JPH0338057A - フラグレス・リードフレーム、それを用いたパッケージおよび製法 - Google Patents

フラグレス・リードフレーム、それを用いたパッケージおよび製法

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JPH0338057A
JPH0338057A JP2168588A JP16858890A JPH0338057A JP H0338057 A JPH0338057 A JP H0338057A JP 2168588 A JP2168588 A JP 2168588A JP 16858890 A JP16858890 A JP 16858890A JP H0338057 A JPH0338057 A JP H0338057A
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leads
lead frame
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insulating material
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L Olson Timothy
ティモシー・エル・オルソン
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、−船釣に半導体パッケージに関し、ざらに詳
しくは、熱放散が大幅に改善されるフラグレス・リード
フレーム、パッケージおよび方法に関する。
(従来の技術および発明が解決しようとする課題〉 高密度高速処理集積回路の開発を制限している1つの要
素が封入されたデバイスの熱放散能力であることは、技
術上周知である。通常、熱はプラスチック封入体を通じ
ては容易に放散しない。熱の放散は、封入用のパッケー
ジにおいては、ヒート・スプレッダなどのメタル・スラ
ブをパッケージに追加することによって改善されている
。メタルの追加によって、デバイスの熱放散が改善され
るが、これによって封入体内に応力およびひび割れがざ
らに生じる。これによって良好な組立歩留まりの獲得の
点で、ならびにハンダに対する浸漬および気相に対する
露出などの種々の信頼性要件に耐えるという点で、パッ
ケージの質に欠陥を生じる。
ホーキンスに1988年4月26日付で付与された「レ
ール接続マルチチップ・リードフレーム、方法およびパ
ッケージ」と題する米国特許第4゜740.868号は
、複数の半導体チップをマウントしてマルチチップ・パ
ッケージを形成できる複数のレールを有するリードフレ
ームを教示している。半導体チップは°、ワイヤポンド
によりレ−ルに電気的に接続され、ざらに、複数のレー
ルはヒートシンクとして機能する。
オオノ他の2つの論文、すなわち、一つは「ASIG汎
用リードフレームの特性」 (電子材料、1988年4
月号85〜90頁)と題する論文、もう一つは「可変ダ
イ・パッド付きASIG汎用リードフレームの開発」 
(電子情報通信学会、1987年10月27日、SDM
  87−106゜ICD  87−64)は、ASI
C用途向けの汎用リードフレームを開示している。絶縁
ダイ・パッド・テープはリードフレームの内側リード上
に配設され、またIC/LSIチップは、ダイ・パッド
・テープ上に配設される。チップをリードフレームに接
着する他に、ダイ・パッド・テープは内側リードを固定
して保持する。ダイ・パッド・テープのサイズは、採用
するチップのサイズによって異なる。しかし、最大の熱
放散が得られるようにダイに熱的に接触する内側リード
部分を最大にすることについては、記載されていない。
したがって、本発明の目的は、熱放散の改善を可能にす
るフラグレス・リードフレーム、パッケージおよび方法
を提供することである。
本発明の他の目的は、単一のリードフレームのサイズお
よび構成を種々のサイズの半導体ダイに採用できるフラ
グレス・リードフレーム、パッケージおよび方法を提供
することである。
本発明のさらに他の目的は、組立歩留まりの増加を可能
にするフラグレス・リードフレーム、パッケージおよび
方法を提供することである。
本発明のざらに他の目的は、最終デバイスがはんだに対
する浸漬および気相に対する露出などの信頼性要件に耐
えられるフラグレス・リードフレーム、パッケージおよ
び方法を提供することである。
(11題を解決するための手段〉 これらおよびその他の目的および利点は、本発明では、
半導体ダイの裏側の表面積の少なくとも50%が複数の
リードに熱的に結合されるように、複数のリード、なら
びにその上に接着された半導体ダイを有するフラグレス
・リードフレームをその一部に採用している一実施例に
より達成される。
ざらに、半導体ダイは、複数のリードがダイに熱的およ
び電気的に結合されるように、複数のリードの一部また
は全部にワイヤボンディングされている。封入体は、複
数のリードの一部がそこから伸びるように、半導体ダイ
およびリードフレームの周囲に配設される。
(実施例) 第1図はフラグレス・リードフレーム10の拡大平面図
であり、第2図は第1図のリードフレーム10を採用し
ている半導体デバイス・パッケージ12の拡大断面図で
ある。リードフレーム10は複数のり一ド14を含む。
半導体ダイ16(第1図に輪郭を破線で示す)は、電気
絶縁フィルム18によりリードフレーム10の複数のリ
ード14に接合されている。他のフィルムも使用できる
が、好ましい電気絶縁フィルム18はポリイミドおよび
エポキシである。当業者は、半導体ダイ16の裏側が複
数のり一ド14に電気的に接触して短絡を起こさないよ
うにフィルム18を電気的に絶縁することが重要である
ことを理解すべきである。電気絶縁フィルム18は、熱
が半導体ダイ16から、また半導体デバイスのパッケー
ジ12から複数のり−ド14に伝達できるように、良質
の熱伝導体でなければならない。電気絶縁フィルム18
は熱抵抗が最小になるようにできるだけ薄くすることが
望ましい。好適な実施例は、未だウェーハの形態にある
間に半導体ダイ16の裏側に配設する電気絶縁フィルム
18を含むが、当業者は、電気絶縁フィルム18がリー
ドフレーム10の複数のり一ド14上に形成され、半導
体ダイ16をその上に接着できることを理解すべきであ
る。電気絶縁フィルム18はまた、デバイスがカプセル
に封入されるまで、リードフレーム10の複数のリード
14を所定の場所に保持するのに役立つ。
半導体ダイ16の裏側の表面積の少なくとも50%が複
数のリード14に熱的に結合されるように、半導体ダイ
16は、リードフレーム10の複数のり一ド14に付着
されることが重要である。
好適な実施例では、半導体ダイ16の裏側表面積の少な
くとも70%が複数のり一ド14に熱的に結合される。
表面積の少なくとも50%をカバーするために、複数の
リード14のすべての部材を、半導体ダイ16の裏側に
熱的に結合する必要がないことを理解するべきである。
事実、複数のり一ド14の部材すべてが半導体ダイ16
の下まで伸びる必要はない。
半導体ダイ16の裏側表面積の大部分が熱接触している
ため、熱の大半は、電気絶縁フィルム18を通じてダイ
の裏側から直接、複数のリード14へと放散し、半導体
デバイス・パッケージ12から複数のり−ド14を介し
て放散する。ざらに、半導体ダイ16の裏側表面積の大
部分が熱接触しているため、熱は、ホット・スポット(
熱が保持される部分)が半導体ダイ16に形成されない
よう、半導体ダイ16から均一に放散する。
ここに開示するリードフレーム10は、これを採用する
半導体パッケージからの主な熱流経路を構成する。従来
のリードフレームを有するパッケージの場合に一般的で
あったプラスチックの封入体を介して熱を伝導すること
に対する依存性は、実質的に減少する。しかし、リード
フレーム10は、プラスチック塊を介して第2の熱流経
路を改善し、熱の除去はプラスチック表面で行われ、実
質的に対流および放飼によって行う。金属とプラスチッ
クとの比が相対的に高いと、プラスチックの封入体を通
じて熱が効果的かつ均一に拡散する。
本発明によればリードフレームが多様性を有する必要が
なくなる。一種類のリードフレームのサイズおよび構成
が種々のサイズの半導体ダイに採用できるという汎用性
を有する。第1図では、異なるサイズの半導体ダイ16
Aおよび16Bの輪郭によって汎用性を示している。さ
らに、単一のリードフレーム10の同一表面または反対
側表面の上に複数の半導体ダイ16をマウントすること
もできる。
半導体ダイ16は、電気絶縁フィルム18を使用してリ
ードフレーム10の複数のリード14にいったんマウン
トされると、次にワイヤボンディング・プロセスによっ
て複数のり−ド14に電気的に接続される。ワイヤボン
ド20は半導体ダイ16の接点から直接複数のり一ド1
4の種々の部材に伸びている。この構成によって、リー
ド14の一部または全部を半導体ダイ16に熱的および
電気的に結合することができる。また、半導体ダイ16
の裏側から複数のリード14への熱接続が生じる一方で
、ワイヤボンド20を介して複数のリード14の全部ま
たは一部への電気的接続が生じる。
ワイヤボンディングがいったん行われると、デバイスは
通常プラスチック製の封入体22で封入される。この分
野では周知のように、プラスチックの封入体は、複数の
り一ド14の一部のみがそこから外部へと露出して伸び
るように、半導体ダイ16およびリードフレーム16の
周囲に配設される。通常のリードフレームのフラグ周囲
に形成される封入体とは異なり、封入体が複数のリード
14の部材間に形成される可能性があるため、リードフ
レーム10はプラスチックの封入体に非常によく結合す
る。ざらに封入体22は、複数のリード14が互いに接
触せず、デバイスの動作中に短絡を生じせしめないよう
に、複数のリード14を適所に保持する。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の実施例に従ったフラグレス・す、−
ドフレームの拡大平面図である。 第2図は、第1図のリードフレームを採用する半導体デ
バイス・パッケージの拡大断面図である。 10、、、リードフレーム、12゜ バイス・パッケージ、 14、、、複数のリード、16.。 1B、、、電気絶縁フィルム 20、、、ワイヤボンド、22.。 半導体デ 半導体ダイ、 封入体

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、半導体ダイが複数のリードに結合され、それにより
    、前記半導体ダイの裏側表面−積の少なくとも50%が
    前記複数のリードに熱的に結合され、前記複数のリード
    の一部または全部が前記半導体ダイに熱的および電気的
    に結合されることを特徴とする、複数のリードを有する
    フラグレス・リードフレーム。 2、当該リードフレームの前記複数のリードとその上に
    配設される半導体ダイとの間に電気絶縁材料が配設され
    ることを特徴とする請求項1記載のリードフレーム。 3、前記電気絶縁材料によつて、前記半導体ダイが当該
    リードフレームの前記複数のリードに接合されることを
    特徴とする請求項2記載のリードフレーム。 4、半導体ダイが未だウェーハの形態にある間に半導体
    ダイの裏側に電気絶縁材料が配設されることを特徴とす
    る請求項3記載のリードフレーム。 5、前記電気絶縁材料がポリイミドまたはエポキシによ
    って構成されることを特徴とする請求項4記載のリード
    フレーム。 6、一種類のリードフレームのサイズおよび構成が種々
    のサイズの半導体ダイに採用できることを特徴とする請
    求項1記載のリードフレーム。 7、複数のリードを有するフラグレス・リードフレーム
    ; 前記複数のリードにボンディングされた半導体ダイであ
    って、前記半導体ダイの裏側表面積の少なくとも50%
    が前記複数のリードに熱的に結合され、前記複数のリー
    ドの一部または全部が前記半導体ダイに熱的および電気
    的に結合される、ところの半導体ダイ;および 前記半導体ダイおよび前記リードフレームの周囲に配設
    された封入体であつて、そこから前記複数のリードの一
    部が伸びている封入体; によって構成されることを特徴とする半導体デバイスパ
    ッケージ。 8、半導体ダイが電気絶縁材料によつてリードフレーム
    の複数のリードに接合されることを特徴とする請求項7
    記載の半導体デバイス用パッケージ。 9、半導体ダイが未だウェーハの形態にある間に半導体
    ダイの裏側に電気絶縁材料が配設されることを特徴とす
    る請求項8記載の半導体デバイスパッケージ。 10、電気絶縁材料がポリイミドまたはエポキシによつ
    て構成されることを特徴とする請求項9記載の半導体デ
    バイスパッケージ。 11、一種類のリードフレームのサイズおよび構成が種
    々のサイズの半導体ダイに採用できることを特徴とする
    請求項7記載の半導体デバイスパッケージ。 12、封入体がプラスチックによつて構成されることを
    特徴とする請求項7記載の半導体デバイスパッケージ。 13、複数のリードを有するフラグレス・リードフレー
    ムを設ける段階; 前記リードフレームの前記複数のリードに半導体ダイを
    接合して、前記半導体ダイの裏側表面積の少なくとも5
    0%が前記複数のリードに熱的に結合されるようにする
    段階; 前記半導体ダイを前記リードフレームの前記複数のリー
    ドに電気的に接続する段階;および、前記半導体ダイお
    よび前記リードフレームを封入して、前記複数のリード
    の一部が封入体から伸びるようにする段階; によって構成されることを特徴とする半導体デバイスパ
    ッケージの製造方法。 14、半導体ダイが電気絶縁材料によつてリードフレー
    ムの複数のリードに接合されることを特徴とする請求項
    13記載の方法。 15、半導体ダイが未だウェーハの形態にある間に半導
    体ダイの裏側に電気絶縁材料が配設されることを特徴と
    する請求項14記載の方法。 16、電気絶縁材料がポリイミドまたはエポキシによつ
    て構成されることを特徴とする請求項15記載の方法。 17、一種類のリードフレームのサイズおよび構成が種
    々のサイズの半導体ダイに採用できることを特徴とする
    請求項13記載の方法。 18、封入体がプラスチックによつて構成されることを
    特徴とする請求項13記載の方法。 19、半導体ダイかリードフレームの複数のリードに直
    接ワイヤボンディングされて電気的に接続されることを
    特徴とする請求項13記載の方法。
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