JPH03259914A - 半導体封止用樹脂組成物および該組成物を用いた半導体装置 - Google Patents

半導体封止用樹脂組成物および該組成物を用いた半導体装置

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JPH03259914A
JPH03259914A JP2059705A JP5970590A JPH03259914A JP H03259914 A JPH03259914 A JP H03259914A JP 2059705 A JP2059705 A JP 2059705A JP 5970590 A JP5970590 A JP 5970590A JP H03259914 A JPH03259914 A JP H03259914A
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小角　博義
Masaji Ogata
正次 尾形
Masanori Segawa
正則 瀬川
Hiroyuki Hozoji
裕之 宝蔵寺
Akio Nishikawa
西川　昭夫
Fumio Sato
文夫 佐藤
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Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、高純度ポリエーテルイミド化合物を含む組成
物で被覆または封止した半導体装置および該封止樹脂組
成物に関する。
［従来の技術］ 電子装置や電気機器等の絶縁、接着、パッケージ等の構
造材料としては、目的に応じてフェノール樹脂、不飽和
ポリエステル樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポ
リイミド樹脂などの熱硬化性樹脂、あるいはナイロン、
ポリアセタール、ポリカーボネート、ポリエステル、ポ
リスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリアミドイミド
、フッ素樹脂などの熱可塑性樹脂が用いられている。
しかし、高度な信頼性が要求される樹脂封止型半導体装
置や多層プリント回路板を例にとると、使用されている
樹脂は、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹
脂がほとんどである。
特に、トランジスタ、ＩＣ，ＬＳＩ、ＶＬＳＩ等の半導
体製品の８０％以上がエポキシ樹脂を主流とする熱硬化
性樹脂を用いてトランスファ成形した樹脂封止型である
。
上記半導体製品の半導体チップは、年々その集積度が向
上し、それに伴ってチップサイズの大型化、配線の微細
化並びに多層化等が進んでいる。
上記に伴い、半導体チップの表面は繊細になり、パッケ
ージの樹脂層は次第に薄肉化している。
また、該パッケージは、ビン挿入型から表面実装型への
移行に伴い、実装時にこれまでよりも高温（２００℃以
上）に曝されるようになってきている。そのため、半導
体装置を構成する樹脂層。
半導体チップ、フレーム等がその熱膨張係数の遠いによ
って発生する熱応力はさらに大きくなり、封止樹脂、半
導体チップあるいはパッシベーション膜のクラックの発
生、半導体チップ表面の配線の短絡、切断、位置ずれ等
が生じ易くなり、問題となっている。
［発明が解決しようとする課題］ こうした情勢下で、耐熱性が優れ、熱膨張係数が小さい
樹脂としてポリイミドが注目され、各種提案されている
（特許第１４０４５６４号、特開平王−１２６３２１号
）。しかし、従来のイミド系樹脂組成物は成形時におけ
る成形金型との離型性が悪く、そのため実用化のネック
となっている。
本発明の目的は、半導体装置に使用される樹脂の成形性
、接着性、電気特性、耐湿性、耐熱性等が良好で、かつ
金型離型性の優れた半導体素子封止用樹脂組成物および
該樹脂で封止された半導体装置を提供することにある。
［課題を解決するための手段］ 本発明者らは、ポリイミド系化合物を含む樹脂組成物の
成形性、離型性、硬化性を検討し本発明に到達した。本
発明の要旨は、 （ａ）一般式〔Ｉ〕 〔式中、Ｒ１〜Ｒ’、　Ｒ’およびＲ８は水素、低級ア
ルキル基、低級アルコキシ基、低級フルオロアルキル基
、塩素または臭素であり互いに同じであっても異なって
いてもよい。Ｒ５およびＲ’は水素、メチル基、エチル
基、トリフルオロメチル基またはトリクロロメチル基で
あり互いに同じであっても異なっていてもよい。Ｄはエ
チレン性不飽和二重結合を有するジカルボン酸残基〕で
表されるエーテルイミド系化合物が、その１０倍量の１
２０℃の熱水で１００時間以上抽出した抽出液の電気伝
導度が３００μｓ　／　ｃｍ以下ｖＰＨが　１．５〜７
であるエーテルイミド系化合物、および （ｂ）エポキシ樹脂 を含む半導体封止用樹脂組成物および該樹脂組酸物を用
いた半導体装置にある。
前記一般式ＣＩ）で示されるエーテルイミド系化合物と
しては、例えば、２，２−ビス［４−（４−マレイミド
フェノキシ）フェニル〕プロパン、２゜２−ビス〔３−
メチル−４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕
プロパン、２，２−ビス〔３−ブロム−４−（４−マレ
イミドフェノキシ）フェニル〕プロパン、　２，２−ビ
ス〔３−エチル−４−（４−マレイミドフェノキシ）フ
ェニル〕プロパン、　２゜２−ビス〔３−プロピル−４
−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕プロパン、
２，２−ビス〔３−イソプロピル−４−（４−マレイミ
ドフェノキシ）フェニル〕プロパン、　２，２−ビス〔
３−ブチル−４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニ
ル〕プロパン、　２，２−ビス［３−ｓｅｅ−ブチル−
４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル］プロパン
、２゜２−ビス〔３−メトキシ−４−（４−マレイミド
フェノキシ）フェニル〕プロパン、王、１−ビス〔４−
（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕エタン、１．
１−ビス〔３−メチル−４−（４−マレイミドフェノキ
シ）フェニル〕エタン、１，１−ビス〔３−クロロ−４
−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕エタン、１
．１−ビス〔３−ブロモ−４−（４−マレイミドフェノ
キシ）フェニル〕エタン、　ビス［４−（４−マレイミ
ドフェノキシ）フェニルコメタン、ビス〔３−メチル−
４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニルコメタン、
　ビス〔３−クロロ−４−（４−マレイミドフェノキシ
）フェニルコメタン、ビス〔３−ブロモ−４−（４−マ
レイミドフェノキシ）フェニルコメタン、　１，１，１
，３，３．３−へキサクロロ−２，２−ビス［４−（４
−マレイミドフェノキシ）フェニル〕プロパン、３，３
−ビス〔４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕
ペンタン、１．１−ビス（４−（４−マレイミドフェノ
キシ）フェニル〕プロパン、１，１，１，３，３，３−
ヘキサフルオロ−２，２−ビス〔３，５−ジブロモ−４
−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕プロパン、
ｌ。
１．１，３，３，３−へキサフルオロ−２，２−ビス〔
３−メチル−４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニ
ル〕プロパンなどがある。
上記のエーテルイミド系化合物は、例えば２゜２−ビス
（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル〕プロパンと
無水マレイン酸とを反応させることによって前記一般式
（Ｉ）で示される　２，２−ビス（４−（４−マレイミ
ドフェノキシ）フェニル〕プロパンが得られる。しかし
、単に反応させただけでは、本発明が目的とする金型の
離型性の優れた樹脂を得ることができない。
金型の離型性の優れたエーテルイミド化合物を得るため
には、得られた反応生成物の純度が問題である。高純度
化の一例として、後述の実施例で説明するように、反応
生成物をアセトン等の溶剤に溶解し、これにヘキサンを
加えて再沈２分離する操作をくり返して精製することに
よって得ることができる。
精製度としては、合成されたエーテルイミド系化合物を
、その１０倍量（重量比）の１２０℃の熱水で１００時
間以上抽出した抽出液の電気伝導度が３００　ｐ　ｓ　
／　ｃ　ｍ以下、ｐａが１．５〜７であることが必要で
ある。
次に、前記エポキシ樹脂としては、１分子内に２個以上
のエポキシ基を含むもので、例えば、ビスフェノールＡ
のジグリシジルエーテル、ブタジエンジエボキサイド、
　３，４−エポキシシクロヘキシルメチル−（３，４−
エポキシ）シクロヘキサンカルボキシレート、ビニルシ
クロヘキサンジオキサイド、　４，４゛−ジ（１，２−
エポキシエチル）ジフェニルエーテル、４，４′−ジ（
１，２−エポキシエチル）ジフェニル、２，２−ビス（
３，４−エポキシシクロヘキシル）プロパン、　レゾル
シンのジグリシジルエーテル、フロログルシンのジグリ
シジルエーテル、メチルフロログルシンのジグリシジル
エーテル、ビス（２，３−エポキシシクロペンチル）エ
ーテル、２−（３，４−エポキシ）シクロヘキサン−５
，５−スピロ（３，４−エポキシ）−シクロヘキサン−
ｍ−ジオキサン、ビス（３，４−エポキシ−６−メチル
シクロヘキシル）アジペート、Ｎ、Ｎ’−ｍ−フェニレ
ンビス（４，５−エポキシ−１，２−シクロヘキサン）
ジカルボキシイミド等の２官能工ポキシ化合物、パラア
ミノフェノールのトリグリシジルエーテル、ポリアリル
グリシジルエーテル、１，３．５−トリ（１，２−エポ
キシエチル）ベンゼン、２，２．’４．４’−テトラグ
リシドキシベンゾフェノン、フェノールホルムアルデヒ
ドノボラックのポリグリシジルエーテル、グリセリンの
トリグリシジルエーテル、トリメチロールプロパンのト
リグリシジルエーテルなどの３官能以上のエポキシ化合
物がある。
本発明において、エーテルイミド系化合物とエポキシ樹
脂の配合比としては、前者を２０〜８０重量％とするの
がよい。
また、フェノール樹脂の配合は、金型離型性の他に硬化
性を改善することができる。該フェノール樹脂としては
、レゾール型、ノボラック型のいずれも使用することが
できるが、レゾール型フェノール樹脂が好ましい。
レゾール型フェノール樹脂は、フェノール、クレゾール
、ビスフェノールＡ等のフェノール類ととアルデヒド類
をアミンまたはアルカリ触媒や有機金属塩等の存在下で
縮合反応させることによって合成されるものである。例
えば、前記−数式［１１）または〔■〕で示される化学
構造のものが好ましい。
なお、樹脂の硬化性、流動性から分子量は数平均分子量
で４００〜３０００が望ましい。
また、ノボラック型フェノール樹脂は、フェノール、ク
レゾール、キシレノール等のフェノール類とホルムアル
デヒドとを、パラトルエンスルホン酸、塩酸、過塩素酸
、蓚酸等の酸性触媒の存在下で反応することにより得ら
れる。基本的には一般式（ＩＶ）で示される化学構造を
有するものである。
（式中、Ｒ”は−Ｈ，−ＣＨ３、ｎは１以上の整数を示
す）。
なお、樹脂の硬化性、流動性から分子量は数平均分子量
４００〜３０００が望ましい。
反応後、未反応の原料やイオン性の不純物を含まない高
純度フェノール樹脂が望ましい。これは、得られた縮合
物を−たん有機溶剤に溶解し、更にこの溶液に多量の純
水を加えて激しく撹拌し、静置後、上澄液を除去すると
云う洗浄処理を繰返すことによって、高純度フェノール
樹脂を得ることができる。
純度の目安は、該樹脂を１０倍量（重量）の１２０、℃
の熱水で１００時間以上加熱抽出した抽出液の電気伝導
度が１００μＳ　／　ｃ　ｍ以下、ｐＨが　１．５〜７
、ハロゲンイオン、アンモニウムイオンまたは金属イオ
ン量がそれぞれ１０ｐｐｍ以下が特によい。
該フェノール樹脂の配合量は２０重量％以下が望ましい
。
本発明の樹脂組成物は、短時間の加熱によって硬化させ
る目的で、硬化触媒を添加するのがよい。
該触媒としては、パラクロロベンゾイルパーオキサイド
、メチルエチルケトンパーオキサイド、シクロヘキサノ
ンパーオキサイド、ビス（ｌ−ヒドロキシシクロへキシ
ルパーオキサイド）、ヒドロキシヘプチルパーオキサイ
ド、クメンハイドロパーオキサイド、ジクミルパーオキ
サイド、２゜５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパ
ーオキサイド）、１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキサ
イド）３．３−トリメチルシクロヘキサノン、ｔ−ブチ
ルパーベンゾエート等の有機過酸化物が有効である。ま
た、２−フェニル−４−ベンジル−５−ヒドロキシメチ
ルイミダゾール、２−フェニル−４゜５−ジヒドロキシ
メチルイミダゾール、２−メチルイミダゾール等のイミ
ダゾール系硬化触媒、さらにはトリフェニルホスフィン
、ジフェニルホスフィン等のホスフィン系硬化触媒およ
びｌ、８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデンセン
、テトラフェニルホスホニウム、テトラフェニルボレー
ト等の硬化促進剤を用いることができる。
また、前記組成物には、必要に応じ硬化物の強靭化や低
弾性率化のための可どう化剤、カップリング剤、染料や
顔料、金型からの離型性をさらに改善するための離型剤
等の各種添加剤を、本発明の目的を損なわない範囲内に
おいて併用することができる。
更にまた、無機質充填材を配合することができる。無機
質充填材は硬化物の熱膨張係数や熱伝導率、弾性率等の
改良を目的として添加するもので、組成物全体に対して
５５〜８０容量％の範囲で用いるのがよい。５５容量％
未満では上記の特性を充分改良することができず、また
、８０容量％を超えると樹脂組成物の粘度を著しく高め
るので目的、用途に応じて配合するのがよい。
無機質充填材としては種々のものが挙げられるが、電子
部品用としては、特に熱的、化学的に安定な充填材を用
いることが重要である。具体的には、溶融シリカ、結晶
性シリカ、アルミナ等が望ましい。最近、工業的に量産
されるようになった球状の溶融シリカは、それ自体の熱
膨張係数が小さい上に、樹脂に混合した場合、該組成物
の粘度上昇や流動性低下が少ないので有用である。
なお、前記充填材の平均粒径は１〜３０μｍが望ましい
。これは、１μｍ未満であると樹脂組成物の粘度を上昇
させて流動性を著しく低下させる。
また、３０μｍを超えると成形時に樹脂と充填材が分離
し易く、硬化物内に不均一層が形成されるので、硬化物
の特性がばらつき、また、狭い隙間への充填性を悪くす
るなどの弊害があるので好ましくない。
［作用］ 本発明の樹脂組成物が金型との離型性が改善される理由
は明らかでないが、エーテルイミド系化合物の合成時の
未反応物質等の不純物が除去されたことによるものと考
える。
［実施例］ 実施例により本発明を具体的に説明する。
〔エーテルイミド化合物の合成〕
２．２−ビス（４−（４−アミノフェノキシ）フェニル
〕プロパン２００ｇをアセトン２Ｑに溶解し、これに無
水マレイン酸１００ｇ加え２〜５℃で２時間撹拌した後
、無水酢酸１００ｇ、酢酸カリウム０．５ｇを加え、さ
らに２時間撹拌を続は反応させた。
これに水を加えて反応精製物を析出させ、ろ過。
水洗を３回行った後、反応物を乾燥して未精製のエーテ
ルイミド系化合物を得た。
上記の未精製のエーテルイミド系化合物１００ｇをアセ
トン１００　ｍ　Ｑに溶解し、これにヘキサン１Ｑを加
えてエーテルイミド系化合物を再沈させ、ろ過して沈殿
物を分離し、得られた固形物を再度アセトン１００　ｍ
　Ｎに溶解し、ヘキサンＩＱを加えて再沈させた。
上記の操作を２回と５回行った純度（精製度）が異なる
２種のエーテルイミド化合物を得た。
こうして得たエーテルイミド系化合物の純度を高速液体
クロマトグラフィで成分分析を行ったところ、エーテル
イミド系化合物の含有量が未精製品８８％、２回精製品
９３％、５回精製品９７％であった。
〔実施例１〜３〕および〔比較例１，２〕第１表に示す
配合比の組成物を表面温度８０℃の２軸ロールで混線し
成形材料を調製した。
次に、該成形材料の成形性を調べるために、トランスフ
ァ成形機を用いて、金型温度１８０℃、成形圧カフ０ｋ
ｇ／ｃｍ２、成形時間９０秒でスパイラルフロー、加熱
硬化性、離型性の評価を行った・ なお、ノボラック型エポキシ樹脂としてエポキシ当量２
２５（チバ社製）、ノボラック型フェノール樹脂として
フェノール当量１０６ｇ／ｅｑ（軟化温度８５℃；日本
化薬社製）、溶融シリカ平均粒径６μｍ（龍森社製）を
用いた。
スパイラルフローはＥＭＭＩ−１−６６に準じて行い、
これを流動性の目安とした。加熱硬化性は直径５０　ｍ
　ｍ　Ｘ厚さ２ｍｍの円板状試料を成形し、型より取り
出した直後の成形品の硬さ（熱時硬度）をバコール硬度
系（Ｎｏ、９３５）を用いて測定した。
また、本発明の目的である離型性は、金型と同一材質お
よび同一表面状態の厚さ２　ｍ　ｍの金属板上に、直径
５０ｍｍＸ厚さ２　ｍ　ｍの円板状に前記組成物を形威
し、形成直後の前記金属板と成形品の剪断接着力を測定
し比較した。結果を第１表に示す。
表から明らかなように、前記精製エーテルイミド系化合
物を用いた組成物は、金型との離型性が極めて良好なこ
とが分かる。
〔実施例４〜８〕 第２表に示す組成物を調製した。
ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂としてエピコート１０
０工、エポキシ当量４７５（シェル社製）レゾール型フ
ェノール樹脂としてジメチレンエーテル型レゾール樹脂
、軟化温度７３℃、数平均分子量７１０を用いた。
なお、混線条件、成形条件は実施例１と同じである。ま
た、ガラス転移温度および線膨張係数の測定は熱物理試
験機ＴＭＡ−１５００（真空理工社製）を、曲げ強さは
オートグラフＤＳＳ−５００（島津製作所製）を用いス
パン長８０ｍｍで行った。体積抵抗率はＴＰ−２１００
型材料特性自動計測システム（安ｍ電気社製）を用いて
測定した。結果を第２表に示す。
〔比較例３〜５〕 エーテルイミド系化合物として比較例３，４には精製（
再沈２回）したものを、また、比較例５には未精製のも
のを用い実施例２と同様に、成形品の諸特性を測定した
。結果を第２表に示す。
また、前記の実施例および比較例の組成物を用いて、６
ｍｍＸ８ｍｍ角の試験用半導体素子をトランスファ成形
し、該樹脂封止型半導体素子の耐熱性、耐湿性および耐
リフロー性の信頼性を評価した。結果を第３表に示す。
なお、前記試験用半導体装置は、゛表面にアルミニウム
配線をジグザグに形成したシリコンチップを、銅系のリ
ードフレームに搭載し、更にチップ表面のアルミニウム
電極とリードフレーム間を金線（直径３０μｍ）で接続
し、前記樹脂組成物で封止したものである。
第３表より、本発明の樹脂組成物を用いたものは、耐湿
信頼性、耐熱性、実装（リフロー）時のパッケージの耐
クラツク性が、極めて優れていることが分かる。
第 ５ 表 ［実施例９〜１３］ 第４表に示す組成物を用いて前記試験用半導体素子を封
止し信頼性評価試験を行った。なお、エーテルイミド系
化合物は、いずれも前記と同様に５回の精製処理を施し
たものを用いた。結果を第５表および第６表に示す。
次に、本発明の樹脂組成物を電子装置に用いた例につい
て、図面を用いて具体的に説明する。
第１図は、本発明のプレーナ型トランジスタの構造を示
す断面図である。
シリコンの半導体基板１の表面層にｐｎｐ型のトランジ
スタが形成されている。該基板ｌの表面に形成したエミ
ッタ、ベース、コレクタ間の絶縁には二酸化珪素膜２が
形成され、さらにベース電極３、エミッタ電極４がアル
ミニウム蒸着膜により形成されている。該基板１をタブ
リード７の先端に固定し、金（またはアルミニウム）の
ワイヤ５によりボンディングし、アンダーコート６用樹
脂で被覆保護した素子を、タブリード７の先端部も含め
て本発明の樹脂８によりトランスファモ−ルドした。
第２図は、集積回路を有する半導体装置の構造を示す断
面図である。
半導体集積回路１１はセラミックから成るパッケージ１
５上に固定され、集積回路１１の周囲に設けられたポン
ディングパッド１４とパッケージの外部接続リード端子
１２とはボンディングワイヤ１３で接続されている。上
記集積回路１１、ボンディングワイヤエ３、外部接続リ
ード端子１２並びにポンディングパッド１４を耐湿性ポ
リイミドでアンダーコト９して、更にその上を本発明の
樹脂８で封止した。
第３図は半導体メモリー素子の構造を示す断面斜視図で
ある。
シリコンチップから成るメモリー素子７１がチップ支持
体７２に固着され、外部リード７３とメモリー素子７１
の電極パッド７７とはボンディングワイヤ７４で接続さ
れている。上記メモリー素子の表面はウラン、トリウム
の含有量が１ｐｐｂ以下である樹脂組成物からなるα線
遮蔽層７６を設けた。これを本発明の樹脂８でトランス
ファモールドした。
前記本発明の樹脂組成物を用いた半導体装置は、いずれ
も金型離型性がよいので製造工程における不良品の発生
率を格段に低下することができ、かつ、優れた耐熱性、
耐湿性を示す。
〔発明の効果〕 本発明の樹脂組成物は、優れた耐熱性、耐湿性を示し、
かつ、金型離型性がよいので製造時の歩留りを高めるこ
とができる。
また、該組成物を用いた半導体装置は、耐熱性。
耐湿性に優れている。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明のプレーナ型トランジスタの構造を示す
断面図、第２図は集積回路を有する半導体装置の構造を
示す断面図、第３図は半導体メモリー素子の断面斜視図
である。 １．１１．７１・・・シリコンの半導体素子基板、２・
・・二酸化珪素膜、３・・・ベース電極、４・・・エミ
ッタ電極、５，１３．７４・・・ワイヤ、６，９・・ア
ンダーコート、７・・・タブリード、８・・樹脂、１２
・・・外部接続リード端子、１４．７７・・・ポンプイ
ングツｆッド、１５・・・セラミックパッケージ。 第１図 第２図 ３

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １、（ａ）一般式〔 I 〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔 I 〕 〔式中、Ｒ＾１〜Ｒ＾４、Ｒ＾７およびＲ＾５は水素、
    低級アルキル基、低級アルコキシ基、低級フルオロアル
    キル基、塩素または臭素であり互いに同じであっても異
    なっていてもよい。Ｒ＾５およびＲ＾６は水素、メチル
    基、エチル基、トリフルオロメチル基またはトリクロロ
    メチル基であり互いに同じであっても異なっていてもよ
    い。Ｄはエチレン性不飽和二重結合を有するジカルボン
    酸残基〕で表されるエーテルイミド系化合物が、その１
    ０倍量の１２０℃の熱水で１００時間以上抽出した抽出
    液の電気伝導度が３００μｓ／ｃｍ以下、ｐＨが１．５
    〜７であるエーテルイミド系化合物、および （ｂ）エポキシ樹脂 を含むことを特徴とする半導体封止用樹脂組成物。 ２、（ａ）前記一般式（ I ） 〔式中、Ｒ＾１〜Ｒ＾４、Ｒ＾７およびＲ＾５は水素、
    低級アルキル基、低級アルコキシ基、低級フルオロアル
    キル基、塩素または臭素であり互いに同じであっても異
    なっていてもよい。Ｒ＾５およびＲ＾６は水素、メチル
    基、エチル基、トリフルオロメチル基またはトリクロロ
    メチル基であり互いに同じであっても異なっていてもよ
    い。Ｄはエチレン性不飽和二重結合を有するジカルボン
    酸残基〕で表されるエーテルイミド系化合物が、その１
    ０倍量の１２０℃の熱水で１００時間以上抽出した抽出
    液の電気伝導度が３００μｓ／ｃｍ以下、ｐＨが１．５
    〜７であるエーテルイミド系化合物、 （ｂ）エポキシ樹脂、および （ｃ）フェノール樹脂 を含むことを特徴とする半導体封止用樹脂組成物。 ３、前記フェノール樹脂が一般式〔II〕または〔III〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔II〕 ▲数式、化学式、表等があります▼〔III〕 〔式中、Ｒ＾９はＨ、−ＣＨ＿２ＯＨを、Ｒ＾１＾０は
    −ＣＨ＿２−または−ＣＨ＿２−Ｏ−ＣＨ＿２−を、Ｒ
    ＾１＾１は−ＣＨ＿２−、−Ｃ（ＣＨ＿３）＿２−また
    は−ＳＯ＿２−を示し、それぞれ同じであっても異なっ
    ていてもよい。ｎは１以上の整数を示す。〕で表わされ
    ることを特徴とする請求項第２項記載の半導体封止用樹
    脂組成物。 ４、（ａ）前記一般式〔 I 〕 〔但し、式中Ｒ＾１〜Ｒ＾４、Ｒ＾７およびＲ＾５は水
    素、低級アルキル基、低級アルコキシ基、低級フルオロ
    アルキル基、塩素または臭素であり互いに同じであって
    も異なっていてもよい。Ｒ＾５およびＲ＾６は水素、メ
    チル基、エチル基、トリフルオロメチル基またはトリク
    ロロメチル基であり互いに同じであっても異なっていて
    もよい。Ｄはエチレン性不飽和二重結合を有するジカル
    ボン酸残基〕で表される純度９５％以上のエーテルイミ
    ド系化合物および （ｂ）エポキシ樹脂 を含むことを特徴とする半導体封止用樹脂組成物。 ５、（ａ）前記一般式〔 I 〕 〔但し、式中Ｒ＾１〜Ｒ＾４、Ｒ＾７およびＲ＾５は水
    素、低級アルキル基、低級アルコキシ基、低級フルオロ
    アルキル基、塩素または臭素であり互いに同じであって
    も異なっていてもよい。Ｒ＾５およびＲ＾６は水素、メ
    チル基、エチル基、トリフルオロメチル基またはトリク
    ロロメチル基であり互いに同じであっても異なっていて
    もよい。Ｄはエチレン性不飽和二重結合を有するジカル
    ボン酸残基〕で表されるエーテルイミド系化合物が、そ
    の１０倍量の１２０℃の熱水で１００時間以上抽出した
    抽出液の電気伝導度が３００μｓ／ｃｍ以下、ｐＨが１
    ．５〜７であるエーテルイミド系化合物、および （ｂ）エポキシ樹脂 を含む樹脂組成物により、半導体素子の少なくとも一部
    が被覆または／および封止されていることを特徴とする
    半導体装置。 ６、（ａ）前記一般式（ I ） 〔式中、Ｒ＾１〜Ｒ＾４、Ｒ＾７およびＲ＾５は水素、
    低級アルキル基、低級アルコキシ基、低級フルオロアル
    キル基、塩素または臭素であり互いに同じであっても異
    なっていてもよい。Ｒ＾５およびＲ＾６は水素、メチル
    基、エチル基、トリフルオロメチル基またはトリクロロ
    メチル基であり互いに同じであっても異なっていてもよ
    い。Ｄはエチレン性不飽和二重結合を有するジカルボン
    酸残基〕で表されるエーテルイミド系化合物が、その１
    ０倍量の１２０℃の熱水で１００時間以上抽出した抽出
    液の電気伝導度が３００μｓ／ｃｍ以下、ｐＨが１．５
    〜７であるエーテルイミド系化合物、 （ｂ）エポキシ樹脂、および （ｃ）フェノール樹脂 を含む樹脂組成物により、半導体素子の少なくとも一部
    が被覆または／および封止されていることを特徴とする
    半導体装置。 ７、前記フェノール樹脂が一般式〔II〕または〔III〕 〔式中、Ｒ＾９はＨ、−ＣＨ＿２ＯＨを、Ｒ＾１＾０は
    −ＣＨ＿２−または−ＣＨ＿２−Ｏ−ＣＨ＿２−を、Ｒ
    ＾１＾１は−ＣＨ＿２−、−Ｃ（ＣＨ＿３）＿２−また
    は−ＳＯ＿２−を示し、それぞれ同じであっても異なっ
    ていてもよい。ｎは１以上の整数を示す。〕で表わされ
    ることを特徴とする請求項第６項記載の半導体装置。
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