸引により
マスク板12の面全体を保持する機構を採用する場合は
必ずしも上記マスク板の中央の穴13は必要でない。1
4には光メモリ素子のガイドトラックのパターンが形成
され、15には光メモリ素子のガイド番地のパターンガ
イド形成される。
【0028】次に図2(C)において示した、Arレー
ザ光を集光してマスクブランク5上にコートしたフォト
レジスト膜9にガイドトラック及びガイド番地を記録す
る工程を行う装置工程について説明する。図5にその装
置構成の構成説明図を示す。Arレーザ光源16から出
た波長4579オングストロームのレーザ光は光変調器
17の効率を上げるレンズ18、光変調器17、光変調
器17の効率を上げるレンズ19を介してビームスプリ
ッタ20に入射する。該ビームスプリッタ20で光の一
部が取り出されて光検出器21でパワーモニタされる。
この光検出器21の出力により上記光変調器17が制御
されレーザ光の出射パワーが一定になるように調整され
る。これはレーザ光の出射パワーが室温等の環境条件の
変動で変化するので、これを抑制する為に行われるもの
である。22はレーザ光の光路を変えるミラー、23は
上述したフォトレジスト膜9にガイド番地を記録する際
に光を変調する変調器、24、25は該変調器23の効
率を上げる為のレンズである。レーザ光はミラー26で
更に光路を変えられ、変調光モニタ用ビームスプリッタ
27に入射する。該変調光モニタ用ビームスプリッタ2
7で光の一部が取り出されて光検出器28でパワーモニ
タされる。29は2色性ミラーであり、レーザ光は該2
色性ミラー29を通った後にスポットレンズ30で集光
され偏光ビームスプリッタ31により対物レンズ32に
導かれる。33は後述するサーボ用のHe−Neレーザ
34の波長に合わせた4分の1波長板、35は対物レン
ズを上下に動かしてマスク板12の表面に常に光が集光
されるようサーボをかけるための対物レンズ駆動部であ
る。34はサーボ用レーザとして使用されるHe−Ne
レーザである。該He−Neレーザ34から出た光はミ
ラー36で光路を変えられ、2色性ミラー29でArレ
ーザ光源16によるレーザ光路と同一の光路に至る。こ
こで2色性ミラー29としてはArレーザ波長光(45
79オングストローム)を通過せしめHe−Neレーザ
波長光(6328オングストローム)を全反射せしめる
ものを用いる。又上記偏光ビームスプリッター31とし
てはHe−Neレーザ光のS波を反射し且つP波を通過
せしめ、Arレーザ光を全反射せしめるものを用いる。
37はシリンドリカルレンズ、38は4分割検出器であ
る。該4分割検出器38にはマスク板12から反射され
た光が入射しこの4分割検出器38の出力によってフォ
ーカスサーボがかけられる。同図の点線に囲まれた部分
39はエアースライダー等の移動装置に乗って移動でき
るようになっている。そして回転するマスク板12の半
径方向にこの移動装置を移動しながらArレーザを操作
すれば螺旋状のガイドトラックとガイド番地を潜像の形
でフォトレジスト膜9に記録できる。
ザ光を集光してマスクブランク5上にコートしたフォト
レジスト膜9にガイドトラック及びガイド番地を記録す
る工程を行う装置工程について説明する。図5にその装
置構成の構成説明図を示す。Arレーザ光源16から出
た波長4579オングストロームのレーザ光は光変調器
17の効率を上げるレンズ18、光変調器17、光変調
器17の効率を上げるレンズ19を介してビームスプリ
ッタ20に入射する。該ビームスプリッタ20で光の一
部が取り出されて光検出器21でパワーモニタされる。
この光検出器21の出力により上記光変調器17が制御
されレーザ光の出射パワーが一定になるように調整され
る。これはレーザ光の出射パワーが室温等の環境条件の
変動で変化するので、これを抑制する為に行われるもの
である。22はレーザ光の光路を変えるミラー、23は
上述したフォトレジスト膜9にガイド番地を記録する際
に光を変調する変調器、24、25は該変調器23の効
率を上げる為のレンズである。レーザ光はミラー26で
更に光路を変えられ、変調光モニタ用ビームスプリッタ
27に入射する。該変調光モニタ用ビームスプリッタ2
7で光の一部が取り出されて光検出器28でパワーモニ
タされる。29は2色性ミラーであり、レーザ光は該2
色性ミラー29を通った後にスポットレンズ30で集光
され偏光ビームスプリッタ31により対物レンズ32に
導かれる。33は後述するサーボ用のHe−Neレーザ
34の波長に合わせた4分の1波長板、35は対物レン
ズを上下に動かしてマスク板12の表面に常に光が集光
されるようサーボをかけるための対物レンズ駆動部であ
る。34はサーボ用レーザとして使用されるHe−Ne
レーザである。該He−Neレーザ34から出た光はミ
ラー36で光路を変えられ、2色性ミラー29でArレ
ーザ光源16によるレーザ光路と同一の光路に至る。こ
こで2色性ミラー29としてはArレーザ波長光(45
79オングストローム)を通過せしめHe−Neレーザ
波長光(6328オングストローム)を全反射せしめる
ものを用いる。又上記偏光ビームスプリッター31とし
てはHe−Neレーザ光のS波を反射し且つP波を通過
せしめ、Arレーザ光を全反射せしめるものを用いる。
37はシリンドリカルレンズ、38は4分割検出器であ
る。該4分割検出器38にはマスク板12から反射され
た光が入射しこの4分割検出器38の出力によってフォ
ーカスサーボがかけられる。同図の点線に囲まれた部分
39はエアースライダー等の移動装置に乗って移動でき
るようになっている。そして回転するマスク板12の半
径方向にこの移動装置を移動しながらArレーザを操作
すれば螺旋状のガイドトラックとガイド番地を潜像の形
でフォトレジスト膜9に記録できる。
【0029】以上の光メモリ素子の基板に対するガイド
トラック、ガイド番地の溝の形成に際し、該溝の形状は
同心円状でも良く、又ガイド番地の情報は1周に1度に
限らず、2周あるいは3周に1度に設けても良く、更に
は1周に数度設けても構わない。
トラック、ガイド番地の溝の形成に際し、該溝の形状は
同心円状でも良く、又ガイド番地の情報は1周に1度に
限らず、2周あるいは3周に1度に設けても良く、更に
は1周に数度設けても構わない。
【0030】図6は図1に示した製造方法によって得た
基板を用いて構成した光メモリ素子の一部側面断面図を
示す。同図においてガラス基板1上に凹凸の溝4(即ち
ガイドトラック)が形成され、該ガラス基板1上に該ガ
ラス基板1の屈折率より大きな屈折率を有する例えばA
lN膜、SiO膜等の誘電体膜40が被覆される。この
誘電体膜40の膜厚は500〜1000オングストロー
ム程度である。上記誘電体膜40上にGdTbFe、T
bFe、GdCoFe等の希土類と遷移金属との合金薄
膜41(記録媒体)が被覆される。この合金薄膜41の
膜厚は50〜400オングストローム程度である。この
合金薄膜41の膜厚の下限は垂直磁化膜の作成条件から
決まり、上限は磁気光学効果の増大条件から決まる。よ
って上記合金薄膜41の適性膜厚は膜生成方法に依存す
る。上記合金薄膜41をスパッタリングによって膜生成
する場合その膜厚が50オングストローム程度以下だと
垂直磁化膜を得る事が困難であるのでその膜厚は50オ
ングストローム程度より大であることが必要である。上
記合金薄膜41の上にはAlN、SiO2等の誘電体膜4
2、及びCu、Al、ステンレス、Ni等の金属からなる反射
膜43が形成される。上記誘電体膜42及び反射膜43
は磁気光学効果の特性向上を促すとともに上記合金薄膜
41への酸素及び水分の到達を防止する作用を有する。
44は接着層、45は該接着層44より接着されるガラ
ス、アクリル等からなる保護板である。この保護板45
の代わりにメモリ素子の2枚を背中合わせに貼りあわせ
て両面使用のメモリ素子にすることも可能である。
基板を用いて構成した光メモリ素子の一部側面断面図を
示す。同図においてガラス基板1上に凹凸の溝4(即ち
ガイドトラック)が形成され、該ガラス基板1上に該ガ
ラス基板1の屈折率より大きな屈折率を有する例えばA
lN膜、SiO膜等の誘電体膜40が被覆される。この
誘電体膜40の膜厚は500〜1000オングストロー
ム程度である。上記誘電体膜40上にGdTbFe、T
bFe、GdCoFe等の希土類と遷移金属との合金薄
膜41(記録媒体)が被覆される。この合金薄膜41の
膜厚は50〜400オングストローム程度である。この
合金薄膜41の膜厚の下限は垂直磁化膜の作成条件から
決まり、上限は磁気光学効果の増大条件から決まる。よ
って上記合金薄膜41の適性膜厚は膜生成方法に依存す
る。上記合金薄膜41をスパッタリングによって膜生成
する場合その膜厚が50オングストローム程度以下だと
垂直磁化膜を得る事が困難であるのでその膜厚は50オ
ングストローム程度より大であることが必要である。上
記合金薄膜41の上にはAlN、SiO2等の誘電体膜4
2、及びCu、Al、ステンレス、Ni等の金属からなる反射
膜43が形成される。上記誘電体膜42及び反射膜43
は磁気光学効果の特性向上を促すとともに上記合金薄膜
41への酸素及び水分の到達を防止する作用を有する。
44は接着層、45は該接着層44より接着されるガラ
ス、アクリル等からなる保護板である。この保護板45
の代わりにメモリ素子の2枚を背中合わせに貼りあわせ
て両面使用のメモリ素子にすることも可能である。
【0031】以上の説明の光メモリ素子の例は反射膜構
造の光磁気メモリ素子について示したが、本発明は図6
に示した合金薄膜41の膜厚を厚くして反射膜43を除
去した構造を有する単層膜構造の光磁気メモリ素子、あ
るいはTe、TeS、TeOx等を記録媒体とする追記記録型
の光メモリ素子においても適用可能である。
造の光磁気メモリ素子について示したが、本発明は図6
に示した合金薄膜41の膜厚を厚くして反射膜43を除
去した構造を有する単層膜構造の光磁気メモリ素子、あ
るいはTe、TeS、TeOx等を記録媒体とする追記記録型
の光メモリ素子においても適用可能である。
【0032】
【発明の効果】本発明によれば光メモリ素子のガイド信
号あるいはガイド番地の形成に際して樹脂材を用いなく
ともよいので酸素あるいは水分等が記録媒体に達するこ
とを防止でき、その為信頼性の高い光メモリ素子を得る
ことができるものである。又光メモリ素子の基板に形成
するガイドパターンの溝を効率良く形成でき、光メモリ
素子の量産化を大いに高めることができるものである。
号あるいはガイド番地の形成に際して樹脂材を用いなく
ともよいので酸素あるいは水分等が記録媒体に達するこ
とを防止でき、その為信頼性の高い光メモリ素子を得る
ことができるものである。又光メモリ素子の基板に形成
するガイドパターンの溝を効率良く形成でき、光メモリ
素子の量産化を大いに高めることができるものである。
【図1】本発明に係る光メモリ素子の製造方法の一実施
例の基板の製造方法を工程順に示す説明図である。
例の基板の製造方法を工程順に示す説明図である。
【図2】マスク板の製造方法を示す説明図である。
【図3】マスク板の外観斜視図である。
【図4】(a)はマスク板の一部拡大平面図、(b)は
そのa−a´線での切断断面図である。
そのa−a´線での切断断面図である。
【図5】ガイドトラック及びガイド番地を記録する工程
を行う装置構成の構成説明図である。
を行う装置構成の構成説明図である。
【図6】光メモリ素子の一部側面断面図である。
【図7】従来のメモリ基板の一部斜視図である。
1 ガラス基板
2 フォトレジスト膜
3 マスク板
4 溝
5 マスクブランク
6 ガラス基板
7 Cr膜
8 CrOx膜
9 フォトレジスト膜
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 広兼 順司
大阪市阿倍野区長池町22番22号 シヤープ
株式会社内
(72)発明者 出口 敏久
大阪市阿倍野区長池町22番22号 シヤープ
株式会社内
Claims (2)
- 【請求項1】光メモリ素子用のガラス基板上に第1のフ
ォトレジスト膜を塗布し、 透明基板上に螺旋状若しくは同心円状のガイドパターン
状に欠如された金属膜が被覆されてなるマスク板を前記
第1のフォトレジスト膜が塗布されたガラス基板上に重
ね、 前記マスク板を介して前記第1のフォトレジスト膜に紫
外線を照射し、 前記マスク板のガイドパターンを前記第1のフォトレジ
スト膜に転写し、 該第1のフォトレジスト膜を現像した後でエッチングに
より前記ガラス基板にガイドパターンを掘り込んだこと
を特徴とする光メモリ素子の製造方法。 - 【請求項2】前記マスク板が、透明基板上に形成された
金属膜上に第2のフォトレジスト膜を塗布し、前記マス
ク板の半径方向に移動する構造体から照射されるレーザ
光ビームにて前記第2のフォトレジスト膜にガイドパタ
ーンを記録し、前記第2のフォトレジスト膜を現像した
後でエッチングにより前記金属膜にガイドパターン状の
欠如部分を形成することにより構成されることを特徴と
する特許請求の範囲第1項記載の光メモリ素子の製造方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12077691A JP2665281B2 (ja) | 1991-05-27 | 1991-05-27 | 光メモリ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12077691A JP2665281B2 (ja) | 1991-05-27 | 1991-05-27 | 光メモリ素子の製造方法 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP59051977A Division JPH0685237B2 (ja) | 1984-03-16 | 1984-03-16 | 光磁気メモリ素子の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0536121A true JPH0536121A (ja) | 1993-02-12 |
JP2665281B2 JP2665281B2 (ja) | 1997-10-22 |
Family
ID=14794724
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12077691A Expired - Lifetime JP2665281B2 (ja) | 1991-05-27 | 1991-05-27 | 光メモリ素子の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2665281B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108556501A (zh) * | 2018-04-24 | 2018-09-21 | 河海大学常州校区 | 一种减小弹性***变形的压印方法 |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101367662B1 (ko) | 2006-11-22 | 2014-03-03 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 임프린트용 스탬프 제조 방법 |
-
1991
- 1991-05-27 JP JP12077691A patent/JP2665281B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108556501A (zh) * | 2018-04-24 | 2018-09-21 | 河海大学常州校区 | 一种减小弹性***变形的压印方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2665281B2 (ja) | 1997-10-22 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
EXPY | Cancellation because of completion of term |