JPH0337236Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0337236Y2 JPH0337236Y2 JP11715985U JP11715985U JPH0337236Y2 JP H0337236 Y2 JPH0337236 Y2 JP H0337236Y2 JP 11715985 U JP11715985 U JP 11715985U JP 11715985 U JP11715985 U JP 11715985U JP H0337236 Y2 JPH0337236 Y2 JP H0337236Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- base
- brazing
- semiconductor cooler
- brazing material
- flowing down
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000005219 brazing Methods 0.000 claims description 30
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 21
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 15
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 4
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- QNRATNLHPGXHMA-XZHTYLCXSA-N (r)-(6-ethoxyquinolin-4-yl)-[(2s,4s,5r)-5-ethyl-1-azabicyclo[2.2.2]octan-2-yl]methanol;hydrochloride Chemical compound Cl.C([C@H]([C@H](C1)CC)C2)CN1[C@@H]2[C@H](O)C1=CC=NC2=CC=C(OCC)C=C21 QNRATNLHPGXHMA-XZHTYLCXSA-N 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
Description
【考案の詳細な説明】
産業上の利用分野
この考案は半導体用冷却器のベースに関する。
従来の技術
従来、アルミニウム製の半導体用冷却器として
は、例えば第6図に示すように、半導体取付ベー
ス11に多数の並列状の溝12が設けられ、これ
らの溝12にアルミニウム・ブレージング・シー
トよりなるプレート・フイン13の下縁部が差し
込まれて、ろう付けされたものが知られている。
しかしながら、このような従来の冷却器では、プ
レート・フイン13のろう付けのさい、溶けたろ
う材がベース11の上面より側面を経てベース1
1の下面にまわり込んで付着し、問題が生じた。
すなわちベース11の下面には発熱体であるトラ
ンジスタ、サイリスタ等の半導体を接触させるた
め、該面は平滑である必要があり、上記のような
ろう材のまわり込みによつて、半導体の取付けに
支障が生じるという問題があつた。
は、例えば第6図に示すように、半導体取付ベー
ス11に多数の並列状の溝12が設けられ、これ
らの溝12にアルミニウム・ブレージング・シー
トよりなるプレート・フイン13の下縁部が差し
込まれて、ろう付けされたものが知られている。
しかしながら、このような従来の冷却器では、プ
レート・フイン13のろう付けのさい、溶けたろ
う材がベース11の上面より側面を経てベース1
1の下面にまわり込んで付着し、問題が生じた。
すなわちベース11の下面には発熱体であるトラ
ンジスタ、サイリスタ等の半導体を接触させるた
め、該面は平滑である必要があり、上記のような
ろう材のまわり込みによつて、半導体の取付けに
支障が生じるという問題があつた。
考案の目的
この考案は、上記の従来の問題を解決し、半導
体用冷却器のベースと、プレート・フイン等の放
熱体とをろう付けするさい、溶けたろう材がベー
スの側面から下面にまわり込むようなことがな
く、従つて半導体の取付けを全く支障なく行なう
ことができて、放熱性能のすぐれた半導体用冷却
器を得ることができるベースを提供しようとする
にある。
体用冷却器のベースと、プレート・フイン等の放
熱体とをろう付けするさい、溶けたろう材がベー
スの側面から下面にまわり込むようなことがな
く、従つて半導体の取付けを全く支障なく行なう
ことができて、放熱性能のすぐれた半導体用冷却
器を得ることができるベースを提供しようとする
にある。
考案の構成
この考案は、上記の目的を達成するために、上
面に放熱体がろう付けされるアルミニウム製半導
体用冷却器のベースであつて、周側面のうち所要
の側面に、ろう付けのさいろう材の流下を防止す
る凹溝が設けられている半導体用冷却器のベース
を要旨としている。
面に放熱体がろう付けされるアルミニウム製半導
体用冷却器のベースであつて、周側面のうち所要
の側面に、ろう付けのさいろう材の流下を防止す
る凹溝が設けられている半導体用冷却器のベース
を要旨としている。
実施例
つぎに、この考案の実施例を図面に基づいて説
明する。
明する。
第1図と第2図はこの考案の第1実施例を示す
もので、冷却器はアルミニウム製である。同図に
おいて、1は平らな下面を有する方形の半導体取
付けベースで、トランジスタ、サイリスタ等の半
導体(図示略)はこれの下面に取付けられる。2
はベース1上面に並列状に設けられた溝で、各溝
2にはブレージング・シートよりなるプレート・
フイン(放熱体)3の下縁部が差し込まれてい
る。4はベース1の周側面5のうちプレート・フ
イン3の前後両端に対応する前後両側面5aに水
平状に設けられたろう材流下防止用凹溝である。
もので、冷却器はアルミニウム製である。同図に
おいて、1は平らな下面を有する方形の半導体取
付けベースで、トランジスタ、サイリスタ等の半
導体(図示略)はこれの下面に取付けられる。2
はベース1上面に並列状に設けられた溝で、各溝
2にはブレージング・シートよりなるプレート・
フイン(放熱体)3の下縁部が差し込まれてい
る。4はベース1の周側面5のうちプレート・フ
イン3の前後両端に対応する前後両側面5aに水
平状に設けられたろう材流下防止用凹溝である。
上記半導体用冷却器1のベース1とブレージン
グ・シートよりなるプレート・フイン3とを例え
ば真空ろう付け法によりろうつけすると、第2図
に示すように、各プレート・フイン3表面のろう
材が該フイン3の表面に沿つて流下し、フイン3
とベース1との境界部分に至り、そこで良好なフ
イレツトが形成されるとともに、余剰の溶けたろ
う材はベース1の前後両側面5aに沿つて流下す
る。ところが、これらの側面5aには凹溝4が設
けられていいるため、ろう材はこれらの凹溝4内
に流れ込んで溜まり、従つてベース1下面へのろ
う材の流れ込みを完全に防止することができる。
グ・シートよりなるプレート・フイン3とを例え
ば真空ろう付け法によりろうつけすると、第2図
に示すように、各プレート・フイン3表面のろう
材が該フイン3の表面に沿つて流下し、フイン3
とベース1との境界部分に至り、そこで良好なフ
イレツトが形成されるとともに、余剰の溶けたろ
う材はベース1の前後両側面5aに沿つて流下す
る。ところが、これらの側面5aには凹溝4が設
けられていいるため、ろう材はこれらの凹溝4内
に流れ込んで溜まり、従つてベース1下面へのろ
う材の流れ込みを完全に防止することができる。
第3図は、この考案の第2実施例を示すもので
ある。ここで、上記第1実施例の場合と異なる点
は、ベース1の上面にこれと略同形同大のブレー
ジング・シートよりなる接合板6が載置され、こ
の接合板6の上にアルミニウム押出型材製の多数
の放熱体7が並列状にのせられている点、および
ベース1の周側面5全体をめぐるようにろう材流
下防止用凹溝4が設けられている点にある。な
お、各放熱体7は上下両水平部8と、両者の中央
部の間に設けられた垂直部9と、垂直部9の左右
両側に5個ずつ相互に等間隔をあけて水平状に設
けられたフイン10とによつて構成されている。
隣り合う放熱体7の上下両水平部8とフイン10
の対応する縁部は互いに突き合わせられている。
ある。ここで、上記第1実施例の場合と異なる点
は、ベース1の上面にこれと略同形同大のブレー
ジング・シートよりなる接合板6が載置され、こ
の接合板6の上にアルミニウム押出型材製の多数
の放熱体7が並列状にのせられている点、および
ベース1の周側面5全体をめぐるようにろう材流
下防止用凹溝4が設けられている点にある。な
お、各放熱体7は上下両水平部8と、両者の中央
部の間に設けられた垂直部9と、垂直部9の左右
両側に5個ずつ相互に等間隔をあけて水平状に設
けられたフイン10とによつて構成されている。
隣り合う放熱体7の上下両水平部8とフイン10
の対応する縁部は互いに突き合わせられている。
これらのベース1と、接合板6と、放熱体7と
は、相互に組合わせられたのち、真空ブレージン
グ法により一挙に接合され、各放熱体7の下側水
平部8は接合板6を介してベース1に接合され
る。このろう付けのさい、ろう材がベース1の周
側面5の凹溝4内に流れ込んで溜まるため、ベー
ス1の下面にまわり込むことがないのは、上記第
1実施例の場合と全く同様である。
は、相互に組合わせられたのち、真空ブレージン
グ法により一挙に接合され、各放熱体7の下側水
平部8は接合板6を介してベース1に接合され
る。このろう付けのさい、ろう材がベース1の周
側面5の凹溝4内に流れ込んで溜まるため、ベー
ス1の下面にまわり込むことがないのは、上記第
1実施例の場合と全く同様である。
なお、ベース1の周側面5に設けられるろう材
の流下防止用凹溝4は、上記実施例のように断面
方形でなくてもよく、例えば第4図に示すよう
に、開口部より内部に至るにつれて下方に下がる
勾配がつけられた断面菱形、あるいはまた第5図
に示すような断面半円形であつてもよい。ろう材
流下防止用凹溝4の断面形状およびその大きさは
勿論任意であるが、これはろう付けのさい流下す
る余剰のろう材の量などを勘案して適宜決定せら
れるものである。またろう材流下防止用凹溝4
は、ベース1の周側面5のうち、ろう付けのさい
余剰のろう材が流下する少なくとも一側面5aに
設けられておればよい。
の流下防止用凹溝4は、上記実施例のように断面
方形でなくてもよく、例えば第4図に示すよう
に、開口部より内部に至るにつれて下方に下がる
勾配がつけられた断面菱形、あるいはまた第5図
に示すような断面半円形であつてもよい。ろう材
流下防止用凹溝4の断面形状およびその大きさは
勿論任意であるが、これはろう付けのさい流下す
る余剰のろう材の量などを勘案して適宜決定せら
れるものである。またろう材流下防止用凹溝4
は、ベース1の周側面5のうち、ろう付けのさい
余剰のろう材が流下する少なくとも一側面5aに
設けられておればよい。
考案の効果
この考案による半導体用冷却器のベースは、上
述のように、上面に放熱体3,7がろう付けされ
るアルミニウム製半導体用冷却器のベースであつ
て、周側面5のうち所要の側面5aに、ろう付け
のさいろう材の流下を防止する凹溝4が設けられ
ているものであるから、ベース1に放熱体3,7
をろう付けするさい、溶けた余剰のろう材がベー
ス1の下面にまわり込むのを完全に防止すること
ができ、従つてベース1の下面を常に平滑なもの
となし得て、トランジスタ、サイリスタ等の半導
体の取付けを全く支障なく行なうことができ、放
熱性能のすぐれた半導体用冷却器を得ることがで
きるという効果を奏する。
述のように、上面に放熱体3,7がろう付けされ
るアルミニウム製半導体用冷却器のベースであつ
て、周側面5のうち所要の側面5aに、ろう付け
のさいろう材の流下を防止する凹溝4が設けられ
ているものであるから、ベース1に放熱体3,7
をろう付けするさい、溶けた余剰のろう材がベー
ス1の下面にまわり込むのを完全に防止すること
ができ、従つてベース1の下面を常に平滑なもの
となし得て、トランジスタ、サイリスタ等の半導
体の取付けを全く支障なく行なうことができ、放
熱性能のすぐれた半導体用冷却器を得ることがで
きるという効果を奏する。
第1図はこの考案の第1実施例を示す半導体用
冷却器の部分斜視図、第2図は第1図の冷却器の
部分拡大縦断面図、第3図はこの考案の第2実施
例の半導体用冷却器の部分斜視図、第4図と第5
図はそれぞれこの考案の変形例を示す冷却器の部
分拡大縦断面図、第6図は従来例を示す部分拡大
断面図である。 1……ベース、3……プレート・フイン(放熱
体)、4……ろう材流下防止用凹溝、5……周側
面、6……接合板、7……放熱体。
冷却器の部分斜視図、第2図は第1図の冷却器の
部分拡大縦断面図、第3図はこの考案の第2実施
例の半導体用冷却器の部分斜視図、第4図と第5
図はそれぞれこの考案の変形例を示す冷却器の部
分拡大縦断面図、第6図は従来例を示す部分拡大
断面図である。 1……ベース、3……プレート・フイン(放熱
体)、4……ろう材流下防止用凹溝、5……周側
面、6……接合板、7……放熱体。
Claims (1)
- 上面に放熱体3,7がろう付けされるアルミニ
ウム製半導体用冷却器のベースであつて、周側面
5のうち所要の側面5aに、ろう付けのさいろう
材の流下を防止する凹溝4が設けられている半導
体用冷却器のベース。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11715985U JPH0337236Y2 (ja) | 1985-07-30 | 1985-07-30 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11715985U JPH0337236Y2 (ja) | 1985-07-30 | 1985-07-30 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS6226043U JPS6226043U (ja) | 1987-02-17 |
JPH0337236Y2 true JPH0337236Y2 (ja) | 1991-08-07 |
Family
ID=31002416
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP11715985U Expired JPH0337236Y2 (ja) | 1985-07-30 | 1985-07-30 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0337236Y2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6576182B2 (ja) * | 2015-09-17 | 2019-09-18 | 株式会社日立国際電気 | 放熱器の製造方法 |
-
1985
- 1985-07-30 JP JP11715985U patent/JPH0337236Y2/ja not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS6226043U (ja) | 1987-02-17 |
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