JPS60110145A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置

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JPS60110145A
JPS60110145A JP58218263A JP21826383A JPS60110145A JP S60110145 A JPS60110145 A JP S60110145A JP 58218263 A JP58218263 A JP 58218263A JP 21826383 A JP21826383 A JP 21826383A JP S60110145 A JPS60110145 A JP S60110145A
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JP
Japan
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metal plate
resin
insulator
leads
semiconductor device
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Pending
Application number
JP58218263A
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English (en)
Inventor
Tomio Okamoto
岡本 富美夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electronics Corp
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は樹脂封止型半導体装置、とくに樹脂封止内部に
熱伝導用金属板が配設された半導体装置の構造に関する
従来例の構成とその問題点 近年、樹脂封止型半導体装置において、半導体素子(以
下チップと称する)で発生する熱を、装置外へ効率よく
放散させうる構造として、第1図の断面図に示すよりな
゛構造がある。チンプ1が載置板(以下ダイパッドと称
する)2に接着され、リード3の内端と金線4で電気的
に接続され、熱伝導促進のだめの金属板5をダイパッド
2の裏面に接するようにして、封止樹脂6で封止されて
いる。金属板5としては、AA’、Cuなどを適当な形
状に成形したものを用いるが、封止樹脂6に比べてはる
かに大きな熱伝導度を有するため、チリブ1で発生する
熱を、効率良く外部へ伝えることができる。この金属板
6の効果は封止樹脂内で大きな体積を占めるほど、また
熱源であるチップに接近するほど顕著になるため、金属
板5の上面とリード3とは非常に接近している。このた
め、樹脂封止の際に、リード3が下方に曲げられたり、
金属板6の水平がくずれたりすると、互いに接触して短
絡につながる事故が発生しやすいという問題点があった
。この問題はリード数が大きくなり、リードの幅が小さ
くなってその機械的強度が乏しくなるにつれて生じやす
くなる。
発明の目的 本発明は上記のような問題点を解消した樹脂封正型半導
体装置を提供することを目的とする。
発明の構成 本発明は、熱伝導促進のために封止樹脂内に埋設された
金属板表面に絶縁物の膜を設けたものであり、これによ
れば、封止の際にリードの曲がりや金属板の傾きを生じ
ても、両者が直接触れることがないため短絡事故を防止
できる。
実施例の説明 本発明の一実施例の断面を第2図に示す。チップ1.ダ
イパッド2.リード3.金線4.金属板5および封止樹
・脂6の材料、構成は従来通りである。熱伝導促進用の
金属板5の材料ならびに形状も従来通りであるが、表面
(リードに対向する面)の一部に、絶縁物7、たとえば
ポリイミド樹脂の膜を設けである。この絶縁物7の厚み
は10〜200μmが適当であり、スクリーン印刷によ
って塗布した後、硬化させる方法、あるいは一定の厚み
のフィルム状もしくはテープ状になったものを接着する
方法によって容易に実現できる。絶縁物7を設ける範囲
としては、かならずしも、すべてのリードの直下にあた
る部分をカバーする必要はなく、リード長が大きいとか
、幅が小さいために、特に変形しやすいようなリードの
直下部分表面に限って設けてもよい。
発明の効果 以上詳しく述べたように、本発明によれば、封止樹脂内
に埋設された金属板の、リードに対面する面に絶縁膜を
設けたことにより、封止の際にリードと金属板の接触に
よる短絡事故が発生せず、高歩留りで信頼性の高い、し
かも放熱特性にすぐれた樹脂封止型半導体装置が得られ
る。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来例装置の断面図、第2図は本発明実施例&
直の断面図である。 1 ・・・半導体素子(チップ)、2 ・−・素子載i
δ板(ダイパッド)、3・・・・リード、4 ・・・金
線、5・・・・金属板、6・・・・封止樹脂、7・・・
絶縁物。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)封止用樹脂構体内に、熱伝導用の金属板が埋設さ
    れ、前記金属板の、少なくともリードフレームに対する
    面の一部に絶縁物が設けられた樹脂封止型半導体装置。
  2. (2)絶縁物がポリイミド樹脂でなる特許請求の範囲第
    1項に記載の樹脂封止型半導体装置。
JP58218263A 1983-11-18 1983-11-18 樹脂封止型半導体装置 Pending JPS60110145A (ja)

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JP58218263A JPS60110145A (ja) 1983-11-18 1983-11-18 樹脂封止型半導体装置

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0838091A4 (ja) * 1995-07-03 1998-05-06
JP2009212269A (ja) * 2008-03-04 2009-09-17 Denso Corp モールドパッケージおよびその製造方法
JP2012028560A (ja) * 2010-07-23 2012-02-09 Mitsubishi Electric Corp コンデンサの冷却構造およびインバータ装置

Cited By (4)

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US8547698B2 (en) 2010-07-23 2013-10-01 Mitsubishi Electric Corporation Cooling structure of capacitor and inverter device

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