JPS5845101A - 二酸化炭素含有量の高い装入ガスの全硫黄含有量を低下させる方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は二酸化炭素含有量の高い装入ガス流の全硫黄含
有量を環境上容認できる水準まで低下させる方法に関す
る。この方法では装入ガスの硫黄成分はクラウス型の硫
黄回収装置において元素硫黄に転化される。

一般に、硫黄回収装置の装入原料はガス精製プロセスの
再生段階で製造された硫化水素（Ｈ２Ｓ　）含有ガスで
ある。製油所ガス、天然ガスまたは炭化水素の部分燃焼
によって製造された合成ガスのような工業ガスの硫黄成
分（多くの場合、王として硫化水素）を更に使用するに
先立って許容できる低い水準まで低下させるのに必要な
これらのガス精製プロセスは普通液体吸収剤中でガスの
硫黄成分を吸収することを含み、この吸収剤は後で再生
されて硫化水素に富むガスを生成する。硫化水素に富む
ガスは次いで硫黄回収装置に通されて、元素硫黄が製造
されて回収される。次にこのような装置の反応ガスは好
ましくは、ガスが最後に大気中に排出される前に、ガス
の硫黄含有量を極めて低い水準まで低下させるため、更
に処理される。

硫黄回収装置において硫化水素は周知のクラウス反応に
よって元素硫黄に転化される。クラウス型またはクラウ
スプラントの硫黄回収装置は工業上広く使用され、十分
に確ヴされている。

硫化水素は別として、上に述べた工業ガスお上ｔび合成
ガスは屡々硫化カルボニル（ＣＯＳ　）のような他の硫
柴成分および他の有機硫黄化合物、例えばメルカプタン
を含んでおシ、これらはまた上記のガスを使用する前に
除去しなければならない。

したがって、存在するすべての硫黄成分を除去する適当
な液体吸収剤が典型的に使用される。しかしながら、こ
れらもまた大量の二酸化炭素（ＣＯ２）を含んでいる。

硫化水素を除去するガス精製プロセスに適用される液体
吸収剤も一般に二酸化炭素に対する良好な吸収剤である
。吸収によって硫化カルボニルを除去するためには、実
際問題として二酸化炭素に対して有効な吸収剤が使用さ
れる。

したがって、吸収した成分を多量に含む液体吸収剤の再
生は、□後にクラウスプラントで処理しなけれはならな
い硫化水素と二酸化炭素を含むガスを生成する。

石炭の部分燃・暁によって製造さねた合成ガスのような
一部のカスに関しては、二酸化炭素と硫化カルボニルの
水準は非電に高くなることができ、すなわちその流れは
二酸化炭素と硫化カルボニルを合わせてｇｏ容量係以−
ヒ、かつ硫化水素／Ｓ容量φ以下を含むことができる。

これはＬ記の典型的なガス処理機構に重大な問題を提供
する。比較的二酸化炭素含有量の高いガスの流れを取扱
うのに支持された一つの方法が米国特許第’ｌ／！；３
ろ７ｑ号明細書に記載されている。この公知の方法では
ａつの別々の吸収／脱着段階が使用され、その一方は装
入ガスの非選択的な吸収であり、そして他Ｊｊは還元さ
れたクラウスオフガスの選択的な吸収である。しかしな
がらこの公知の方法による根本的な問題はく高い二酸化
炭素および硫化カルボニル含有量を有する装入ガスの流
れについては貧ガス（非選択的な吸収よシ生ずる）と廃
ガス（選択的吸収剤から生じる）からの全硫黄放出量は
環境Ｅ許容できる水準を越えてしまう。これは全硫黄放
出量に対する二硫化カルボニルの占める割合のためであ
る。装入ガスの流れの中の極めて高水準の二酸化炭素と
硫化古今ボニルを処理するのにこの公知の方法とは別の
方法が必要で′ある。

本発明の目的は二酸化炭素と硫化カルボニルの　−極め
て高い含有量を有するガスの流れの全硫黄含イｊ＝を低
い水準まで低下させることができる方法を提供すること
である。

別の目的は二酸化炭素含有量の高い装入ガスの全硫黄含
有量を環境上許容できる水準まで低下させる方法を提供
することである。

したがって、本発明は、以下の段階、すなわち（、）　
　硫化水素、硫、、、化カルボニルおよび少なくともＳ
容量チの二酸化炭素を含む装入ガスの流れを年７の吸収
段階に通し、そこで該装入ガスの流れを硫化水素に対し
て選択的な液体で、かつ再生可能なポリアルカノールア
ミン吸収剤と接触さす、そこで吸収されなかった部分お
よび硫化水素に富むポリアルカノールアミン吸収剤を製
造し； （ｂ）　　段階（ａ）から出た装入ガスの流れの該吸収
されなかった部分を、還元段階において、水素−および
／または一酸化炭素一含有ガス、連合したクラウスプロ
セス段階（（−、）から出たオフカスおよび酸量の水蒸
気と共に、無機酸化物担体上に支持された、硫化した第
■族および／または第■奴令属触媒上に通し、そこで、
生成する、処理さＬしたガス中の硫化カルボニル含有量
か約０．０５容−に係よりも低い水、準まで１氏下する
ように水蒸気の量を調整し： （ｃ）　　該還元段階（１））においてこのように処理
されたガスの流れを第コの吸収段階に通し、ここで該処
理されたガスの流れの吸収されなかった部分が約０．Ｏ
５容量係よりも少ない全硫黄化合物を有するような条件
下で、該処理されたガスの流れを液体でかつ再生可能な
ポリアルカノールアミン吸収剤と接触させ、該処理され
たガスの流−れの吸収されなかった部分を、随意に灰化
後、大気中に排出させ、そして硫化水素に富むポリアル
カノールアミン吸収剤を製造し； （＋１）　　加熱および／またはストリッピングおよび
硫化水素を更に吸収するため、に再生された吸収剤全使
用して、吸収段階（ａ）および（Ｃ）から出た硫化水素
に富む吸収剤を再生し； （ｅ）　　再生段階（ｄ）において遊離した硫化水素を
クラウスプロセス段階に通し、そして （「）　　該クラウスプロセス段階（（シ）において製
造されたオフガスを該還元段階（ｂ）に通す、各段階を
含む、二酸化炭素含有量の高い装入ガスの流れの全硫黄
含有量を環境上許容できる水準まで低下させる方法を提
供する。

本発明に関しては、硫化水素含有ガス墓少なくともＳ容
にチの二酸化炭素を含むならば、該ガスは極めて高い二
酸化炭素含有量を有する。

本発明によって処理される装入ガスめ流れは、種々の製
油所プロセス、工業プロセスまたは石炭のような燃料の
部分酸化から得られる。本明細書で取り上げている装入
ガスの流れは次一つ一般的な組成（容量チで表わす）を
有する。

好ましい範囲　　　　更に好ましい範囲Ｃｏ２＆　−９
３％　　　　　１１０　’−９０％Ｈ２Ｓ　　、　　　
０．０３−２０％　　　　０．０３−７０％ｃｏｓ’　
　　０．０２−２％　　　　０．０２−／％装入ガスの
流れのその他の成分は水素、メタン、γン′モ＝ア、二
酸化界素、水素および水蒸気を包なすることができる。

本発明の重要な局面は装入物中の二酸化炭素と硫化カル
ボニルのλ有量が極めて高いことである。

木方法の第１段階では、装入ガスの流れが第１の吸収帯
域において液体でかつ再生可能な選択的溶削と接触する
一８第１の吸収帯域は充填塔または１・し１カラムを含
むことができる。二酸化炭素の共吸収（Ｃｏ−ａｂｓｏ
ｒｐｔｉｏｎ’　）を減少−させるために比較的高いガ
ス速度が適用される４、吸収帯域の通気領域に関しては
０．５ないし３．Ｏｔｎ／秒のガス速度を使用するのが
好ましい。本明細書で使用されている「通気領域ｊは「
ガス流領域」または「活性領域」と同意語であって、こ
れにはケミカルエンシニーγリングプログレスの７９７
０年３月号、第る吸収帯域を適用するのが更に好ましい
。トレイカラムを使用、する場合、そのカラムは３０個
より、も少ない接触パルブトし１を有すべきであり、充
填塔は３０個よシも少ない理論段数を有すべきである。

Ｓないし７３個の吸収層を有する吸収帯域を使用するの
が特に好ましい。　□ 液体でかつ再生町、Ｒピな溶剤は好ましくはジインプロ
パツールアミン（ＤＩ’ＰＡ）、メチルジェタノールア
ミン（ＭＤＥＡ）　’ｉりはトリエタノールアミン（Ｔ
ＥＡ）のようなポリアルカノールアミンの水溶液である
。ポリアルカノールアミンが硫化水素に対して選択的で
あって、しかもそれが二酸化炭素δ共吸収を低下させる
のが大いに好ましい。したがって、非常に好ましいポリ
アルカノールアミンｌｄＭＩ’）ＥＡテ’６る。アルカ
ノールアミンは０．５ないＬ古、好ましくは／ないし３
モル製電の水溶液の状態で使用するのが好ましい。

装入ガスの流れの中に、適当には７０％よりも少ない硫
化水素、約ｌ１０％よりも多い二酸化炭素および約Ｓｏ
％よりも多い硫化カルボニル（好まＬ〈は該装入ガスの
流れの中の硫化カルボニルと二酸でヒ炭素の合ａ１は９
０％よりも多い）を３む装入カスの流れの吸収されなか
った部分は次に置元段階に入る。この還元段階は、無機
酸化物相体上の硫化した第■族および／または第■奴金
属触媒りに連合したクラウス型プロセスから出たオフガ
スの流れと一緒′に、第１の吸収段階から出た装入カス
の流れの未吸収部を通すことを含んでいる。

第■族お１よび第■族は／’１７ｇ−／ｑ７９年発行、
［Ｈａｎｄｂｏｏｋ　　ｏｆ　　Ｃ１１（１ｍ１ｓｔｒ
ｙ　　ａｎｄ　　Ｐｈｙｓｉｃｓ　　Ｊ　　’Ｉｓ　　
！−二　９版の内側表紙に示された元素の周期表を引用
して眞る。定義した触媒上にこの合体した流れを特定０
ｉＸＡ度範囲で通すことによって、硫化水素の他に、存
在するメルカプタンおよび／また゛はジサルファィドを
含むガス混合物の全硫１黄成分は硫化水素に転化される
。硫化カルボニルと二硫化炭素（Ｃ８２）は触媒上で加
水分解して硫化水素と水になるの１（対しプ、二酸化硫
黄は存在する水素によって還元される。硫化カルボニル
と二硫化炭素の若干の水素化も起こる。存在する元素硫
黄もまた持回された条件下で還元されて硫化水素になる
。

本発明方法の段階（１））は好１しくはユＯＯ℃ないし
３ＳＯ℃の温度において遂行される。このため、硫黄回
収装置の反応オフガスと装入ガスの流れの吸収されなか
った部分との混合物は、二酸化硫黄と元素硫黄が児全に
硫化水素に転化するのに必要な遊離の水素−および／ま
たは遊離の一酸化炭素（ＣＯ）を含むガスの少なくとも
化学量論的な量の存在下において該触媒上に通される。

一般に、必要な化学量論的な量の／６．３ないし２．０
倍が適用される。専ら経済的な理由によって、これより
も多量の水素および／または一酸化炭素は考慮されてい
ない。　、 一酸化炭素は次の反応式に従って、現場で水素を生成す
るので、本発明の目的にづいては、−酸ｆＬ　ｌ、ｉｊ
素はその還元ｎヒカにおいて水素と同等である。

Ｃｏ　＋　Ｈ２Ｏ”；　Ｃｏ２＋　、２Ｈ−酸化炭素に
よる二酸化硫契の發圧（ま、現場で牛ｂｌｊ　した水素
のた。りに極めて速い反応であることが注目されている
。その理由のため、段階（１））において水素と酸ｆヒ
炭素を含むカスを使用することが特に好ましい。ｑ：／
ないし２：ｇのＩＩ２／Ｃｏモル比を有するカスを使用
するのが適当であり、約ｑ：／のＨ２／ｃＯモル比を有
するカスが好ましい。

使用される遊離の水素−および／−または遊離の一酸′
１ヒ炭素−含有カスは都市カス、水性カスまたは合成ガ
スのような内力の化合物を含むガスであるのが好都合で
ある。純粋な水素または一酸化炭素く１使用できる。適
当な水素富有ガスまたはガスンＫａ物は接触リフオーミ
ンク装置（ｒＮ−４゛フガス、水素フラントにおいて製
造されたカスまたは石油から１１成した飽和粗製カスの
処理装、置から得られたガスである。遊離水素と遊離−
酸化炭素を含むカス（ま史にメタ／、エタン、プロパン
、ブタンまたこれらの混合物のような四級炭化水素ガス
の化学ｈ；論的なｍ以下の燃焼によって製造してもよい
。

このよ・うなガスの製造は適当には、後で述べるように
反応オフガスと該硫化水素含有ガスを必要な反応温度ま
で加熱することと組合わせてもよい。

硫黄回収装置の最後の′床と元素硫黄を回収するだめの
関連したコンデンサーを通過した後、反応オフカスは通
常７３０℃ないし７７０℃の温度を有する。しかしなが
ら、第■族および／または第■族金属触媒上の還元段階
についてオフガスはこれよりも高い温度を持たなければ
ならず、したかつてこれらのオフガスは最初／７０℃を
越える温度まで加熱しなければならない。反応オフカス
は、四級炭化水素またはその混合物の酸素含有ガスによ
る化学量論的な量以下の燃焼によって製造された水素と
一酸化炭素を含むガスと反応オフガスを混合することに
よって、第１の吸収帯域から出た装入ガスの流れの吸収
されなかった部分と共に、／’　ｇ　Ｑ　Ｃないし１ｌ
ｓｏ℃の範囲の温度に加熱されるのが好ましい。該ガス
の混合は化学量論的な量以１の燃料のために使用される
バーナーの燃料室の後につづく混合室・において遂行す
ることができる。

７ｇＯ℃よりも高い温度まで温度がｌ　￥１．すること
もまた反応オフガス中に少量の元素硫尚がミストの形で
存在する故に重要である。この排斥すべき硫Ｓｊのミス
トは硫黄の露点以−ヒに温度をにけたとき消失する。１
ｇ０℃以上にｉｎ度を上昇させる結束、ガス相中の元素
硫直の存在はひ冗触媒の触媒活性に対して有害な作用を
及ぼさないことも見出された。

／ｇｑＣよりも高い温度までＩＪ１１熱した後、−二酸
ｆヒ硫シＩ？を還元して硫化水素とするために、遊離の
水素ａ有ガス心よび／または遊離５／）−酸化炭素含有
カスと共に反応オフガスと装入ガスの流れの吸収されな
かった部分を硫化した第■、ｌ＆および／または第■族
釜属触繰上に通す。同時に元素硫黄および硫化カルボニ
ルおよび／またはその他の有機硫Ｉ′／（（ヒ合物は硫
化水素に転化される。無機の酸化物植体ｔ−に担持され
た、硫化した第■旅および′／または第■族金属触媒か
適しているけれども、本発明を遂行するのに好ましい還
元触媒は、７種まだはそれ以上の金属、すなわち（第■
族金属の）モリブデン、タングステ／およびクロム、お
よび／または／ｆｌたはそれ以上の金属、すなわち（第
■族金属の）コバルト、ニッケルおよび鉄を含む触媒で
あつ１、このような第■族金属／種とこのような第■族
金属／種の組合わせが好ましい。

無機の酸化物担体はアルミナ、シリカ、マグネシア、ボ
リア、トリア、ジルコニアまたはこれらの化合物の２種
またはそれ以−Ｆの混合物で１得る。

本発明方法にしたがって使用するのに最も好ましい触媒
はＮｉ　／Ｍｕ　／ＡＩ　２０３またはＣＯ／ＭＯ／　
Ａｌ２Ｏ３触媒である。

第■族および／または第■族触媒は硫化した形で使用さ
れる。硫化は予め１０−１５容量％の硫化物を含む水素
と硫化水素との混合物のような適当な硫化剤によって遂
行することができる。反応−オフガス自体にキリ現場で
触媒を硫化することもできる。しかしながら／：／：’
／のモル比で水素、硫化水素および水を含む硫化用混合
物が特に適しており、硫化温度ば３００ないしｔｌｏｏ
℃である。

硫化すべき触媒は酸ｆヒ物まだは元素の状態で、第■１
代およ・び／または第＼佃旌金属を含むことかできる。

硫ｆヒ水素の液体吸収剤と接触させる前に、段階（１）
）で得られた、還元されたガス混合物は最初に冷却され
る。好ましくは、それは乙ないし６０℃の範−四の温度
に冷却される。更に好ましくは、冷却はａつの段階で行
なわれ、その第１の冷却は間接熱交換であり、第ユの冷
却は水による直接熱交換でちる。

冷却後、還元さハた（または処理された）ガス混合物は
第２の吸収帯域において液体でかつ再生ｉＦＪ能な溶剤
と接触する。第１の吸収帯域において使用されたのと同
じアミン、条件等が第コの吸収ｉｔｌ域において使用さ
れる。

次いで第コの吸収塔から出た、還元されたカス混合物の
吸収されなかった部分は入気中に排出さｉする。所望な
らば１、この吸収されなかった部分はまた通常の方法で
灰ｆヒし、そして灰化した部分を煙突に通してもよい。

吸収されなかった部分は、典型的には硫化水素として０
．Ｏ３容量係よりも少ない全°硫邑化合物を含んでいる
。本発明の重装に局面は、大気中に放出される流れの硫
黄水準が現白：の環境上の法規を満たすことである。

第１および第ユの吸収帯域から出た硫化水素に富む吸収
剤は加熱および／または水蒸気によるストリッピングに
よって再生される。これは硫化水素に富んだカス混合物
と再生された吸収剤を生成させ、この吸収剤は更に硫化
水素を吸収するために段階（、りおよび（ｃ）において
再使用する。

吸収剤−也の吸収剤はまた若干の共吸収された二酸化炭
素と水を含°んでい〜るーの再生において遊離した、硫
化水素に富むガス混合物は、その中に存在する水を凝縮
させるために、まず最初に冷却される。通常、水性溶剤
の水分量を必要な水準に維持するため、この水の少なく
と゛も一部を再生段階に再循環する。冷却後、硫化水素
に富むガス混合物を硫黄回収装置（クラウス反応）に通
して、そのガスから元素硫黄を回収する。

本明細書中で便用されているように、「クラウス反応」
または「クラウスプロセス」は元素硫黄と水が生成する
硫化水素と二酸化硫黄との間の反応を引用している。「
クラウス型の硫黄回収装置」または「クラウスプロセス
」とは、硫化水素が部分燃焼して二酸化硫黄を正確な割
合で生成し、次いでこの二酸化硫黄が未燃焼の硫化水素
と反応し一〇硫黄と水を与え、次に硫位が凝・縮して回
収される熱的帯域とそれにつづく、同じ反応が適当な触
媒によって更に促進されて付加的な硫＆が回収される７
個またはそれ以上の接触帯域が合体している、クラウス
反応を遂行するだめのソソントを意味する。

本発明を更に図を参照して例証する。この図は本発明の
一実施方法の概略的なフロータ４γグラムである。

図を参照すると、部分酸化プロセスから発出する装入ガ
スの流れは管路／を経て第１の吸収装置λに入り、ここ
でその流れは水性ＭＤＥＡのような管路３を経て供給さ
れる吸収成分の夕方い液体でかつ再生り能なポリアルカ
ノールアミン吸収剤と接触する。この第１の吸収装置ユ
は大部分の硫化水素は除去するが、二酸化炭素と硫化カ
ルボニルは除去しない選択的な仕方で操作する。実質的
に硫化水素を含まない、吸収されなかったガスの流れは
管路ｑを経て第１の吸収装置ユを去る。吸収成分を多量
に含む溶剤（硫化水素に富む吸収剤）の流れは管路Ｓを
経て第１の吸収装置コを出る。

管路グの中の吸収されなかったカスの流れは管／ 路６を経て、供給されるタラウスオフガスの流れと合体
し、そして管路ｇを経て供給される水蒸気、管路９を経
て供給される還元ガスの“流れ、管路１０を経て供給さ
れる燃料ガスの流れおよび管路／／を経て供給される酸
素含有ガス（例λ−ば空気）の流れと共に、インラ１ン
バーナー兼混合室７に装入される。インラインバーナー
７において、炭化水素燃料ガスの化半量論的な量以下の
量の燃料１てよって水素と一酸化炭素を含むガスが製造
される。混合室７においてガス混合物は熱い燃焼ガスと
混合され、そして今や必要な水素と−酸化炭素も含む、
加熱されたカス混合物は管路／２を経て反しト１、器１
３に尋人され、ここで硫化水素以外の硫黄化合物は′還
元触媒上で転化されて硫化水素になる１、硫化水素以外
の硫黄化合物を実質的に含まない、還元されたカス混合
物は管路／Ｉｌを経て反応器／３を去り、そしてガスは
急冷浴／Ｓで冷却される。本発明の重要な局面は、管７
路／グの中の反応生成物の硫化力ルホニル含有量が低い
水準°まで成子するように、管路ｇを経て添加される水
蒸気の絹を調整することである。急冷浴塔底物の大部分
が管路／ろを経て冷却器／７に人って、管路／ｇを経て
供給される冷却水として使用されると同時に、その塔底
物の一部は管路／９を経てサワーウォーターストリッパ
ーに送られる。冷却されたカス混合物は管路２０を経て
第ユの吸収装置、２／に入る。第２の吸収装置２／にお
いてガス混合物は水性ＭＤＥＡのような吸収成分の乏し
いポリアルカノ−ルアミーン吸収剤と接触する。主とし
て一二酸化炭素と窒素からなる、ガスの流れの吸収され
なかった部分は管路２２を経て装置２１から排出される
。この吸収されなかった部分は約０．０３容４１１％よ
りも少ない全硫仏化合物を含んでいる。

餌型的には、この流れは微量の硫化水素を二酸化硫黄に
転化するためにクラウス灰化装置（１ンシネレ１ター）
で燃焼され、灰化装置を出るカスは大気中に排出される
。

硫化水素に富む溶剤は管路２３を経て第２の吸収装置２
／から流出し、そして第１の吸収装置から（管路Ｓを経
て供給される硫化水素に富む溶剤−と合体される。−緒
になった硫化水素に富む溶剤は管路２ダを経てストリッ
パー２左に入る。ストリッパー２りにおいて、硫化水素
にチむ溶剤から硫化水素を除去するために熱および／ま
たはストリッピングスチームが使用される。次いで硫化
水　□素に富むガス混合物は管路ユ乙を経て硫黄回収装
置（クラウス装置）に入る。クラウス装置、２７は典型
的には、熱的段階およびアフタークーラー／硫黄コーン
テンサーを中間段階のクーラー／硫黄コ　□ンデンサー
を有する多数の触媒的な段階と結合さげている（図示さ
れていない）。硫化水素はり、ラウス装置において転化
され、酸素含有カスは管−路２ｇを経て装入され、そし
て元素硫Ｉｙ（は管路、２９を経て取り出される。反応
オフガスは管路ろを経て装置２７を去り、そして前記し
たように処理される。

４＼発明は更に次の実施例によって例証される。

実施例 ト起施例は本発明方法のコンピューターシミュレーンヨ
ンを含んでいる。使用したプロセスの流ｔ１夕）概ｉ＋
２図に示し、かつ上に説明したものと同様である。装入
ガスの流れは（化ｑ的な合ｌＪｋ段階の後）石炭の部分
燃焼から得られ、そして約９０８１１１条の二酸化炭素
、ｑ容量ヂの硫化／に素および０．７容量条の硫化カル
ボニルを含み、その残部は窒素、メタン、アンモニア、
−酸化炭素、水素および水である。

第１の吸収塔λにおいて装入ガスの流れ／を水性のメチ
ルジェタノールアミン（ＭＤＥＡ）吸収剤と接触させる
。管路９を経て出る、吸収されなかったカス生成物は約
９３容量チの二酸化炭素を含み、これは装入ガスの流れ
／の中の二酸化炭素の約９２％である。装入ガスの流れ
の中の硫化水素の約９ｇ％以−ヒがＭＤＥＡ溶剤によっ
て吸収される。

吸収されなかったガス生成物を１ンラづンバーナー兼混
合室７においてタラウスオフガスの流れ乙、水蒸気ｇ、
還元ガス９、燃料カス／θおよび空気／／と混合゛する
。次いで混合室から出た゛生成物ガスを反応器／３にお
いてＣｏ−Ｍｏアルミナ担持触媒上に通し、ここで二酸
化硫黄と硫化カルボニルを硫化水素と二酸化炭素に転化
する。次に反応器の生成物を急冷却／Ｓで急冷する。次
いで冷却されたカスを第２の吸収装置２／に送シ、ここ
でガスを水性のＭＤＥＡ吸収剤と接触させる。硫化水素
として約θ、０／２容量チよシも少ない量の硫黄化合部
を含む、第２の吸収塔から出た排出ガス２２をりでつ：
Ｚ　７’　５７　、）の灰化装置に送シ・灰化に１′で
生成したカスを大気中に排出する。第１および第一の吸
収塔から出た硫化水素に富む溶剤をストリンパ−２３に
送り、ここで硫化水素に富むガス生成物の流れが得られ
る。次にこの硫化水素に富むカスの流れコ乙をクラウス
装置２７に送る。クラウス装置から出たオフガス乙をイ
ンチ１ンバーナ・−７に戻す。

【図面の簡単な説明】

添付図面の図は本発明の一実施態様を概略的に示し、た
フローダ（−ｒグラムである。 λ・・第１の吸収装置、７・・インラインバーナー兼混
合室、／３・・・反応器、／Ｓ急冷塔、／７・・冷却器
１．２／・・・第２の吸収装置１．２Ｓ・・・スｊｌｌ
ツバ−１２７・硫黄回収装置。 代理人の氏名　　川原Ｈ］−穂

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （１）　　次の各段階、すなわち、 （Ｌ）硫化水素、硫化カルボニルおよび少なくと祇Ｓ容
   量チの二酸化炭素を含む装入ガスの流れを第１の吸収段
   階に通し、そこで該装入ガスの流れを硫化水素に対して
   選択的な液体でかつ再生可能なポリアルカノールアミン
   吸収剤と接触させ、そこで吸収されなかった部分および
   硫化水□素に富むポリアルカノールアミン吸収剤を製造
   し； （Ｉ））段階に１）から出た装入ガスの流れの該吸収さ
   れなかった部分を、還元段階において、水素−および／
   または一酸化炭素一含有カス、連合したクラウスブ０セ
   ス段階（（・）から出たオフカスおよび酸量の水蒸気と
   共に、無機酸化物担体りに支持された、硫化した第■族
   および／または第■戎金属触媒上に通し、そこで、生成
   する、処理された。ガス中のＣＯＳ　＠有Ｍ４が約０．
   ０５容量チよりも低い水準まで低下するように水蒸気の
   量を調整シ； （０該還元段階（１））においてこのように処理された
   カスの流れを第２の吸収段階に通し、ここで該処理され
   たガスの流れの吸収されなかった部分が約０．Ｏ５容量
   係よりも少ない全硫黄化、合物を４１するよう、な条件
   下で、該処理されたガスの流ｔ＋を液体でかつ再生可能
   なポリアルカノール−γミン吸収剤と接触させ、該処理
   されたガスの流Ｊ１の吸収されなかった部分を、随意に
   灰［ヒ後、火気中に排出させ、そして硫化水素に富むポ
   リアルカノールアミン吸収剤を製造し； （（Ｉ）・加熱オ、１：ひ／＝１：たはストリッピング
   および硫化水素を更に吸収するために再生された吸収剤
   を使用して、吸収段階（、Ｊ）および（Ｃ）から出た硫
   化水素に富む吸収剤を再生し； （Ｃ・）　再生段階（（Ｉ）において遊離した硫化水素
   をクラウスフτコセス段階に通し、そしで （「）該り゛ラウスプロセス段階（ロ）において製造さ
   れたオフガスを該還元段階（ｂ）に通す、各段階を含む
   、ＣＯ２含有量の高い装入カスの流れの全硫黄含有量を
   環境上許容できる水準まで低−トさせる方法。 （２）装入カスの流れが０．０３ないし２ｏ容ｂ１％の
   範囲の硫化水素、９Ｓ容砥チ以下の二酸化炭素オヨヒ０
   ．０２ないし許容Ｊｊｔ％の硫化カルボ、−ルヲ含む、
   特許請求の範囲第１項記載のＪｊ法、。 （３）装入ガスの流わが０．０３ないり、、　／　０容
   畦チの範囲の硫化水素、ｑＯないり、９ｏ容酢条の範囲
   ごり二酸化炭素および０．０２ないし／容ハチの硫化カ
   ルボニルを含む、特許請求の範囲第２項記載の方法。 （４）段階（２１）から出た装入カスの流れの吸収され
   なかった部分が７０％よりも少ないＨ，Ｓおよび該装入
   ガスの流れ、ｒ）中のＣＯ８とＣＯ２の合計の９０％以
   上を含む、特許請求の範囲第１ないし３項のいずれかに
   記載の方法。 （５）該液体でかつ再生可能なポリアルカノールアミン
   吸収剤が水性のメチルジェタノールアミンである、特許
   請求の範囲第１ないし９項のいずれかに記載の方法。 （６）　　該触媒がアルミナ担体上に支持されたＣｏ−
   Ｍｏ触媒である、特許請求の範囲第１ないし５項のいず
   れかに記載の方法。 （７）該触媒がアルミナ担体上に支持されたＮｉ−Ｍｏ
   触媒である、特許請求の範囲第１ないし５項のいずれか
   に記載の方法。 （８）段階（ｂ）において２００℃ないし３ＳＯ℃の温
   度を特徴する特許請求の範囲第１ないし７項のいずれか
   に記載の方法。 （９）段階（１））で得られた、還元されたガス混合物
   を２つの段階において乙ないし６０℃の範囲の温度まで
   冷却し、そしてその第１の段階は間接熱交換であり、そ
   の第コの段階は水による直接熱交換である、特許請求の
   範囲第１ないし３項のいずれかに記載の方法。 （１１第１および第２の各吸収帯域が２０個よシも少な
   い吸収層を有する、特許請求の範囲第１ないし９項のい
   ずれかに記載の方法。 （１１）吸収帯域の通気部分に関して０．５ないし３、
   Ｏｎｌ　／秒のガス速度を第１および第２の吸収帯域に
   おいて維持する、特許請求の範囲第１ないし１９項のい
   ずれかに記載の方法。