JPH0371887A - 光情報記録媒体 - Google Patents
光情報記録媒体Info
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- JPH0371887A JPH0371887A JP1206914A JP20691489A JPH0371887A JP H0371887 A JPH0371887 A JP H0371887A JP 1206914 A JP1206914 A JP 1206914A JP 20691489 A JP20691489 A JP 20691489A JP H0371887 A JPH0371887 A JP H0371887A
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- Japan
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- recording
- recording medium
- crystallization
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Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はレーザ光の光パルスを照射することにより情報
信号を記録する光記録媒体に関するものである。
信号を記録する光記録媒体に関するものである。
［従来の技術］
非晶質状態と結晶質状態との相変化が可逆的に行われる
記録材料は、その非晶質相と結晶相とのレーザ光の反射
率が異なることを利用して情報の記録を行う。即ち、初
期状態として結晶状態となっている記録層にレーザ光を
照射すると、該当する照射部は急熱急冷されることによ
り非晶質状態に変化し、非照射部とは反射率の異なるド
ツトが形成されることになる（記録）。さらに、記録層
に形成されたドツトに記録時よりも弱いレーザ光を照射
すると、該当する照射部は緩やかに加熱冷却され非晶質
状態であるドツト形成部は初期状態である結晶状態に戻
る（消去）。
記録材料は、その非晶質相と結晶相とのレーザ光の反射
率が異なることを利用して情報の記録を行う。即ち、初
期状態として結晶状態となっている記録層にレーザ光を
照射すると、該当する照射部は急熱急冷されることによ
り非晶質状態に変化し、非照射部とは反射率の異なるド
ツトが形成されることになる（記録）。さらに、記録層
に形成されたドツトに記録時よりも弱いレーザ光を照射
すると、該当する照射部は緩やかに加熱冷却され非晶質
状態であるドツト形成部は初期状態である結晶状態に戻
る（消去）。
これらの、非晶質相と結晶相との間の相転移が可逆的に
行える、言い替えれば、記録と消去が可逆的に行える書
換え可能な記録材料としては、例えば、Ｇｅ−８ｂ−Ｔ
ｅ（例えば、特開昭６１−９６５３６、特開昭６３−２
２８４３３等）が報告されている。これらの記録材料を
プラスチック製の基板あるいはガラス製の基板上に所定
の厚さの薄膜となるように成膜し、その上にＳｉＯ２や
ＺｎＳ等の保護膜を成膜し光情報記録媒体としている。
行える、言い替えれば、記録と消去が可逆的に行える書
換え可能な記録材料としては、例えば、Ｇｅ−８ｂ−Ｔ
ｅ（例えば、特開昭６１−９６５３６、特開昭６３−２
２８４３３等）が報告されている。これらの記録材料を
プラスチック製の基板あるいはガラス製の基板上に所定
の厚さの薄膜となるように成膜し、その上にＳｉＯ２や
ＺｎＳ等の保護膜を成膜し光情報記録媒体としている。
ここで、記録材料の成膜方法としては、抵抗加熱真空蒸
着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法等が用いら
れている。
着法、電子ビーム蒸着法、スパッタリング法等が用いら
れている。
［発明が解決しようとする課題］
情報社会の進展に伴い、これまで以上に情報伝達の高速
化と共に記録情報の長い保持耐久性が要求されるように
なってきている。この記録媒体上の情報の保持耐久性は
、記録膜層の非晶質状態相の結晶化温度が高いほど保持
耐久性は良い。ここで、上述の５ｂ−Ｇｅ−Ｔｅ非晶質
膜の結晶化温度（よいずれも１８０℃以下であり必ずし
も十分であるとは言えない。
化と共に記録情報の長い保持耐久性が要求されるように
なってきている。この記録媒体上の情報の保持耐久性は
、記録膜層の非晶質状態相の結晶化温度が高いほど保持
耐久性は良い。ここで、上述の５ｂ−Ｇｅ−Ｔｅ非晶質
膜の結晶化温度（よいずれも１８０℃以下であり必ずし
も十分であるとは言えない。
［ｖＲ題を解決するための手段］
本発明の書換え可能な光情報記録媒体においては、Ｓｂ
、Ｇｅ、Ｔｅの原子数比が第１図のＡ（Ｓｂ 、 Ｇ
ｅ Ｔｅ ）、Ｂ （Ｓｂ６８． Ｇｅ ５゜
５５５・ ４０ Ｔｅ ）、Ｃ（Ｓｂ 、Ｇｅ Ｔｅ ）、Ｄ
（８２７６８１０・ ２２ ｂ Ｇｅ 、 Ｔ ｅ ３０＞の点で囲まれる領
域内、５５’ １５ 好ましくはＳｂ、Ｇｅ、Ｔｅの原子数比が第１図のＥ
（Ｓｂ６ｏ、 Ｇｅ１ｏ、Ｔｅ ３０） 、Ｆ ｃ ｓ
ｂ ６５゜Ｇｅ 、Ｔｅ ）、Ｇ（Ｓｂ 、Ｇ
ｅ Ｔｅ ＞。
、Ｇｅ、Ｔｅの原子数比が第１図のＡ（Ｓｂ 、 Ｇ
ｅ Ｔｅ ）、Ｂ （Ｓｂ６８． Ｇｅ ５゜
５５５・ ４０ Ｔｅ ）、Ｃ（Ｓｂ 、Ｇｅ Ｔｅ ）、Ｄ
（８２７６８１０・ ２２ ｂ Ｇｅ 、 Ｔ ｅ ３０＞の点で囲まれる領
域内、５５’ １５ 好ましくはＳｂ、Ｇｅ、Ｔｅの原子数比が第１図のＥ
（Ｓｂ６ｏ、 Ｇｅ１ｏ、Ｔｅ ３０） 、Ｆ ｃ ｓ
ｂ ６５゜Ｇｅ 、Ｔｅ ）、Ｇ（Ｓｂ 、Ｇ
ｅ Ｔｅ ＞。
１０ ２５ ６５ １５・ ２０日
（Ｓｂ 、 Ｇｅ 、 Ｔｅ２ｏ）の点で囲まれる
領６０ ２０ 域内にある記録薄膜を有することを特徴とする。
（Ｓｂ 、 Ｇｅ 、 Ｔｅ２ｏ）の点で囲まれる
領６０ ２０ 域内にある記録薄膜を有することを特徴とする。
［作 用］
５ｂ−Ｇｅ−Ｔｅを成分とする光情報記録膜において、
ｓｂの原子数比が大きくなると非晶質相の結晶化温度は
高くなる。一方、Ｓｂの原子数比が大きくなると記録消
去が困難となる。本発明の記録情報媒体では、記録ドツ
トの結晶化時間が４００ｎｓ以下と高速消去が可能で、
かつ、非晶質相の結晶化温度が１９０℃よりも高いもの
である。
ｓｂの原子数比が大きくなると非晶質相の結晶化温度は
高くなる。一方、Ｓｂの原子数比が大きくなると記録消
去が困難となる。本発明の記録情報媒体では、記録ドツ
トの結晶化時間が４００ｎｓ以下と高速消去が可能で、
かつ、非晶質相の結晶化温度が１９０℃よりも高いもの
である。
［実施例］
以下に本発明の実施例を示す。
記録膜の成膜は真空蒸着および、スパッタリングによっ
て行った。
て行った。
実施例１
洗浄されたガラス片にＳｂ、Ｇｅ、Ｔｅをそれぞれ第１
図のＡ、Ｂ、Ｃ，Ｄの点を結ぶ線で囲まれる領域内の組
成からなる膜厚約１００ｎｌの記録膜を成膜した。この
試料を真空度的Ｉ Ｘ １０”１Ｔｏｒｒの真空中、温
度２４０℃で１時間加熱し初期結晶化した。この試料上
に膜厚約２００ｒｖのＳ ＋ ０２保護膜を積層成膜し
た。各試料について、パルス幅２００ｎｓ 、波長８３
０ｒｖのレーザ光により直径約０．７μｍの記録ドツト
を作成し、その記録ドツトをパルス幅４００ｎｓのレー
ザ光で消去した。その結果を第１表に示した。この結果
より明らかなように本発明の範囲内にある５ｂ−Ｇｅ−
Ｔｅ系の記録膜は４０００Ｓ以下で消去可能である。
図のＡ、Ｂ、Ｃ，Ｄの点を結ぶ線で囲まれる領域内の組
成からなる膜厚約１００ｎｌの記録膜を成膜した。この
試料を真空度的Ｉ Ｘ １０”１Ｔｏｒｒの真空中、温
度２４０℃で１時間加熱し初期結晶化した。この試料上
に膜厚約２００ｒｖのＳ ＋ ０２保護膜を積層成膜し
た。各試料について、パルス幅２００ｎｓ 、波長８３
０ｒｖのレーザ光により直径約０．７μｍの記録ドツト
を作成し、その記録ドツトをパルス幅４００ｎｓのレー
ザ光で消去した。その結果を第１表に示した。この結果
より明らかなように本発明の範囲内にある５ｂ−Ｇｅ−
Ｔｅ系の記録膜は４０００Ｓ以下で消去可能である。
第１表
実施例２
実施例１と同様に、洗浄されたガラス片に、Ｓｂ、Ｇｅ
、Ｔｅをそれぞれ第１図のＥ、Ｆ、Ｇ。
、Ｔｅをそれぞれ第１図のＥ、Ｆ、Ｇ。
１〜１の点を結ぶ線で囲まれる領域内の組成からなる膜
厚約２００ ｒｖの記録膜を成膜した。この試料を真空
成約Ｉ Ｘ １０ ”Ｔｏｒｒの真空中、温度２４０℃
で１時間加熱し初期結晶化した。この試料上に膜厚約２
００ ｎｍのＳｉＯ２保：！膜を積層成膜した。各試料
について、パルス幅２００ ｎｓ、波長８３０ ｒｖの
レーザ光により直径約０．７μ卯の記録ドツトを作成し
、その記録ドツトをパルス幅４００ ｎｓのレーザー光
で消去した。その結果を第１表に示した。この結果より
明らかなように本発明の範囲内にある５ｂ−Ｇｅ−Ｔｅ
系の記録膜は４００ ｎｓ以下で消去可能であり、かつ
、記録の書き込みと消去の繰り返し回数が１０３回以上
可能である。
厚約２００ ｒｖの記録膜を成膜した。この試料を真空
成約Ｉ Ｘ １０ ”Ｔｏｒｒの真空中、温度２４０℃
で１時間加熱し初期結晶化した。この試料上に膜厚約２
００ ｎｍのＳｉＯ２保：！膜を積層成膜した。各試料
について、パルス幅２００ ｎｓ、波長８３０ ｒｖの
レーザ光により直径約０．７μ卯の記録ドツトを作成し
、その記録ドツトをパルス幅４００ ｎｓのレーザー光
で消去した。その結果を第１表に示した。この結果より
明らかなように本発明の範囲内にある５ｂ−Ｇｅ−Ｔｅ
系の記録膜は４００ ｎｓ以下で消去可能であり、かつ
、記録の書き込みと消去の繰り返し回数が１０３回以上
可能である。
実施例３
Ｓｂ−Ｇｅ−Ｔｅ系の非晶質薄膜の結晶化開始温度を熱
分析によって調べた。熱分析の際の昇温速度は毎分１０
℃である。
分析によって調べた。熱分析の際の昇温速度は毎分１０
℃である。
その結果を第２表に示す。この結果より明らかなように
、第１図の点にで代表されるように、Ａ。
、第１図の点にで代表されるように、Ａ。
Ｂ、Ｃ，Ｄの点で囲まれた領域内の結晶化開始温度は１
９０℃以上であった。さらに、第１図の点１−で代表さ
れるように、Ｅ、Ｆ、Ｇ、Ｈの点で囲まれた領域内の結
晶化開始温度は２１０℃を越えていた。
９０℃以上であった。さらに、第１図の点１−で代表さ
れるように、Ｅ、Ｆ、Ｇ、Ｈの点で囲まれた領域内の結
晶化開始温度は２１０℃を越えていた。
第２表
比較例
結晶化温度の比較例として、Ｔｅ含有量の多い第１図の
点Ｉ（Ｓｂ２□Ｇｅ２２Ｔｅ５６〉２点り（Ｓｂ４１Ｇ
０１８Ｔｅ４１）およびｓｂのみの点Ｍ（Ｓｂ ）
の結晶化温度を第１表に示す。
点Ｉ（Ｓｂ２□Ｇｅ２２Ｔｅ５６〉２点り（Ｓｂ４１Ｇ
０１８Ｔｅ４１）およびｓｂのみの点Ｍ（Ｓｂ ）
の結晶化温度を第１表に示す。
００
「発明の効果］
以上のように、本発明による５ｂ−Ｇｅ−Ｔｅ記録膜を
有する光情報記録膜媒体は、消去時間が速く、かつ、結
晶化開始温度がきわめて高いものである。
有する光情報記録膜媒体は、消去時間が速く、かつ、結
晶化開始温度がきわめて高いものである。
第１図は本発明による光情報記録媒体の組成範囲を示す
組成図である。 第１図 Ｔｅ
組成図である。 第１図 Ｔｅ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｔｅの原子数比が第１図のＡ（Ｓｂ＿
５＿５、Ｇｅ＿５、Ｔｅ＿４＿０）、Ｂ（Ｓｂ＿６＿８
、Ｇｅ＿５、Ｔｅ＿２＿７）、Ｃ（Ｓｂ＿６＿８、Ｇｅ
＿１＿０、Ｔｅ＿２＿２）、Ｄ（Ｓｂ＿５＿５、Ｇｅ＿
１＿５、Ｔｅ＿３＿０）の点で囲まれる領域内にある記
録薄膜を有することを特徴とする光情報記録媒体。 ２、Ｓｂ、Ｇｅ、Ｔｅの原子数比が第１図のＥ（Ｓｂ＿
６＿０、Ｇｅ＿１＿０、Ｔｅ＿３＿０）、Ｆ（Ｓｂ＿６
＿５、Ｇ＿１＿０、Ｔｅ＿２＿５）、Ｇ（Ｓｂ＿６＿５
、Ｇｅ＿１＿５、Ｔｅ＿２＿０）、Ｈ（Ｓｂ＿６＿０、
Ｇｅ＿２＿０、Ｔｅ＿２＿０）の点で囲まれる領域内に
ある記録薄膜を有することを特徴とする請求項１記載の
光情報記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1206914A JP2652572B2 (ja) | 1989-08-11 | 1989-08-11 | 光情報記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1206914A JP2652572B2 (ja) | 1989-08-11 | 1989-08-11 | 光情報記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0371887A true JPH0371887A (ja) | 1991-03-27 |
| JP2652572B2 JP2652572B2 (ja) | 1997-09-10 |
Family
ID=16531171
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1206914A Expired - Lifetime JP2652572B2 (ja) | 1989-08-11 | 1989-08-11 | 光情報記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2652572B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2178086A2 (en) | 1998-09-09 | 2010-04-21 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Optical recording method |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6432438A (en) * | 1987-07-28 | 1989-02-02 | Nippon Columbia | Optical information recording medium |
| JPH01115685A (ja) * | 1987-10-29 | 1989-05-08 | Toray Ind Inc | 光記録媒体 |
| JPH01211249A (ja) * | 1988-02-17 | 1989-08-24 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 光学記録媒体 |
-
1989
- 1989-08-11 JP JP1206914A patent/JP2652572B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6432438A (en) * | 1987-07-28 | 1989-02-02 | Nippon Columbia | Optical information recording medium |
| JPH01115685A (ja) * | 1987-10-29 | 1989-05-08 | Toray Ind Inc | 光記録媒体 |
| JPH01211249A (ja) * | 1988-02-17 | 1989-08-24 | Asahi Chem Ind Co Ltd | 光学記録媒体 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2178086A2 (en) | 1998-09-09 | 2010-04-21 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Optical recording method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2652572B2 (ja) | 1997-09-10 |
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