JPH0256462U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0256462U JPH0256462U JP13546088U JP13546088U JPH0256462U JP H0256462 U JPH0256462 U JP H0256462U JP 13546088 U JP13546088 U JP 13546088U JP 13546088 U JP13546088 U JP 13546088U JP H0256462 U JPH0256462 U JP H0256462U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- thin film
- drain electrode
- film transistor
- source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 8
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
第１図〜第３図は本考案の第一実施例を示して
おり、第１図はこの実施例に係る薄膜トランジス
タの構成斜視図、第２図は第１図の―面断面
図を示し、第３図Ａ〜Ｌは実施例に係る薄膜トラ
ンジスタの製造工程説明図を夫々示し、第４図〜
第５図は本考案の第二実施例を示しており、第４
図はこの実施例に係る薄膜トランジスタの構成斜
視図、第５図は第４図の―面断面図を示し、
第６図〜第７図は本考案の第三実施例を示してお
り、第６図はこの実施例に係る薄膜トランジスタ
の構成斜視図、第７図は第６図の―面断面図
を示し、また、第８図及び第１１図は従来におけ
る薄膜トランジスタの構成斜視図、第９図は第８
図の―面断面図、第１２図は第１１図の
―面断面図、第１０図Ａ〜Ｃ及び第１３
図Ａ〜Ｃはこれ等薄膜トランジスタの製造工程の
一部を示す説明図である。 符号説明、１……基板、２……ゲート電極、３
……ゲート絶縁膜、４……通電部、５……第一ア
モルフアス半導体層、７……ソース電極、８……
ドレイン電極。
おり、第１図はこの実施例に係る薄膜トランジス
タの構成斜視図、第２図は第１図の―面断面
図を示し、第３図Ａ〜Ｌは実施例に係る薄膜トラ
ンジスタの製造工程説明図を夫々示し、第４図〜
第５図は本考案の第二実施例を示しており、第４
図はこの実施例に係る薄膜トランジスタの構成斜
視図、第５図は第４図の―面断面図を示し、
第６図〜第７図は本考案の第三実施例を示してお
り、第６図はこの実施例に係る薄膜トランジスタ
の構成斜視図、第７図は第６図の―面断面図
を示し、また、第８図及び第１１図は従来におけ
る薄膜トランジスタの構成斜視図、第９図は第８
図の―面断面図、第１２図は第１１図の
―面断面図、第１０図Ａ〜Ｃ及び第１３
図Ａ〜Ｃはこれ等薄膜トランジスタの製造工程の
一部を示す説明図である。 符号説明、１……基板、２……ゲート電極、３
……ゲート絶縁膜、４……通電部、５……第一ア
モルフアス半導体層、７……ソース電極、８……
ドレイン電極。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 絶縁性基板と、この基板に設けられた半導体層
と、この半導体層に接続されたソース・ドレイン
電極と、絶縁層を介し上記半導体層に対向して配
置されたゲート電極とを備える薄膜トランジスタ
において、 上記ソース電極とドレイン電極間の半導体層の
一部に良導電性の通電部を積層したことを特徴と
する薄膜トランジスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988135460U JPH0747876Y2 (ja) | 1988-10-19 | 1988-10-19 | 薄膜トラジスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988135460U JPH0747876Y2 (ja) | 1988-10-19 | 1988-10-19 | 薄膜トラジスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0256462U true JPH0256462U (ja) | 1990-04-24 |
| JPH0747876Y2 JPH0747876Y2 (ja) | 1995-11-01 |
Family
ID=31395107
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1988135460U Expired - Lifetime JPH0747876Y2 (ja) | 1988-10-19 | 1988-10-19 | 薄膜トラジスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0747876Y2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009231821A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-10-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 薄膜トランジスタ及び表示装置 |
| JP2009239263A (ja) * | 2008-03-01 | 2009-10-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 薄膜トランジスタ及び表示装置 |
| JP2010199566A (ja) * | 2009-01-30 | 2010-09-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
| US8558236B2 (en) | 2007-12-03 | 2013-10-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP2018509761A (ja) * | 2015-05-11 | 2018-04-05 | 深▲セン▼市華星光電技術有限公司 | 共平面型酸化物半導体ｔｆｔ基板構造及びその製作方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6235569A (ja) * | 1985-08-09 | 1987-02-16 | Agency Of Ind Science & Technol | Ｍｉｓ型トランジスタ及びその製造方法 |
| JPS63258072A (ja) * | 1987-04-15 | 1988-10-25 | Nec Corp | 電界効果トランジスタ |
-
1988
- 1988-10-19 JP JP1988135460U patent/JPH0747876Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6235569A (ja) * | 1985-08-09 | 1987-02-16 | Agency Of Ind Science & Technol | Ｍｉｓ型トランジスタ及びその製造方法 |
| JPS63258072A (ja) * | 1987-04-15 | 1988-10-25 | Nec Corp | 電界効果トランジスタ |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8558236B2 (en) | 2007-12-03 | 2013-10-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device |
| JP2009231821A (ja) * | 2008-02-29 | 2009-10-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 薄膜トランジスタ及び表示装置 |
| JP2009239263A (ja) * | 2008-03-01 | 2009-10-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 薄膜トランジスタ及び表示装置 |
| JP2010199566A (ja) * | 2009-01-30 | 2010-09-09 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びその作製方法 |
| JP2018509761A (ja) * | 2015-05-11 | 2018-04-05 | 深▲セン▼市華星光電技術有限公司 | 共平面型酸化物半導体ｔｆｔ基板構造及びその製作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0747876Y2 (ja) | 1995-11-01 |