JP2000339750A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
- Publication number
- JP2000339750A JP2000339750A JP11151584A JP15158499A JP2000339750A JP 2000339750 A JP2000339750 A JP 2000339750A JP 11151584 A JP11151584 A JP 11151584A JP 15158499 A JP15158499 A JP 15158499A JP 2000339750 A JP2000339750 A JP 2000339750A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- interface control
- control layer
- phase
- recording
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】記録層が結晶質相又は非晶質相に相変化する際
に、結晶質相と非晶質相の双方が安定に形成され、また
速やかに相変化するものとすること。 【解決手段】透明基板１１上に第一の界面制御層１３、
相変化型の記録層１４、第二の界面制御層１５及び反射
層１７が順次積層され、記録層１４の第一の界面制御層
１３側界面での相変化速度が、第二の界面制御層１５側
界面での相変化速度よりも大きいように構成した。
に、結晶質相と非晶質相の双方が安定に形成され、また
速やかに相変化するものとすること。 【解決手段】透明基板１１上に第一の界面制御層１３、
相変化型の記録層１４、第二の界面制御層１５及び反射
層１７が順次積層され、記録層１４の第一の界面制御層
１３側界面での相変化速度が、第二の界面制御層１５側
界面での相変化速度よりも大きいように構成した。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、照射するレーザ光
等の光線の出力に応じて非晶質−結晶質の２状態に相変
化する記録層を有し、前記２状態における記録ビットの
光の反射率差を利用してデジタル情報を記録、再生する
ものであって、書き換え可能な光記録媒体に関する。
等の光線の出力に応じて非晶質−結晶質の２状態に相変
化する記録層を有し、前記２状態における記録ビットの
光の反射率差を利用してデジタル情報を記録、再生する
ものであって、書き換え可能な光記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の相転移を利用した書き換え可能な
光記録媒体Ｍ（以下、媒体Ｍという）の部分断面図を図
２に示す。同図において、１はポリカーボネート等の樹
脂、ガラス等から成るディスク状の基板、２はＺｎＳ−
ＳｉＯ2 等から成る第１透明誘電体層、３はＧｅＴｅ等
から成り非晶質−結晶質の２状態に相変化可能な記録
層、４はＺｎＳ−ＳｉＯ2 等から成る第２透明誘電体
層、５はＡｌ等の高反射率材料から成る反射層である。
光記録媒体Ｍ（以下、媒体Ｍという）の部分断面図を図
２に示す。同図において、１はポリカーボネート等の樹
脂、ガラス等から成るディスク状の基板、２はＺｎＳ−
ＳｉＯ2 等から成る第１透明誘電体層、３はＧｅＴｅ等
から成り非晶質−結晶質の２状態に相変化可能な記録
層、４はＺｎＳ−ＳｉＯ2 等から成る第２透明誘電体
層、５はＡｌ等の高反射率材料から成る反射層である。
【０００３】このような書き換え可能な媒体Ｍにおい
て、記録層３は結晶質状態と非結晶質状態とで光の反射
率が異なっており、一般的には結晶質状態の方が反射率
が高い。そして、媒体Ｍの動作原理は以下のようなもの
である。まず、記録層３の全ての記録ビットを結晶化し
ておく。即ち、反射率が高い状態とし初期化しておく。
情報の書込には、媒体Ｍを回転させながら２種のレーザ
パワーにパルス変調されたレーザビームを照射し、高出
力（１０数〜２０ｍＷ程度）のレーザビームが照射され
た記録ビットでは記録層３材料の融点よりも高温にな
り、溶融して急冷され非晶質化する。一方、中出力（５
〜１０ｍＷ程度）のレーザビームが照射された記録ビッ
トでは、前記融点以下の結晶化可能温度範囲まで昇温さ
れた後、冷却され結晶質状態になる。
て、記録層３は結晶質状態と非結晶質状態とで光の反射
率が異なっており、一般的には結晶質状態の方が反射率
が高い。そして、媒体Ｍの動作原理は以下のようなもの
である。まず、記録層３の全ての記録ビットを結晶化し
ておく。即ち、反射率が高い状態とし初期化しておく。
情報の書込には、媒体Ｍを回転させながら２種のレーザ
パワーにパルス変調されたレーザビームを照射し、高出
力（１０数〜２０ｍＷ程度）のレーザビームが照射され
た記録ビットでは記録層３材料の融点よりも高温にな
り、溶融して急冷され非晶質化する。一方、中出力（５
〜１０ｍＷ程度）のレーザビームが照射された記録ビッ
トでは、前記融点以下の結晶化可能温度範囲まで昇温さ
れた後、冷却され結晶質状態になる。
【０００４】上記の書込動作は、古い情報が残留してい
る上から直接行うことができ、各記録ビットは新しい情
報に対応した状態に変化する。つまり、重ね書きによる
オーバーライト（Over Writeで、以下、ＯＷと略す）が
可能である。再生は、読取用の低出力（１〜２ｍＷ程
度）のレーザビームを照射して、高反射率の結晶質相か
低反射率の非晶質相かを判読し、０，１のデジタル情報
として読み取る。
る上から直接行うことができ、各記録ビットは新しい情
報に対応した状態に変化する。つまり、重ね書きによる
オーバーライト（Over Writeで、以下、ＯＷと略す）が
可能である。再生は、読取用の低出力（１〜２ｍＷ程
度）のレーザビームを照射して、高反射率の結晶質相か
低反射率の非晶質相かを判読し、０，１のデジタル情報
として読み取る。
【０００５】上記記録層３の材料としては、Ｔｅ，Ｓ
ｅ，Ｓのうちの１元素を含む材料のカルコゲン化物が適
しており、カルコゲン化物は非晶質になりやすいという
特徴がある。具体的には、ＧｅＴｅ系材料、ＧｅＳｂＴ
ｅ系材料、ＩｎＳｅＴｌＣｏ系材料、ＩｎＳｂＴｅ系材
料等がある。
ｅ，Ｓのうちの１元素を含む材料のカルコゲン化物が適
しており、カルコゲン化物は非晶質になりやすいという
特徴がある。具体的には、ＧｅＴｅ系材料、ＧｅＳｂＴ
ｅ系材料、ＩｎＳｅＴｌＣｏ系材料、ＩｎＳｂＴｅ系材
料等がある。
【０００６】そして、従来、このような相変化型の媒体
Ｍにおいて、相変化型の記録層に接して両側或いは片側
に形成した界面制御層を備え、界面制御層が、１０００
℃での標準生成自由エネルギーが−４００ｋＪ／ｍｏｌ
Ｏ2 から−８００ｋＪ／ｍｏｌＯ2 の範囲にある酸化物
からなり、具体的にはＣｒ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，Ｔａ2Ｏ
5 ，ＴｉＯ2 ，Ｖ2 Ｏ3 のうちのいずれか一種或いはこ
れらの組み合わせとすることにより、界面制御層を熱的
に安定な酸化物とすることで、記録、消去の繰り返しに
よる記録層の破壊が生じ難いものが提案されている（従
来例１：特開平５−１４４０８３号公報参照）。
Ｍにおいて、相変化型の記録層に接して両側或いは片側
に形成した界面制御層を備え、界面制御層が、１０００
℃での標準生成自由エネルギーが−４００ｋＪ／ｍｏｌ
Ｏ2 から−８００ｋＪ／ｍｏｌＯ2 の範囲にある酸化物
からなり、具体的にはＣｒ2 Ｏ3 ，ＳｉＯ2 ，Ｔａ2Ｏ
5 ，ＴｉＯ2 ，Ｖ2 Ｏ3 のうちのいずれか一種或いはこ
れらの組み合わせとすることにより、界面制御層を熱的
に安定な酸化物とすることで、記録、消去の繰り返しに
よる記録層の破壊が生じ難いものが提案されている（従
来例１：特開平５−１４４０８３号公報参照）。
【０００７】また、従来例２として、相変化型の記録層
に接して両側或いは片側に形成した界面制御層を備え、
界面制御層の主成分がイオン半径１．０Å以上の陽イオ
ンとＯ2-イオンの化合した酸化物、即ちＹ，Ｌａ，Ｃ
ｅ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｔｈのうちのいずれか一種或いはこれ
らの組み合わせとすることにより、界面制御層を熱的に
安定な酸化物とすることで、記録、消去の繰り返しによ
る記録層の破壊が生じ難いものが公知である（従来例
２：特開平５−３４２６３２号公報参照）。
に接して両側或いは片側に形成した界面制御層を備え、
界面制御層の主成分がイオン半径１．０Å以上の陽イオ
ンとＯ2-イオンの化合した酸化物、即ちＹ，Ｌａ，Ｃ
ｅ，Ｇｄ，Ｄｙ，Ｔｈのうちのいずれか一種或いはこれ
らの組み合わせとすることにより、界面制御層を熱的に
安定な酸化物とすることで、記録、消去の繰り返しによ
る記録層の破壊が生じ難いものが公知である（従来例
２：特開平５−３４２６３２号公報参照）。
【０００８】更に、従来例３として、基板上に形成され
た相変化型の記録層と、記録層上及び／又は基板と記録
層との間に形成された誘電体保護層とを具備する情報記
録媒体であって、誘電体保護層と記録層との間に、記録
層材料よりも融点が高く記録層材料と固溶しない金属、
合金又は金属間化合物からなる境界層を有し、該境界層
がＷ，Ｔａ，Ｒｅ，Ｉｒ，Ｏｓ，Ｈｆ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｒ
ｕ，Ｔｃ，Ｒｈ，Ｚｒ、これら金属の２種以上の合金、
Ｔａ−Ｗ，Ｗ−Ｓｉ，Ｍｏ−Ｓｉ及びＮｂ−Ａｌからな
る群から選択されたものからなることにより、誘電体保
護層と記録層との付着性が向上し、優れた繰り返し特性
を有する情報記録媒体が知られている（従来例３：特開
平７−２６２６１４号公報参照）。
た相変化型の記録層と、記録層上及び／又は基板と記録
層との間に形成された誘電体保護層とを具備する情報記
録媒体であって、誘電体保護層と記録層との間に、記録
層材料よりも融点が高く記録層材料と固溶しない金属、
合金又は金属間化合物からなる境界層を有し、該境界層
がＷ，Ｔａ，Ｒｅ，Ｉｒ，Ｏｓ，Ｈｆ，Ｍｏ，Ｎｂ，Ｒ
ｕ，Ｔｃ，Ｒｈ，Ｚｒ、これら金属の２種以上の合金、
Ｔａ−Ｗ，Ｗ−Ｓｉ，Ｍｏ−Ｓｉ及びＮｂ−Ａｌからな
る群から選択されたものからなることにより、誘電体保
護層と記録層との付着性が向上し、優れた繰り返し特性
を有する情報記録媒体が知られている（従来例３：特開
平７−２６２６１４号公報参照）。
【０００９】従来例４として、相変化型の記録層に隣接
して、金属粒子を誘電体中に分散させた混合膜からな
り、記録層の結晶粒子サイズを制御する作用を有するシ
ード層を設けることにより、微小記録マークを形成した
場合にマークエッジの乱れが小さくジッター特性が良好
なものが公知である（従来例４：特開平１０−１０６０
２７号公報参照）。
して、金属粒子を誘電体中に分散させた混合膜からな
り、記録層の結晶粒子サイズを制御する作用を有するシ
ード層を設けることにより、微小記録マークを形成した
場合にマークエッジの乱れが小さくジッター特性が良好
なものが公知である（従来例４：特開平１０−１０６０
２７号公報参照）。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来、
上記の相変化型の記録層においては、結晶質相と非晶質
相のいずれも再現性良く安定に形成されると共に、両相
間を高速に転移可能であるという特性が必要であるのに
対し、結晶質相と非晶質相の一方が安定に形成されても
他方が不安定になり易いという問題点があった。
上記の相変化型の記録層においては、結晶質相と非晶質
相のいずれも再現性良く安定に形成されると共に、両相
間を高速に転移可能であるという特性が必要であるのに
対し、結晶質相と非晶質相の一方が安定に形成されても
他方が不安定になり易いという問題点があった。
【００１１】また、上記従来例１〜４は、相変化型の記
録層に接して両側或いは片側に界面制御層を形成するこ
とで、記録、消去の繰り返しによる記録層の破壊を生じ
難くくしたもの、及びジッター特性を良好にしたものに
関し、記録層の上下に隣接する界面制御層間でその種類
は同一である。即ち、記録層の上側及び下側での熱的条
件は同じである。更に、上述した結晶質相と非晶質相の
一方の形成が不安定になり易いという点については、従
来例１〜４では全く言及していない。
録層に接して両側或いは片側に界面制御層を形成するこ
とで、記録、消去の繰り返しによる記録層の破壊を生じ
難くくしたもの、及びジッター特性を良好にしたものに
関し、記録層の上下に隣接する界面制御層間でその種類
は同一である。即ち、記録層の上側及び下側での熱的条
件は同じである。更に、上述した結晶質相と非晶質相の
一方の形成が不安定になり易いという点については、従
来例１〜４では全く言及していない。
【００１２】従って、本発明は上記事情に鑑みて完成さ
れたものであり、その目的は、相変化型の記録層が結晶
質相と非晶質相の２状態に相変化する際に、前記２状態
のいずれも再現性良く安定に形成されるようにすること
にある。
れたものであり、その目的は、相変化型の記録層が結晶
質相と非晶質相の２状態に相変化する際に、前記２状態
のいずれも再現性良く安定に形成されるようにすること
にある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明の光記録媒体は、
透明基板上に第一の界面制御層、照射する光の出力に応
じて非晶質又は結晶質に相変化する記録層、第二の界面
制御層及び反射層が順次積層され、前記記録層の第一の
界面制御層側界面での相変化速度が、第二の界面制御層
側界面での相変化速度よりも大きいことを特徴とする。
透明基板上に第一の界面制御層、照射する光の出力に応
じて非晶質又は結晶質に相変化する記録層、第二の界面
制御層及び反射層が順次積層され、前記記録層の第一の
界面制御層側界面での相変化速度が、第二の界面制御層
側界面での相変化速度よりも大きいことを特徴とする。
【００１４】本発明は、上記構成により、記録層の光入
射側に位置し加熱され易い第一の界面制御層側界面での
相変化速度を大きくすることで、記録層全体での結晶成
長速度を向上させ得る。その結果、結晶質の場合と同様
非晶質に変化する際にも速やかに相変化し、記録ビット
端部のジッター特性、高速記録及び高速消去特性が改善
される。また、結晶質相と非晶質相の２状態がそれぞれ
安定に形成され易くなり、繰り返し記録消去特性が向上
する。
射側に位置し加熱され易い第一の界面制御層側界面での
相変化速度を大きくすることで、記録層全体での結晶成
長速度を向上させ得る。その結果、結晶質の場合と同様
非晶質に変化する際にも速やかに相変化し、記録ビット
端部のジッター特性、高速記録及び高速消去特性が改善
される。また、結晶質相と非晶質相の２状態がそれぞれ
安定に形成され易くなり、繰り返し記録消去特性が向上
する。
【００１５】また本発明において、好ましくは、前記記
録層はカルコゲン化物から成り、前記第一の界面制御層
はＡｌ，Ｓｉ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｃｒ，Ｇ
ｅ，Ｙ，Ｚｒ，Ｍｏ，Ｂａ，Ｓｂ，Ｔｅから成る元素群
Ａのうち１種以上を含む窒化物、元素群Ａのうち１種以
上を含む酸化物、又は元素群Ａのうち１種以上を含む炭
化物から成り、前記第二の界面制御層はＡｌ，Ｓｉ，Ｃ
ｒ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｓ，Ｇｅ，Ｇａ，
Ｙ，Ｓｂ，Ｗ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｉｎから成る元素群Ｂのう
ち１種以上を含む窒化物、元素群Ｂのうち１種以上を含
む酸化物、又は元素群Ｂのうち１種以上を含む炭化物か
ら成り、かつ第一の界面制御層の熱伝導率が第二の界面
制御層の熱伝導率よりも小さくなるように構成したこと
を特徴とする。
録層はカルコゲン化物から成り、前記第一の界面制御層
はＡｌ，Ｓｉ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｃｒ，Ｇ
ｅ，Ｙ，Ｚｒ，Ｍｏ，Ｂａ，Ｓｂ，Ｔｅから成る元素群
Ａのうち１種以上を含む窒化物、元素群Ａのうち１種以
上を含む酸化物、又は元素群Ａのうち１種以上を含む炭
化物から成り、前記第二の界面制御層はＡｌ，Ｓｉ，Ｃ
ｒ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｓ，Ｇｅ，Ｇａ，
Ｙ，Ｓｂ，Ｗ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｉｎから成る元素群Ｂのう
ち１種以上を含む窒化物、元素群Ｂのうち１種以上を含
む酸化物、又は元素群Ｂのうち１種以上を含む炭化物か
ら成り、かつ第一の界面制御層の熱伝導率が第二の界面
制御層の熱伝導率よりも小さくなるように構成したこと
を特徴とする。
【００１６】本発明は上記構成により、第一の界面制御
層の昇温特性及び冷却速度が第二の界面制御層よりも優
れ、その結果記録層の第一の界面制御層側界面での相変
化速度が向上する。
層の昇温特性及び冷却速度が第二の界面制御層よりも優
れ、その結果記録層の第一の界面制御層側界面での相変
化速度が向上する。
【００１７】上記相変化速度の違いは、第一及び第二の
界面制御層の熱伝導率と応力に依存すると推察でき、熱
伝導率が小さい方が相変化速度が大きくなり、また応力
について、圧縮応力が大きいと相変化速度が小さく、圧
縮応力から引っ張り応力になるにつれて相変化速度が大
きくなる。従って、更に好ましくは、第一の界面制御層
に残存する応力を引っ張り応力とし、第二の界面制御層
に残存する応力を引っ張り応力よりも圧縮応力化する
と、第一の界面制御層側界面での相変化速度が更に増大
する。
界面制御層の熱伝導率と応力に依存すると推察でき、熱
伝導率が小さい方が相変化速度が大きくなり、また応力
について、圧縮応力が大きいと相変化速度が小さく、圧
縮応力から引っ張り応力になるにつれて相変化速度が大
きくなる。従って、更に好ましくは、第一の界面制御層
に残存する応力を引っ張り応力とし、第二の界面制御層
に残存する応力を引っ張り応力よりも圧縮応力化する
と、第一の界面制御層側界面での相変化速度が更に増大
する。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明の媒体Ｍ１の基本的な層構
成を図１に示す。同図において、１１はポリカーボネー
ト、ポリオレフィン、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ガ
ラス、樹脂層を表面に形成した強化ガラス、透光性セラ
ミックス等から成るディスク状の透明基板、１２はＺｎ
Ｓ−ＳｉＯ2 等から成る第一透明誘電体層、１３は第一
の界面制御層、１４は相変化型の記録層、１５は第二の
界面制御層、１６はＺｎＳ−ＳｉＯ2 等から成る第二透
明誘電体層、１６はＡｌ等から成る反射層である。
成を図１に示す。同図において、１１はポリカーボネー
ト、ポリオレフィン、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ガ
ラス、樹脂層を表面に形成した強化ガラス、透光性セラ
ミックス等から成るディスク状の透明基板、１２はＺｎ
Ｓ−ＳｉＯ2 等から成る第一透明誘電体層、１３は第一
の界面制御層、１４は相変化型の記録層、１５は第二の
界面制御層、１６はＺｎＳ−ＳｉＯ2 等から成る第二透
明誘電体層、１６はＡｌ等から成る反射層である。
【００１９】本発明において、記録層１４はＧｅＴｅ、
ＧｅＳｂＴｅ、ＩｎＳｅＴｌＣｏ、ＩｎＳｂＴｅ等のカ
ルコゲン化物から成る材料がよく、なかでもＧｅＴｅ、
ＧｅＳｂＴｅが書き換え可能回数が大きく、結晶化する
際に短時間の結晶化が可能であり、非晶質状態の安定性
も高いという点で好ましい。
ＧｅＳｂＴｅ、ＩｎＳｅＴｌＣｏ、ＩｎＳｂＴｅ等のカ
ルコゲン化物から成る材料がよく、なかでもＧｅＴｅ、
ＧｅＳｂＴｅが書き換え可能回数が大きく、結晶化する
際に短時間の結晶化が可能であり、非晶質状態の安定性
も高いという点で好ましい。
【００２０】また、Ｇｅa Ｓｂb Ｔｅc とした場合、５
ａｔ（原子）％≦ａ≦７０ａｔ％がよく、ａ＜５ａｔ％
では相変化速度が遅く、７０ａｔ％＜ａでは非晶質状態
が不安定になる。０ａｔ％≦ｂ≦５０ａｔ％がよく、５
０ａｔ％＜ｂでは非晶質状態が不安定になる。４０ａｔ
％≦ｃ≦７０ａｔ％がよく、ｃ＜４０ａｔ％では結晶化
温度が高くなりすぎ、７０ａｔ％＜ｃのときも結晶化温
度が高くなりすぎる。また、記録層１４の厚さは、５〜
５０ｎｍがよく、５ｎｍ未満では結晶質状態と非晶質状
態間の反射率差が小さくなり、５０ｎｍを超えると繰り
返し記録再生によるＢＥＲ(Bit Error Rate)等の特性劣
化が大きくなる。より好ましくは、１０〜４０ｎｍであ
る。
ａｔ（原子）％≦ａ≦７０ａｔ％がよく、ａ＜５ａｔ％
では相変化速度が遅く、７０ａｔ％＜ａでは非晶質状態
が不安定になる。０ａｔ％≦ｂ≦５０ａｔ％がよく、５
０ａｔ％＜ｂでは非晶質状態が不安定になる。４０ａｔ
％≦ｃ≦７０ａｔ％がよく、ｃ＜４０ａｔ％では結晶化
温度が高くなりすぎ、７０ａｔ％＜ｃのときも結晶化温
度が高くなりすぎる。また、記録層１４の厚さは、５〜
５０ｎｍがよく、５ｎｍ未満では結晶質状態と非晶質状
態間の反射率差が小さくなり、５０ｎｍを超えると繰り
返し記録再生によるＢＥＲ(Bit Error Rate)等の特性劣
化が大きくなる。より好ましくは、１０〜４０ｎｍであ
る。
【００２１】上記第一，第二透明誘電体層１２，１６
は、記録層１４及び第一，第二の界面制御層１３，１５
の保護層として機能するものであり、その材質は、Ｚｎ
Ｓ−ＳｉＯ2 ，ＳｉＮ系材料，ＳｉＯＮ系材料，ＳｉＯ
2 ，ＳｉＯ，ＴｉＯ2 ，Ａｌ2Ｏ3 ，Ｙ2 Ｏ3 ，Ｔａ
Ｎ，ＡｌＮ，ＺｎＳ，Ｓｂ2 Ｓ3 ，ＳｎＳｅ2 ，Ｓｂ2
Ｓｅ3 ，ＣｅＦ3 ，アモルァスＳｉ（以下、ａ−Ｓｉと
表記する），ＴｉＢ2 ，Ｂ4 Ｃ，Ｂ，Ｃ等が好ましい。
は、記録層１４及び第一，第二の界面制御層１３，１５
の保護層として機能するものであり、その材質は、Ｚｎ
Ｓ−ＳｉＯ2 ，ＳｉＮ系材料，ＳｉＯＮ系材料，ＳｉＯ
2 ，ＳｉＯ，ＴｉＯ2 ，Ａｌ2Ｏ3 ，Ｙ2 Ｏ3 ，Ｔａ
Ｎ，ＡｌＮ，ＺｎＳ，Ｓｂ2 Ｓ3 ，ＳｎＳｅ2 ，Ｓｂ2
Ｓｅ3 ，ＣｅＦ3 ，アモルァスＳｉ（以下、ａ−Ｓｉと
表記する），ＴｉＢ2 ，Ｂ4 Ｃ，Ｂ，Ｃ等が好ましい。
【００２２】特に、ＺｎＳ−ＳｉＯ2 がよく、この材料
は高温での特性変化が少ない。（ＺｎＳ）x （Ｓｉ
Ｏ2 ）100-x とした場合、６０ａｔ％≦ｘ≦９５ａｔ％
が好適であり、ｘ＜６０ａｔ％では耐熱性が悪く、ｘ＞
９５ａｔ％ではＺｎＳの粒径が大きくなりジッターを劣
化させる。
は高温での特性変化が少ない。（ＺｎＳ）x （Ｓｉ
Ｏ2 ）100-x とした場合、６０ａｔ％≦ｘ≦９５ａｔ％
が好適であり、ｘ＜６０ａｔ％では耐熱性が悪く、ｘ＞
９５ａｔ％ではＺｎＳの粒径が大きくなりジッターを劣
化させる。
【００２３】また、反射層１６は反射率が高いＡｌ，Ａ
ｌＣｒ合金，ＡｌＣｕ合金，ＡｌＴｉ合金，Ａｕ，Ａ
ｇ，ＡｕＣｕ合金，Ｐｔ，ＡｕＰｔ合金等が好ましく用
いられる。
ｌＣｒ合金，ＡｌＣｕ合金，ＡｌＴｉ合金，Ａｕ，Ａ
ｇ，ＡｕＣｕ合金，Ｐｔ，ＡｕＰｔ合金等が好ましく用
いられる。
【００２４】本発明の第一の界面制御層１３はＡｌ，Ｓ
ｉ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｃｒ，Ｇｅ，Ｙ，Ｚ
ｒ，Ｍｏ，Ｂａ，Ｓｂ，Ｔｅから成る元素群Ａのうち１
種以上を含む窒化物、元素群Ａのうち１種以上を含む酸
化物、又は元素群Ａのうち１種以上を含む炭化物から成
るのが良く、これらの材料は第二の界面制御層１５の材
料と比較して、熱伝導率が小さい、圧縮応力が小さい、
又は引っ張り応力を有するという特性がある。より好ま
しくは、第一の界面制御層１３はＡｌ，Ｓｉ，Ｖ，Ｍ
ｎ，Ｆｅ，Ｇａ，Ｙ，Ｚｒ，Ｍｏ，Ｂａ，Ｔｅから成る
元素群Ａa のうち１種以上を含む窒化物、元素群Ａa の
うち１種以上を含む酸化物、又は元素群Ａa のうち１種
以上を含む炭化物から成るのが良い。
ｉ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｚｎ，Ｇａ，Ｃｒ，Ｇｅ，Ｙ，Ｚ
ｒ，Ｍｏ，Ｂａ，Ｓｂ，Ｔｅから成る元素群Ａのうち１
種以上を含む窒化物、元素群Ａのうち１種以上を含む酸
化物、又は元素群Ａのうち１種以上を含む炭化物から成
るのが良く、これらの材料は第二の界面制御層１５の材
料と比較して、熱伝導率が小さい、圧縮応力が小さい、
又は引っ張り応力を有するという特性がある。より好ま
しくは、第一の界面制御層１３はＡｌ，Ｓｉ，Ｖ，Ｍ
ｎ，Ｆｅ，Ｇａ，Ｙ，Ｚｒ，Ｍｏ，Ｂａ，Ｔｅから成る
元素群Ａa のうち１種以上を含む窒化物、元素群Ａa の
うち１種以上を含む酸化物、又は元素群Ａa のうち１種
以上を含む炭化物から成るのが良い。
【００２５】第一の界面制御層１３として、具体的に
は、ＣｒＮ，ＳｉＣ，ＳｉＯ，ＣｏＮ，ＣｒＯ・Ｂａ
Ｃ，ＺｒＣ・ＴｅＣ，ＡｌＯ・ＳｉＮ，ＺｎＣ・ＹＯ，
ＧａＯ，ＡｌＯ・ＳｉＮ・Ｃｒ，ＳｉＣ・ＡｌＯ，ＶＯ
・Ｍｏ，ＭｎＣ，ＦｅＮ，ＺｎＣ，ＧａＯ等がある。
は、ＣｒＮ，ＳｉＣ，ＳｉＯ，ＣｏＮ，ＣｒＯ・Ｂａ
Ｃ，ＺｒＣ・ＴｅＣ，ＡｌＯ・ＳｉＮ，ＺｎＣ・ＹＯ，
ＧａＯ，ＡｌＯ・ＳｉＮ・Ｃｒ，ＳｉＣ・ＡｌＯ，ＶＯ
・Ｍｏ，ＭｎＣ，ＦｅＮ，ＺｎＣ，ＧａＯ等がある。
【００２６】第二の界面制御層１５はＡｌ，Ｓｉ，Ｃ
ｒ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｓ，Ｇｅ，Ｇａ，
Ｙ，Ｓｂ，Ｗ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｉｎから成る元素群Ｂのう
ち１種以上を含む窒化物、元素群Ｂのうち１種以上を含
む酸化物、又は元素群Ｂのうち１種以上を含む炭化物か
ら成るのが良く、これらの材料は第一の界面制御層１３
と比較して、熱伝導率が大きい、圧縮応力が大きいとい
う特性がある。より好ましくは、第二の界面制御層１５
はＣｒ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｓ，Ｇｅ，Ｇ
ａ，Ｓｂ，Ｗ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｉｎから成る元素群Ｂb の
うち１種以上を含む窒化物、元素群Ｂb のうち１種以上
を含む酸化物、又は元素群Ｂb のうち１種以上を含む炭
化物から成るのが良い。
ｒ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｓ，Ｇｅ，Ｇａ，
Ｙ，Ｓｂ，Ｗ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｉｎから成る元素群Ｂのう
ち１種以上を含む窒化物、元素群Ｂのうち１種以上を含
む酸化物、又は元素群Ｂのうち１種以上を含む炭化物か
ら成るのが良く、これらの材料は第一の界面制御層１３
と比較して、熱伝導率が大きい、圧縮応力が大きいとい
う特性がある。より好ましくは、第二の界面制御層１５
はＣｒ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｚｎ，Ｓ，Ｇｅ，Ｇ
ａ，Ｓｂ，Ｗ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｉｎから成る元素群Ｂb の
うち１種以上を含む窒化物、元素群Ｂb のうち１種以上
を含む酸化物、又は元素群Ｂb のうち１種以上を含む炭
化物から成るのが良い。
【００２７】第二の界面制御層１５として、具体的に
は、ＳｉＮ，ＡｌＮ，ＡｌＮ・Ｃｒ，Ｙ・ＳｉＮ，Ｇｅ
Ｎ・ＧａＮ，ＧｅＮ，ＳｉＮ・ＷＣ，ＣｒＮ・ＣｕＮ，
ＴｉＮ・ＴａＯ，ＳｉＮ・ＡｌＯ，ＧｅＮ・ＳｉＮ，Ｓ
ｂＮ，ＣｏＮ，ＮｉＯＮ，ＡｇＮ・Ｉｎ，ＺｎＳＯ等が
ある。
は、ＳｉＮ，ＡｌＮ，ＡｌＮ・Ｃｒ，Ｙ・ＳｉＮ，Ｇｅ
Ｎ・ＧａＮ，ＧｅＮ，ＳｉＮ・ＷＣ，ＣｒＮ・ＣｕＮ，
ＴｉＮ・ＴａＯ，ＳｉＮ・ＡｌＯ，ＧｅＮ・ＳｉＮ，Ｓ
ｂＮ，ＣｏＮ，ＮｉＯＮ，ＡｇＮ・Ｉｎ，ＺｎＳＯ等が
ある。
【００２８】このような第一の界面制御層１３及び第二
の界面制御層１５は、１種のターゲット又は複合ターゲ
ットを用いたスパッタリング法により成膜され、その際
雰囲気ガスを不活性ガスに窒素，酸素等を混合させて反
応性スパッタリングを行うことによっても成膜すること
ができる。
の界面制御層１５は、１種のターゲット又は複合ターゲ
ットを用いたスパッタリング法により成膜され、その際
雰囲気ガスを不活性ガスに窒素，酸素等を混合させて反
応性スパッタリングを行うことによっても成膜すること
ができる。
【００２９】そして、第一の界面制御層１３の熱伝導率
は第二の界面制御層１５の熱伝導率よりも小さいことが
好ましい。即ち、（第一の界面制御層１３の熱伝導率）
／（第二の界面制御層１５の熱伝導率）の比が０．７以
下が良く、この場合相変化速度が下記の好ましい範囲と
なる。つまり、本発明において、記録層１４の第一の界
面制御層１３側界面での相変化速度が、第二の界面制御
層１５側界面での相変化速度よりも１．５倍以上大きい
ことが好適であり、これにより記録層１４の光入射側に
位置し加熱され易い第一の界面制御層１３側界面での相
変化速度をより大きくすることで、記録層１４全体での
結晶成長速度がきわめて向上し、速やかに結晶化が達成
される。非晶質化する場合も同様である。より好ましく
は、記録層１４の第一の界面制御層１３側界面での相変
化速度が、第二の界面制御層１５側界面での相変化速度
よりも２．０倍以上大きいことである。
は第二の界面制御層１５の熱伝導率よりも小さいことが
好ましい。即ち、（第一の界面制御層１３の熱伝導率）
／（第二の界面制御層１５の熱伝導率）の比が０．７以
下が良く、この場合相変化速度が下記の好ましい範囲と
なる。つまり、本発明において、記録層１４の第一の界
面制御層１３側界面での相変化速度が、第二の界面制御
層１５側界面での相変化速度よりも１．５倍以上大きい
ことが好適であり、これにより記録層１４の光入射側に
位置し加熱され易い第一の界面制御層１３側界面での相
変化速度をより大きくすることで、記録層１４全体での
結晶成長速度がきわめて向上し、速やかに結晶化が達成
される。非晶質化する場合も同様である。より好ましく
は、記録層１４の第一の界面制御層１３側界面での相変
化速度が、第二の界面制御層１５側界面での相変化速度
よりも２．０倍以上大きいことである。
【００３０】また、相変化速度及び相変化速度比は以下
のように測定可能である。記録層１４全体を非晶質化し
ておき、レーザ光を照射して５〜５０ｎｓｅｃの間結晶
化温度以上融点以下に昇温する。その後冷却された記録
層の断面を透過型電子顕微鏡（Transmission Electron
Microscope：ＴＥＭ）で撮影し、その映像から結晶相と
非晶質相の面積を導出しそれらを各々の相変化速度と
し、結晶相と非晶質相の面積比を相変化速度比（この場
合結晶化速度比）とする。また、非晶質化速度比も同様
にして、５〜５０ｎｓｅｃの間融点以上に昇温すること
で測定できる。
のように測定可能である。記録層１４全体を非晶質化し
ておき、レーザ光を照射して５〜５０ｎｓｅｃの間結晶
化温度以上融点以下に昇温する。その後冷却された記録
層の断面を透過型電子顕微鏡（Transmission Electron
Microscope：ＴＥＭ）で撮影し、その映像から結晶相と
非晶質相の面積を導出しそれらを各々の相変化速度と
し、結晶相と非晶質相の面積比を相変化速度比（この場
合結晶化速度比）とする。また、非晶質化速度比も同様
にして、５〜５０ｎｓｅｃの間融点以上に昇温すること
で測定できる。
【００３１】かくして、本発明の光記録媒体は、記録層
全体での相変化速度が向上し、結晶質相又は非晶質相に
変化する際に速やかに相変化し、記録ビット端部のジッ
ター特性、高速記録及び高速消去特性が改善され、また
結晶質相と非晶質相の２状態がそれぞれ安定に形成され
易くなり、繰り返し記録消去特性が向上するという作用
効果を有する。
全体での相変化速度が向上し、結晶質相又は非晶質相に
変化する際に速やかに相変化し、記録ビット端部のジッ
ター特性、高速記録及び高速消去特性が改善され、また
結晶質相と非晶質相の２状態がそれぞれ安定に形成され
易くなり、繰り返し記録消去特性が向上するという作用
効果を有する。
【００３２】本発明において、上記各層を透明基板１１
の両面に各々積層するか、片面に上記各層を積層した２
枚の透明基板１１を貼り付けることにより、２倍の記録
容量としてもよい。また、本発明は、レーザビームをパ
ルス変調する光強度変調方式によるものに限らず、電子
ビーム、電磁波等のエネルギー線による加熱方式も応用
可能である。本発明の媒体Ｍ１は書き換え可能な光ディ
スクであり、ＤＶＤ（デジタルビデオディスク）、ＣＤ
（コンパクトディスク）、ＣＤ−ＲＯＭ等の光ディスク
に適用できる。
の両面に各々積層するか、片面に上記各層を積層した２
枚の透明基板１１を貼り付けることにより、２倍の記録
容量としてもよい。また、本発明は、レーザビームをパ
ルス変調する光強度変調方式によるものに限らず、電子
ビーム、電磁波等のエネルギー線による加熱方式も応用
可能である。本発明の媒体Ｍ１は書き換え可能な光ディ
スクであり、ＤＶＤ（デジタルビデオディスク）、ＣＤ
（コンパクトディスク）、ＣＤ−ＲＯＭ等の光ディスク
に適用できる。
【００３３】尚、本発明は上記の実施形態に限定される
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々
の変更は何等差し支えない。
ものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々
の変更は何等差し支えない。
【００３４】
【実施例】本発明の実施例を以下に説明する。
【００３５】（実施例１）図１の媒体Ｍ１（光ディス
ク）を以下のようにして構成した。ポリカーボネートか
ら成る３．５インチ径のディスク状の透明基板１１の主
面上に、以下の各層をマグネトロンスパッタリング法に
より順次成膜した。
ク）を以下のようにして構成した。ポリカーボネートか
ら成る３．５インチ径のディスク状の透明基板１１の主
面上に、以下の各層をマグネトロンスパッタリング法に
より順次成膜した。
【００３６】膜厚約１５００Å，（ＺｎＳ）80（ＳｉＯ
2 ）20から成る第一透明誘電体層１２、膜厚約１００Å
の各種材料（表１）からなる第一の界面制御層１３、膜
厚約２００Å，Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 から成る記録層１
４、膜厚約１００Åの各種材料（表１）からなる第二の
界面制御層１５、膜厚約２００Å，（ＺｎＳ）80（Ｓｉ
Ｏ2 ）20から成る第二透明誘電体層１６、膜厚約１００
０Å，Ａｌ−Ｃｒ合金から成る反射層１７である。
2 ）20から成る第一透明誘電体層１２、膜厚約１００Å
の各種材料（表１）からなる第一の界面制御層１３、膜
厚約２００Å，Ｇｅ2 Ｓｂ2 Ｔｅ5 から成る記録層１
４、膜厚約１００Åの各種材料（表１）からなる第二の
界面制御層１５、膜厚約２００Å，（ＺｎＳ）80（Ｓｉ
Ｏ2 ）20から成る第二透明誘電体層１６、膜厚約１００
０Å，Ａｌ−Ｃｒ合金から成る反射層１７である。
【００３７】また、比較例１として、第一の界面制御層
１３及び第二の界面制御層１５の双方ともないものを作
製した。比較例２として、第一の界面制御層１３がな
く、第二の界面制御層１５が膜厚約１００ÅのＳｉＮか
ら成る以外は本実施例１と同様に構成したものを作製し
た。比較例３として、第一の界面制御層１３が膜厚約１
００ÅのＳｉＮから成り、第二の界面制御層１５がない
以外は本実施例１と同様に構成したものを作製した。比
較例４として、第一の界面制御層１３が膜厚約１００Å
のＳｉＮから成り、第二の界面制御層１５が膜厚約１０
０ÅのＳｉＮから成る以外は本実施例１と同様に構成し
たものを作製した。
１３及び第二の界面制御層１５の双方ともないものを作
製した。比較例２として、第一の界面制御層１３がな
く、第二の界面制御層１５が膜厚約１００ÅのＳｉＮか
ら成る以外は本実施例１と同様に構成したものを作製し
た。比較例３として、第一の界面制御層１３が膜厚約１
００ÅのＳｉＮから成り、第二の界面制御層１５がない
以外は本実施例１と同様に構成したものを作製した。比
較例４として、第一の界面制御層１３が膜厚約１００Å
のＳｉＮから成り、第二の界面制御層１５が膜厚約１０
０ÅのＳｉＮから成る以外は本実施例１と同様に構成し
たものを作製した。
【００３８】そして、これらについて、結晶化速度比
｛（断面のＴＥＭ像における第一の界面制御層１３側界
面での単位面積当たりの結晶化面積）／（断面のＴＥＭ
像における第二の界面制御層１５側界面での単位面積当
たりの結晶化面積）｝、光ディスクのトラックの線速度
が６ｍ／ｓｅｃで再生した場合の記録ビット端部のジッ
ター特性（％）、線速度６ｍ／ｓｅｃで記録再生した場
合のＯＷ消去率（ｄＢ）、線速度１５ｍ／ｓｅｃで記録
再生した場合の高速ＯＷ消去率（ｄＢ）を測定した結果
を表１に示す。
｛（断面のＴＥＭ像における第一の界面制御層１３側界
面での単位面積当たりの結晶化面積）／（断面のＴＥＭ
像における第二の界面制御層１５側界面での単位面積当
たりの結晶化面積）｝、光ディスクのトラックの線速度
が６ｍ／ｓｅｃで再生した場合の記録ビット端部のジッ
ター特性（％）、線速度６ｍ／ｓｅｃで記録再生した場
合のＯＷ消去率（ｄＢ）、線速度１５ｍ／ｓｅｃで記録
再生した場合の高速ＯＷ消去率（ｄＢ）を測定した結果
を表１に示す。
【００３９】
【表１】
【００４０】尚、上記ＯＷ消去率の測定は以下のように
して行った。まず、光ディスクのトラックの線速度を６
ｍ／ｓｅｃ又は１５ｍ／ｓｅｃとし、光波長８３０ｎｍ
で１３ｍＷ（非晶質状態に対応）と５ｍＷ（結晶質状態
に対応）にパルス変調されたレーザビームを照射し、
４．９１ＭＨｚ、パルス幅３０ｎｓで記録を行い、次い
で１．８４ＭＨｚ、パルス幅３０ｎｓでＯＷし、ＯＷ前
の４．９１ＭＨｚでのキャリアレベルとＯＷ後の４．９
１ＭＨｚでのキャリアレベルの差をＯＷ消去率とした。
して行った。まず、光ディスクのトラックの線速度を６
ｍ／ｓｅｃ又は１５ｍ／ｓｅｃとし、光波長８３０ｎｍ
で１３ｍＷ（非晶質状態に対応）と５ｍＷ（結晶質状態
に対応）にパルス変調されたレーザビームを照射し、
４．９１ＭＨｚ、パルス幅３０ｎｓで記録を行い、次い
で１．８４ＭＨｚ、パルス幅３０ｎｓでＯＷし、ＯＷ前
の４．９１ＭＨｚでのキャリアレベルとＯＷ後の４．９
１ＭＨｚでのキャリアレベルの差をＯＷ消去率とした。
【００４１】表１に示すように、本発明品はジッター特
性が７．７％以下、ＯＷ消去率が−２９．５ｄＢ以下と
小さく、また高速ＯＷ消去率も−２３．３ｄＢ以下と小
さかった。一方、比較例１〜３では、ジッター特性が１
０．４％以上、ＯＷ消去率が−２７．７ｄＢ以上、高速
ＯＷ消去率が−１２．４ｄＢ以上と劣化した。また比較
例４は、ジッター特性は８．１％、ＯＷ消去率が−３
１．２ｄＢと比較的良好であったが、高速ＯＷ消去率が
−１５．３ｄＢとなり本発明品に比べて劣化した。
性が７．７％以下、ＯＷ消去率が−２９．５ｄＢ以下と
小さく、また高速ＯＷ消去率も−２３．３ｄＢ以下と小
さかった。一方、比較例１〜３では、ジッター特性が１
０．４％以上、ＯＷ消去率が−２７．７ｄＢ以上、高速
ＯＷ消去率が−１２．４ｄＢ以上と劣化した。また比較
例４は、ジッター特性は８．１％、ＯＷ消去率が−３
１．２ｄＢと比較的良好であったが、高速ＯＷ消去率が
−１５．３ｄＢとなり本発明品に比べて劣化した。
【００４２】
【発明の効果】本発明は、記録層の第一の界面制御層側
界面での相変化速度が、第二の界面制御層側界面での相
変化速度よりも大きいことにより、記録層全体での結晶
成長速度が向上し、結晶質相及び非晶質相に変化する際
に速やかに相変化し、記録ビット端部のジッター特性、
高速記録及び高速消去特性が改善され、また結晶質相と
非晶質相の双方共安定に形成され易くなり、繰り返し記
録消去特性が向上するという作用効果を有する。
界面での相変化速度が、第二の界面制御層側界面での相
変化速度よりも大きいことにより、記録層全体での結晶
成長速度が向上し、結晶質相及び非晶質相に変化する際
に速やかに相変化し、記録ビット端部のジッター特性、
高速記録及び高速消去特性が改善され、また結晶質相と
非晶質相の双方共安定に形成され易くなり、繰り返し記
録消去特性が向上するという作用効果を有する。
【図１】本発明の光記録媒体Ｍ１の部分断面図である。
【図２】従来の光記録媒体Ｍの部分断面図である。
１：透明基板 ２：第一透明誘電体層 ３：記録層 ４：第二透明誘電体層 ５：反射層 １１：透明基板 １２：第一透明誘電体層 １３：第一の界面制御層 １４：記録層 １５：第二の界面制御層 １６：第二透明誘電体層 １７：反射層
Claims (2)
- 【請求項１】透明基板上に第一の界面制御層、照射する
光の出力に応じて非晶質又は結晶質に相変化する記録
層、第二の界面制御層及び反射層が順次積層され、前記
記録層の第一の界面制御層側界面での相変化速度が、第
二の界面制御層側界面での相変化速度よりも大きいこと
を特徴とする光記録媒体。 - 【請求項２】前記記録層はカルコゲン化物から成り、前
記第一の界面制御層はＡｌ，Ｓｉ，Ｖ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｚ
ｎ，Ｇａ，Ｃｒ，Ｇｅ，Ｙ，Ｚｒ，Ｍｏ，Ｂａ，Ｓｂ，
Ｔｅから成る元素群Ａのうち１種以上を含む窒化物、元
素群Ａのうち１種以上を含む酸化物、又は元素群Ａのう
ち１種以上を含む炭化物から成り、前記第二の界面制御
層はＡｌ，Ｓｉ，Ｃｒ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｇ，Ｚ
ｎ，Ｓ，Ｇｅ，Ｇａ，Ｙ，Ｓｂ，Ｗ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｉｎ
から成る元素群Ｂのうち１種以上を含む窒化物、元素群
Ｂのうち１種以上を含む酸化物、又は元素群Ｂのうち１
種以上を含む炭化物から成り、かつ第一の界面制御層の
熱伝導率が第二の界面制御層の熱伝導率よりも小さくな
るように構成したことを特徴とする請求項１記載の光記
録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15158499A JP3550317B2 (ja) | 1999-05-31 | 1999-05-31 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15158499A JP3550317B2 (ja) | 1999-05-31 | 1999-05-31 | 光記録媒体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000339750A true JP2000339750A (ja) | 2000-12-08 |
| JP3550317B2 JP3550317B2 (ja) | 2004-08-04 |
Family
ID=15521720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15158499A Expired - Fee Related JP3550317B2 (ja) | 1999-05-31 | 1999-05-31 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3550317B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100634138B1 (ko) * | 2003-10-02 | 2006-10-16 | 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 | 정보 기록 매체 및 그 제조 방법 |
| US8232542B2 (en) * | 2003-11-04 | 2012-07-31 | Commissariat A L'energie Atomique | Phase change memory element with improved cyclability |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4542995B2 (ja) | 2006-02-02 | 2010-09-15 | 株式会社東芝 | 相変化記録媒体 |
-
1999
- 1999-05-31 JP JP15158499A patent/JP3550317B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100634138B1 (ko) * | 2003-10-02 | 2006-10-16 | 마쯔시다덴기산교 가부시키가이샤 | 정보 기록 매체 및 그 제조 방법 |
| US7858290B2 (en) | 2003-10-02 | 2010-12-28 | Panasonic Corporation | Information recording medium and method for manufacturing the same |
| US8232542B2 (en) * | 2003-11-04 | 2012-07-31 | Commissariat A L'energie Atomique | Phase change memory element with improved cyclability |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3550317B2 (ja) | 2004-08-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3566743B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| EP1406254B1 (en) | Optical recording medium | |
| JP2000113514A (ja) | 相変化型光ディスク | |
| JP2000229479A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP3419347B2 (ja) | 光学的情報記録用媒体、記録方法及び光学的情報記録用媒体の製造方法 | |
| JP3584634B2 (ja) | 光学的情報記録用媒体 | |
| JP3963781B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JP2001507645A (ja) | Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅ合金の書換型光情報媒体 | |
| JP2001067722A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP3651231B2 (ja) | 光学的情報記録用媒体 | |
| JP3550317B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JP4093846B2 (ja) | 相変化型光記録媒体 | |
| JPH05151619A (ja) | 光情報記録媒体及び記録方法 | |
| JPH08180413A (ja) | 光ディスクへの光学的情報の記録方法および記録装置 | |
| JPH11339311A (ja) | 光学情報記録媒体およびその記録再生方法 | |
| JP2000339764A (ja) | 光記録媒体 | |
| JP3506621B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JP3550319B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JP3920731B2 (ja) | 相変化型光記録媒体 | |
| JP4109011B2 (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH07307036A (ja) | 光学記録媒体 | |
| JPH02112987A (ja) | 光記録媒体 | |
| JPH10112063A (ja) | 光学的情報記録用媒体 | |
| JP2001344807A (ja) | 情報記録媒体 | |
| JPH11126366A (ja) | 相変化型光記録媒体 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20040329 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040420 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040423 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080430 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090430 Year of fee payment: 5 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |