KR100719706B1 - 평판표시장치 및 유기 발광표시장치 - Google Patents

평판표시장치 및 유기 발광표시장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100719706B1
KR100719706B1 KR1020050085412A KR20050085412A KR100719706B1 KR 100719706 B1 KR100719706 B1 KR 100719706B1 KR 1020050085412 A KR1020050085412 A KR 1020050085412A KR 20050085412 A KR20050085412 A KR 20050085412A KR 100719706 B1 KR100719706 B1 KR 100719706B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
transparent
light emitting
organic light
contact
substrate
Prior art date
Application number
KR1020050085412A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20070030619A (ko
Inventor
신현수
정재경
모연곤
진동언
Original Assignee
삼성에스디아이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성에스디아이 주식회사 filed Critical 삼성에스디아이 주식회사
Priority to KR1020050085412A priority Critical patent/KR100719706B1/ko
Priority to US11/519,928 priority patent/US20070057932A1/en
Priority to EP06254756A priority patent/EP1763082A3/en
Publication of KR20070030619A publication Critical patent/KR20070030619A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100719706B1 publication Critical patent/KR100719706B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/50—OLEDs integrated with light modulating elements, e.g. with electrochromic elements, photochromic elements or liquid crystal elements
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/8793—Arrangements for polarized light emission
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/302—Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023—Direction of light emission
    • H10K2102/3031—Two-side emission, e.g. transparent OLEDs [TOLED]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/86—Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/868—Arrangements for polarized light emission

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Liquid Crystal Display Device Control (AREA)

Abstract

본 발명은 투명 양면 발광패널과 상기 투명 양면 발광패널 하부에 광조절부를 형성함으로써, 평상시 투명한 상태를 유지하며 사용자가 원하는 시점 또는 설정된 시점에 따라 불투명한 상태가 되어 양면 또는 단일면으로 자유로운 화상 표현을 할 수 있는 평판표시장치 및 유기 발광표시장치에 관한 것이다.
본 발명의 평판표시장치는 투명 양면 발광 패널과,상기 투명 양면 발광 패널의 적어도 일 측면에 설치되어 빛의 투과를 조절하는 광조절부를 포함하며, 상기 광조절부는 인가되는 전압에 따른 액정층의 배열과 제1 편광부재 및 제2 편광부재에 의해 빛의 투과를 조절를 포함한다.
이에 따라, 평상시 투명한 상태를 유지하며 사용자가 원하는 시점 또는 설정된 시점에 따라 불투명한 상태가 되어 양면 또는 단일면으로 자유로운 화상 표현이 가능하다.
투명 박막트랜지스터, 양면발광, 편광판, 액정층

Description

평판표시장치 및 유기 발광표시장치{Flat Panel Display and Organic Light Emitting Display}
도 1은 본 발명에 따른 유기 발광표시장치의 실시 예를 나타내는 단면도이다.
♣ 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ♣
100 : 기판 101: 버퍼층
102 : 투명 반도체층 103 : 게이트 절연층
104 : 게이트 전극 105 : 층간 절연층
106 : 소스/드레인 전극 107 : 평탄화층
108 : 제3 전극 109 : 화소정의막
110 : 발광층 111 : 제4 전극
112 : 제1 편광판 113 : 제1 기판
114 : 제1 투명전극 115 : 액정층
116 : 제2 투명전극 117 : 제2 기판
118 : 제2 편광판 120 : 광조절부
130 : 유기 발광표시소자
본 발명은 평판표시장치 및 유기 발광표시장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로 투명 양면 발광패널과 상기 투명 양면 발광패널 하부에 광조절부를 형성함으로써, 평상시 투명한 상태를 유지하며 사용자가 원하는 시점 또는 설정된 시점에 따라 불투명한 상태가 되어 양면 또는 단일면으로 자유로운 화상 표현이 가능한 평판표시장치 및 유기 발광표시장치에 관한 것이다.
최근에, 고도 정보화 사회의 도래에 수반되어, 퍼스널 컴퓨터, 카 네비게이션 시스템(Car Navigation System), 휴대 정보 단말기, 정보 통신 기기 혹은 이들 복합 제품의 수요가 증대하고 있다. 이들 제품은 시인성이 좋은 것, 넓은 시각 특성을 갖는 것, 고속 응답으로 동화상을 표시할 수 있는 것 등의 특성을 요구하는데, 유기 발광표시장치가 이에 적합하여 향후 차세대 디스플레이로 주목받고 있다.
일반적으로, 투명 평판표시의 일례로서, 양면 발광 유기 발광표시장치는 기판이 투명성이 있는 플라스틱 및 메탈포일과 같은 절연기판 등을 이용한다. 제1 전극과 제2 전극은 도전성 금속산화물, 예를 들면, ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide) 및 ITZO(indium tin zinc oxide) 등과 같은 투명전극으로 형성된다.
이러한 구조의 유기 발광소자는 제1 전극과 제2 전극으로부터의 전자와 정공이 발광층에서 재결합하여 여기자를 형성함으로써 빛을 발생시킨다. 이때, 발광층에는 전자와 정공의 주입특성을 향상시키기 위해 도시하지 않은 정공주입층, 정공 수송층, 전자수송층 및 전자주입층 중 적어도 하나의 층들이 더 포함될 수 있다.
그러나 전술한 구조의 양면 유기 발광표시장치는 투명성을 띠는 재질로 이루어짐으로써 양면 유기 발광표시장치는 항상 투명한 상태를 유지한다. 이에 따라, 사용자는 사용자가 원하는 시점에 따라 유기 발광표시장치를 투명 또는 반투명한 상태로 조절할 수 없다는 문제점을 갖는다.
따라서, 본 발명은 전술한 종래의 문제점들을 해소하기 위해 도출된 발명으로, 투명 양면 발광패널과 상기 투명 양면 발광패널 하부에 광조절부를 형성함으로써 평상시 투명한 상태를 유지하며 사용자가 원하는 시점 또는 설정된 시점에 따라 불투명한 상태가 되어 양면 또는 단일면으로 자유로운 화상 표현이 가능한 평판표시 장치 및 유기 발광표시장치를 제공함에 그 목적이 있다.
전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 일 측면에 따르면, 본 발명의 평판표시장치는 투명 양면 발광 패널과,상기 투명 양면 발광 패널의 적어도 일 측면에 설치되어 빛의 투과를 조절하는 광조절부를 포함하며, 상기 광조절부는 인가되는 전압에 따른 액정층의 배열과 제1 편광부재 및 제2 편광부재에 의해 빛의 투과를 조절를 포함한다.
바람직하게, 상기 광조절부는 상기 투명 양면 발광 패널의 일면에 접촉하는 제1 편광부재와, 상기 제1 편광부재에 접촉되는 제1 기판, 상기 제1 기판에 접촉되는 제1 투명전극과, 상기 제1 투명전극에 접촉되는 액정층과, 상기 액정층에 접촉되는 제2 투명전극과, 상기 제2 투명전극에 접촉되는 제2 기판과, 상기 제2 기판 하면에 접촉되는 제2 편광부재를 포함한다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 본 유기 발광표시장치는 투명 기판의 일 측면에 형성되어 양면 발광하는 투명 유기 발광소자를 포함하는 유기발광표시부와,상기 유기 발광표시부의 타 측면에 형성되어 상기 유기 발광표시부에 빛의 세기를 조절하도록 구성되는 광조절부를 포함하며, 상기 광조절부는 인가되는 전압에 따른 액정층의 배열과 제1 편광부재 및 제2 편광부재에 의해 빛의 투과를 조절한다.
바람직하게 상기 광조절부는, 유기 발광소자의 일면에 접촉하는 제1 편광부재와, 상기 제1 편광부재에 접촉되는 제1 기판과, 상기 제1 기판에 접촉되는 제1 투명전극과, 상기 제1 투명전극에 접촉되는 액정층과, 상기 액정층 하면에 접촉되는 제2 투명전극과, 상기 제2 투명전극에 접촉되는 제2 기판과, 상기 제2 기판에 접촉되는 제2 편광부재를 포함한다. 상기 광조절부의 상기 제1 투명전극과 상기 제2 투명전극에 전원을 인가해주는 제어부를 더 포함한다.
상기 유기 발광표시부는 상기 유기발광소자를 구동하는 적어도 하나의 투명 박막트랜지스터를 포함하며, 상기 투명 박막트랜지스터는 상기 투명 기판 상에 형성되는 투명 반도체층, 게이트 전극 및 소스/드레인 전극을 포함하여 이루어지며, 상기 투명 반도체층의 밴드갭은 3.0eV보다 큰 광대역 반도체 물질로 형성되며, 상기 광대역 반도체 물질은 ZnO, ZnSnO, GaSnO, GaN 또는 SiC로 구성된 것을 특징으로 한다.
이하에서는, 본 발명의 실시 예들을 도시한 도면을 참조하여, 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다.
도 1은 본 발명의 일실시 예에 따른 유기 발광표시장치의 개략적인 단면도이다.
본 발명에 있어서, 설명을 간략히 하기 위해「투명」이라는 개념에는 「투명 또는 투광성을 갖는」이라는 개념이 포함되는 것으로 한다.
도 1을 참고하면, 투명 기판(100)의 일면에 형성되는 적어도 하나의 유기 발광소자와 투명 박막트랜지스터를 포함하는 유기발광표시부(130)와, 상기 유기 발광표시부(130)의 하면에 형성되어 상기 유기 발광표시부(130)부에 빛의 세기를 조절하도록 구성되는 광조절부(120)를 포함한다.
이하에서는, 상기 광조절부(120)을 보다 구체적으로 설명한다.
상기 광조절부(120)의 제1 기판(113)과 제2 기판(117)은 서로 대향 되게 배치되어 있고, 제1 기판(113)과 제2 기판(117)의 내부 면에는 각각 제1 투명전극(114)과 제2 투명전극(116)이 형성되어 있으며, 제1 투명전극(114)과 제2 투명전극(116)의 사이에 액정층(115)이 개재되어 있고, 제1 기판(113)과 제2 기판(117)의 바깥면에는 제1 편광판(112)과 제2 편광판(118)이 각각 위치하고 있다.
또한, 상기 광조절부(120)의 제1 투명전극(114)과 제2 투명전극(116)에 전압을 인가해주는 제어부(미도시)를 더 포함하며, 상기 제어부(미도시)는 수동으로 구동되거나 감광에 의하여 자동적으로 제어될 수 있다.
상기 액정층(115)은 상기 제어부(미도시)에서 인가되는 전압이 제1 투명전극(114)과 제2 투명전극(116) 상에 인가됨에 따라, 빛이 차단 또는 투과될 수 있다.
예컨대, 광조절부가 TN(Twisted Nematic)일 경우, 전압이 오프상태에서 상기 액정층(115)은 90˚ 트위스트(twist)가 되고, 전압이 온 상태에서 상기 액정층(115)은 기판에 대해 수직으로 배열되는 특성을 가지고 있다.
이에 따라, 전압이 오프 상태에서는 광원이 제1 편광판(112)을 거처 제1 편광축과 일치하는 제1 선편광만이 통과되고, 상기 제1 선편광은 90˚ 트위스트(twist)된 상기 액정층(115)를 거치면서, 제2 투과축과 일치하는 제2 선편광으로 편광상태가 바뀌고, 상기 제2 선편광은 제2 편광판(118)의 투과 축과 일치하여 그대로 기판을 통과하여 화이트 화면을 표현될 수 있다.
전압이 온 상태에서는, 광원이 제1 편광판(112)을 거처 제1 편광축과 일치하는 제1 선편광만이 통과하고, 상기 제1 선편광은 기판과 수직 되게 배열된 상기 액정층(115)을 그대로 통과되지만 상기 제1 선편광이 제2 편광판(118)에 의해 차단되어 블랙(black) 화면이 표현될 수 있다.
이와 같이 광조절부(120)의 제1 편광판(112)과 제2 편광판(118)은 액정셀이 통과하는 동안 편광축의 회전 정도에 따라 투과광의 세기가 조절됨에 따라 흑과 백사이의 계조(Gray)를 표시할 수 있게 되는 것이다.
이하에서는 상기 유기 발광표시부(130)를 보다 구체적으로 설명한다.
상기 유기 발광표시부(130)는 상기 광조절부(120) 상에 형성되며, 상기 유기 발광표시부(130)는 기판(100)과, 상기 기판(100) 상에 형성되는 버퍼층(101)과, 상기 버퍼층(101) 상에 소정패턴으로 형성되는 투명 반도체층(102)과, 상기 투명 반도체층(102) 상에 형성된 게이트 절연층(103)과, 상기 게이트 절연층(103) 상에 형성되며, 상기 투명 반도체층(102)과 대응되도록 패터닝되어 형성되는 게이트 전극(104)과, 상기 게이트 전극(104) 상에 형성된 층간 절연층(105)과, 상기 게이트 절연층(103)과 상기 층간 절연층(105)에 형성된 콘택 홀을 통해 상기 투명 반도체층 (102)과 전기적으로 연결된 소스/드레인 전극(106a,106b) 상에 형성되는 평탄화층(107)과, 상기 평탄화층(107)의 일 영역 상에 형성되며, 상기 소스 및 드레인 전극(106a,106b) 중 어느 하나와 연결되도록 형성된 제3 전극층(108)과, 상기 제3 전극층(108) 상에 형성되며, 상기 제3 전극층(108)을 적어도 부분적으로 노출되도록 개구부가 형성된 화소정의막(109)과, 상기 화소정의막(109)의 일 영역 및 상기 개구부 상에 형성된 발광층(110)과, 상기 발광층(110) 상부에 형성되는 제4 전극층(111)을 포함한다.
상기 투명기판(100)은 일례로 플라스틱, 실리콘 또는 합성수지와 같은 절연성을 띠는 재질로 이루어질 수 있으며, 플렉서블 가능한 박막 형태로 형성되는 것이 가장 바람직하다.
상기 버퍼층(101)은 상기 기판(100) 상에 형성되며, 질화막, 산화막 또는 투명 절연성 재료 등으로 형성되며, 이들에 제한되지는 않는다.
상기 투명 박막 트랜지스터의 투명 반도체층(102)은 상기 버퍼층(101) 상에 소정의 패턴으로 형성된다. 상기 투명 반도체층(102)은 밴드갭이 3.0eV 이상인 광대역 반도체(wide band gap) 물질의 ZnO, ZnSnO, GaSnO, GaN, SiC 중 선택된 적어도 하나의 도전성 금속 재료로 이루어질 수 있다.
상기 게이트 절연층(103)은 상기 투명 반도체층(102) 상에 형성되며, 상기 투명 반도체층(102)과 상기 게이트 전극(104)을 절연한다. 상기 게이트 절연층(103)은 산화막, 질화막 또는 투명 절연성 재료 등으로 형성되며, 이들에 제한되지는 않는다.
상기 투명 박막 트랜지스터의 게이트 전극(104)은 상기 게이트 절연층(103) 상에 형성되며, 상기 게이트 전극(104)은 상기 투명 반도체층(102)의 채널 영역(미도시)의 상부에 소정의 패턴으로 형성된다. 상기 게이트 전극(104)은 투명성을 띄는 ITO( indium tin oxide ), IZO (indium zinc oxide ), ITZO( indium zinc oxide ), ICO(Indium Cesium Oxide) 및 반투명 메탈 등으로 형성될 수 있으며, 이들에 제한되지는 않는다.
상기 층간 절연층(105)은 상기 게이트 전극(104) 상에 형성되며, 여기서, 상기 층간 절연층(105)의 절연물질은 상기 게이트 절연층(103)과 동일한 물질로 형성될 수 있다.
상기 투명 박막 트랜지스터의 소스/드레인 전극(106a,106b)은 상기 층간 절연층(105) 상에 형성되며, 상기 게이트 절연층(103)과 상기 층간 절연층(105)에 형성된 콘택트 홀을 통하여 상기 투명 반도체층(102)의 양측에 각각 전기적으로 연결되도록 형성된다. 여기서, 상기 소스/드레인 전극(106a,106b)은 전도성과 투명성이 양호한 금속, 예컨대 형성되며, ITO(indium tin oxide ), IZO (indium zinc oxide ), ITZO(indium zinc oxide ), ICO(Indium Cesium Oxide) 및 반투명 메탈 등으로 형성될 수 있으며, 이들에 제한되지는 않는다.
상기 평탄화층(107)은 상기 투명 박막트랜지스터 상에 형성되며, 질화막, 산화막 또는 투명 절연성 재료 등으로 형성되며, 이들에 제한되지는 않는다. 상기 평탄화층(107) 상에는 상기 평탄화층(107)의 일영역을 식각하여 형성된 비어홀을 형성한다.
상기 제3 전극층(108)은 상기 평탄화층(107) 상에 형성된 비아홀을 통해 상기 소스 및 드레인 전극(106a, 106b) 중 어느 하나와 전기적으로 연결된다. 상기 제3 전극층(108)은 전도성과 투명성이 양호한 금속, 예컨대 형성되며, ITO( indium tin oxide ), IZO (indium zinc oxide ), ITZO( indium zinc oxide ) 및 반투명 메탈 등으로 형성될 수 있으며, 이들에 제한되지는 않는다.
상기 화소정의막(109)은 상기 제3 전극층(108) 상에 형성되며, 상기 제3 전극층(108)을 적어도 부분적으로 노출시키는 개구부를 형성한다.
상기 발광층(110)은 상기 화소정의막(109)의 일 영역 및 상기 개구부 상에 형성되며, 상기 발광층(110)은 정공 주입층, 정공수송층, 전자수송층 및 전자 주입층 중 일부를 더 포함할 수 있다. 이러한 상기 발광층(110)은 상기 제1 전극(108)과 상기 제4 전극층(111)으로 부터 주입된 정공 및 전자가 결합하면서 빛을 발생한다.
상기 제4 전극층(111)은 상기 발광층(110)과 상기 화소정의막(190) 상에 형성된다. 여기서, 상기 제4 전극층(110)은 상기 제3 전극층(108)과 동일한 금속으로 형성될 수 있다.
전술한 실시 예에서는 유기 발광소자(AMOLED)를 이용한 발광 패널에 연결되는 광조절부를 설명하였으나, LCD(Liquid Crystal Display), FED(Field Emission Display), PDP(Plasma Display Panel), ELD(Electro Luminescent Display) 및 VFD(Vacuum Fluorescent Display)에도 응용되어 적응될 수 있음을 당업자는 양지할 것이다.
본 발명의 기술 사상은 상기 실시 예에 따라 기술되었으나, 상기한 실시 예는 설명을 위한 것이며, 사상의 제한을 위한 것이 아님을 주지해야 한다. 또한, 본 발명의 기술분야에서 당업자는 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시 예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
이상과 같이, 본 발명에 의하면, 투명 양면 발광패널과 상기 투명 양면 발광패널 하부에 광조절부를 형성함으로써, 평상시 투명한 상태를 유지하며 사용자가 원하는 시점 또는 설정된 시점에 따라 불투명한 상태가 되어 양면 또는 단일면으로 자유로운 화상 표현이 가능하고 화상조도를 향상시킬 수 있다.

Claims (15)

  1. 투명 양면 발광 패널과,상기 투명 양면 발광 패널의 적어도 일 측면에 설치되어 빛의 투과를 조절하는 광조절부를 포함하며,
    상기 광조절부는 인가되는 전압에 따른 액정층의 배열과 제1 편광부재 및 제2 편광부재에 의해 빛의 투과를 조절하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치.
  2. 제1 항에 있어서,
    상기 광조절부는
    상기 투명 양면 발광 패널의 일면에 접촉하는 제1 편광부재와,
    상기 제1 편광부재에 접촉되는 제1 기판,
    상기 제1 기판에 접촉되는 제1 투명전극과,
    상기 제1 투명전극에 접촉되는 액정층과,
    상기 액정층에 접촉되는 제2 투명전극과,
    상기 제2 투명전극에 접촉되는 제2 기판과,
    상기 제2 기판 하면에 접촉되는 제2 편광부재
    를 포함하는 평판표시장치.
  3. 제2 항에 있어서, 상기 광조절부의 상기 제1 투명전극과 상기 제2 투명전극에 전원을 인가해주는 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 평판표시장치.
  4. 투명 기판의 일 측면에 형성되어 양면 발광하는 투명 유기 발광소자를 포함하는 유기발광표시부와,상기 유기 발광표시부의 타 측면에 형성되어 상기 유기 발광표시부에 빛의 세기를 조절하도록 구성되는 광조절부를 포함하며,
    상기 광조절부는 인가되는 전압에 따른 액정층의 배열과 제1 편광부재 및 제2 편광부재에 의해 빛의 투과를 조절하는 것을 특징으로 하는 유기 발광표시장치.
  5. 제4 항에 있어서,
    상기 광조절부는,
    상기 유기 발광소자의 일면에 접촉하는 제1 편광부재와,
    상기 제1 편광부재에 접촉되는 제1 기판과,
    상기 제1 기판에 접촉되는 제1 투명전극과,
    상기 제1 투명전극에 접촉되는 액정층과,
    상기 액정층에 접촉되는 제2 투명전극과,
    상기 제2 투명전극에 접촉되는 제2 기판과,
    상기 제2 기판에 접촉되는 제2 편광부재
    를 포함하는 유기 발광표시장치.
  6. 제5 항에 있어서, 상기 광조절부의 상기 제1 투명전극과 상기 제2 투명전극에 전원을 인가해주는 제어부를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광표시장치.
  7. 제6 항에 있어서,
    상기 제어부는 수동으로 구동되는 것을 특징으로 하는 유기 발광표시장치.
  8. 제6 항에 있어서,
    상기 제어부는 외부 빛의 강도에 따라 자동으로 제어되는 것을 특징으로 하는 유기 발광표시장치.
  9. 제4 항에 있어서, 상기 유기 발광표시부는 상기 유기발광소자를 구동하는 적어도 하나의 투명 박막트랜지스터를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 발광표시장치.
  10. 제9 항에 있어서,
    상기 투명 박막트랜지스터는 상기 투명 기판 상에 형성되는 투명 반도체층, 게이트 전극 및 소스/드레인 전극을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 발광표시장치.
  11. 제10 항에 있어서,
    상기 투명 반도체층의 밴드갭은 3.0eV보다 큰 광대역 반도체 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광표시장치.
  12. 제11 항에 있어서,
    상기 광대역 반도체 물질은 ZnO, ZnSnO, GaSnO, GaN 또는 SiC로 구성된 것을 특징으로 하는 유기 발광표시장치.
  13. 제10 항에 있어서, 상기 게이트 전극과 상기 소스/드레인 전극은 투명전극인 것을 특징으로 하는 유기 발광표시장치.
  14. 제10 항에 있어서,
    상기 게이트 전극과 상기 소스/드레인 전극은 전도성과 투명성이 동시에 부여된 물질인 것을 특징으로 하는 유기 발광표시장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 전도성과 투명성이 부여된 물질은 ITO(indium tin oxide), IZO(indium zinc oxide), ITZO(indium tin zinc oxide) 및 반투명 금속으로 구성되는 군에서 선택된 적어도 하나의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 발광표시장치.
KR1020050085412A 2005-09-13 2005-09-13 평판표시장치 및 유기 발광표시장치 KR100719706B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050085412A KR100719706B1 (ko) 2005-09-13 2005-09-13 평판표시장치 및 유기 발광표시장치
US11/519,928 US20070057932A1 (en) 2005-09-13 2006-09-13 Flat panel display and organic light emitting display
EP06254756A EP1763082A3 (en) 2005-09-13 2006-09-13 Flat panel display and organic light emitting display

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020050085412A KR100719706B1 (ko) 2005-09-13 2005-09-13 평판표시장치 및 유기 발광표시장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070030619A KR20070030619A (ko) 2007-03-16
KR100719706B1 true KR100719706B1 (ko) 2007-05-17

Family

ID=37575067

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050085412A KR100719706B1 (ko) 2005-09-13 2005-09-13 평판표시장치 및 유기 발광표시장치

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20070057932A1 (ko)
EP (1) EP1763082A3 (ko)
KR (1) KR100719706B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9128338B2 (en) 2011-06-27 2015-09-08 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus for controlling optical transmissivity

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1770673A1 (en) * 2005-09-28 2007-04-04 Samsung SDI Co., Ltd. Flat panel display and a method of driving the same
JP4274219B2 (ja) * 2006-09-27 2009-06-03 セイコーエプソン株式会社 電子デバイス、有機エレクトロルミネッセンス装置、有機薄膜半導体装置
DE102007063656A1 (de) * 2007-08-14 2009-07-02 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Organische elektronische Bauelemente
CN101790700A (zh) * 2007-08-27 2010-07-28 皇家飞利浦电子股份有限公司 光输出设备
KR100963104B1 (ko) 2008-07-08 2010-06-14 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 트랜지스터, 그의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 평판 표시 장치
CN102768428A (zh) * 2011-05-03 2012-11-07 联想移动通信科技有限公司 一种显示设备及其制作方法和终端设备
CN102213883B (zh) * 2011-05-20 2014-12-24 友达光电(厦门)有限公司 相反显示方向的面板、电子装置与该电子装置的切换方法
CN102646696B (zh) * 2012-01-16 2014-10-22 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光二极管显示装置、制作方法及显示***
KR102080007B1 (ko) * 2012-05-25 2020-02-24 삼성디스플레이 주식회사 광투과율 제어가 가능한 표시장치
KR101993335B1 (ko) 2013-02-12 2019-06-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
DE102013105905B4 (de) * 2013-06-07 2023-04-27 Pictiva Displays International Limited Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelementes
KR102045242B1 (ko) * 2013-06-21 2019-11-15 엘지디스플레이 주식회사 표시장치
NL2011431C2 (en) * 2013-09-12 2015-03-16 Hj Patents B V Multiple display device.
KR102223674B1 (ko) 2013-11-28 2021-03-08 삼성디스플레이 주식회사 광투과도 제어가 가능한 유기 발광 표시 장치
US9547213B2 (en) 2014-12-19 2017-01-17 Industrial Technology Research Institute Display device
US9547202B2 (en) 2014-12-19 2017-01-17 Industrial Technology Research Institute Transparent display panel
TWI576626B (zh) * 2014-12-19 2017-04-01 財團法人工業技術研究院 顯示裝置
KR102502812B1 (ko) * 2017-05-01 2023-02-22 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 유기 el 디스플레이의 제조 방법
CN107591435B (zh) * 2017-10-26 2020-04-07 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板、显示装置及其制作方法
KR102504565B1 (ko) * 2018-03-08 2023-03-02 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
CN108398812A (zh) * 2018-04-26 2018-08-14 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其驱动方法、显示装置
CN108983528B (zh) * 2018-07-16 2021-05-14 京东方科技集团股份有限公司 像素单元及其制造方法、显示控制方法、显示面板
CN115377321A (zh) * 2021-03-09 2022-11-22 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法
CN114220837B (zh) * 2021-12-13 2023-08-01 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 双面显示面板、双面显示面板的制备方法以及电子设备

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980024347A (ko) * 1996-09-04 1998-07-06 가시오 가즈오 표시장치 및 그 구동방법
KR20040042249A (ko) * 2002-11-13 2004-05-20 삼성오엘이디 주식회사 액정 표시부를 구비한 유기 전계 발광 표시장치

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0688952B2 (ja) * 1985-07-26 1994-11-09 チッソ株式会社 メチレンオキシ基とエステル基を有する新規光学活性液晶化合物及びその組成物
JPH0375686A (ja) * 1989-08-17 1991-03-29 Alps Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス素子
US5121234A (en) * 1990-10-29 1992-06-09 Honeywell Incorporated Dichroic liquid crystal display with integral electroluminescent backlighting
WO1993011452A1 (en) * 1991-11-25 1993-06-10 Magnascreen Corporation Microprojection display system with fiber-optic illuminator, and method of display and illumination
US5757127A (en) * 1994-06-10 1998-05-26 Nippondenso Co., Ltd. Transparent thin-film EL display apparatus with ambient light adaptation means
US6821455B2 (en) * 2000-04-05 2004-11-23 California Institute Of Technology Polymers for control of orientation and stability of liquid crystals
EP1515181A4 (en) * 2002-06-20 2008-07-30 Sharp Kk DISPLAY
US7250930B2 (en) * 2003-02-07 2007-07-31 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Transparent active-matrix display
JP2005070074A (ja) * 2003-08-21 2005-03-17 Pioneer Electronic Corp 表示装置及び該表示装置を含んでなる電子機器
WO2005024501A1 (en) * 2003-09-11 2005-03-17 Koninklijke Philips Electronics N.V. Transparent display device
US7292614B2 (en) * 2003-09-23 2007-11-06 Eastman Kodak Company Organic laser and liquid crystal display
US20050129875A1 (en) * 2003-12-15 2005-06-16 Eastman Kodak Company Aligned liquid crystal layer containing onium salts and process for increasing the tilt
WO2005088594A1 (ja) * 2004-03-12 2005-09-22 Fujitsu Limited 表示装置及びその駆動方法
US20070247066A1 (en) * 2004-04-06 2007-10-25 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Electrode Substrate and Its Manufacturing Method
US20060038752A1 (en) * 2004-08-20 2006-02-23 Eastman Kodak Company Emission display
US20060066227A1 (en) * 2004-09-24 2006-03-30 Virnich James L Electronic device with dual display arrangement
US20070002267A1 (en) * 2005-06-29 2007-01-04 Nano Loa, Inc. Liquid crystal display device
EP1770673A1 (en) * 2005-09-28 2007-04-04 Samsung SDI Co., Ltd. Flat panel display and a method of driving the same
KR100732849B1 (ko) * 2005-12-21 2007-06-27 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 표시장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19980024347A (ko) * 1996-09-04 1998-07-06 가시오 가즈오 표시장치 및 그 구동방법
KR20040042249A (ko) * 2002-11-13 2004-05-20 삼성오엘이디 주식회사 액정 표시부를 구비한 유기 전계 발광 표시장치

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9128338B2 (en) 2011-06-27 2015-09-08 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus for controlling optical transmissivity
US9448437B2 (en) 2011-06-27 2016-09-20 Samsung Display Co., Ltd. Display apparatus for controlling optical transmissivity

Also Published As

Publication number Publication date
KR20070030619A (ko) 2007-03-16
EP1763082A2 (en) 2007-03-14
US20070057932A1 (en) 2007-03-15
EP1763082A3 (en) 2007-06-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100719706B1 (ko) 평판표시장치 및 유기 발광표시장치
JP6805285B2 (ja) トランジスタ
USRE48915E1 (en) Transparent display apparatus
US9825106B2 (en) OLED display substrate and method for manufacturing the same, and display apparatus
KR100732849B1 (ko) 유기 발광 표시장치
TWI596781B (zh) 半導體裝置
US7463399B2 (en) Flat panel display and a method of driving the same
TWI550859B (zh) 半導體裝置和其製造方法
US20030156239A1 (en) Display apparatus and method for manufacturing the same
CN108074958A (zh) 显示设备
KR102506035B1 (ko) 전계발광 표시장치
US9379350B2 (en) Dual mode display apparatus and method of manufacturing the same
US9236577B2 (en) Dual-mode display device and method of manufacturing same
US9000426B2 (en) Organic light-emitting display device and method of manufacturing the same
US20210098549A1 (en) Thin film transistor array substrate and organic light emitting diode panel
JP2012124463A (ja) 薄膜トランジスタアレイパネル
KR20150101002A (ko) 표시장치
KR101878926B1 (ko) 듀얼 모드 디스플레이 장치 및 그의 제조방법
KR100646949B1 (ko) 평판표시장치 및 그 구동방법
WO2019064744A1 (ja) 表示装置
KR100739297B1 (ko) 평판표시장치 및 그 구동방법
KR100645717B1 (ko) 유기 발광표시장치
KR101897249B1 (ko) 듀얼 모드 디스플레이 장치 및 그의 제조방법
KR20080001946A (ko) 유기 전계발광 표시장치 및 그 구동 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130430

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140430

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150430

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180502

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190429

Year of fee payment: 13