JPS5939031A - フオスフオシリケ−トガラスをリフロ−するための方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の背景〕 本発明は、半導体素子の製作に関し、より詳細には、被
覆されるべき表面積の全体に一様な被覆及びテーノや拳
ステップカパレーゾをもたらすための半導体素子のガラ
ス絶縁層のりフローに関するものである。

半導体素子の製作においては、材料の多重層が半導体ウ
ェハ（代表的には、シリコン）の表面に適用される。そ
の層には、拡散、イオン注入、及び気相成長などの種々
のプロセスを適用することができる。層の各々は、１又
はそれ以上の特別の機能を有している。半導体素子がど
んどん複雑になり小型化するにつれて、これらの素子を
製作するに用いるプロセスは、よシ特殊化し、より重大
なものになってきた。

フォスフオシリケードガラス（ｐｈｏｓｐｈｏｓｌｌｌ
ｃａｔｅｇｌａｓｓ　）　（リンの所要量をドーグした
２酸化シリコン）が、半導体素子内の導電エレメント間
の絶縁層として広範に使用されてきた。フォスフオシリ
ケードガラス（ＰＳＧ）は、そのアルカリイオン吸収能
力のために表面安定層として好都合である。

構造の多重層性によシ基板のトポグラフィが非常に複雑
な大規模集積回路において、その表面トポグラフィを修
正するのにもＰＳＧ層が利用される。

気相成長ＰＳＧは、素子の表面積全体にかなり非一様で
あり、貧弱なステツゾカノぐレージｔ−呈する。

それゆえ、ＰＳＧ層は、塑性流動を生じ一様厚及びチー
・やステップカバレージをもたらすように、軟化点まで
加熱された。層の絶縁特性を保持するために一様被覆が
必要とされる。一方、下層素子層のステップにおける絶
縁破壊を防止するために、チー・やステラフ０力・々レ
ーザを必要とする。大規模集積回路の場合において、Ｐ
ＳＧ層のりフローが素子表面内の不規則性を滑らかにす
る。

６％と１０％との間の範囲のリンを含有するＰＳＧｍが
、通常用いられる。リン含有量が６％以下においては、
ＰＳＧ層の融点は非常に高い。

リン含有量が１０％以上のときは、ＰＳＧ層は吸湿性で
あり、素子の信頼性の問題が生じてくる。

ＰＳＧ層のりフローをもたらすだめの様々なノロセスが
用いられてきた。ＰＳＧリフローを生じさせるだめの在
来の技術は、１０〜６０分間の範囲で１０００℃〜１１
００℃の温度での炉内処理であった。窒素雰囲気が通常
用いられてきた。炉内のＰ　Ｓ　Ｇ　ＩＪフローは、酸
素又は蒸気雰囲気の使用によって増大された。炉内での
ＰＳＧ処理時間及び／又は処理温度は、炉内の周囲圧力
を増大させることによって減少できることが解った。炉
内処理から生じたＰＳＧ！Ｊフローは、大体満足のいく
ものであった。しかしながら、そういう温度でかなり長
い時間の聞手導体つエノ・を処理すると、ドーパント不
純物の横方向及び垂直方向への不所望の広がり又は再拡
散が生じてしまう。この拡散は、高密度ＭＯ８素子の製
作に用いられるような１０′５〜２×１０１６（ｃｒｎ
−２）の程度の高いドーズ注入量に対して、特に不都合
である。さらに再拡散は、浅い接合及び／又はＶＬＳＩ
素子の製作を不可能又は困難にしている。又、在来の炉
内処理は、時間を消費し且つエネルギ効率が良くない。

Ｐ　Ｓ　Ｇ　ＩＪフローを達成するために、レーザも用
いられてきた。９〜１１マイクロメートル範囲で動作す
る２酸化炭素レーデから得られたビームが、集束されて
半導体ウェハの表面上で走査され、それによりＰＳＧ層
の局部的加熱及びリフローを生じさせた。レーザ処理は
、はぼ満足なＰ　Ｓ　Ｇ　！Ｊフローをもたらし、そし
てその急速加熱のために半導体材料内の不純物再拡散の
問題を大いに減少させた。しかしながら、レーザビーム
はエネルギ効率が悪く、そしてビームを集束中走査する
ために機械的、電子光学的又は電子機構学的な手段を必
要とするので、熱処理系を複雑にする。加えて、レーザ
によるＰＳＧ層の極めて急速な加熱は、ウェハのひび、
はがれ、又はリフトオフ（１ｉｆｔ　ｏｆｆ）を引起す
。

本出願人に譲渡された米国特許出願第２６２，８３８号
は、一定平坦エネルギ束特性を有する黒体輻射体を半導
体材料に対向して位置したノロセッサを開示している。

黒体源は、半導体ウェハ内の結晶損傷のアニーリングが
可能であり、１０秒程度の時間内にシリコン中の不純物
ドー・セントを活性化する。

本発明の一目的は、半導体材料の表面に適用されたガラ
ス層の塑性流動を生じさせるだめの新規で改良された方
法を提供することである。

他の目的は、フォスフオシリケードガラス層の塑性流動
を生じさせ且つ半導体ウェハ内の不純物ドーパント再拡
散を減少させるように半導体ウェハを熱処理するだめの
方法を提供することである。

他の目的は、半導体ウェハの表面に適用されたガラス層
の塑性流動を引き起こして該層が一様な厚さ及びテーパ
ステップカバレージを有するようにするだめの簡単で高
速の方法を提供することである。

〔発明の概要〕

本発明に従えば、上記鎖目的及び利点が達成される。す
なわち、本発明に従う方法は、表面に絶縁ガラス層が適
用された物体を処理して、ガラス層の塑性流動を生ぜし
めるものである。本方法は、この物体をプロセスチェン
バ内へと導入する段階、プロセスチェンバ内の圧力を減
少させる段階、及びチェンバ内の物体を一定平坦エネル
ギ束特性を有する黒体源によって加熱する段階の諸段階
から成っている。物体は、黒体源との実質的に平行な平
坦整列状態に位置され、黒体源によって十分な時間で及
び十分な温度に加熱されてガラス層の塑性流動が引起さ
れる。

〔好適実施例の説明〕

本発明に従って、表面に絶縁ガラス層が適用された半導
体ウェハなどの物体を処理するための方法を説明する。

この処理によって、ガラス層の塑性流動が生じ、その結
果、良好な一様性及びテーノ！・ステップカバレージを
有するガラス層がもたらされる。半導体プロセスで最も
普通に用いられるガラスは、６〜１０重量％の濃度のリ
ンを有するフォスフオシリケードガラス（ｐｈｏｓｐｈ
ｏｓｌｌｉｃａｔｅｇｌａｓｓ　、以下ｒＰｓＧＪと記
す。）である。半導体ウェハがノロセスチェンパに導入
される。チェンバ内部には、一定の平坦エネルギ束特性
を有する黒体源が位置されている。黒体源は、遠赤外ス
４クトルの７〜１０ミクロン領域において、きわだった
放出を見せる。半導体ウエノ・は、黒体源に対してほぼ
平行な平坦整列関係に位置される。次にノロセスチェン
・ぐが排気されて、黒体源が付勢される。或いは、シャ
ッターグレートを除去してウェハを黒体源へと晒す。黒
体源は、ＰＳＧ層を急速に加速して、塑性流動が生じる
のに十分な温度へと昇温させる。それからウェハを黒体
源の近傍から取除き、冷却する。全プロセスは数秒又は
数１０秒の程度であシ、それによシネ鈍物の再拡散が禁
止される。黒体源の平坦性のだめに、ＰＳＧ層は、ウェ
ハの表面全体にわたって一様に加熱される。

本発明の方法を実施するために適したプロセッサ装置を
、第１図及び第２図に示す。プロセッサは、半導体ウェ
ハを受は取υ、熱的に処理し、放出するよう仕組まれて
いる。第１図にプロセッサ装置１０を１部欠切斜視図で
示す。プロセッサ装置１０は、パリアンΦアソシエイツ
・インコーホレイテッド社のエクストリオンΦディビジ
ョンで製造販売されているＩＡ−２００アイソサーマル
・アニーラ−（ｌｓｏｔｈｅｒｍａｌ　Ａｎｎｅａｌｅ
ｒ　）を表わしたものである。電子制御ツクネル１３が
ハウジング１１内部に含まれ、ドア１２を開いて操作可
能である。

本装置はウェイフロー重力方式のエンドステーションを
利用している。シリコンウェハの挿入及び除去のための
このウェイフロ一方式は、　Ｗｌｔｔｋｏｖｒｅｒに対
して１９７５年８月２６日に発行された米国特許第３，
９０１．１８３号に記載されている。ウェイフロー拳エ
ンドステーションにおいてハ、ウェハは、カセットホル
ダ１８内に位置されたカセットから入室ロック１６（米
国特許第３，９５４，１９１号参照）を通って真空チェ
ンバ２４．２０へと挿入される。

ウェハは重力によってプラテン２１上へ滑って行き、そ
こで適切な受取位置に方向づけられる。ウェハの挿入後
に、プラテン２１は軸線３４について回転され、黒体源
２２に対するアニーリング位置へ移る。黒体源２２は、
プラテンがウエノ・を適所に運ぶまでシャッタープレー
ト２３によってシャットされても良い。変形的には、ウ
エノ・が適当に設定されるまで、黒体源２２がアイドル
状態に点灯されていても良い。或いは他の遷移変化が採
られても良い。ウエノ・と黒体源２２との間の距離は、
４分の１インチ（約６．４　ａｍ　）から実施可能な程
度の距離まで変化させることができる。実際の距離は、
一様性要求によって、並びに′シャッター、シールＰ及
びプラテンにより占められる空間によって決定される。

一様性のためには、黒体源の活動面積は少なくともウエ
ノ・ぐらいが好適である。

何故ならば、黒体源からウエノ・への視野係数をできる
だけ大きくして一様性をできるだけ良くするためである
。ＰＳＧリフローを達成す′るために黒体源の温度は代
表的には１０００℃と１５００℃との間であり、その処
理時間は以下に述べるように５〜６０秒である。加熱は
輻射加熱であり、ウェハはその熱源の温度付近の平衡に
達するまで温度上昇する。成るケースではウェハが熱平
衡に達しない場合もある。というのは、ウエノ・が熱平
衡に達する前にリフローが完遂されてしまうからである
。ＰＳＧリフローが完了すると、ウェハは退室ロック１
７を通ってカセットホルダ１９内のカセットへと取出さ
れる。

一様加熱を促進するために、対流でなく輻射によって加
熱することが望まれる。少なくとも黒体源と半導体材料
との間の圧力の制御が維持される。

この領域の圧力は１０−７から周囲圧力への間で変化さ
れ、そして気体の平均自由行程が源・ウエノ・間距離よ
りも大きくなるように圧力が選択される。

それによって、伝導加熱は実質上除去される。第２図に
見られるように、機械的荒引ポンプ３３が拡散ボンｆ３
２に直列に用いられて、管３０及びバッフル３１を通じ
てチェンバ２４を排気する。

かくして作業チェンバ２４．２０内の圧力が所望レベル
に制御される。その規準は、前述のように、ガス分子の
平均自由行程が黒体源３５とウニ／・３７との距離より
もはるかに太きいということである。

従って、熱源３５により輻射加熱が優勢的になる。

ウェハ３７は、黒体輻射源３５により生じた一定の平坦
エネルギ束によって加熱される。一定の平坦エネルギ束
の語は、平坦な前面を横切る一定のエネルギ束が輻射源
によって生成されるという意味である。輻射源の傾斜に
よって電力を変化させても良い。しかし、平坦前面を横
切るエネルギ束は一定に維持される。平坦な等濡面は、
ウエノ・３７を一様に加熱する。このことが起る理由の
一つは、黒体輻射が主として赤外領域であり、かクシリ
コンが赤外線を部分的に透過させるということである。

かくして、輻射が数Ｓ　ＩＪ秒内に数百ミクロンの厚さ
のウェハを貫通して、それを一様に加熱する。Ｐ　Ｓ　
Ｇ　ＩＪフローのためには、黒体輻射は赤外スペクトル
の７〜１０ミクロン領域にあることが望まれる。

熱処理が完了すると、熱源は、第１図に示した機械的シ
ャッター２３の手段によりシャットされるか、アイドル
状態にされるか、或いは、閉鎖されるか何れかの手段が
とられる。ウェハがシリコンの場合には、７００℃又は
それ以下に冷却するのが好適であり、そのためにアニー
リングチェンバから取出されても良い３、冷却は、プラ
テンを実際に冷却すること、又は黒体シンクとしてのチ
ェンバ壁に対してウェハが輻射するようにプラテンを回
転させることによって達成される。第３図に示すように
、プラテン２１は金属ブロック４９から成り、ブロック
４９は螺旋状冷却チューブを固着させている。冷却チュ
ーブ４０は、チルドウォーター（１分間に１ガロン（３
，ＳＺ）で１０〜１５℃）又はその他の冷却剤を含む。

そして冷却チューブ４０は、供給管を通じて、アニーリ
ングチェンバ外部の給源に接続されている。一様アニー
リングを促進するために、反射性金属で作られた周回状
ストリップ４２がプラテンの前方側に設けられる。

このストリップを加熱しても良く、その場合にはウェハ
の縁部と中心部との間に一様温度状況を保障する。平坦
シールド４１．４１′が、熱源３５と真空チェノ・ぐ壁
との間に位置される。これらのシールドは、公式１／（
ｎ＋１）　　（とこに、ｎは連続するシールドの枚数で
ある）に従って熱損失を減少させる。ただし、各シール
ド間は真空分離されているものとする。

黒体輻射体３５の一実施例を、第４図に詳細に示す。ウ
ェハの面積全体にわたって一様加熱を得るために、黒体
源はその表面全体に一様な熱地図を呈する。この一様な
熱地図は平坦な熱前面を生成する。それによシ、黒体源
前方の平行平面上では同一の温度を経験する。かくして
ウェハの加熱は輻射性であり、その輻射は２次元等方性
をもってウェハを加熱する。等濡面をもたらすためには
、平坦な輻射源が好適である（必ず必要というわけでは
ない）。

好適な黒体源は抵抗性材料であり、それはストリップパ
ターンを含む平坦形状に切断し或いはモールドしてつく
ることができる。最も好適な黒体源はグラファイトであ
り、その−例はスタックポール（５ｔａｃｋｐｏｌｅ　
　２０２０　）である。スタックポールは、シート形状
で入手可能であり、第４図のような蛇紋ｉ９ターンに切
断可能である。１６分の１から８分の１インチ（１，６
ｍｍから３．２　ｍｍ　）厚のグラファイトのシート５
０が、ストリップ５４から成る蛇紋パターンを生ずるよ
うに形状づけられる。

黒体源５５の各隅は金属フレーム４１に取付けられ、対
抗する２つの隅は導電コンタクトスタッド５２と５３の
手段に取付けられる。好適実施例においては、カーダン
・シートがストリップ切断前に穴あけ拡開されて、周囲
５１内部のシート厚を減少させている。結果として、周
囲５１内部の円形領域の温度が最も高く、その領域がプ
ラテン支持ウェハに対抗して位置される。代表的には、
そういう平坦な蛇紋ストリップ源は約５キロワツトの電
源を使用する。シールドの効率が良ければ、所要電力は
小さくなる。最も一様な加熱のためには、黒体源の実効
面積は少なくとも加熱されるウニ・・と同程度でなけれ
ばならず、ウエノ・はできるだけ黒体源に接近すべきで
ある。

本発明の方法に従っだＰ　Ｓ　Ｇ　ＩＪフローにおいて
、ＰＳＧの含有リンに応じて平坦黒体加熱体を５〜６０
秒間、１０００℃〜１５００℃の温度に上昇させるのが
好適である。リンの含有量が増大するにつれて、ＰＳＧ
の融点が減少することは、当業者に認識されるであろう
。ゆえに、リンの含有量の多いＰＳＧ層に対しては、処
理時間又は処理温度は小さくできる。特定のＰＳＧ組成
に対して、ＰＳＧ層のりフローを完遂するために種々の
温度及び時間の組合せを利用することができることを認
識されたい。さらに平坦黒体加熱体によるＰＳＧの処理
の間、ノロセスチェンパ１ｄｌＯ−”〜１０−”　Ｔｏ
ｒｒの真空状態に維持するのが好適である。

前述の装置を利用したＰ　Ｓ　Ｇ　ＩＪフローの一例に
おいて、８チのリンをドープしたＰＳＧが１４５０℃の
加熱体温度で８秒間露出して、処理された。走査型電子
顕微鏡（ＳＥＭ）の解析の結果、優秀なりフローが得ら
れたことが解った。６チのリンをドーグしたＰＳＧが１
４５０℃の加熱体温度で１５秒間露出して処理された結
果、滑らかな外形及びチー・臂側壁が創成された。リン
の含有量がより低いＰＳＧに対しては、より高温及び／
又は長時間が要求される。他方、よシ高いリン含有ｔに
対してはその逆になる。所望の結果に依存して、時間及
び温度の異なる組合せが優秀な結果をもたらす。

例えば、８％リン含有のＰＳＧに対して、他の首尾良い
組合せは、１１００℃で３５秒間、１２５０℃で２０秒
間、及び１３５０℃で１０秒間である。

これらの時間及び温度の組合せは、得られるリフローの
量を変化させるためにわずかに調整することができる。

その他のリン含有量のＰＳＧを処理するために、温度と
時間の組合せが決定される。

本発明の方法に従ったＰＳＧ層の処理においては、炉ア
ニーリング法に比較してドーパント再拡散が著しく減少
したことが解った。このことは、本発明の方法に要求さ
れる時間間隔がより短いことに起因する。

第５Ａ図を参照すると、製造中の半導体素子の一例が図
示されている。この素子は、平坦層１１０．１１２並び
に在来のフォ）　ＩＪソグラフイ及びエツチング方法に
より形成され得るステップ１１４を含む。代表的には気
相成長（ＣＶＤ）によって、フォスフオシリケードガラ
ス層１１６が素子の表面に適用される。層１１６は、層
１１４と引続いて適用されるメタライゼーションなどの
導電層との間の絶縁体として機能する。付着された際に
は層１１６は代表的には厚さが一様ではない（１２０で
示すように）。そして、１２２で示すように１ステツプ
１１４の良好なカパレーノをもたらさない。層１１６は
、代表的には、１〜２ミクロンの厚さである。本発明の
方法に従う層１１６の加熱よって、その材料は塑性流動
が生じ得る点まで１・化する。加熱は、液体状態への変
化が起こるほど大きくてもいけない。塑性流動は、非一
様厚の領域を滑らかにし、ステップの被覆をテーパ状に
する。本発明の方法によって、・４５度付近のステップ
力バレージテーノＥが得られる。リフロー後の層１１６
を第５Ｂ図に示す。

本発明の方法がＰ　Ｓ　Ｇ　ＩＪフローの達成に効果的
であるのは、黒体源からＰＳＧ内部への選択的赤外輻射
吸収によるものと信じられる。このことは、９．２５ミ
クロン波長に強い吸収帯を有する８１−０結合との放射
結合及び約７．７ミクロンに強い吸収帯を有するｐ−ｏ
結合との放射結合によって起こる。

下層のドー７されたシリコン基板もまた赤外輻射を吸収
し、これら２層は導電機構によって熱平衡に達する。こ
のことは、薄いＰＳＧ層の保全にとって重要である。例
数ならば、ＰＳＧ層とシリコン層とが同じ速度で昇温し
ないとすれば、熱応力が生じて、ＰＳＧ層のひびや割れ
、はがれが生じるからである。そういう状況は、レーザ
などの単色光源（ＰＳＧ内部の５ｌ−０結合やｐ−ｏ結
合の帯域とのみ結合する）を用いたときに生じ得る。光
半領域又はその付近にピークのある黒体源などのように
、７〜１０ミクロンの赤外領域に十分な強度−を有しな
い黒体源が用いられるときにも、同様な状況が起こり得
る。このような場合には、シリコン層が全ての輻射を吸
収してしまい、８１０！層よりも急速に加熱される。

ＰＳＧ層との放射結合の量は、層の厚さに依存する。本
明細書で述べた黒体輻射源（１４００℃で２．０ミクロ
ンにピークを有する）と適切に結合する１〜２ミクロン
のＰＳＧ層が使用される。薄いＰＳＧ層は、パルクドー
ゾトシリコン（ｂｕｌｋｄｏｐｅｄ　ｓ口５ｃｏｎ　）
に比して十分な速度で加熱するほどの輻射を吸収せず、
それによりＰＳＧ層の損害を生じさせる。本発明の方法
に従えば、ＰＳＧ層（又は他のガラス層）の吸収率は、
フィルター、多重源又はその他の輻射源設計により輻射
源の黒体スペクトル分布を調節することによって、シリ
コン（又は他の基板）の吸収率に対して調節される。

これまでＰＳＧに関して本発明を説明してきたけれども
、本発明の方法はボロシリケート（ホウケイ酸ガラス）
及びアルセノ７リケート（ヒ素ケイ酸ガラス）などの他
の型のガラスにも適用し得ることを認識されたい。必要
なことは、平坦な黒体源が、塑性流動が生じる点までガ
ラス層を急速に加熱する能力を有するということである
。

このように本発明によって、半導体素子の表面に適用さ
れたガラス層の塑性流動を引起こすだめの方法がもたら
される。本方法はガラスのりフローを非常に急速に達成
するので、不純物の再拡散を無視し得るしＲルにまで減
少させる。加えて、本方法は単純でかつエネルギ効率が
良い。

これまで発明の好適実施例について本発明を説明してき
たけれども、本発明の範囲を外れることなく種々の変化
及び修正がなされ得ることは当業者にとって明白であろ
う。

【図面の簡単な説明】

第１図は、本発明の方法を実施するために利用されるプ
ロセッサ装置の一部切欠斜祝図である。 第２図は、第１図の装置の側面図である。 第３図は、第１図及び第２図のプロセッサ装置内の半導
体ウエノ・を保持するだめのプラテンの端面図でおる。 第４図は、第１図及び第２図のプロセッサ装置に組入れ
られるだめの、一定平坦エネルギ束を生じさせるだめの
黒体輻射体の正面図である。 第５Ａ及び５Ｂ図は、代表的な半導体ウエノ・の断面図
であり、それぞれ、本発明の処理のｍＪ後のフォスフオ
シリケードガラス層を表わしている。 〔主要符号の説明〕 １０・・・ノロセッサ装置　　１１・・・ノ・ウシンク
１２・・・ドア　　　　　　　１３・・・電子布１］御
／ｅネル１６・・・入室ロック　　　　１７・・・退室
ロック１８・・・カセットホルダ　　１９・・・カセッ
トホルダ２０・・・真空チェンノ々　　　２１・・・プ
ラテン２２・・・黒Ｃｔ［−２３・・・シャッタープレ
ート２４・・・真空チェノ／々　　３０・・・管３１・
・・バッフル　　　　　３２・・・拡散ホンダ３３・・
・荒引ポンプ　　　　３４・・・軸線３５・・・黒体源
　　　　　３７・・・ウエノ・４０・・・冷却チューブ
　　４１．４１’・・・平坦シールド４２・・・ストリ
ツ７６　　　４９・・・金属ブロック５０・・・シー）
５２．５３・・・スタッド５４・・・ストリップ　　　
　５５・・・黒体源１１０．１１２・・・平坦層 １１４・・・ステラ７°　　　　１１６・・・ガラス層
特許出願人　　パリアン・アソシエイツ・呵ンコーポレ
イテツド 図面の浄書（内容に変更なし） ＦＩＧ、１ ０ ＦＩＧ、５Ａ １４ ＦＩＧ、５Ｂ １４ 手続補正書（方゛側 特許庁長官　　若　杉　和　夫殿 １　事件の表示　　昭和５８年特許願第１２３５７８号
２　　発明　の　名　称　　　　７オス７オシリケート
ガラスをり７ｐブするための方法３、補正をする者 事件との関係　　特　許　出　願　人 任　所（居所） 氏　名（名称）　　　パリアン・アソシエイツ・インコ
ーボレイデッド４、代理人 住所　東京都港区西新橋ＩＪ−目６番２１号大和銀行虎
の門ヒルディ／グ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、　表面に絶縁ガラス層が適用されたほぼ平坦な物体
   を処理して該ガラス層の塑性流動を生せしめるだめの方
   法であって： 前記物体をプロセスチェンバに導入する段階；前記プロ
   セスチェンバ内の圧力を減少させる段階；並びに 一定の平坦なエネルギ束特性を有する黒体源により前記
   チェンバ内の前記物体を加熱する段階であって、前記物
   体は前記黒体源とほぼ平行な平坦整列状態に位置され、
   前記ガラス層の塑性流動を生ぜしめるのに十分ガ温度、
   十分な時間間隔で前記黒体源により加熱される、ところ
   の段階； の諸段階から成る方法。 ２、特許請求の範囲第１項に記載された方法であって： 前記ガラス層がフオスフオシリケー）ｆｆラス層であり
   、かつ前記加熱段階が５〜６０秒間少秒間色も１０００
   ℃に前記物体を加熱することによシ達成される； ところの方法。 ３、特許請求の範囲第１項に記載された方法であって、
   さらに前記加熱段階後に、 前記グロセスチェンｉＲ内の前記物体を輻射性冷却によ
   り冷却する段階； を含む方法。 ４、特許請求の範囲第３項に記載された方法であって、
   さらに前記冷却段階後に、 前記プロセスチェンバから前記物体を取出す段階； を含む方法。 ５、特許請求の範囲第４項に記載された方法であって： 前記プロセスチェンバの圧力を減少させる段階が、前記
   物体を加熱する段階の際に１０−’　Ｔｏｒｒと１Ｏ−
   ７Ｔｏｒｒ　　との間の圧力をもたらすよう行なわれる
   ； ところの方法。 ６、表面にガラス層が適用された半導体ウェハを処理し
   て該ガラス層の塑性流動を生ぜしめるための方法であっ
   て： 排気されたグロセスチェンパ内にある前記半導体ウェハ
   を、平坦なエネルギ束特性を有する黒体源によって加熱
   する段階であり、前記半導体ウェハは、前記黒体源とほ
   ぼ平行な平坦整列状態に位置されかつ前記ガラス層の塑
   性流動が生じるように前記黒体源によって十分な時間で
   十分な温度に加熱されるところの段階；から成る方法。 ７、特許請求の範囲第６項に記載された方法であって： 前記加熱段階が、スペクトルの赤外領域に実質的な輻射
   を有する黒体源によって達成される；ところの方法。 ８、％許請求の範囲第７項に記載された方法であって： 前記ガラス層がフォスフオシリケードガラス層であり、
   前記加熱段階が７〜１０ミクロンのスペクトル領域に実
   質的な輻射を有する前記黒体源によって達成される； ととるの方法。 ９、特許請求の範囲第６項に記載された方法であって、
   さらに： 前記ガラス層と前記半導体ウェハとの加熱速度を実質的
   に平衡させるように前記黒体源のスペクトル分布を調節
   する段階であシ、熱応力を回避するところの段階； を含む方法。 １０、表面にガラス層が適用された半導体ウェハを処理
   して該ガラス層の塑性流動を生せしめるだめの方法であ
   って： 前記半導体ウェハをグロセスチェンパ内に導。 入する段階； 前記グロセスチェンパ内の圧力を減少させる段階； 前記チェンバ内にある前記半導体ウェハを、平坦なエネ
   ルギ束特性を有しかつ前記ガラス層と前記半導体ウェハ
   との加熱速度を実質的に平衡させるようなスペクトル分
   布を有する黒体源によって加熱する段階であり、前記半
   導体ウェハは、前記黒体源とほぼ平行な平坦整列状態に
   位置されかつ前記ガラス層の塑性流動が生じるように前
   記黒体源によって十分な時間で十分な温度に加熱される
   ところの段階； 前記グロセスチェンパ内の前記半導体ウェハを輻射性冷
   却により冷却する段階； 前記プロセスチェンバから前記半導体ウェハを取出す段
   階； から成る方法。