KR100214857B1 - 멀티 칩 패키지 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 멀티 칩 패키지에 관한 것으로, 하나의 패키지에 2개의 반도체 칩을 내장시킴으로써, 패키지의 메모리 용량을 증가시킬 수 있다. 본 발명의 멀티 칩 패키지는 리드 프레임의 패들에 탑재되고 본딩 패드에 범프가 형성된 제1반도체 칩과, 소정 회로가 형성되어 있고 상기 제1반도체 칩의 본딩 패드 상에 형성된 범프에 의해 접속되는 테이프와, 상기 테이프 위에 탑재된 제2반도체 칩과, 상기 제1 및 제2반도체 칩의 외부로의 전기적 신호 경로를 이루기 위한 리드 프레임의 인너 리드와, 상기 제2반도체 칩과 상기 인너 리드를 전기적으로 접속하기 위한 금속 와이어, 및 상기 테이프에 장기적으로 접속된 제1반도체 칩, 그 위에 탑재된 제2반도체 칩 및 인너 리드를 포함하는 일정 면적을 밀봉하고 있는 패키지 몸체를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 반도체 패키지에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 하나의 패키지에 패키지의 용량을 증가시키기 위하여 회로가 형성된 테이프를 이용하는 멀티 칩 패키지에 관한 것이다.
일반적으로, 통상의 방법에 의해 형성된 집적회로 칩은 조립공정으로 보내져서 칩절단,칩부착, 와이어 본딩, 몰드, 포밍, 트림공정 등의 공정을 순서적으로 거쳐 패키지화 된다.
이러한 반도체 패키지는 도 1에 도시된 바와 같이, 리드 프레임의 패들(2a)상에 반도체 칩(1)이 접착제(3)에 의해 부착되고, 상기 반도체 칩(1)은 금속 와이어(4)에 의해 리드 프레임의 인너 리드(2b)와 전기적으로 접속되며, 상기 반도체 칩(1), 인너 리드(2b) 및 금속 와이어(4)를 포함하는 일정 면적이 몰딩 컴파운드에 의해 밀봉되어 패키지 몸체(5)가 형성된다.
이후에 패키지 몸체(5)의 외측으로 돌출되어 있는 상기 리드 프레임의 아웃리드(2c)를 소정의 형태를 갖도록 하는 트림/포밍 공정이 실시된다.
그러나, 상기와 같은 종래 기술은, 하나의 패키지에 한개의 반도체 칩이 내장되기 때문에 패키지의 메모리 용량을 확장시키는데 한계가 있는 문제점이 있었다.
따라서, 본 발명은 제1반도체 칩의 본딩 패드 상에 범프를 형성하고, 이 범프를 이용하여 회로가 형성된 테이프와 접속한 후, 상기 테이프를 인너 리드와 접속시켜 외부와 전기적으로 연결하고,상기 테이프 위에 제2반도체 칩을 탑재시킨 후, 상기 제2반도체 칩은 금속 와이어를 이용하여 상기 인너 리드와 전기적으로 접속함으로써, 패키지의 용량을 증가시킬 수 있는 멀티 칩 패키지를 제공하는 것을 목적으로 한다.
제1도는 종래 기술에 따른 반도체 패키지를 설명하기 위한 단면도.
제2도는 본 발명에 따른 테이프를 설명하기 위한 도면.
제3도는 본 발명에 따른 멀티 칩 패키지를 설명하기 위한 공정 단면도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
11 : 테이프 12a : 패들
12b : 인너 리드 13 : 제1반도체 칩
14 : 제2반도체 칩 15 : 금속와이어
16 : 패키지 몸체 20 : 기판
21 : 범프
상기와 같은 목적은, 리드 프레임의 패들에 탑재되고 본딩 패드에 범프가 형성된 제1반도체 칩과, 소정 회로가 형성되어 있고 상기 제1반도체 칩의 본딩 패드 상에 형성된 범프에 의해 접속되는 테이프와, 상기 테이프 위에 탑재된 제2반도체 칩과, 상기 제1 및 제2반도체 칩의 외부로의 전기적 신호 경로를 이루기 위한 리드 프레임의 인너 리드와, 상기 제2반도체 칩과 상기 인너리드를 전기적으로 접속하기 위한 금속 와이어, 및 상기 테이프에 전기적으로 접속된 제 1 반도체 칩, 그 위에 탑재된 제 2 반도체 칩 및 인너 리드를 포함하는 일정 면적을 밀봉하고 있는 패키지 몸체를 포함하는 것을 특징으로 하는 본 발명에 따른 멀티 칩 패키지에 의하여 달성된다.
본 발명에 따르면, 하나의 패키지에 2개의 반도체 패키지를 탑재시킴으로써, 메모리의 용량을 증가시킬 수 있다.
[실시예]
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명한다.
도 2는 본발명에 따른 테이프를 설명하기 위한 도면으로써, 테이프(11)는 절연성 및 접착력을 갖는 기판(20)에 반도체 칩의 본딩 패드와 일치되는 소정의 회로가 형성되어 있으며, 상기 테이프(11)의 소정 부분, 즉, 리드 프레임의 인너 리드와 접속되는 부분에는 Au 또는 Pb/Sn과 같은 전도성 물질로 이루어진 범프(21)가 형성된다.
도 3은 본 발명에 따른 멀티 칩 패키지를 설명하기 위한 공정 단면도로써, 먼저, 소정의 회로가 형성된 테이프(11)는 그의 소정 부분에 형성된 범프에 의해 리드 프레임의 인너 리드(12b)와 접속되고, 이어서, 리드 프레임의 패들(12a) 위에 탑재된 제1반도체 칩(13)은 그의 본딩 패드 상에 형성된 범프를 이용하여 상기 테이프(11)와 접속시킨다.
그리고 나서, 상기 테이프(11)의 윗면에 제2반도체 칩(14)을 탑재시킨 후,상기 제2반도체 칩(14)은 그의 본딩 패드와 상기 인너 리드가 금속 와이어에 의해 본딩되어 외부와의 전기적 신호 전달 경로를 형성하게 된다.
마지막으로, 몰딩 컴파운드를 사용하여 상기 결과물의 일정 면적을 밀봉하는 패키지 몸체(16)을 형성한다. 이때, 상기 제1반도체 칩(13)가 탑재된 리드 프레임의 패들(12a)의 밑면은 밀봉되지 않기 때문에 상기 반도체 칩의 동작시 발생되는 열을 패키지의 외부로 신속하게 방출시킬 수 있다.
이상에서와 같이, 본 발명의 멀티 칩 패키지는 하나의 패키지에 하나 이상의 반도체 칩을 내장시키기 때문에 패키지의 메모리 용량을 증가시킬 수 있으며, 또한, 리드 프레임의 패들이 패키지의 외부로 노출되도록 형성함으로써, 반도체 칩의 동작시 발생되는 열을 외부로 신속하게 방출시켜 소자의 특성 저하를 방지할 수 있다.
한편, 여기에서는 본 발명의 특정 실시예에 대하여 설명하고 도시하였지만, 당업자에 의하여 이에 대한 수정과 변형을 할 수 있다. 따라서, 이하, 특허청구의 범위는 본 발명의 진정한 사상과 범위에 속하는 한 모든 수정과 변형을 포함하는 것으로 이해할 수 있다.
Claims (3)
- 리드 프레임의 패들에 탑재되고, 본딩 패드에 범프가 형성된 제1반도체 칩과, 소정 회로가 형성되어 있고, 상기 제1반도체 칩의 본딩 패드 상에 형성된 범프에 의해 접속되는 테이프와, 상기 테이프 위에 탑재된 제2반도체 칩과, 상기 제1 및 제2반도체 칩의 외부로의 전기적 신호 경로를 이루기 위한 리드 프레임의 인너 리드와 상기 제2반도체 칩과 상기 인너 리드를 전기적으로 접속하기 위한 금속 와이어, 및 상기 테이프에 전기적으로 접속된 제1반도체 칩, 그 위에 탑재된 제2반도체 칩 및 인너 리드를 포함하는 일정 면적을 밀봉하고 있는 패키지 몸체를 포함하는 것을 특징으로 하는 멀티 칩 패키지.
- 제1항에 있어서, 상기 인너 리드와 테이프의 접속은 Au 또는 Pb/Sn과 같은 전도성 물질로 형성된 범프를 이용하는 것을 특징으로 하는 멀티 칩 패키지.
- 제1항에 있어서, 상기 패키지 몸체는 몰딩 공정시 패들의 밑면이 외부로 노출되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 멀티 칩 패키지.
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