JPS63143258A - スパツタリング用タ−ゲツト - Google Patents
スパツタリング用タ−ゲツトInfo
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- JPS63143258A JPS63143258A JP28990986A JP28990986A JPS63143258A JP S63143258 A JPS63143258 A JP S63143258A JP 28990986 A JP28990986 A JP 28990986A JP 28990986 A JP28990986 A JP 28990986A JP S63143258 A JPS63143258 A JP S63143258A
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- Japan
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/3407—Cathode assembly for sputtering apparatus, e.g. Target
- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
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Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
〔産業上の利用分野〕
この発明は1例えば光ディスクの記録媒体薄膜をスパッ
タリングにより形成するに際して用いられる。Te、T
e合金、またはSe合金からなり、かつ冷却板にろう付
けされている薄い板状のターゲットに関するものである
。 〔従来の技術〕 上記のような光ディスクの記録媒体薄膜の形成に用いら
れるスパッタリング用ターゲットを1532するTe
、 Te合金、およびSe合金は、脆くて展延性がない
ため、これらに塑性加工を施すことができず、したがっ
て、このターゲットの製造には、溶解鋳造法および粉末
冶金法が用いられ、それによって製造された薄い板状の
ターゲットは、スパッタリング中過闇に加熱されるのを
防ぐため、InnIn合金、Sn + Sn合金等のろ
う材によって冷却板にろう付けされた状態で使用されて
いる。 〔発明が解決しようとする問題点〕 ところが近年においては、光ディスクの急激な需要増に
基づく量産化に対応する必要があるところから、ターゲ
ットの大型化が要望されているけれども−Te * T
e合金、およびSe合金は元来非常に脆い結晶からでき
ているうえに、このようなターゲットは通常3〜6mの
ような薄い板状に形成される2め割れ易く、シたがって
上記の溶解鋳造法では、製置されたターゲットが非常に
脆い鋳造組織で構成されているので、直径:125mの
寸法を越すターゲットを製造することは困難であl]。 またホットプレスのような粉末冶金法によっても。 500 yes X 500−の寸法を越える焼結ター
ゲットを製造することは困難であり、さらにターゲット
が大型Cヒするほど、tJrI工中のクラック発生等に
よる個数歩留りの低下も顕著になるので、現在では、上
記の要望に応えるに足る大型ターゲットはまだ得ら飢で
いない状況にある。 〔研究に基づく知見事項〕 そこで1本発明者等は、このような状況に鑑みて種々研
究を重ねた結果。 製作が容易な比較的小型のターゲット、すなわち薄い板
状のターゲット要素複数枚を、互にそれらの対向する側
部端面で当接または嵌合させるこ七によ
タリングにより形成するに際して用いられる。Te、T
e合金、またはSe合金からなり、かつ冷却板にろう付
けされている薄い板状のターゲットに関するものである
。 〔従来の技術〕 上記のような光ディスクの記録媒体薄膜の形成に用いら
れるスパッタリング用ターゲットを1532するTe
、 Te合金、およびSe合金は、脆くて展延性がない
ため、これらに塑性加工を施すことができず、したがっ
て、このターゲットの製造には、溶解鋳造法および粉末
冶金法が用いられ、それによって製造された薄い板状の
ターゲットは、スパッタリング中過闇に加熱されるのを
防ぐため、InnIn合金、Sn + Sn合金等のろ
う材によって冷却板にろう付けされた状態で使用されて
いる。 〔発明が解決しようとする問題点〕 ところが近年においては、光ディスクの急激な需要増に
基づく量産化に対応する必要があるところから、ターゲ
ットの大型化が要望されているけれども−Te * T
e合金、およびSe合金は元来非常に脆い結晶からでき
ているうえに、このようなターゲットは通常3〜6mの
ような薄い板状に形成される2め割れ易く、シたがって
上記の溶解鋳造法では、製置されたターゲットが非常に
脆い鋳造組織で構成されているので、直径:125mの
寸法を越すターゲットを製造することは困難であl]。 またホットプレスのような粉末冶金法によっても。 500 yes X 500−の寸法を越える焼結ター
ゲットを製造することは困難であり、さらにターゲット
が大型Cヒするほど、tJrI工中のクラック発生等に
よる個数歩留りの低下も顕著になるので、現在では、上
記の要望に応えるに足る大型ターゲットはまだ得ら飢で
いない状況にある。 〔研究に基づく知見事項〕 そこで1本発明者等は、このような状況に鑑みて種々研
究を重ねた結果。 製作が容易な比較的小型のターゲット、すなわち薄い板
状のターゲット要素複数枚を、互にそれらの対向する側
部端面で当接または嵌合させるこ七によ
この発明は、上記知見に基づいて発明されたもので、従
来のターゲットと同様に、ターゲットに付随しているろ
う材ぢよび冷却板にスパッタリングを起すことなく、専
らターゲットのみがスパッタリングされる大型のターゲ
ットを提供することを目的とし。 Te 、 Te合金、またはSe合金からなl)、かつ
冷却板にろう付けされている薄い板状のスパッタリング
用タフゲットであって、前記ターゲットが、互に対向す
る側部端面で当接または嵌合し合うことによりつなぎ合
わされて、冷却板上に配置され。 かつその冷却板にろう付けされた複数枚の薄い板状のタ
ーゲット要素から構成され、そしてこのターゲット要素
の前記側部端面には、冷却板に対して傾斜した平面、屈
曲した平面、まtは曲面が形成されていることを特徴と
するものである。 〔発明の詳細な説明〕 1 ターゲットの材質 この発明のターゲットはTe 、 Te合金、またはS
e合金からな0.このうちTe合金およびSe合金は。 合金成分として1例えば、 Te + Se 、 Cu
+ Ag * Au +Zn r Cd * Ga
t In + I7 + Ct Ge r Sn *
Pb + As + Sb +B++およびSのうちの
l踵または2種以上を8宵するものであり、特にTeg
O8e10やT’e80se20のようなTe−Se合
金から構成される。 2 ターゲット要素 ターゲット要素とは、これらを互につなぎ合わせること
によってこの発明のターゲットを形成させるための、薄
板状ターゲットであって、これは従来の溶解鋳造法や粉
末冶金法などのどのような方法によって製置してもよく
、それが大きすぎると、材料が脆いため、前述のように
個数歩留(Jが低下し、一方それが小さ過ぎると、大型
のターゲットを作るのに多くの個数を必要として手数と
手間がかかり、生産性が低下するので、このターゲット
要素の寸法は1例えば、それが正方形の溶解鋳造品であ
る場合には、−辺を50〜1Oo−とし、また焼結材料
である場合には、−辺を100〜300■とするのがよ
く、その形状は特に制約されないが、ターゲットは通常
長方形または円形の形で使用されるので、一般に長方形
、ま2は分割された円形とするのカー好ましい。 2、 ターゲット要素のつなぎ合わされる側部端面の形
状 この発明のターゲットにおいては、第2図〜第4図に示
されるように、互につなぎ合わされるターゲット要素l
の側部端面1a+ laに1例えばシート状のろう2お
よび冷却板3に対して傾斜した平面(第2図)、屈曲し
た平面(第3図の(イ)およびICF) ) 11およ
び曲面(84図)が形成され、それらの端面1aとla
とが互に当接または嵌合し合っているので、スパッタリ
ング中に、これらのターゲット要素のつなぎ目から、ろ
う材や冷却板構成材がスパッタリングされて、成膜中に
目的元素以外の元素が混入してくるというトラブルを防
止することができる。 一般に、第3図に示した屈曲した平面および第4図に示
した曲面をターゲツト材要素の側部端面に形成させて、
これらを互に嵌合させるよりは。 第2図に示したような、冷却板に対して傾斜した平面を
前記端面に形成させて、これらを互に当接させる方が、
その端面の加工が容易である点で好ましいけれども、こ
の傾斜した角度θが小さすぎると、ろう材および冷却板
構成材(一般に銅または銅合金)がそのつなぎ目から放
散するおそれが生じ、一方その角度が大きすぎると、タ
ーゲツト材の材質が脆いtめ、そのような加工が困難と
なることから、この角度θは一般にlθ〜6(lj’で
あるのが好ましい。 〔実迩例〕 ついで、この発明を実施例によI】比較例と対比しなが
ら説明する。 通常の粉末冶金法によって焼結されf: −T”eQO
seiO(数字は原子%、以下同様)の組成および20
0rm X 200■X厚さ=6mの寸法を有するター
ゲラ)W素lを5枚つなぎ合わせることによって第【図
の平面図(イ)に示されるような大型ターゲットを製造
するために、前記ターゲット要素lのつなぎ目の側部端
面を、第1図のto)に部分拡大断面図で示されるよう
に、ろう2および冷却板3に対して30°の角度で傾斜
した平面1a、laに加工し。 ついでこれらのターゲット要素lを、前記傾斜した平面
を互に当接させた状態で、ただしこの傾斜面の加工誤差
に基づく隙間が1部分的にO,1〜0、2 mの間隔で
形成されている状態で、220n+mX1020+mX
厚さ:10閣の寸法を有する銅製冷却板(バッキングプ
レート)3上に、 In70Sn30からなる組成を有
する厚さ30μのろう2を用い一真空中、温度140℃
でろう付けすることによって1本発明ターゲットを製造
した。 さらに比較のため、前記ターゲット要素lの側部端面を
傾斜面とする加工を施さずに、すなわちこの側部端面1
a+laが冷却板3の表面に対して垂直となっている点
だけを除いて、前記と全く同様な方法により、前記本発
明ターゲットと同一の寸法を有する比較ターゲットを製
造した。 ついで、この結果得られた各ターゲットの特性を調査す
るため、これらのターゲットから、マグネトロンスパッ
タリングにより、最大出力=2.0W/、および薄膜形
成速度:200人/順において、直径:、3’00mm
の寸法を有するポリカーボネート製基体上に厚さ: 0
.1 fiの’re90selo薄膜を形成させ、その
薄膜中に混入したろう材および冷却板材(銅)の量を測
定したところ1本発明ターゲットでは、検知できるほど
の汚染物が見当らなかったのに対し、比較ターゲットで
は、汚染物が不均一:二分布し、全体として、ろうおよ
び冷却板に由来する汚染元素をO,1%含んでいた。 〔発明の効果〕 実施例の結果から1本発明ターゲットでは、ターゲット
のつなぎ目の側部端面を、冷却板に対してa6 M斜し
t平面に形成したために、スパッタリング中、ろうおよ
び冷却板に由来する汚染元素がスパッタリング膜中に混
入することがないのに対し、前記側部端面を単なる垂直
面とじt比較ターゲットでは、ターゲットのつなぎ目を
介して前記汚染元素が成膜中にスパッタリングされるこ
とがわかる。 以上述べた説明から明らかなように、この発明によると
、ろうおよび冷却板を構成する成分で汚染されないスパ
ッタリング嘆を形成できるTe、Te合金、またはSe
合金製の大型ターゲットを容易に。 かつ歩留りよく提供できるという、産業上互用な効果が
得られる。
来のターゲットと同様に、ターゲットに付随しているろ
う材ぢよび冷却板にスパッタリングを起すことなく、専
らターゲットのみがスパッタリングされる大型のターゲ
ットを提供することを目的とし。 Te 、 Te合金、またはSe合金からなl)、かつ
冷却板にろう付けされている薄い板状のスパッタリング
用タフゲットであって、前記ターゲットが、互に対向す
る側部端面で当接または嵌合し合うことによりつなぎ合
わされて、冷却板上に配置され。 かつその冷却板にろう付けされた複数枚の薄い板状のタ
ーゲット要素から構成され、そしてこのターゲット要素
の前記側部端面には、冷却板に対して傾斜した平面、屈
曲した平面、まtは曲面が形成されていることを特徴と
するものである。 〔発明の詳細な説明〕 1 ターゲットの材質 この発明のターゲットはTe 、 Te合金、またはS
e合金からな0.このうちTe合金およびSe合金は。 合金成分として1例えば、 Te + Se 、 Cu
+ Ag * Au +Zn r Cd * Ga
t In + I7 + Ct Ge r Sn *
Pb + As + Sb +B++およびSのうちの
l踵または2種以上を8宵するものであり、特にTeg
O8e10やT’e80se20のようなTe−Se合
金から構成される。 2 ターゲット要素 ターゲット要素とは、これらを互につなぎ合わせること
によってこの発明のターゲットを形成させるための、薄
板状ターゲットであって、これは従来の溶解鋳造法や粉
末冶金法などのどのような方法によって製置してもよく
、それが大きすぎると、材料が脆いため、前述のように
個数歩留(Jが低下し、一方それが小さ過ぎると、大型
のターゲットを作るのに多くの個数を必要として手数と
手間がかかり、生産性が低下するので、このターゲット
要素の寸法は1例えば、それが正方形の溶解鋳造品であ
る場合には、−辺を50〜1Oo−とし、また焼結材料
である場合には、−辺を100〜300■とするのがよ
く、その形状は特に制約されないが、ターゲットは通常
長方形または円形の形で使用されるので、一般に長方形
、ま2は分割された円形とするのカー好ましい。 2、 ターゲット要素のつなぎ合わされる側部端面の形
状 この発明のターゲットにおいては、第2図〜第4図に示
されるように、互につなぎ合わされるターゲット要素l
の側部端面1a+ laに1例えばシート状のろう2お
よび冷却板3に対して傾斜した平面(第2図)、屈曲し
た平面(第3図の(イ)およびICF) ) 11およ
び曲面(84図)が形成され、それらの端面1aとla
とが互に当接または嵌合し合っているので、スパッタリ
ング中に、これらのターゲット要素のつなぎ目から、ろ
う材や冷却板構成材がスパッタリングされて、成膜中に
目的元素以外の元素が混入してくるというトラブルを防
止することができる。 一般に、第3図に示した屈曲した平面および第4図に示
した曲面をターゲツト材要素の側部端面に形成させて、
これらを互に嵌合させるよりは。 第2図に示したような、冷却板に対して傾斜した平面を
前記端面に形成させて、これらを互に当接させる方が、
その端面の加工が容易である点で好ましいけれども、こ
の傾斜した角度θが小さすぎると、ろう材および冷却板
構成材(一般に銅または銅合金)がそのつなぎ目から放
散するおそれが生じ、一方その角度が大きすぎると、タ
ーゲツト材の材質が脆いtめ、そのような加工が困難と
なることから、この角度θは一般にlθ〜6(lj’で
あるのが好ましい。 〔実迩例〕 ついで、この発明を実施例によI】比較例と対比しなが
ら説明する。 通常の粉末冶金法によって焼結されf: −T”eQO
seiO(数字は原子%、以下同様)の組成および20
0rm X 200■X厚さ=6mの寸法を有するター
ゲラ)W素lを5枚つなぎ合わせることによって第【図
の平面図(イ)に示されるような大型ターゲットを製造
するために、前記ターゲット要素lのつなぎ目の側部端
面を、第1図のto)に部分拡大断面図で示されるよう
に、ろう2および冷却板3に対して30°の角度で傾斜
した平面1a、laに加工し。 ついでこれらのターゲット要素lを、前記傾斜した平面
を互に当接させた状態で、ただしこの傾斜面の加工誤差
に基づく隙間が1部分的にO,1〜0、2 mの間隔で
形成されている状態で、220n+mX1020+mX
厚さ:10閣の寸法を有する銅製冷却板(バッキングプ
レート)3上に、 In70Sn30からなる組成を有
する厚さ30μのろう2を用い一真空中、温度140℃
でろう付けすることによって1本発明ターゲットを製造
した。 さらに比較のため、前記ターゲット要素lの側部端面を
傾斜面とする加工を施さずに、すなわちこの側部端面1
a+laが冷却板3の表面に対して垂直となっている点
だけを除いて、前記と全く同様な方法により、前記本発
明ターゲットと同一の寸法を有する比較ターゲットを製
造した。 ついで、この結果得られた各ターゲットの特性を調査す
るため、これらのターゲットから、マグネトロンスパッ
タリングにより、最大出力=2.0W/、および薄膜形
成速度:200人/順において、直径:、3’00mm
の寸法を有するポリカーボネート製基体上に厚さ: 0
.1 fiの’re90selo薄膜を形成させ、その
薄膜中に混入したろう材および冷却板材(銅)の量を測
定したところ1本発明ターゲットでは、検知できるほど
の汚染物が見当らなかったのに対し、比較ターゲットで
は、汚染物が不均一:二分布し、全体として、ろうおよ
び冷却板に由来する汚染元素をO,1%含んでいた。 〔発明の効果〕 実施例の結果から1本発明ターゲットでは、ターゲット
のつなぎ目の側部端面を、冷却板に対してa6 M斜し
t平面に形成したために、スパッタリング中、ろうおよ
び冷却板に由来する汚染元素がスパッタリング膜中に混
入することがないのに対し、前記側部端面を単なる垂直
面とじt比較ターゲットでは、ターゲットのつなぎ目を
介して前記汚染元素が成膜中にスパッタリングされるこ
とがわかる。 以上述べた説明から明らかなように、この発明によると
、ろうおよび冷却板を構成する成分で汚染されないスパ
ッタリング嘆を形成できるTe、Te合金、またはSe
合金製の大型ターゲットを容易に。 かつ歩留りよく提供できるという、産業上互用な効果が
得られる。
第1図はこの発明のターゲットの一例を示す図であって
、その(イ)は平面図、そしてその10)は(イ)に示
されたターゲットのつなぎ目を拡大して示す部分断面図
、第2図、第3図の(イ)および(ロ)、並びに第4図
はこの発明のターゲットのつなぎ目部分の別々の態様を
それぞれ拡大して示す部分断面図である。 図において l ・ターゲットi素、 2・・・ろう。 3・・・冷却板。
、その(イ)は平面図、そしてその10)は(イ)に示
されたターゲットのつなぎ目を拡大して示す部分断面図
、第2図、第3図の(イ)および(ロ)、並びに第4図
はこの発明のターゲットのつなぎ目部分の別々の態様を
それぞれ拡大して示す部分断面図である。 図において l ・ターゲットi素、 2・・・ろう。 3・・・冷却板。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Te、Te合金、またはSe合金からなり、かつ冷却板
にろう付けされている薄い板状のスパッタリング用ター
ゲットであつて、前記ターゲットが、互に対向する側部
端面で当接または嵌合し合うことによりつなぎ合わされ
て、冷却板上に配置され、 かつその冷却板にろう付けされた複数枚の薄い板状のタ
ーゲット要素から構成され、そしてこのターゲット要素
の前記側部端面には、冷却板に対して傾斜した平面、屈
曲した平面、または曲面が形成されていることを特徴と
する、前記ターゲット。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28990986A JPS63143258A (ja) | 1986-12-05 | 1986-12-05 | スパツタリング用タ−ゲツト |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP28990986A JPS63143258A (ja) | 1986-12-05 | 1986-12-05 | スパツタリング用タ−ゲツト |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63143258A true JPS63143258A (ja) | 1988-06-15 |
Family
ID=17749336
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP28990986A Pending JPS63143258A (ja) | 1986-12-05 | 1986-12-05 | スパツタリング用タ−ゲツト |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63143258A (ja) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2003027227A (ja) * | 2001-07-23 | 2003-01-29 | Dainippon Printing Co Ltd | スパッタリング用ターゲット |
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