JPS6213569A - ＴｅまたはＴｅ合金製スパツタリング用焼結タ−ゲツト - Google Patents
ＴｅまたはＴｅ合金製スパツタリング用焼結タ−ゲツトInfo
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- JPS6213569A JPS6213569A JP15160385A JP15160385A JPS6213569A JP S6213569 A JPS6213569 A JP S6213569A JP 15160385 A JP15160385 A JP 15160385A JP 15160385 A JP15160385 A JP 15160385A JP S6213569 A JPS6213569 A JP S6213569A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sputtering
- alloy
- target
- sintered
- strength
- Prior art date
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、スパッタリング法を用い、基体表面にＴｅ
またはＴｅ合金薄膜からなる記録媒体を蒸着して光ディ
スクを製造するに際して、前記ＴｅまたはＴｅ合金薄膜
の蒸発源として用いられるＴｅまたはＴｅ合金製焼結タ
ーゲットに関するものである。
またはＴｅ合金薄膜からなる記録媒体を蒸着して光ディ
スクを製造するに際して、前記ＴｅまたはＴｅ合金薄膜
の蒸発源として用いられるＴｅまたはＴｅ合金製焼結タ
ーゲットに関するものである。
一般に、上記のように光ディスクの記録媒体薄膜の形成
にはスパッタリング法が用いられ、これにはターゲット
としてＴｅまたはＴｅ合金が使用されている。
にはスパッタリング法が用いられ、これにはターゲット
としてＴｅまたはＴｅ合金が使用されている。
このＴｅまたはＴｅ合金は、脆く、展延性のないもので
あるため、塑性加工が不可能であることから、そのター
ゲットの製造には粉末冶金法が用いらｎている。
あるため、塑性加工が不可能であることから、そのター
ゲットの製造には粉末冶金法が用いらｎている。
しかし、この従来のＴｅまたはＴｅ合金製焼結ターゲッ
トにおいては、ターゲットの表面温度が高くなり易く、
シ九がってスパッタ出力を抑えた状態で操業しなければ
ならないので、薄膜形成速度を上げることができず、生
産性の低いものであり、さらにターゲットの加工中ある
いはスフ；ツタ中にクラックが入り易く、割れに至る場
合がしばしば発生するなどの問題点がある。
トにおいては、ターゲットの表面温度が高くなり易く、
シ九がってスパッタ出力を抑えた状態で操業しなければ
ならないので、薄膜形成速度を上げることができず、生
産性の低いものであり、さらにターゲットの加工中ある
いはスフ；ツタ中にクラックが入り易く、割れに至る場
合がしばしば発生するなどの問題点がある。
そこで、本発明者等は、上述のような観点から、従来Ｔ
ｅまたはＴｅ合金製スバツタリ／グ用焼結ターゲットの
もつ問題点を解決子べく研究を行なった結果、 通常、上記の従来焼結ターゲラ）ｆｌ、ＴｅおよびＴｅ
合金自体がきわめて酸化性の強いものであるため、１３
０ｐｐｍ以上、多い場合には１１０００ｐｐ以上、さら
に多い場合には２０００ｐｐｍ以上の酸素を含有してい
るが、この酸素含有量を１００ ｐｐｍ以下に低減して
やると、前記ターゲットの熱伝導性および強度が向上す
るようになり、この結果スパッタ中のターゲットから強
制冷却されているバッキングプレートへの熱拡散速度が
速くなることから、スパッタの出力を高くしてもターゲ
ットの表面温度が上昇せず、薄膜形成速度を上げること
ができて、生産性の向上がはかれるようになるばかりで
なく、強化されて加工中あるいはスパッタ中にクラック
や割ｎの発生がなくなるという知見な得たのである。
ｅまたはＴｅ合金製スバツタリ／グ用焼結ターゲットの
もつ問題点を解決子べく研究を行なった結果、 通常、上記の従来焼結ターゲラ）ｆｌ、ＴｅおよびＴｅ
合金自体がきわめて酸化性の強いものであるため、１３
０ｐｐｍ以上、多い場合には１１０００ｐｐ以上、さら
に多い場合には２０００ｐｐｍ以上の酸素を含有してい
るが、この酸素含有量を１００ ｐｐｍ以下に低減して
やると、前記ターゲットの熱伝導性および強度が向上す
るようになり、この結果スパッタ中のターゲットから強
制冷却されているバッキングプレートへの熱拡散速度が
速くなることから、スパッタの出力を高くしてもターゲ
ットの表面温度が上昇せず、薄膜形成速度を上げること
ができて、生産性の向上がはかれるようになるばかりで
なく、強化されて加工中あるいはスパッタ中にクラック
や割ｎの発生がなくなるという知見な得たのである。
この発明は、上記知見にもとづいてなされたものであっ
て、不可避不純物としての酸素含有量を１１００ｐｐ以
下として、熱伝導性および強度の向上をはかったＴｅま
たはＴｅ合金でスパッタリング用ターゲットを構成した
点に特徴を有するものである。
て、不可避不純物としての酸素含有量を１１００ｐｐ以
下として、熱伝導性および強度の向上をはかったＴｅま
たはＴｅ合金でスパッタリング用ターゲットを構成した
点に特徴を有するものである。
なお、この発明のターゲットにおいて、酸素含有量を１
００ ｐ ｐｍ以下としたのは、上記のように不可避不
純物としての酸素含有量が１１００ｐｐを越えると、所
望の丁ぐれた熱伝導性と強度を確保することができない
からであり、また、この発明のターゲットを構成するＴ
ｅ合金は、合金成分としてＣｕ、 Ａｇ、 Ａｕ、 Ｚ
ｎ、 Ｃｄ、 Ｇａ、 Ｉｎ、 Ｔ１． Ｃ，Ｇｅ 。
００ ｐ ｐｍ以下としたのは、上記のように不可避不
純物としての酸素含有量が１１００ｐｐを越えると、所
望の丁ぐれた熱伝導性と強度を確保することができない
からであり、また、この発明のターゲットを構成するＴ
ｅ合金は、合金成分としてＣｕ、 Ａｇ、 Ａｕ、 Ｚ
ｎ、 Ｃｄ、 Ｇａ、 Ｉｎ、 Ｔ１． Ｃ，Ｇｅ 。
Ｓｎ、 Ｐｂ、 Ａｓ、 Ｓｂ、 Ｂｉ、 Ｓ、 お
よびＳｅのうちの１種または２種以上を、総量で５０原
子％以下の範囲で含有するものである。
よびＳｅのうちの１種または２種以上を、総量で５０原
子％以下の範囲で含有するものである。
つぎに、この発明のターゲットを実施例により具体的に
説明する。
説明する。
原料粉末として、いずれも１００〜６２５ｍｅｓｈの範
囲内の所定の平均粒径を有し、かつ０．５〜２１００ｐ
ｐｒｎの範囲内の所定の酸素含有量の純Ｔｅ粉末、Ｔｅ
−Ｂ１合金（Ｂｉ：１０原子％含有、以下％は原子％を
示す〕粉末、Ｔｅ −Ｓｂ合金（Ｓｂ：５０％含有］粉
宋、Ｔｅ −Ｃｄ −Ａｇ合金（Ｃｄ：３０％、Ａｇ
： ２０％含有〕粉宋、Ｔｅ −Ｓｅ合金（Ｓｅ：２０
％含有］、およびＴｅ−Ａｓ−８合金（Ａｓ：５％、Ｓ
：５％含含有粉粉末用意し、これら原料粉末をそれぞれ
冷間静水圧プレスを用い、Ａｒガス雰囲気中で加圧成形
して圧粉体とし、ついでこの圧粉体を、Ａｒガス雰囲気
中、３００〜５００℃の範囲内の所定温度に６０分間保
持の条件で焼結することによって、直径ニア６．２ｉｎ
Ｘ厚さ：６ｎの寸法を有し、かつ第１表に示される成分
組成および酸素含有量の本発明ターゲット１〜６および
従来ターゲット１〜６をそれぞれ製造した。
囲内の所定の平均粒径を有し、かつ０．５〜２１００ｐ
ｐｒｎの範囲内の所定の酸素含有量の純Ｔｅ粉末、Ｔｅ
−Ｂ１合金（Ｂｉ：１０原子％含有、以下％は原子％を
示す〕粉末、Ｔｅ −Ｓｂ合金（Ｓｂ：５０％含有］粉
宋、Ｔｅ −Ｃｄ −Ａｇ合金（Ｃｄ：３０％、Ａｇ
： ２０％含有〕粉宋、Ｔｅ −Ｓｅ合金（Ｓｅ：２０
％含有］、およびＴｅ−Ａｓ−８合金（Ａｓ：５％、Ｓ
：５％含含有粉粉末用意し、これら原料粉末をそれぞれ
冷間静水圧プレスを用い、Ａｒガス雰囲気中で加圧成形
して圧粉体とし、ついでこの圧粉体を、Ａｒガス雰囲気
中、３００〜５００℃の範囲内の所定温度に６０分間保
持の条件で焼結することによって、直径ニア６．２ｉｎ
Ｘ厚さ：６ｎの寸法を有し、かつ第１表に示される成分
組成および酸素含有量の本発明ターゲット１〜６および
従来ターゲット１〜６をそれぞれ製造した。
ついで、この結果得られた本発明ターゲット１〜６およ
び従来ターゲット１〜６について、熱伝導性を評価する
目的で熱伝導率を測定すると共に、これを無酸素銅製バ
ッキングプレートに真空ろう付けした状態でスパッタリ
ング装置にセットし、正常な状態でスパッタが可能な範
囲での最大出力を測定し、かつこの場合の薄膜形成速度
を測定し、さらに強度を評価する目的で抗折力を測定し
た。
び従来ターゲット１〜６について、熱伝導性を評価する
目的で熱伝導率を測定すると共に、これを無酸素銅製バ
ッキングプレートに真空ろう付けした状態でスパッタリ
ング装置にセットし、正常な状態でスパッタが可能な範
囲での最大出力を測定し、かつこの場合の薄膜形成速度
を測定し、さらに強度を評価する目的で抗折力を測定し
た。
こｎらの測定結果を第１表に合せて示した。
第１弐における本発明ターゲット１〜６と従来ターゲッ
ト１〜６との比較から、ターゲットの酸素含有量を１１
００ｐｐ以下とすることによって、ターゲットの熱伝導
性および強度が著しく向上するようになり、これによっ
てスパッタ出力の増大がはかれて速い速度での薄膜形成
が可能となることが明らかである。
ト１〜６との比較から、ターゲットの酸素含有量を１１
００ｐｐ以下とすることによって、ターゲットの熱伝導
性および強度が著しく向上するようになり、これによっ
てスパッタ出力の増大がはかれて速い速度での薄膜形成
が可能となることが明らかである。
上述のように、この発明のターゲットによれば、丁ぐれ
た熱伝導性と強度をもつので、スパッタ中における表面
温度の著しい上昇や、クラックの発生が回避され、スパ
ッタ出力の増大をはかることができることから、速い速
度での薄膜形成を高い歩留りで行なうことができ、さら
に高強度をもつので、加工中でのクラックや割れの発生
を防止できるなど工業上有用な効果がもたらされるので
ある。
た熱伝導性と強度をもつので、スパッタ中における表面
温度の著しい上昇や、クラックの発生が回避され、スパ
ッタ出力の増大をはかることができることから、速い速
度での薄膜形成を高い歩留りで行なうことができ、さら
に高強度をもつので、加工中でのクラックや割れの発生
を防止できるなど工業上有用な効果がもたらされるので
ある。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＴｅまたはＴｅ合金で構成されたスパッタリング用焼結
ターゲットにおいて、 上記ＴｅまたはＴｅ合金中に不可避不純物として含有す
る酸素の含有量を、１００ｐｐｍ以下とすることにより
前記ターゲットの熱伝導性および強度を向上させたこと
を特徴とするＴｅまたはＴｅ合金製スパッタリング用焼
結ターゲット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15160385A JPS6213569A (ja) | 1985-07-10 | 1985-07-10 | ＴｅまたはＴｅ合金製スパツタリング用焼結タ−ゲツト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15160385A JPS6213569A (ja) | 1985-07-10 | 1985-07-10 | ＴｅまたはＴｅ合金製スパツタリング用焼結タ−ゲツト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6213569A true JPS6213569A (ja) | 1987-01-22 |
| JPS6328987B2 JPS6328987B2 (ja) | 1988-06-10 |
Family
ID=15522138
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15160385A Granted JPS6213569A (ja) | 1985-07-10 | 1985-07-10 | ＴｅまたはＴｅ合金製スパツタリング用焼結タ−ゲツト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6213569A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01106748U (ja) * | 1988-01-05 | 1989-07-18 | ||
| WO2009107498A1 (ja) * | 2008-02-26 | 2009-09-03 | 日鉱金属株式会社 | 焼結用Ｓｂ－Ｔｅ系合金粉末及び同粉末の製造方法並びに焼結体ターゲット |
| WO2013035695A1 (ja) * | 2011-09-08 | 2013-03-14 | Jx日鉱日石金属株式会社 | Ｃｕ－Ｔｅ合金系焼結体スパッタリングターゲット |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0399291U (ja) * | 1990-01-31 | 1991-10-16 | ||
| JPH0536195U (ja) * | 1991-10-21 | 1993-05-18 | 株式会社クボタ | 管継手部の防食用コア |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60131963A (ja) * | 1983-12-21 | 1985-07-13 | Nippon Mining Co Ltd | スパツタリング用タ−ゲツト板 |
-
1985
- 1985-07-10 JP JP15160385A patent/JPS6213569A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60131963A (ja) * | 1983-12-21 | 1985-07-13 | Nippon Mining Co Ltd | スパツタリング用タ−ゲツト板 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01106748U (ja) * | 1988-01-05 | 1989-07-18 | ||
| WO2009107498A1 (ja) * | 2008-02-26 | 2009-09-03 | 日鉱金属株式会社 | 焼結用Ｓｂ－Ｔｅ系合金粉末及び同粉末の製造方法並びに焼結体ターゲット |
| WO2013035695A1 (ja) * | 2011-09-08 | 2013-03-14 | Jx日鉱日石金属株式会社 | Ｃｕ－Ｔｅ合金系焼結体スパッタリングターゲット |
| JP2014029026A (ja) * | 2011-09-08 | 2014-02-13 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Ｃｕ−Ｔｅ合金系焼結体スパッタリングターゲット |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6328987B2 (ja) | 1988-06-10 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |