JPH0323995A - Icメモリカード - Google Patents
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- JPH0323995A JPH0323995A JP1157828A JP15782889A JPH0323995A JP H0323995 A JPH0323995 A JP H0323995A JP 1157828 A JP1157828 A JP 1157828A JP 15782889 A JP15782889 A JP 15782889A JP H0323995 A JPH0323995 A JP H0323995A
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- memory lsi
- memory
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、メモリLSIチップを多数個内蔵したICメ
モリカードに関する。
モリカードに関する。
従来の技術
ICメモリカードは、RAM ,ROM等のメモリL
S Iを内蔵した携帯型情報記憶装置として多方面で利
用されている。近年その用途の拡大に伴ない記憶容量の
大きい、すなわち大容量のICメモリカードが要望され
るようになってきた。そして、大容量のICメモリカー
ドにち・いては、多数個のメモリL S Iを、一定面
積のプリン1一配線板に高密度に実装しなければならな
い。
S Iを内蔵した携帯型情報記憶装置として多方面で利
用されている。近年その用途の拡大に伴ない記憶容量の
大きい、すなわち大容量のICメモリカードが要望され
るようになってきた。そして、大容量のICメモリカー
ドにち・いては、多数個のメモリL S Iを、一定面
積のプリン1一配線板に高密度に実装しなければならな
い。
ところで、メモリ L S Iの高密度な実装方法とし
ては、メモリ L S Iのベアチノプの電極に、いわ
ゆるフィルムキャリア方式で導体リードを接合し、前記
メモリLSIチノプをプリン1〜配線板に平面的に並べ
て実装する方法が効果的とされていた。
ては、メモリ L S Iのベアチノプの電極に、いわ
ゆるフィルムキャリア方式で導体リードを接合し、前記
メモリLSIチノプをプリン1〜配線板に平面的に並べ
て実装する方法が効果的とされていた。
た。
3 ペ−ノ
以下図面を参照しながらフィルムキャリア方式により、
多数のメモリ L S Iをプリント配線板に実装した
従来のICメモリカードの構造について説明する。
多数のメモリ L S Iをプリント配線板に実装した
従来のICメモリカードの構造について説明する。
第6図は従来のICメモリカードを示す断面図である。
第6図に』夕いて、31はケースで、プリント配線板3
2を収納している。プリント配線板32には導体配線3
3が形或されている。34,34′はメモリLSIチノ
プで、プリント配線板32に平面的に配置されている。
2を収納している。プリント配線板32には導体配線3
3が形或されている。34,34′はメモリLSIチノ
プで、プリント配線板32に平面的に配置されている。
メモリ L S Iチソプ34の電極35には、フイノ
レムキャリア方式により金属突起36を介して導体リー
ド37の一端部3了aが接合されている。導体リード3
7の他端部37.bぱ、プリント配線板32の導体配線
33に接合されている。このようにベアチップを使用し
ているので、プリント配線板でのメモリLSIの占有面
積は比較的小さいものである。
レムキャリア方式により金属突起36を介して導体リー
ド37の一端部3了aが接合されている。導体リード3
7の他端部37.bぱ、プリント配線板32の導体配線
33に接合されている。このようにベアチップを使用し
ているので、プリント配線板でのメモリLSIの占有面
積は比較的小さいものである。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記従来の構戎では、メモ+JLSIチノ
ブがプリント配線板に平面的に配置されているので、メ
モリ L S Iチップの数が多くなると、その占有面
積も拡大する。従って一定の面積を有するプリント配線
板に対し、実装できるメモリLSIチップの数には自ず
と限界があった。1た、メモリI,SIテップの数が増
えると、メモリLSIチップの電極に接合された導体リ
ード間を接続する、プリント配線板の導体配線の距離が
長くなり、従って配線スペースが増えるので、ブリンl
・配線板がコスト高になるとともに、信号の伝達速度も
遅〈なるという課題があった。
ブがプリント配線板に平面的に配置されているので、メ
モリ L S Iチップの数が多くなると、その占有面
積も拡大する。従って一定の面積を有するプリント配線
板に対し、実装できるメモリLSIチップの数には自ず
と限界があった。1た、メモリI,SIテップの数が増
えると、メモリLSIチップの電極に接合された導体リ
ード間を接続する、プリント配線板の導体配線の距離が
長くなり、従って配線スペースが増えるので、ブリンl
・配線板がコスト高になるとともに、信号の伝達速度も
遅〈なるという課題があった。
本発明は、上記従来の課題を解決するもので、一定の面
積を有するプリント配線板に、多数のメモリL S I
チップを搭載して大容量化を実現し、1た配線スペース
を減少して、プリント配線板のコス1・ダウンを図り、
信号伝達の高速化をも実現できるICメモリカードを提
供するとともに、積層したメモリ L S Iチップ間
の絶縁性を確保し、信頼性を高めることを目的としてい
る。
積を有するプリント配線板に、多数のメモリL S I
チップを搭載して大容量化を実現し、1た配線スペース
を減少して、プリント配線板のコス1・ダウンを図り、
信号伝達の高速化をも実現できるICメモリカードを提
供するとともに、積層したメモリ L S Iチップ間
の絶縁性を確保し、信頼性を高めることを目的としてい
る。
課題を解決するための手段
この目的を達或するために本発明のICメモリ5ベーノ
カードは、電極にフィルムキャリア方式によってインナ
リードが接合されたメモリLSIチップが、プリント配
紳板に複数個積層され、チップの共通電極に接続してい
るアウタリードが積層順に重ね合わされて、プリント配
線板の導体配線に接合された構成である。そして、アウ
タリードは、絶縁フィルムの端部からチップの積層段ご
とに、異なった形状に折わ曲げ成型されてあ・り、1た
積層された隣接する上下のメモI) L S Iチップ
間の距離を、0.04ff7’l以上0.5 mW以下
とし、このチップ間に絶縁材を挿入した構戊である。
リードが接合されたメモリLSIチップが、プリント配
紳板に複数個積層され、チップの共通電極に接続してい
るアウタリードが積層順に重ね合わされて、プリント配
線板の導体配線に接合された構成である。そして、アウ
タリードは、絶縁フィルムの端部からチップの積層段ご
とに、異なった形状に折わ曲げ成型されてあ・り、1た
積層された隣接する上下のメモI) L S Iチップ
間の距離を、0.04ff7’l以上0.5 mW以下
とし、このチップ間に絶縁材を挿入した構戊である。
作用
との構成によって、メモリLSIチップの占有面積が大
巾に縮小されるので、限られた面積のプリント配線板に
多数のメモリ L S Iチソプを搭載できるとともに
、積層した各チノプ間の共通電極のアウタ!J − F
同志を直接接合しているので、配線スペースが減少し、
プリン1一配線板のコス1・ダウンと信号伝達の高速化
を実現できる。さらに、積層した隣接する上下のメモリ
L S Iチップ間の6ノ\一−/ 距離を適正な値に保ち、チップ間に絶縁材を挿入するこ
とによシ、チップと他チップの電極に接合されたインナ
リードとの接触を防止できる等、信頼性の高いICメモ
リカードを実現できる。
巾に縮小されるので、限られた面積のプリント配線板に
多数のメモリ L S Iチソプを搭載できるとともに
、積層した各チノプ間の共通電極のアウタ!J − F
同志を直接接合しているので、配線スペースが減少し、
プリン1一配線板のコス1・ダウンと信号伝達の高速化
を実現できる。さらに、積層した隣接する上下のメモリ
L S Iチップ間の6ノ\一−/ 距離を適正な値に保ち、チップ間に絶縁材を挿入するこ
とによシ、チップと他チップの電極に接合されたインナ
リードとの接触を防止できる等、信頼性の高いICメモ
リカードを実現できる。
実施例
以下本発明の一実施例について、図面を参照しながら説
明する。
明する。
第1図は本発明の一実施例におけるICメモリカードの
一部を切欠いた斜視図であり、第2図はその部分断面図
、第3図は同じく部分平面図、第4図は同じ〈アウタリ
ードの折わ曲げ状態の断面図であシ、第5図は同じく電
気回路のプロソク図である。第1図から第5図において
、1ぱケースでプリント配線板2を収納している。プリ
ンl・配線板2は、メモリ回路部3、コン1・ローノレ
回路部4、外部インクフェイス回路部5で構成されてい
る。メモリ回路部3ぱ、複数のメモリL S Iチップ
6で構威され、同一種類のRAMチップを3層に積層し
たものを多数組プリント配線板2に搭載している。コン
I一ローノレ回i 部4は、デコーダ7ベ−ノ I17等で構成され、メモリ回路部3を制御している。
一部を切欠いた斜視図であり、第2図はその部分断面図
、第3図は同じく部分平面図、第4図は同じ〈アウタリ
ードの折わ曲げ状態の断面図であシ、第5図は同じく電
気回路のプロソク図である。第1図から第5図において
、1ぱケースでプリント配線板2を収納している。プリ
ンl・配線板2は、メモリ回路部3、コン1・ローノレ
回路部4、外部インクフェイス回路部5で構成されてい
る。メモリ回路部3ぱ、複数のメモリL S Iチップ
6で構威され、同一種類のRAMチップを3層に積層し
たものを多数組プリント配線板2に搭載している。コン
I一ローノレ回i 部4は、デコーダ7ベ−ノ I17等で構成され、メモリ回路部3を制御している。
外部インタフェイス回路部5は、接続コネクタ8等で構
戊される。接続コネクタ8は他の機器や装置に取付けら
れた接続部(図示せず)に結合され、プリント配線板2
に対して電源の供給と信号の授受を行なう役目をする。
戊される。接続コネクタ8は他の機器や装置に取付けら
れた接続部(図示せず)に結合され、プリント配線板2
に対して電源の供給と信号の授受を行なう役目をする。
9ぱメモリ回路部3をバノクアップする電池で、ボタン
型リチウム電池等を使用し、ケース1に収納されている
。
型リチウム電池等を使用し、ケース1に収納されている
。
電池9ぱメモリ回路部3に対して接続コネクタ8から電
源が供給されない時に、バックアップ電源を供給する。
源が供給されない時に、バックアップ電源を供給する。
次に・メモリ L S Iチップ6の積層状態について
述べる。メモリ L S Iチップ6は、他のメモリL
SIテップe/ . 6//の上に積層されている。メ
モリ L S Iチップ6の電極10には、金属突起1
1を介して導体リ一ド12のインナリード12&が接合
されている。導体リード12は絶縁フィルム13に接着
等の方法で支持され、アウタリード12bがプリン1一
配線板2へ接合されている。絶縁フィルム13ぱメモリ
L S Iチソプ6の他の導体リード14.15等を
連結して支持しているので、導体リード12 ,14.
15等の変形による隣同志の接触を防ぐ役目をする。前
記の構成は他のメモリLSエチノプ6’,6″も同様で
ある。アウタリ−1・’1 2 b , 1 2’b
,1 2”bは絶縁フィルムの端部1 3a, 1 3
’a , 1 3”a から、第4図の折わ曲げ高さH
、折わ曲げ角度人がそれぞれ異なって成型されている。
述べる。メモリ L S Iチップ6は、他のメモリL
SIテップe/ . 6//の上に積層されている。メ
モリ L S Iチップ6の電極10には、金属突起1
1を介して導体リ一ド12のインナリード12&が接合
されている。導体リード12は絶縁フィルム13に接着
等の方法で支持され、アウタリード12bがプリン1一
配線板2へ接合されている。絶縁フィルム13ぱメモリ
L S Iチソプ6の他の導体リード14.15等を
連結して支持しているので、導体リード12 ,14.
15等の変形による隣同志の接触を防ぐ役目をする。前
記の構成は他のメモリLSエチノプ6’,6″も同様で
ある。アウタリ−1・’1 2 b , 1 2’b
,1 2”bは絶縁フィルムの端部1 3a, 1 3
’a , 1 3”a から、第4図の折わ曲げ高さH
、折わ曲げ角度人がそれぞれ異なって成型されている。
そして電極10,10′10″はメモリLSIチップ6
. 6’ , 6″の共通電極であるので、アウタリ
ード12b,12’b,12″bぱ積層順に重ね合わさ
れてプリント配線板2の導体配線16に、はんだ付け等
の方法で接合されている。1 7 . 1 7’は絶縁
材である。絶縁材17は、メモリLSIチップ6と6′
の間に介在し、 1種類もしくは2種類以上の樹脂で構成され、電極10
,金属突起11 .インナリード121Lを保護すると
ともに、インナリード12?LとメモリLSIチップ6
′との接触を防止する役目をしている。絶縁材17′も
同様である。
. 6’ , 6″の共通電極であるので、アウタリ
ード12b,12’b,12″bぱ積層順に重ね合わさ
れてプリント配線板2の導体配線16に、はんだ付け等
の方法で接合されている。1 7 . 1 7’は絶縁
材である。絶縁材17は、メモリLSIチップ6と6′
の間に介在し、 1種類もしくは2種類以上の樹脂で構成され、電極10
,金属突起11 .インナリード121Lを保護すると
ともに、インナリード12?LとメモリLSIチップ6
′との接触を防止する役目をしている。絶縁材17′も
同様である。
次に、積層された隣接する上下のメモリ L S I9
ペーノ チップ6とe/ , 6/と6″の間の距離s,s’(
第2図参照)は、アウタリード1 2 b 1 2’
b 12″bの折わ曲げ成型される形状によってほぼ
決定される。このチノプ間の距離18l18′は、o,
o4mm以上0.57ffπ以下が良い。この理由をメ
モリ L S Iチップ6と6′の間の距離Sについて
説明する。
ペーノ チップ6とe/ , 6/と6″の間の距離s,s’(
第2図参照)は、アウタリード1 2 b 1 2’
b 12″bの折わ曲げ成型される形状によってほぼ
決定される。このチノプ間の距離18l18′は、o,
o4mm以上0.57ffπ以下が良い。この理由をメ
モリ L S Iチップ6と6′の間の距離Sについて
説明する。
ICメモリカードとして厚さを薄くする必要がある等の
場合には、チノプ間の距離Sぱ小さい方がよいが、イン
ナリード12&とメモリLSIチップ6′とが接触する
恐れがある。インナリード12aの厚さは通常0.02
mM〜0.03問くらいあるので、インナリード12a
の変形などを考慮すると、チップ間の距離Sは0.04
7#7ff以上が良い。寸た、前記したようなインナリ
ード12aとメモリLSIチップ6′との接触を防ぐた
めには、チップ間の距離Sぱ広いほど良いが、ICメモ
リカードとしての厚さが増大し、アウクリード12bが
長くなって折わ曲げ成型が困難となる。従って0.5π
m以下が良い。メモリLSIチップ6′と6″の距I4
Sも同様である。
場合には、チノプ間の距離Sぱ小さい方がよいが、イン
ナリード12&とメモリLSIチップ6′とが接触する
恐れがある。インナリード12aの厚さは通常0.02
mM〜0.03問くらいあるので、インナリード12a
の変形などを考慮すると、チップ間の距離Sは0.04
7#7ff以上が良い。寸た、前記したようなインナリ
ード12aとメモリLSIチップ6′との接触を防ぐた
めには、チップ間の距離Sぱ広いほど良いが、ICメモ
リカードとしての厚さが増大し、アウクリード12bが
長くなって折わ曲げ成型が困難となる。従って0.5π
m以下が良い。メモリLSIチップ6′と6″の距I4
Sも同様である。
10 1 7
以上のように本実施例によれば、ブリン1一配線板2に
メモリ L S Iチノプ6等が複数個積層されるとと
もに、共通電極1o等に接続されているアウタリード1
2 b , 12’b ,12’へは積層順に重ね合
わされて、プリント配線板2の導体配線16に接合され
ている。従って一定面積のプリント配線板2に多数のメ
モリ L S Iチソプ6等を搭叔できるので、大容」
辻のICメモリノy一ドを実現でき、1た配線スペース
が小さくなり、プリン1〜配線板2のコストダウンが図
れるとともに、信号の伝達速度の速いICメモリカード
を実現できる。さらに、アウタリード1 2 b ,
12’b ,12″bはそれぞれ異なった形状に折わ曲
げ成型されることにより、メモリLsエチップ6とe/
, 6/と6″の間の矩離を適正な値に保ち、これら
の間に絶縁材1了1τを挿入してあるので、インナリー
ド12&とメモ1,I L S Iチソプ6′との接触
を防止できる等、信頼性の高いICメモリカードを実現
できる。
メモリ L S Iチノプ6等が複数個積層されるとと
もに、共通電極1o等に接続されているアウタリード1
2 b , 12’b ,12’へは積層順に重ね合
わされて、プリント配線板2の導体配線16に接合され
ている。従って一定面積のプリント配線板2に多数のメ
モリ L S Iチソプ6等を搭叔できるので、大容」
辻のICメモリノy一ドを実現でき、1た配線スペース
が小さくなり、プリン1〜配線板2のコストダウンが図
れるとともに、信号の伝達速度の速いICメモリカード
を実現できる。さらに、アウタリード1 2 b ,
12’b ,12″bはそれぞれ異なった形状に折わ曲
げ成型されることにより、メモリLsエチップ6とe/
, 6/と6″の間の矩離を適正な値に保ち、これら
の間に絶縁材1了1τを挿入してあるので、インナリー
ド12&とメモ1,I L S Iチソプ6′との接触
を防止できる等、信頼性の高いICメモリカードを実現
できる。
発明の効果
本発明は、電極にインナリードが接合されたノ11 7
<−ジ モリL S Iチップが、プリント配線板に複数個積層
され、チノプの共通電極に接続されているアウタリード
が、積層順に重ね合わされてプリント配線板の導体配線
に接合されるとともに、アウタリードを絶縁フィルムの
端部から、メモリLSIチップの積層段ごとに異なった
形状に折わ曲げ成型されており、曾た積層された隣接す
る上下のメモリ L S Iチップ間の距離を、0.0
4問以上o,5mm以下とし、チップ間に絶縁材を挿入
した構成である。
<−ジ モリL S Iチップが、プリント配線板に複数個積層
され、チノプの共通電極に接続されているアウタリード
が、積層順に重ね合わされてプリント配線板の導体配線
に接合されるとともに、アウタリードを絶縁フィルムの
端部から、メモリLSIチップの積層段ごとに異なった
形状に折わ曲げ成型されており、曾た積層された隣接す
る上下のメモリ L S Iチップ間の距離を、0.0
4問以上o,5mm以下とし、チップ間に絶縁材を挿入
した構成である。
従って、一定面積のプリント配線板に多数のメモリLS
Iチップを搭載でき、大容量のICメモリカードを実現
できる。咬た、配線スペースが小さくなるため、プリン
ト配線板のコストダウンが図れるとともに、信号の伝達
速度も速くなり、高速の情報処理ができるICメモリカ
ードを実現できる。さらに、メモリLSIチップと他の
メモリ L S Iチノプの電極に接合されたインナリ
ードとの接触を防止できる等、積層した隣接する上下の
メモリ L S Iチップ間の絶縁性が確保でき、信頼
性の高いICメモリカードを実現できるという優れた効
果を奏する。
Iチップを搭載でき、大容量のICメモリカードを実現
できる。咬た、配線スペースが小さくなるため、プリン
ト配線板のコストダウンが図れるとともに、信号の伝達
速度も速くなり、高速の情報処理ができるICメモリカ
ードを実現できる。さらに、メモリLSIチップと他の
メモリ L S Iチノプの電極に接合されたインナリ
ードとの接触を防止できる等、積層した隣接する上下の
メモリ L S Iチップ間の絶縁性が確保でき、信頼
性の高いICメモリカードを実現できるという優れた効
果を奏する。
第1図は本発明の一実施例に訟けるICメモリカードの
一部を切欠いた斜視図、第2図はその部分断面部、第3
図は同じく部分平面部、第4図は2・・・・プリント配
線板、6 ・ メモリLSIチノプ、1o ・・・電極
、12・・・・導体り−1−゛、12a・・・・・イン
ナリード、12b ・・・・アウタリード、13 ・・
絶縁フィルム、13a−・ 絶縁フィルムの端部、16
・・・・・導体配線、17・・絶縁拐。
一部を切欠いた斜視図、第2図はその部分断面部、第3
図は同じく部分平面部、第4図は2・・・・プリント配
線板、6 ・ メモリLSIチノプ、1o ・・・電極
、12・・・・導体り−1−゛、12a・・・・・イン
ナリード、12b ・・・・アウタリード、13 ・・
絶縁フィルム、13a−・ 絶縁フィルムの端部、16
・・・・・導体配線、17・・絶縁拐。
Claims (2)
- (1)プリント配線板と、このプリント配線板に複数個
積層されるメモリLSIチップと、絶縁フィルム上に形
成され、前記メモリLSIチップの電極に接合されるイ
ンナリード、及び前記プリント配線板の導体配線に接合
されるアウタリードとから成る導体リードとを有し、前
記メモリLSIチップの共通電極に接続されているアウ
タリードが、積層順に重ね合わされて前記プリント配線
板の導体配線に接合された構成であって、前記アウタリ
ードが前記絶縁フィルムの端部から、前記メモリLSI
チップの積層段ごとに異なった形状に折わ曲げ成型され
ていることを特徴とするICメモリカード。 - (2)積層された隣接する上下のメモリLSIチップ間
の距離を、0.04mm以上0.5mm以下とし、前記
メモリLSIチップ間に絶縁材を挿入した特許請求の範
囲第1項記載のICメモリカード。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1157828A JP2811757B2 (ja) | 1989-06-20 | 1989-06-20 | Icメモリカード |
PCT/JP1989/000643 WO1990000117A1 (en) | 1988-06-29 | 1989-06-28 | Ic memory card |
EP19890907813 EP0379592A4 (en) | 1988-06-29 | 1989-06-28 | Ic memory card |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1157828A JP2811757B2 (ja) | 1989-06-20 | 1989-06-20 | Icメモリカード |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JPH0323995A true JPH0323995A (ja) | 1991-01-31 |
JP2811757B2 JP2811757B2 (ja) | 1998-10-15 |
Family
ID=15658210
Family Applications (1)
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---|---|---|---|
JP1157828A Expired - Lifetime JP2811757B2 (ja) | 1988-06-29 | 1989-06-20 | Icメモリカード |
Country Status (1)
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JP (1) | JP2811757B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0581850A (ja) * | 1991-07-19 | 1993-04-02 | Mitsubishi Electric Corp | メモリic及びメモリ装置 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59138355A (ja) * | 1983-01-27 | 1984-08-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 記憶装置の多層実装構造 |
JPS63317394A (ja) * | 1987-06-22 | 1988-12-26 | 大日本印刷株式会社 | Icカ−ド用icモジュ−ル |
JPS6481348A (en) * | 1987-09-24 | 1989-03-27 | Hitachi Maxell | Manufacture of semiconductor device |
-
1989
- 1989-06-20 JP JP1157828A patent/JP2811757B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59138355A (ja) * | 1983-01-27 | 1984-08-08 | Sanyo Electric Co Ltd | 記憶装置の多層実装構造 |
JPS63317394A (ja) * | 1987-06-22 | 1988-12-26 | 大日本印刷株式会社 | Icカ−ド用icモジュ−ル |
JPS6481348A (en) * | 1987-09-24 | 1989-03-27 | Hitachi Maxell | Manufacture of semiconductor device |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0581850A (ja) * | 1991-07-19 | 1993-04-02 | Mitsubishi Electric Corp | メモリic及びメモリ装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2811757B2 (ja) | 1998-10-15 |
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