JPH0752527B2 - 光学情報記録再生デイスクの製造方法 - Google Patents
光学情報記録再生デイスクの製造方法Info
- Publication number
- JPH0752527B2 JPH0752527B2 JP61192312A JP19231286A JPH0752527B2 JP H0752527 B2 JPH0752527 B2 JP H0752527B2 JP 61192312 A JP61192312 A JP 61192312A JP 19231286 A JP19231286 A JP 19231286A JP H0752527 B2 JPH0752527 B2 JP H0752527B2
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- Japan
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- optical information
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、光学的に情報を記録再生する情報記録薄膜の
製造方法に関するものである。
製造方法に関するものである。
従来の技術 光学情報記録再生薄膜の形成方法としては、電子ビーム
蒸着、および、多元蒸発源を用いた電子ビームあるいは
抵抗加熱法による蒸着等が一般的に知られている。又、
スパッタ法を用いるものでは、Fe,Co,Cd等からなる光磁
気薄膜等がある。電子ビーム蒸着法に対し、スパッタ法
で薄膜を形成する方法は、２次電子による基板の帯電の
影響が少なく、欠陥の少ない膜を得ることができ、有効
である。
蒸着、および、多元蒸発源を用いた電子ビームあるいは
抵抗加熱法による蒸着等が一般的に知られている。又、
スパッタ法を用いるものでは、Fe,Co,Cd等からなる光磁
気薄膜等がある。電子ビーム蒸着法に対し、スパッタ法
で薄膜を形成する方法は、２次電子による基板の帯電の
影響が少なく、欠陥の少ない膜を得ることができ、有効
である。
発明が解決しようとする問題点 スパッタ法で基板に薄膜を形成する場合、基板内の、膜
厚の均一性を高めるために、基板と、スパッタターゲッ
トエロージョン領域の相対的な位置関係が重要であり、
これは、エロージョンからの高さ、および、エロージョ
ン中心と基板中心の距離等をパラメータとして、配置を
決定し、均一膜形成の条件を得ることができる。
厚の均一性を高めるために、基板と、スパッタターゲッ
トエロージョン領域の相対的な位置関係が重要であり、
これは、エロージョンからの高さ、および、エロージョ
ン中心と基板中心の距離等をパラメータとして、配置を
決定し、均一膜形成の条件を得ることができる。
ただし、一般的に、均一膜を形成する配置条件は、必ず
しも、スパッタで飛び出す材料を、有効に利用できる配
置とは一致せず、ターゲットの利用効率が低くなるとい
う問題点がある。
しも、スパッタで飛び出す材料を、有効に利用できる配
置とは一致せず、ターゲットの利用効率が低くなるとい
う問題点がある。
さらに、リアクティブスパッタを行う場合、反応ガス成
分と、スパッタで飛び出し、基板に形成される材料成分
との比が重要なパラメータになる。
分と、スパッタで飛び出し、基板に形成される材料成分
との比が重要なパラメータになる。
スパッタで飛び出す成分のスパッタ速度が大きい場合
は、反応ガス成分が不足した膜になり、逆に、スパッタ
速度が小さい場合は、反応ガス成分過剰な膜となる。
は、反応ガス成分が不足した膜になり、逆に、スパッタ
速度が小さい場合は、反応ガス成分過剰な膜となる。
したがって１枚の基板の中においても、基板面の位置に
より、成分比の差が生ずる場合がある。さらに、複数の
基板に、同時に膜形成する場合、基板間で、成分比に差
を生ずる場合もあり、成分比の均一性に問題が生じやす
い。
より、成分比の差が生ずる場合がある。さらに、複数の
基板に、同時に膜形成する場合、基板間で、成分比に差
を生ずる場合もあり、成分比の均一性に問題が生じやす
い。
問題点を解決するための手段 本発明は１つのターゲットに対し、対称的に複数の基板
を設け、これらの基板を自転させ、次に、ターゲットを
均一にスパッタする手段として、磁界発生用の磁極を設
け、これを、ターゲット中心に対して、磁極中心を公転
させることである。これら磁極を中心磁極に対し円形に
配置することにより、ターゲット上に円形のエロージョ
ン領域を形成することができ、次に、ターゲットからの
スパッタ速度を、複数基板に対して、同一にする目的
で、前記、円形磁極の公転速度を場所により変化させる
ようにしたものである。
を設け、これらの基板を自転させ、次に、ターゲットを
均一にスパッタする手段として、磁界発生用の磁極を設
け、これを、ターゲット中心に対して、磁極中心を公転
させることである。これら磁極を中心磁極に対し円形に
配置することにより、ターゲット上に円形のエロージョ
ン領域を形成することができ、次に、ターゲットからの
スパッタ速度を、複数基板に対して、同一にする目的
で、前記、円形磁極の公転速度を場所により変化させる
ようにしたものである。
作用 以上の方法を用いることにより、ターゲットからのスパ
ッタ材料の利用効率が30％に増大し、基板間の膜厚を±
５％以内に均一にできる。また、リアクティブスパッタ
において、リアクティブガスを含む膜組成比を基板間で
±５％以内に均一にできる。
ッタ材料の利用効率が30％に増大し、基板間の膜厚を±
５％以内に均一にできる。また、リアクティブスパッタ
において、リアクティブガスを含む膜組成比を基板間で
±５％以内に均一にできる。
実 施 例 以下発明の実施例について図面を参照して説明する。
ターゲットの利用効率を上げる方法としては、基板に対
して、相対的に、スパッタターゲットの寸法を小さく
し、かつ、基板とターゲットの距離を小さくする方法が
あるが、この場合は、基板内の膜厚の均一性に問題が生
じやすい。ディスク状の基板に対し、自転させることに
より、周方向の膜厚の均一化ははかれるが、径方向に膜
厚差が生じやすい。
して、相対的に、スパッタターゲットの寸法を小さく
し、かつ、基板とターゲットの距離を小さくする方法が
あるが、この場合は、基板内の膜厚の均一性に問題が生
じやすい。ディスク状の基板に対し、自転させることに
より、周方向の膜厚の均一化ははかれるが、径方向に膜
厚差が生じやすい。
したがって、基板寸法に対して、ターゲット寸法を相対
的に小さくし、膜厚の均一化をはかる方法として、ター
ゲット上に、第１図に示すように、ターゲット１に対し
て、例えば、基板２を複数枚配置する。その結果、ター
ゲット１からスパッタされた材料が、有効に、複数枚か
らなる大きい面積の基板面に薄膜として形成できる。こ
れに各基板２の自転を加えることにより、周方向の膜厚
均一性を、それぞれの基板２において実現できる。特
に、ターゲットに対し、本発明においては、回転磁極に
より、第２図で示すように、ターゲット１の上に、スパ
ッタエロージョン領域３を形成し、かつこの公転磁極か
ら形成される、スパッタエロージョン領域のターゲット
上の公転により、各複数基板のそれぞれの膜厚均一性を
実現できる。
的に小さくし、膜厚の均一化をはかる方法として、ター
ゲット上に、第１図に示すように、ターゲット１に対し
て、例えば、基板２を複数枚配置する。その結果、ター
ゲット１からスパッタされた材料が、有効に、複数枚か
らなる大きい面積の基板面に薄膜として形成できる。こ
れに各基板２の自転を加えることにより、周方向の膜厚
均一性を、それぞれの基板２において実現できる。特
に、ターゲットに対し、本発明においては、回転磁極に
より、第２図で示すように、ターゲット１の上に、スパ
ッタエロージョン領域３を形成し、かつこの公転磁極か
ら形成される、スパッタエロージョン領域のターゲット
上の公転により、各複数基板のそれぞれの膜厚均一性を
実現できる。
次に重要な点は、リアクティブスパッタ法における組成
の均一性である。
の均一性である。
ターゲット１上の公転スパッタエロージョンによりスパ
ッタされる速度は、理想的には、エロージョンの公転周
上一定であるが、現実には、パワーの安定性，ターゲッ
ト表面の均一性、および、磁場の場所的な変動等によ
り、ターゲット１上の場所により、一般には差が生ず
る。
ッタされる速度は、理想的には、エロージョンの公転周
上一定であるが、現実には、パワーの安定性，ターゲッ
ト表面の均一性、および、磁場の場所的な変動等によ
り、ターゲット１上の場所により、一般には差が生ず
る。
リアクティブスパッタにおいては、スパッタ速度の差
が、すなわち、形成膜の組成の差になる。そこで、本発
明においては、磁場の公転速度を場所的に変化させるこ
とにより、ターゲット各場所におけるスパッタ速度を補
正し、一定にする。
が、すなわち、形成膜の組成の差になる。そこで、本発
明においては、磁場の公転速度を場所的に変化させるこ
とにより、ターゲット各場所におけるスパッタ速度を補
正し、一定にする。
リアクティブスパッタでない場合は、複数基板のそれぞ
れの膜厚の均一化をこの方法で実現できる。
れの膜厚の均一化をこの方法で実現できる。
ターゲット１として、テルルTeを主成分とし、Pd、ある
いはCu,Au等を含むものを用いる。リアクティブガスと
して、酸素ガスを導入する。基板としては、ポリカーボ
ネートφ130を用いる。
いはCu,Au等を含むものを用いる。リアクティブガスと
して、酸素ガスを導入する。基板としては、ポリカーボ
ネートφ130を用いる。
ターゲットの寸法は、φ150である。この上に、基板と
ターゲット中心を、90mm偏芯させて構成し、ターゲット
に対して、対称的に４枚設定することが、可能である。
ターゲット中心を、90mm偏芯させて構成し、ターゲット
に対して、対称的に４枚設定することが、可能である。
各基板は、100rpmで自転させる。基板とターゲットの距
離は、90mmである。
離は、90mmである。
この配置で、基板内の膜厚均一性を±５％以内にでき
る。スパッタガスとしてArを導入する。
る。スパッタガスとしてArを導入する。
Ar 4SCCMに対し、O2 2.7SCCMの条件で、スパッタRFパワ
ー4W/cm2で、TeO1.0膜を得る。
ー4W/cm2で、TeO1.0膜を得る。
ただし、４枚の基板の間の組成は、設定位置により、20
％程度、基板の位置によって、固有の差が生じる。
％程度、基板の位置によって、固有の差が生じる。
このデータに基づいて、酸素（リアクティブガス）成分
が多い位置に対応するターゲット上の位置において、ス
パッタエロージョンの線速度を、20％低減させる。そ
の結果、その部分では、スパッタTe量が増加し、O/Te比
の補正ができ、４枚の基板間の組成比変動を、±５％以
下に減少できる。
が多い位置に対応するターゲット上の位置において、ス
パッタエロージョンの線速度を、20％低減させる。そ
の結果、その部分では、スパッタTe量が増加し、O/Te比
の補正ができ、４枚の基板間の組成比変動を、±５％以
下に減少できる。
発明の効果 以上のように本発明によればターゲットからのスパッタ
材料の利用効率が、30％に増大する。また、基板間の膜
厚を±５％以内に均一にできる。さらに、リアクティブ
スパッタにおいて、リアクティブガスを含む、膜組成比
を、基板間で、±５％以内に均一にできる。
材料の利用効率が、30％に増大する。また、基板間の膜
厚を±５％以内に均一にできる。さらに、リアクティブ
スパッタにおいて、リアクティブガスを含む、膜組成比
を、基板間で、±５％以内に均一にできる。
第１図は本発明の光学情報記録再生ディスク製造方法に
おける１つのターゲットに対して、複数の基板を配置し
た構成を示す図、第２図は同公転磁極による公転エロー
ジョンを有するスパッタターゲットを示す図である。 １……ターゲット、２……基板、３……エロージョン。
おける１つのターゲットに対して、複数の基板を配置し
た構成を示す図、第２図は同公転磁極による公転エロー
ジョンを有するスパッタターゲットを示す図である。 １……ターゲット、２……基板、３……エロージョン。
Claims (5)
- 【請求項１】レーザ光の照射により、加熱昇温せしめ、
状態を変化させて情報を記録する光学情報記録再生ディ
スクの製造方法において、複数の基板を、それぞれ真空
槽内で自転させ、１つのターゲットを用い、回転する磁
極を設け、この磁極を公転させて、スパッタエロージョ
ンをターゲット上で公転させ、複数の基板上に情報記録
薄膜を均一に形成することを特徴とする光学情報記録再
生ディスクの製造方法。 - 【請求項２】磁極の公転線速度を、場所に対応させて、
変化させることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の光学情報記録再生ディスクの製造方法。 - 【請求項３】Teを主成分として、添加材料として、Cu,P
d,Auの少なくとも１つを含ませたターゲットを用いるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光学情報記
録再生ディスクの製造方法。 - 【請求項４】酸素ガス分圧が、0.5・10-3Torrから、1.5
・10-3Torrの範囲において、ターゲットより、リアクテ
ィブスパッタにより、TeとTeO2と添加材料を含む薄膜を
複数の基板に形成することを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の光学情報記録再生ディスクの製造方法。 - 【請求項５】スパッタのパワー密度を1W/cm2以上とし、
RFスパッタを用いて、リアクティブスパッタをおこなう
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の光学情報
記録再生ディスクの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61192312A JPH0752527B2 (ja) | 1986-08-18 | 1986-08-18 | 光学情報記録再生デイスクの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61192312A JPH0752527B2 (ja) | 1986-08-18 | 1986-08-18 | 光学情報記録再生デイスクの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6348632A JPS6348632A (ja) | 1988-03-01 |
| JPH0752527B2 true JPH0752527B2 (ja) | 1995-06-05 |
Family
ID=16289181
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61192312A Expired - Lifetime JPH0752527B2 (ja) | 1986-08-18 | 1986-08-18 | 光学情報記録再生デイスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0752527B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR910004964B1 (ko) * | 1987-04-28 | 1991-07-20 | 마쯔시다덴기산교 가부시기가이샤 | 소모전극식 아아크용접기 |
| US5374343A (en) * | 1992-05-15 | 1994-12-20 | Anelva Corporation | Magnetron cathode assembly |
| JP4656744B2 (ja) * | 2000-03-09 | 2011-03-23 | キヤノンアネルバ株式会社 | スパッタリング装置 |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5527627A (en) * | 1978-08-18 | 1980-02-27 | Tdk Corp | Electronic device having protective layer |
| JPS5649992A (en) * | 1979-09-29 | 1981-05-06 | Tokyo Shibaura Electric Co | Nuclear reactor remote stop control device |
| JPS58144474A (ja) * | 1982-02-19 | 1983-08-27 | Hitachi Ltd | スパツタリング装置 |
| JPS60131963A (ja) * | 1983-12-21 | 1985-07-13 | Nippon Mining Co Ltd | スパツタリング用タ−ゲツト板 |
| JPS60204882A (ja) * | 1984-03-28 | 1985-10-16 | Anelva Corp | 放電反応処理装置 |
| JPS60263355A (ja) * | 1984-06-08 | 1985-12-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学記録媒体の製造方法 |
| JPS619573A (ja) * | 1984-06-22 | 1986-01-17 | Hitachi Ltd | スパツタリング装置 |
| JPS61122951A (ja) * | 1984-11-19 | 1986-06-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光記録デイスク用記録媒体のコ−テイング方法 |
| JPS61137239A (ja) * | 1984-08-09 | 1986-06-24 | アルカテル・トムソン・ジガデイスク | 熱−光手段により書き込み可能な情報媒体の製造した法及び該方法によって製造される情報媒体の金属層 |
-
1986
- 1986-08-18 JP JP61192312A patent/JPH0752527B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5527627A (en) * | 1978-08-18 | 1980-02-27 | Tdk Corp | Electronic device having protective layer |
| JPS5649992A (en) * | 1979-09-29 | 1981-05-06 | Tokyo Shibaura Electric Co | Nuclear reactor remote stop control device |
| JPS58144474A (ja) * | 1982-02-19 | 1983-08-27 | Hitachi Ltd | スパツタリング装置 |
| JPS60131963A (ja) * | 1983-12-21 | 1985-07-13 | Nippon Mining Co Ltd | スパツタリング用タ−ゲツト板 |
| JPS60204882A (ja) * | 1984-03-28 | 1985-10-16 | Anelva Corp | 放電反応処理装置 |
| JPS60263355A (ja) * | 1984-06-08 | 1985-12-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学記録媒体の製造方法 |
| JPS619573A (ja) * | 1984-06-22 | 1986-01-17 | Hitachi Ltd | スパツタリング装置 |
| JPS61137239A (ja) * | 1984-08-09 | 1986-06-24 | アルカテル・トムソン・ジガデイスク | 熱−光手段により書き込み可能な情報媒体の製造した法及び該方法によって製造される情報媒体の金属層 |
| JPS61122951A (ja) * | 1984-11-19 | 1986-06-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光記録デイスク用記録媒体のコ−テイング方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6348632A (ja) | 1988-03-01 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |