JPH0369185A - 混成集積回路 - Google Patents

混成集積回路

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JPH0369185A
JPH0369185A JP20590489A JP20590489A JPH0369185A JP H0369185 A JPH0369185 A JP H0369185A JP 20590489 A JP20590489 A JP 20590489A JP 20590489 A JP20590489 A JP 20590489A JP H0369185 A JPH0369185 A JP H0369185A
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JP
Japan
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power
control circuit
hybrid integrated
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circuit part
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JP20590489A
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English (en)
Inventor
Fumiyoshi Matsumura
松村　文好
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は混成集積回路に関し、特に高温度環境下で動作
する装置に搭載して用いられる混成集積回路の構成に関
する。
〔従来の技術〕
従来、エンジン等に搭載して用いられる混ｒＩｉ、集積
回路は、第３図に示すように、電力素子６が固着された
電力回路基板２と制御素子８が固着された制御回路基板
４とが、接着剤１０を介して同一の金属基板１上に接着
された構造となっていた。
そのため、制御回路部は、回路全体が取付ちれる装置の
発熱を直接に受け、更に混成集積回路中の電力回路部の
発熱による温度上昇の影響も受けていた。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の混成集積回路においては、電力回路部は
放熱板等に接続される金属板１上に固定されて構成され
ているため、熱伝達特性を良くする効果が得られている
が、制御回路部については取付けられる装置及び内部の
電力回路部の発熱の影響をうけ動作異常を起すという欠
点がある。
上述した従来の混成集積回路に対し、本発明は、内蔵さ
れる制御回路部が熱的に絶縁されることにより、内燃機
関の外囲器等の高温部に取付けられて使用される際に、
外部の発熱による温度上昇或いは、内蔵される電力回路
部の発熱による温度上昇の影響をうけないという相違点
を有する。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の混成集積回路は、電力素子を有する電力回路部
と、前記電力回路部と熱伝導率の低い絶縁材を介して熱
的に分離された制御素子を有する制御回路部とを含んで
構成される。
〔実施例〕
第１図は本発明の第１の実施例の断面図である。
第１図において１は熱伝導率の高い金属基板であり、う
すいＡｆｆ１２０．等の電力回路基板２上に電力素子６
が搭載され電力回路部が形成されている。また熱伝達の
悪い石綿等からなる熱絶縁材３を介して、制御素子８が
接続された制御回路基板４が搭載され制御回路部が形成
されている。各回路部の接続は、人々線等の配線７によ
り成されており、全回路は外部端子５を通じて外に引出
されている。
このように構成された第１の実施例によれば、制御回路
部を構成する制御回路基板４が熱絶縁材３を介して固着
されているため、制御素子８は熱により受ける影響が少
くなり動作異常を起すここがなくなる。
第２図は本発明の第２の実施例の断面図である。
第２図において、熱伝導率の高い金属基板ＩＡは、内燃
機関等、高温で作動する装置の外囲器に取付けられるも
のであり、その表面には絶縁膜を介して配線が形成され
ており、電力素子６Ａと共に電力回路部を構成している
。ケース１２はプラスチック樹脂で形成されており電力
回路部の外部端子５Ｂを内蔵している。そして制御回路
基板４Ａはこのケース１２を介して電力回路基板１より
熱的に分離されており、制御素子８Ａと共に制御回路部
を構成している。
このように構成された第２の実施例によれば、制御回路
基板４Ａがケース１２により分離されているために、外
部の発熱による温度上昇の影響をうけないという利点が
ある。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、混成集積回路の電力回路
部と制御回路部とを熱伝導率の低い絶縁材を介して熱的
に分離することにより、熱による制御回路部の動作異常
がなくなるとうい効果がある。このため、内燃機関等高
温環境で動作する機器の制御に混成集積回路を一体化し
て取付けることができるため、機器を更に小形化できる
という効果もある。
【図面の簡単な説明】
第１図及び第２図は本発明の第１及び第２の実施例の断
面図、第３図は従来の混成集積回路の断面図である。 １、ＩＡ・・・金属基板、２・・・電力回路基板、３・
・・熱絶縁材、４，４Ａ・・・制御回路基板、５．５Ａ
。 ５Ｂ・・・外部端子、６，６Ａ・・・電力素子、７・・
・配線、８，８Ａ・・・制御素子、１０・・・接着剤、
１２・・・ケース。 第２図 第２図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　電力素子を有する電力回路部と、前記電力回路部と熱
    伝導率の低い絶縁材を介して熱的に分離された制御素子
    を有する制御回路部とを含むことを特徴とする混成集積
    回路。
JP20590489A 1989-08-08 1989-08-08 混成集積回路 Pending JPH0369185A (ja)

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Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5555520A (en) * 1993-12-03 1996-09-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Trench capacitor cells for a dram having single monocrystalline capacitor electrode
WO2000074446A1 (de) * 1999-05-31 2000-12-07 Tyco Electronics Logistics Ag Intelligentes leistungsmodul
WO2004093186A1 (ja) * 2003-04-15 2004-10-28 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha 金属ベース回路基板とその製造方法
JP2011146665A (ja) * 2010-01-12 2011-07-28 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd ハイブリッド型放熱基板およびその製造方法
JP2012004525A (ja) * 2010-06-15 2012-01-05 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd ハイブリッド型放熱基板及びその製造方法
WO2018180356A1 (ja) * 2017-03-30 2018-10-04 株式会社オートネットワーク技術研究所 回路装置
JP2022157727A (ja) * 2021-03-31 2022-10-14 株式会社Flosfia 半導体装置および半導体システム

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5555520A (en) * 1993-12-03 1996-09-10 Kabushiki Kaisha Toshiba Trench capacitor cells for a dram having single monocrystalline capacitor electrode
WO2000074446A1 (de) * 1999-05-31 2000-12-07 Tyco Electronics Logistics Ag Intelligentes leistungsmodul
US6882538B1 (en) 1999-05-31 2005-04-19 Tyco Electronics Logistics Ag Intelligent power module
WO2004093186A1 (ja) * 2003-04-15 2004-10-28 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha 金属ベース回路基板とその製造方法
US7709939B2 (en) 2003-04-15 2010-05-04 Denki Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha Metal-base circuit board and its manufacturing method
JP2011146665A (ja) * 2010-01-12 2011-07-28 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd ハイブリッド型放熱基板およびその製造方法
JP2012004525A (ja) * 2010-06-15 2012-01-05 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd ハイブリッド型放熱基板及びその製造方法
US9107313B2 (en) 2010-06-15 2015-08-11 Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Method of manufacturing a hybrid heat-radiating substrate
WO2018180356A1 (ja) * 2017-03-30 2018-10-04 株式会社オートネットワーク技術研究所 回路装置
JP2018170461A (ja) * 2017-03-30 2018-11-01 株式会社オートネットワーク技術研究所 回路装置
CN110914979A (zh) * 2017-03-30 2020-03-24 株式会社自动网络技术研究所 电路装置
US10930578B2 (en) 2017-03-30 2021-02-23 Autonetworks Technologies, Ltd. Circuit device
CN110914979B (zh) * 2017-03-30 2023-09-15 株式会社自动网络技术研究所 电路装置
JP2022157727A (ja) * 2021-03-31 2022-10-14 株式会社Flosfia 半導体装置および半導体システム

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