JPH0345118B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は二酸化炭素含有量の高い装入ガス流の
全硫黄含有量を環境上容認できる水準まで低下さ
せる方法に関する。この方法では装入ガスの硫黄
成分はクラウス型の硫黄回収装置において元素硫
黄に転化される。

一般に、硫黄回収装置の装入原料はガス精製プ
ロセスの再生段階で製造された硫化水素（H₂S）
含有ガスである。製油所ガス、天然ガスまたは炭
化水素の部分燃焼によつて製造された合成ガスの
ような工業ガスの硫黄成分（多くの場合、主とし
て硫化水素）を更に使用するに先立つて許容でき
る低い水準まで低下させるのに必要なこれらのガ
ス精製プロセスは普通液体吸収剤中でガスの硫黄
成分を吸収することを含み、この吸収剤は後で再
生されて硫化水素に富むガスを生成する。硫化水
素に富むガスは次いで硫黄回収装置に通されて、
元素硫黄が製造されて回収される。次にこのよう
な装置の反応ガスは好ましくは、ガスが最後に大
気中に排出される前に、ガスの硫黄含有量を極め
て低い水準まで低下させるため、更に処理され
る。硫黄回収装置において硫化水素は周知のクラ
ウス反応によつて元素硫黄に転化される。クラウ
ス型またはクラウスプラントの硫黄回収装置は工
業上広く使用され、十分に確立されている。

硫化水素は別として、上に述べた工業ガスおよ
び合成ガスは屡々硫化カルボニル（COS）のよ
うな他の硫黄成分および他の有機硫黄化合物、例
えばメルカプタンを含んでおり、これらはまた上
記のガスを使用する前に除去しなければならな
い。したがつて、存在するすべての硫黄成分を除
去する適当な液体吸収剤が典型的に使用される。
しかしながら、これらもまた大量の二酸化炭素
（CO₂）を含んでいる。硫化水素を除去するガス
精製プロセスに適用される液体吸収剤も一般に二
酸化炭素に対する良好な吸収剤である。吸収によ
つて硫化カルボニルを除去するためには、実際問
題として二酸化炭素に対して有効な吸収剤が使用
される。したがつて、吸収した成分を多量に含む
液体吸収剤の再生は、後にクラウスプラントで処
理しなければならない硫化水素と二酸化炭素を含
むガスを生成する。

石炭の部分燃焼によつて製造された合成ガスの
ような一部のガスに関しては、二酸化炭素と硫化
カルボニルの水準は非常に高くなることができ、
すなわちその流れは二酸化炭素と硫化カルボニル
を合わせて80容量％以上、かつ硫化水素15容量％
以下を含むことができる。これは上記の典型的な
ガス処理機構に重大な問題を提供する。比較的二
酸化炭素含有量の高いガスの流れを取扱うのに支
持された一つの方法が米国特許第4153674号明細
書に記載されている。この公知の方法では２つの
別々の吸収／脱着段階が使用され、その一方は装
入ガスの非選択的な吸収であり、そして他方は還
元されたクラウスオフガスの選択的な吸収であ
る。しかしながらこの公知の方法による根本的な
問題は、高い二酸化炭素および硫化カルボニル含
有量を有する装入ガスの流れについては貧ガス
（非選択的な吸収より生ずる）と廃ガス（選択的
吸収剤から生じる）からの全硫黄放出量は環境上
許容できる水準を越えてしまう。これは全硫黄放
出量に対する二硫化カルボニルの占める割合のた
めである。装入ガスの流れの中の極めて高水準の
二酸化炭素と硫化カルボニルを処理するのにこの
公知の方法とは別の方法が必要である。

本発明の目的は二酸化炭素と硫化カルボニルの
極めて高い含有量を有するガスの流れの全硫黄含
有量を低い水準まで低下させることができる方法
を提供することである。

別の目的は二酸化炭素含有量の高い装入ガスの
全硫黄含有量を環境上許容できる水準まで低下さ
せる方法を提供することである。

したがつて、本発明は、以下の段階、すなわち (a) 硫化水素、硫化カルボニルおよび少なくとも
５容量％の二酸化炭素を含む装入ガスの流れを
第１の吸収段階に通し、そこで該装入ガスの流
れを硫化水素に対して選択的な液体で、かつ再
生可能なポリアルカノールアミン吸収剤と接触
させ、そこで吸収されなかつた部分および硫化
水素に富むポリアルカノールアミン吸収剤を製
造し； (b) 段階(a)から出た装入ガスの流れの該吸収され
なかつた部分を、還元段階において、水素−お
よび／または一酸化炭素−含有ガス、連合した
クラウスプロセス段階(e)から出たオフガスおよ
び或量の水蒸気と共に、無機酸化物担体上に支
持された、硫化した第族および／または第
族金属触媒上に通し、そこで、生成する、処理
されたガス中の硫化カルボニル含有量が約0.05
容量％よりも低い水準まで低下するように水蒸
気の量を調整し； (c) 該還元段階(b)においてこのように処理された
ガスの流れを第２の吸収段階に通し、ここで該
処理されたガスの流れの吸収されなかつた部分
が約0.05容量％よりも少ない全硫黄化合物を有
するような条件下で、該処理されたガスの流れ
を液体でかつ再生可能なポリアルカノールアミ
ン吸収剤と接触させ、該処理されたガスの流れ
の吸収されなかつた部分を、随意に灰化後、大
気中に排出させ、そして硫化水素に富むポリア
ルカノールアミン吸収剤を製造し； (d) 吸収段階(a)および(c)から出た硫化水素に富む
吸収剤を加熱および／またはストリツピングに
より再生し、そして再生された吸収剤を硫化水
素の更なる吸収のために使用し； (e) 再生段階(d)において遊離した硫化水素をクラ
ウスプロセス段階に通し、そして (f) 該クラウスプロセス段階(e)において製造され
たオフガスを該還元段階(b)に通す、 各段階を含む、二酸化炭素含有量の高い装入ガス
の流れの全硫黄含有量を環境上許容できる水準ま
で低下させる方法を提供する。

本発明に関しては、硫化水素含有ガスが少なく
とも５容量％の二酸化炭素を含むならば、該ガス
は極めて高い二酸化炭素含有量を有する。

本発明によつて処理される装入ガスの流れは、
種々の製油所プロセス、工業プロセスまたは石炭
のような燃料の部分酸化から得られる。本明細書
で取り上げている装入ガスの流れは次の一般的な
組成（容量％で表わす）を有する。

好ましい範囲 更に好ましい範囲 CO₂ ５−95％ 40−90％ H₂S 0.03−20％ 0.03−10％ COS 0.02−２％ 0.02−１％ 装入ガスの流れのその他の成分は水素、メタ
ン、アンモニア、一酸化炭素、水素および水蒸気
を包含することができる。本発明の重要な局面は
装入物中の二酸化炭素と硫化カルボニルの含有量
が極めて高いことである。

本方法の第１段階では、装入ガスの流れが第１
の吸収帯域において液体でかつ再生可能な選択的
溶剤と接触する。第１の吸収帯域は充填塔または
トレイカラムを含むことができる。二酸化炭素の
共吸収（Co−absorption）を減少させるために
比較的高いガス速度が適用される。吸収帯域の通
気領域に関しては0.5ないし3.0ｍ／秒のガス速度
を使用するのが好ましい。本明細書で使用されて
いる「通気領域」は「ガス流領域」または「活性
領域」と同意語であつて、これにはケミカルエン
ジニアリングログレスの1970年３月号、第50−55
頁が参照される。30個よりも少ない、より好まし
くは20個よりも少ない吸収層を有する吸収帯域を
適用するのが更に好ましい。トレイカラムを使用
する場合、そのカラムは30個よりも少ない接触バ
ルブトレイを有すべきであり、充填塔は30個より
も少ない理論段数を有すべきである。５ないし15
個の吸収層を有する吸収帯域を使用するのが特に
好ましい。

液体でかつ再生可能な溶剤は好ましくはジイソ
プロパノールアミン（DIPA）、メチルジエタノ
ールアミン（MDEA）またはトリエタノールア
ミン（TEA）のようなポリアルカノールアミン
の水溶液である。ポリアルカノールアミンが硫化
水素に対して選択的であつて、しかもそれが二酸
化炭素の共吸収を低下させるのが大いに好まし
い。したがつて、非常に好ましいポリアルカノー
ルアミンはMDEAである。アルカノールアミン
は0.5ないし５、好ましくは１ないし３モル濃度
の水溶液の状態で使用するのが好ましい。

装入ガスの流れの中に、適当には10％よりも少
ない硫化水素、約40％よりも多い二酸化炭素およ
び約50％よりも多い硫化カルボニル（好ましくは
該装入ガスの流れの中の硫化カルボニルと二酸化
炭素の合計は90％よりも多い）を含む装入ガスの
流れの吸収されなかつた部分は次に還元段階に入
る。この還元段階は、無機酸化物担体上の硫化し
た第族および／または第族金属触媒上に連合
したクラウス型プロセスから出たオフガスの流れ
と一緒に、第１の吸収段階から出た装入ガスの流
れの未吸収部を通すことを含んでいる。第族お
よび第族は1978−1979年発行、「Handbook of
Chemistry and Physics」第59版の内側表紙に示
された元素の周期表を引用している。定義した触
媒上にこの合体した流れを特定の温度範囲で示す
ことによつて、硫化水素の他に、存在するメルカ
プタンおよび／またはジサルフアイドを含むガス
混合物の全硫黄成分は硫化水素に転化される。硫
化カルボニルと二硫化炭素（CS₂）は触媒上て加
水分解して硫化水素と水になるのに対して、二酸
化硫黄は存在する水素によつて還元される。硫化
カルボニルと二硫化炭素の若干の水素化も起こ
る。存在する元素硫黄もまた特定された条件下で
還元されて硫化水素になる。

本発明方法の段階(b)は好ましくは200℃ないし
350℃の温度において遂行される。このため、硫
黄回収装置の反応オフガスと装入ガスの流れの吸
収されなかつた部分との混合物は、二酸化硫黄と
元素硫黄が完全に硫化水素に転化するのに必要な
遊離の水素−および／または遊離の一酸化炭素
（CO）を含むガスの少なくとも化学量論的な量の
存在下において該触媒上に通される。一般に、必
要な化学量論的な量の1.3ないし2.0倍が適用され
る。専ら経済的な理由によつて、これよりも多量
の水素および／または一酸化炭素は考慮されてい
ない。

一酸化炭素は次の反応式に従つて、現場で水素
を生成するので、本発明の目的については、一酸
化炭素はその還元能力において水素と同等であ
る。

CO＋H₂O〓CO₂＋2H 一酸化炭素による二酸化硫黄の還元は、現場で
生成した水素のために極めて速い反応であること
が注目されている。その理由のため、段階(b)にお
いて水素と酸化炭素を含むガスを使用することが
特に好ましい。９：１ないし２：８のH₂／COモ
ル比を有するガスを使用するのが適当であり、約
４：１のH₂／COモル比を有するガスが好まし
い。

使用される遊離の水素−および／または遊離の
一酸化炭素−含有ガスは都市ガス、水性ガスまた
は合成ガスのような両方の化合物を含むガスであ
るのが好都合である。純粋な水素または一酸化炭
素も使用できる。適当な水素富有ガスまたはガス
混合物は接触リフオーミング装置のオフガス、水
素プラントにおいて製造されたガスまたは石油か
ら生成した飽和粗製ガスの処理装置から得られた
ガスである。遊離水素と遊離一酸化炭素を含むガ
スは更にメタン、エタン、プロパン、ブタンまた
これらの混合物のような低級炭化水素ガスの化学
量論的な量以下の燃焼によつて製造してもよい。
このようなガスの製造は適当には、後で述べるよ
うに反応オフガスと該硫化水素含有ガスを必要な
反応温度まで加熱することと組合わせてもよい。

硫黄回収装置の最後の床と元素硫黄を回収する
ための関連したコンデンサーを通過した後、反応
オフガスは通常130℃ないし170℃の温度を有す
る。しかしながら、第族および／または第族
金属触媒上の還元段階についてオフガスはこれよ
りも高い温度を持たなければならず、したがつて
これらのオフガスは最初170℃を越える温度まで
加熱しなければならない。反応オフガスは、低級
炭化水素またはその混合物の酸素含有ガスによる
化学量論的な量以下の燃焼によつて製造された水
素と一酸化炭素を含むガスと反応オフガスを混合
することによつて、第１の吸収帯域から出た装入
ガスの流れの吸収されなかつた部分と共に、180
℃ないし450℃の範囲の温度に加熱されるのが好
ましい。該ガスの混合は化学量論的な量以下の燃
料のために使用されるバーナーの燃料室の後につ
づく混合室において遂行することができる。

180℃よりも高い温度まで温度が上昇すること
もまた反応オフガス中に少量の元素硫黄がミスト
の形で存在する故に重要である。この排斥すべき
硫黄のミストは硫黄の露点以上に温度を上げたと
き消失する。180℃以上に温度を上昇させる結果、
ガス相中の元素硫黄の存在は還元触媒の触媒活性
に対して有害な作用を及ぼさないことも見出され
た。

180℃よりも高い温度まで加熱した後、二酸化
硫黄を還元して硫化水素とするために、遊離の水
素含有ガスおよび／または遊離の一酸化炭素含有
ガスと共に反応オフガスと装入ガスの流れの吸収
されなかつた部分を硫化した第族および／また
は第族金属触媒上に通す。同時に元素硫黄およ
び硫化カルボニルおよび／またはその他の有機硫
黄化合物は硫化水素に転化される。無機の酸化物
担体上に担持された、硫化した第族および／ま
たは第族金属触媒が適しているけれども、本発
明を遂行するのに好ましい還元触媒は、１種また
はそれ以上の金属、すなわち（第族金属の）モ
リブデン、タングステンおよびクロム、および／
または１種またはそれ以上の金属、すなわち（第
族金属の）コバルト、ニツケルおよび鉄を含む
触媒であつて、このような第族金属１種とこの
ような第族金属１種の組合わせが好ましい。無
機の酸化物担体はアルミナ、シリカ、マグネシ
ア、ボリア、トリア、ジルコニアまたはこれらの
化合物の２種またはそれ以上の混合物であり得
る。本発明方法にしたがつて使用するのに最も好
ましい触媒はNi／Mo／Al₂O₃またはCo／Mo／
Al₂O₃触媒である。

第族および／または第族触媒は硫化した形
で使用される。硫化は予め10−15容量％の硫化物
を含む水素と硫化水素との混合物のような適当な
硫化剤によつて遂行することができる。反応オフ
ガス自体により現場で触媒を硫化することもでき
る。しかしながら／：／：／のモル比で水素、硫
化水素および水を含む硫化用混合物が特に適して
おり、硫化温度は300ないし400℃である。硫化す
べき触媒は酸化物または元素の状態で、第族お
よび／または第族金属を含むことができる。

硫化水素の液体吸収剤と接触させる前に、段階
(b)で得られた、還元されたガス混合物は最初に冷
却される。好ましくは、それは６ないし60℃の範
囲の温度に冷却される。更に好ましくは、冷却は
２つの段階で行なわれ、その第１の冷却は間接熱
交換であり、第２の冷却は水による直接熱交換で
ある。

冷却後、還元された（または処理された）ガス
混合物は第２の吸収帯域において液体でかつ再生
可能な溶剤と接触する。第１の吸収帯域において
使用されたのと同じアミン、条件等が第２の吸収
帯域において使用される。

次いで第２の吸収塔から出た、還元されたガス
混合物の吸収されなかつた部分は大気中に排出さ
れる。所望ならば、この吸収されなかつた部分は
また通常の方法で灰化し、そして灰化した部分を
煙突に通してもよい。吸収されなかつた部分は、
典型的には硫化水素として0.05容量％よりも少な
い全硫黄化合物を含んでいる。本発明の重要な局
面は、大気中に放出される流れの硫黄水準が現在
の環境上の法規を満たすことである。

第１および第２の吸収帯域から出た硫化水素に
富む吸収剤は加熱および／または水蒸気によるス
トリツピングによつて再生される。これは硫化水
素に富んだガス混合物と再生された吸収剤を生成
させ、この吸収剤は更に硫化水素を吸収するため
に段階(a)および(c)において再使用する。

吸収剤−この吸収剤はまた若干の共吸収された
二酸化炭素と水を含んでいる−の再生において遊
離した、硫化水素に富むガス混合物は、その中に
存在する水を凝縮させるために、まず最初に冷却
される。通常、水性吸収剤の水分量を必要な水準
に維持するため、この水の少なくとも一部を再生
段階に再循環する。冷却後、硫化水素に富むガス
混合物を硫黄回収装置（クラウス装置）に通し
て、そのガスから元素硫黄を回収する。

本明細書中で使用されているように、「クラウ
ス反応」または「クラウスプロセス」は元素硫黄
と水が生成する硫化水素と二酸化硫黄との間の反
応を引用している。「クラウス型の硫黄回収装置」
または「クラウスプラント」とは、硫化水素が部
分燃焼して二酸化硫黄を正確な割合で生成し、次
いでこの二酸化硫黄が未燃焼の硫化水素と反応し
て硫黄と水を与え、次に硫黄が凝縮して回収され
る熱的帯域とそれにつづく、同じ反応が適当な触
媒によつて更に促進されて付加的な硫黄が回収さ
れる１個またはそれ以上の接触帯域が合体してい
る、クラウス反応を遂行するためのプラントを意
味する。

本発明を更に図を参照して例証する。この図は
本発明の一実施方法の概略的なフローダイアグラ
ムである。

図を参照すると、部分酸化プロセスから発出す
る装入ガスの流れは管路１を経て第１の吸収装置
２に入り、ここでその流れは水性MDEAのよう
な管路３を経て供給される吸収成分の少ない液体
でかつ再生可能なポリアルカノールアミン吸収剤
と接触する。この第１の吸収装置２は大部分の硫
化水素は除去するが、二酸化炭素と硫化カルボニ
ルは除去しない選択的な仕方で操作する。実質的
に硫化水素を含まない、吸収されなかつたガスの
流れは管路４を経て第１の吸収装置２を去る。吸
収成分を多量に含む溶剤（硫化水素に富む吸収
剤）の流れは管路５を経て第１の吸収装置２を出
る。

管路４の中の吸収されなかつたガスの流れは管
路６を経て供給されるクラウスオフガスの流れと
合体し、そして管路８を経て供給される水蒸気、
管路９を経て供給される還元ガスの流れ、管路１
０を経て供給される燃料ガスの流れおよび管路１
１を経て供給される酸素含有ガス（例えば空気）
の流れと共に、インラインバーナー兼混合室７に
装入される。インラインバーナー７において、炭
化水素燃料ガスの化学量論的な量以下の量の燃料
によつて水素と一酸化炭素を含むガスが製造され
る。混合室７においてガス混合物は熱い燃焼ガス
と混合され、そして今や必要な水素と一酸化炭素
も含む、加熱されたガス混合物は管路１２を経て
反応器１３に導入され、ここで硫化水素以外の硫
黄化合物は還元触媒上で転化されて硫化水素にな
る。硫化水素以外の硫黄化合物を実質的に含まな
い、還元されたガス混合物は管路１４を経て反応
器１３を去り、そしてガスは急冷塔１５で冷却さ
れる。本発明の重要な局面は、管路１４の中の反
応生成物の硫化カルボニル含有量が低い水準まで
低下するように、管路８を経て添加される水蒸気
の量を調整することである。急冷塔塔底物の大部
分が管路１６を経て冷却器１７に入つて、管路１
８を経て供給される冷却水として使用されると同
時に、その塔底物の一部は管路１９を経てサワー
ウオーターストリツパーに送られる。冷却された
ガス混合物は管路２０を経て第２の吸収装置２１
に入る。第２の吸収装置２１においてガス混合物
は水性MDEAのような吸収成分の乏しいポリア
ルカノールアミン吸収剤と接触する。主として二
酸化炭素と窒素からなる、ガスの流れの吸収され
なかつた部分は管路２２を経て装置２１から排出
される。この吸収されなかつた部分は約0.05容量
％よりも少ない全硫黄化合物を含んでいる。典型
的には、この流れは微量の硫化水素を二酸化硫黄
に転化するためにクラウス灰化装置（インシネレ
イター）で燃焼され、灰化装置を出るガスは大気
中に排出される。

硫化水素に富む溶剤は管路２３を経て第２の吸
収装置２１から流出し、そして第１の吸収装置か
ら（管路５を経て供給される）硫化水素に富む溶
剤と合体される。一緒になつた硫化水素に富む溶
剤は管路２４を経てストリツパー２５に入る。ス
トリツパー２５において、硫化水素に富む溶剤か
ら硫化水素を除去するために熱および／またはス
トリツピングスチームが使用される。次いで硫化
水素に富むガス混合物は管路２６を経て硫黄回収
装置（クラウス装置）に入る。クラウス装置２７
は典型的には、熱的段階およびアフタークーラ
ー／硫黄コンデンサーを中間段階のクーラー／硫
黄コンデンサーを有する多数の触媒的な段階と結
合させている（図示されていない）。硫化水素は
クラウス装置において転化され、酸素含有ガスは
管路２８を経て装入され、そして元素硫黄は管路
２９を経て取り出される。反応オフガスは管路６
を経て装置２７を去り、そして前記したように処
理される。

本発明は更に次の実施例によつて例証される。

実施例 本実施例は本発明方法のコンピユーターシミユ
レーシヨンを含んでいる。使用したプロセスの流
れの概要は図に示し、かつ上に説明したものと同
様である。装入ガスの流れは（化学的な合成段階
の後）石炭の部分燃焼から得られ、そして約90容
量％の二酸化炭素、４容量％の硫化水素および
0.1容量％の硫化カルボニルを含み、その残部は
窒素、メタン、アンモニア、一酸化炭素、水素お
よび水である。

第１の吸収塔２において装入ガスの流れ１を水
性のメチルジエタノールアミン（MDEA）吸収
剤と接触させる。管路４を経て出る、吸収されな
かつたガス生成物は約93容量％の二酸化炭素を含
み、これは装入ガスの流れ１の中の二酸化炭素の
約92％である。装入ガスの流れの中の硫化水素の
約98％以上がMDEA溶剤によつて吸収される。
吸収されなかつたガス生成物をインラインバーナ
ー兼混合室７においてクラウスオフガスの流れ
６、水蒸気８、還元ガス９、燃料ガス１０および
空気１１と混合する。次いで混合室から出た生成
物ガスを反応器１３においてCo−Moアルミナ担
持触媒上に通し、ここで二酸化硫黄と硫化カルボ
ニルを硫化水素と二酸化炭素に転化する。次に反
応器の生成物を急冷却１５で急冷する。次いで冷
却されたガスを第２の吸収装置２１に送り、ここ
でガスを水性のMDEA吸収剤と接触させる。硫
化水素として約0.012容量％よりも少ない量の硫
黄化合物を含む、第２の吸収塔から出た排出ガス
２２をクラウスプラントの灰化装置に送り、灰化
によつて生成したガスを大気中に排出する。第１
および第２の吸収塔から出た硫化水素に富む溶剤
をストリツパー２５に送り、ここで硫化水素に富
むガス生成物の流れが得られる。次にこの硫化水
素に富むガスの流れ２６をクラウス装置２７に送
る。クラウス装置から出たオフガス６をインライ
ンバーナー７に戻す。

【図面の簡単な説明】

添付図面の図は本発明の一実施態様を概略的に
示したフローダイアグラムである。 ２……第１の吸収装置、７……インラインバー
ナー兼混合室、１３……反応器、１５……急冷
塔、１７……冷却器、２１……第２の吸収装置、
２５……ストリツパー、２７……硫黄回収装置。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 次の各段階、すなわち (a) 硫化水素、硫化カルボニルおよび少なくとも
   ５容量％の二酸化炭素を含む装入ガスの流れを
   第１の吸収段階に通し、そこで該装入ガスの流
   れを硫化水素に対して選択的な液体でかつ再生
   可能なポリアルカノールアミン吸収剤と接触さ
   せ、そこで吸収されなかつた部分および硫化水
   素に富むポリアルカノールアミン吸収剤を生成
   させ； (b) 段階(a)から出た装入ガスの流れの該吸収され
   なかつた部分を、還元段階において、水素−お
   よび／または一酸化炭素−含有ガス、連合した
   クラウスプロセス段階(e)から出たオフガスおよ
   び或量の水蒸気と共に、無機酸化物担体上に支
   持された、硫化した第族および／または第
   族金属触媒上に通し、そこで、生成する、処理
   されたガス中のCOS含有量が約0.05容量％より
   も低い水準まで低下するように水蒸気の量を調
   整し； (c) 該還元段階(b)においてこのように処理された
   ガスの流れを第２の吸収段階に通し、ここで該
   処理されたガスの流れの吸収されなかつた部分
   が約0.05容量％よりも少ない全硫黄化合物を有
   するようになる条件下で、該処理されたガスの
   流れを液体でかつ再生可能なポリアルカノール
   アミン吸収剤と接触させ、該処理されたガスの
   流れの吸収されなかつた部分を、随意に灰化
   後、大気中に排出させ、そして硫化水素に富む
   ポリアルカノールアミン吸収剤を生成させ； (d) 吸収段階(a)および(c)から出た硫化水素に富む
   吸収剤を加熱および／またはストリツピングに
   より再生し、そして再生された吸収剤を硫化水
   素の更なる吸収のために使用し； (e) 再生段階(d)において遊離した硫化水素をクラ
   ウスプロセス段階に通し、そして (f) 該クラウスプロセス段階(e)において生成され
   たオフガスを該還元段階(b)に通す、 各段階を含む、CO₂含有量の高い装入ガスの流れ
   の全硫黄含有量を環境上許容できる水準まで低下
   させる方法。 ２ 装入ガスの流れが0.03ないし20容量％の範囲
   の硫化水素、95容量％以下の二酸化炭素および
   0.02ないし２容量％の範囲の硫化カルボニルを含
   む、特許請求の範囲第１項記載の方法。 ３ 装入ガスの流れが0.03ないし10容量％の範囲
   の硫化水素、40ないし90容量％の範囲の二酸化炭
   素および0.02ないし１容量％の範囲の硫化カルボ
   ニルを含む、特許請求の範囲第２項記載の方法。 ４ 段階(a)から出た装入ガスの流れの吸収されな
   かつた部分が10％よりも少ないH₂Sおよび該装入
   ガスの流れの中のCOSとCO₂の合計の90％以上を
   含む、特許請求の範囲第１〜３項のいずれか一つ
   の項記載の方法。 ５ 該液体でかつ再生可能なポリアルカノールア
   ミン吸収剤が水性のメチルジエタノールアミンで
   ある、特許請求の範囲第１〜４項のいずれか１つ
   の項記載の方法。 ６ 該触媒がアルミナ担体上に支持されたCo−
   Mo触媒である、特許請求の範囲第１〜５項のい
   ずれか一つの項記載の方法。 ７ 該触媒がアルミナ担体上に支持されたNi−
   Mo触媒である、特許請求の範囲第１〜５項のい
   ずれか一つの項記載の方法。 ８ 段階(b)において200℃ないし350℃の温度を保
   持する、特許請求の範囲第１〜７項のいずれか一
   つの項記載の方法。 ９ 段階(b)で得られた、還元されたガス混合物を
   ２つの段階において６ないし60℃の範囲の温度ま
   で冷却し、そしてその第１の段階は間接熱交換で
   あり、その第２の段階は水による直接熱交換であ
   る、特許請求の範囲第１〜８項のいずれか一つの
   項記載の方法。 １０ 第１および第２の各吸収帯域が20個よりも
   少ない吸収層を有する、特許請求の範囲第１〜９
   項のいずれか一つの項記載の方法。 １１ 吸収帯域の通気部分に関して0.5ないし3.0
   ｍ／秒のガス速度を第１および第２の吸収帯域に
   おいて維持する、特許請求の範囲第１〜１０項の
   いずれか一つの項記載の方法。