JP3064438B2 - Icメモリカード - Google Patents
IcメモリカードInfo
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/50—Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
- H05K1/181—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components associated with surface mounted components
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3421—Leaded components
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- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、メモリLSIチップを
多数個内蔵したICメモリカードに関するものである。
多数個内蔵したICメモリカードに関するものである。
【0002】
【従来の技術】ICメモリカードは、RAM、ROMな
どのメモリLSIを内蔵した携帯型情報記憶装置として
多方面で利用されている。近年、その用途の拡大に伴い
記憶容量の大きい、すなわち大容量のICメモリカード
が強く要望されるようになってきた。このような大容量
のICメモリカードにおいては、多数個のメモリLSI
を一定面積のプリント配線板に高密度に実装しなければ
ならない。
どのメモリLSIを内蔵した携帯型情報記憶装置として
多方面で利用されている。近年、その用途の拡大に伴い
記憶容量の大きい、すなわち大容量のICメモリカード
が強く要望されるようになってきた。このような大容量
のICメモリカードにおいては、多数個のメモリLSI
を一定面積のプリント配線板に高密度に実装しなければ
ならない。
【0003】ところで、メモリLSIの高密度な実装方
法としては、メモリLSIのベアチップの電極に、いわ
ゆるフィルムキャリア方式で導体リードを接合し、前記
メモリLSIチップをプリント配線板に平面的に並べて
実装する方法が効果的とされている。以下図面を参照し
ながら、フィルムキャリア方式により多数のメモリLS
Iをプリント配線板に実装した、従来のICメモリカー
ドの構造について説明する。
法としては、メモリLSIのベアチップの電極に、いわ
ゆるフィルムキャリア方式で導体リードを接合し、前記
メモリLSIチップをプリント配線板に平面的に並べて
実装する方法が効果的とされている。以下図面を参照し
ながら、フィルムキャリア方式により多数のメモリLS
Iをプリント配線板に実装した、従来のICメモリカー
ドの構造について説明する。
【0004】図5は従来のICメモリカードを示す部分
断面図である。図5において、31はケースでプリント
配線板32を収納している。プリント配線板32には導
体配線33が形成されている。34、34’はメモリL
SIチップで、プリント配線板32に平面的に配置され
ている。メモリLSIチップ34の電極35には、フィ
ルムキャリア方式により金属突起36を介して、導体リ
ード37の一端部37aが接合されている。導体リード
37の他端部37bは、プリント配線板32の導体配線
33に接合されている。このようにベアチップを使用し
ているので、プリント配線板でのメモリLSIの占有面
積は比較的小さいものである。
断面図である。図5において、31はケースでプリント
配線板32を収納している。プリント配線板32には導
体配線33が形成されている。34、34’はメモリL
SIチップで、プリント配線板32に平面的に配置され
ている。メモリLSIチップ34の電極35には、フィ
ルムキャリア方式により金属突起36を介して、導体リ
ード37の一端部37aが接合されている。導体リード
37の他端部37bは、プリント配線板32の導体配線
33に接合されている。このようにベアチップを使用し
ているので、プリント配線板でのメモリLSIの占有面
積は比較的小さいものである。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の構成では、メモリLSIチップがプリント配線板に平
面的に配置されているので、メモリLSIチップの数が
多くなるとその占有面積も拡大する。従って一定の面積
を有するプリント配線板に対し、実装できるメモリLS
Iチップの数には自ずと限界があった。またメモリLS
Iチップの数が増えると、メモリLSIチップの電極に
接合された導体リード間を電気的に接続するプリント配
線板の導体配線の距離が長くなって、配線スペースが増
えるので、信号の伝達速度も遅くなるという課題を有し
ていた。
の構成では、メモリLSIチップがプリント配線板に平
面的に配置されているので、メモリLSIチップの数が
多くなるとその占有面積も拡大する。従って一定の面積
を有するプリント配線板に対し、実装できるメモリLS
Iチップの数には自ずと限界があった。またメモリLS
Iチップの数が増えると、メモリLSIチップの電極に
接合された導体リード間を電気的に接続するプリント配
線板の導体配線の距離が長くなって、配線スペースが増
えるので、信号の伝達速度も遅くなるという課題を有し
ていた。
【0006】本発明は上記従来の課題を解決するもの
で、メモリLSIの実装密度を飛躍的に高めて大容量化
を実現し、また配線スペースを大幅に減少して信号伝達
の高速化を実現し、さらに、導体リードの変形や位置ず
れを防止して組立て工程を容易にすると共に、フィルム
キャリアの製作を容易にして低コスト化を実現したIC
メモリカードを提供することを目的としている。
で、メモリLSIの実装密度を飛躍的に高めて大容量化
を実現し、また配線スペースを大幅に減少して信号伝達
の高速化を実現し、さらに、導体リードの変形や位置ず
れを防止して組立て工程を容易にすると共に、フィルム
キャリアの製作を容易にして低コスト化を実現したIC
メモリカードを提供することを目的としている。
【0007】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明のICメモリカードは、フィルムキャリア方式
によってメモリLSIチップの電極に導体リードの一端
部を接合し、導体リードの中間部を絶縁フィルムで連結
し、前記メモリLSIチップをプリント配線板に複数個
積層すると共に、共通電極に接続した導体リードを重ね
合わせて導体配線に接合し、積層した上層段のメモリL
SIチップに接続した導体リードの他端部を、絶縁フィ
ルムで連結した構成である。
に本発明のICメモリカードは、フィルムキャリア方式
によってメモリLSIチップの電極に導体リードの一端
部を接合し、導体リードの中間部を絶縁フィルムで連結
し、前記メモリLSIチップをプリント配線板に複数個
積層すると共に、共通電極に接続した導体リードを重ね
合わせて導体配線に接合し、積層した上層段のメモリL
SIチップに接続した導体リードの他端部を、絶縁フィ
ルムで連結した構成である。
【0008】
【作用】この構成によって、限られた面積のプリント配
線板に多数のメモリLSIチップを搭載して大容量化を
実現し、積層した各チップ間の共通電極の導体リードを
直接接合しているので、配線スペースが減少して信号伝
達の高速化を実現し、さらに、他端部での変形や位置ず
れ不良が発生しやすい上層段の導体リードにおいて、他
端部を絶縁フィルムで連結しているのでこれらの不良が
なくなる。
線板に多数のメモリLSIチップを搭載して大容量化を
実現し、積層した各チップ間の共通電極の導体リードを
直接接合しているので、配線スペースが減少して信号伝
達の高速化を実現し、さらに、他端部での変形や位置ず
れ不良が発生しやすい上層段の導体リードにおいて、他
端部を絶縁フィルムで連結しているのでこれらの不良が
なくなる。
【0009】また、下層段の導体リードの他端部は絶縁
フィルムで連結されていないので、下層段のフィルムキ
ャリアは上層段のものを使用できてフィルムキャリアの
製作が容易となり、低コスト化を実現できる。
フィルムで連結されていないので、下層段のフィルムキ
ャリアは上層段のものを使用できてフィルムキャリアの
製作が容易となり、低コスト化を実現できる。
【0010】
【実施例】以下、発明の一実施例について、図面を参照
しながら説明する。
しながら説明する。
【0011】図1は本発明の一実施例におけるICメモ
リカードの一部を切欠いた斜視図、図2は同じく電気回
路のブロック図、図3は同じく部分断面図、図4は同じ
くメモリLSIチップの積層状態を示す部分斜視図であ
る。図1から図4において、1はケースでプリント配線
板2を収納している。プリント配線板2はメモリ回路部
3、コントロール回路部4、外部インタフェイス回路部
5で構成されている。メモリ回路部3は、複数のメモリ
LSIチップ6で構成され、同一種類のRAMチップを
2段に積層したものを多数組プリント配線板2に搭載し
ている。
リカードの一部を切欠いた斜視図、図2は同じく電気回
路のブロック図、図3は同じく部分断面図、図4は同じ
くメモリLSIチップの積層状態を示す部分斜視図であ
る。図1から図4において、1はケースでプリント配線
板2を収納している。プリント配線板2はメモリ回路部
3、コントロール回路部4、外部インタフェイス回路部
5で構成されている。メモリ回路部3は、複数のメモリ
LSIチップ6で構成され、同一種類のRAMチップを
2段に積層したものを多数組プリント配線板2に搭載し
ている。
【0012】コントロール回路部4は、デコーダIC7
等で構成され、アドレス信号によるチップ選択、電源切
換えによるバックアップコントロール等を行う。外部イ
ンタフェイス回路部5は、接続コネクタ8等で構成さ
れ、接続コネクタ8は他の機器や装置に取りつけられた
接続部(図示せず)に結合され、プリント配線板2に対
して電源の供給と信号の授受を行う。9はメモリ回路部
3をバックアップする電池で、ボタン型リチウム電池等
を使用し、ケース1に収納されている。電池9は、メモ
リ回路部3に対して接続コネクタ8から電源が供給され
ないときに、バックアップ電源を供給する。
等で構成され、アドレス信号によるチップ選択、電源切
換えによるバックアップコントロール等を行う。外部イ
ンタフェイス回路部5は、接続コネクタ8等で構成さ
れ、接続コネクタ8は他の機器や装置に取りつけられた
接続部(図示せず)に結合され、プリント配線板2に対
して電源の供給と信号の授受を行う。9はメモリ回路部
3をバックアップする電池で、ボタン型リチウム電池等
を使用し、ケース1に収納されている。電池9は、メモ
リ回路部3に対して接続コネクタ8から電源が供給され
ないときに、バックアップ電源を供給する。
【0013】次に、メモリLSIチップ6の積層状態の
構成について述べる。メモリLSIチップ6は他のメモ
リLSIチップ6’の上に、それぞれの電極配列が同一
になる方向に積層されている。10、10’はメモリL
SIチップ6、6’の共通電極で、フィルムキャリア方
式により、金属突起11、11’を介して導体リード1
2、12’の一端部12a、12’aが接合されてい
る。13、13’はメモリLSIチップ6、6’の別の
共通電極で、導体リード12、12’と同様にして導体
リード14、14’が接合されている。導体リードの中
間部12bと14bおよび12’bと14’bはそれぞ
れ絶縁フィルム15および15’で連結されている。ま
た、導体リードの他端部12c、14cは絶縁フィルム
16で連結されているが、導体リードの他端部12’
c、14’cは絶縁フィルムで連結されていない。1
7、18は樹脂等で構成された絶縁部材であり、電極1
0、導体リードの一端部12a等を保護する役目をす
る。
構成について述べる。メモリLSIチップ6は他のメモ
リLSIチップ6’の上に、それぞれの電極配列が同一
になる方向に積層されている。10、10’はメモリL
SIチップ6、6’の共通電極で、フィルムキャリア方
式により、金属突起11、11’を介して導体リード1
2、12’の一端部12a、12’aが接合されてい
る。13、13’はメモリLSIチップ6、6’の別の
共通電極で、導体リード12、12’と同様にして導体
リード14、14’が接合されている。導体リードの中
間部12bと14bおよび12’bと14’bはそれぞ
れ絶縁フィルム15および15’で連結されている。ま
た、導体リードの他端部12c、14cは絶縁フィルム
16で連結されているが、導体リードの他端部12’
c、14’cは絶縁フィルムで連結されていない。1
7、18は樹脂等で構成された絶縁部材であり、電極1
0、導体リードの一端部12a等を保護する役目をす
る。
【0014】次に、導体リード12等のプリント配線板
2への接合状態について説明する。導体リード12、1
2’は、それぞれメモリLSIチップ6、6’の共通電
極10、10’に接続しているので、それぞれの中間部
12b、12’bからそれぞれの他端部12c、12’
cの間を部分的に重ね合わせてプリント配線板2の同じ
導体配線19にはんだ接合されている。そして、導体リ
ードの中間部12bから他端部12cの間の平面占有長
さと、導体リードの中間部12’bから他端部12’c
の間の平面占有長さを略同一にしてある。導体リード1
4、14’も同様な状態で導体配線20に接合されてい
る。また図示していないが、メモリLSIチップ6、
6’の非共通電極に接続している導体リードは、同一の
導体配線に接続することができないので、それぞれ互い
に他とは異なった別々の導体配線に接続される。
2への接合状態について説明する。導体リード12、1
2’は、それぞれメモリLSIチップ6、6’の共通電
極10、10’に接続しているので、それぞれの中間部
12b、12’bからそれぞれの他端部12c、12’
cの間を部分的に重ね合わせてプリント配線板2の同じ
導体配線19にはんだ接合されている。そして、導体リ
ードの中間部12bから他端部12cの間の平面占有長
さと、導体リードの中間部12’bから他端部12’c
の間の平面占有長さを略同一にしてある。導体リード1
4、14’も同様な状態で導体配線20に接合されてい
る。また図示していないが、メモリLSIチップ6、
6’の非共通電極に接続している導体リードは、同一の
導体配線に接続することができないので、それぞれ互い
に他とは異なった別々の導体配線に接続される。
【0015】次に、メモリLSIチップ6’に用いるフ
ィルムキャリアについて説明する。下層段であるメモリ
LSIチップ6’に接続する、導体リードの中間部1
2’b、14’bから他端部12’c、14’cまでの
長さは、上層段であるメモリLSIチップ6に接続す
る、導体リードの中間部12b、14bから他端部12
c、14cまでの長さより短い。また導体リードの他端
部12’c、14’cが絶縁フィルムで連結されていな
い。このためメモリLSIチップ6’のフィルムキャリ
アは、メモリLSIチップ6のフィルムキャリアを導体
リードの他端部12c、14cの付近で切断して用いた
構成である。
ィルムキャリアについて説明する。下層段であるメモリ
LSIチップ6’に接続する、導体リードの中間部1
2’b、14’bから他端部12’c、14’cまでの
長さは、上層段であるメモリLSIチップ6に接続す
る、導体リードの中間部12b、14bから他端部12
c、14cまでの長さより短い。また導体リードの他端
部12’c、14’cが絶縁フィルムで連結されていな
い。このためメモリLSIチップ6’のフィルムキャリ
アは、メモリLSIチップ6のフィルムキャリアを導体
リードの他端部12c、14cの付近で切断して用いた
構成である。
【0016】以上のように本実施例によれば、メモリL
SIチップ6、6’を積層することにより、一定面積の
プリント配線板2に多数のメモリLSIチップ6を搭載
できるので、大容量のICメモリカードを実現でき、共
通電極10、10’に接続した導体リード12、12’
を、重ね合わせて導体配線19に接合しているので、配
線スペースが減少して信号伝達の高速化を実現できる。
また、変形などの不良が発生しやすい上層段の導体リー
ドの中間部12b、14b、および他端部12c、14
cをそれぞれ絶縁フィルム15、16で連結しているの
で、これらの不良が無くなってはんだ付け等の組立て工
程が容易になると共に、メモリLSIチップ6、6’の
フィルムキャリアは同一形状のものを使用できるので、
フィルムキャリアの製作が容易となり、低コストのIC
メモリカードを実現できる。
SIチップ6、6’を積層することにより、一定面積の
プリント配線板2に多数のメモリLSIチップ6を搭載
できるので、大容量のICメモリカードを実現でき、共
通電極10、10’に接続した導体リード12、12’
を、重ね合わせて導体配線19に接合しているので、配
線スペースが減少して信号伝達の高速化を実現できる。
また、変形などの不良が発生しやすい上層段の導体リー
ドの中間部12b、14b、および他端部12c、14
cをそれぞれ絶縁フィルム15、16で連結しているの
で、これらの不良が無くなってはんだ付け等の組立て工
程が容易になると共に、メモリLSIチップ6、6’の
フィルムキャリアは同一形状のものを使用できるので、
フィルムキャリアの製作が容易となり、低コストのIC
メモリカードを実現できる。
【0017】
【発明の効果】本発明のICメモリカードは、メモリL
SIチップの電極にフィルムキャリア方式により導体リ
ードの一端部を接合し、このメモリLSIチップをプリ
ント配線板に複数個積層し、メモリLSIチップの共通
電極に接合した導体リードの中間部を絶縁フィルムで連
結し、この導体リードの中間部および他端部の間を部分
的に重ね合わせてプリント配線板の導体配線に接合する
と共に、積層した上層段のメモリLSIチップに接続し
た導体リードの他端部を、絶縁フィルムで連結した構成
である。従って本発明は、一定面積のプリント配線板に
多数のメモリLSIチップを搭載して大容量化を実現
し、プリント配線板における配線スペースが小さくなる
ため信号伝達の高速化を実現でき、また、変形などの不
良が発生しやすい上層段の導体リードの中間部および他
端部を絶縁フィルムで連結しているので、これらの不良
が無くなってはんだ接合等の組立て工程が容易となると
共に、上層段と下層段で同一のフィルムキャリアを使用
できるのでフィルムキャリアの製作が容易となり、低コ
スト化を実現できるなどの優れた効果を奏する。
SIチップの電極にフィルムキャリア方式により導体リ
ードの一端部を接合し、このメモリLSIチップをプリ
ント配線板に複数個積層し、メモリLSIチップの共通
電極に接合した導体リードの中間部を絶縁フィルムで連
結し、この導体リードの中間部および他端部の間を部分
的に重ね合わせてプリント配線板の導体配線に接合する
と共に、積層した上層段のメモリLSIチップに接続し
た導体リードの他端部を、絶縁フィルムで連結した構成
である。従って本発明は、一定面積のプリント配線板に
多数のメモリLSIチップを搭載して大容量化を実現
し、プリント配線板における配線スペースが小さくなる
ため信号伝達の高速化を実現でき、また、変形などの不
良が発生しやすい上層段の導体リードの中間部および他
端部を絶縁フィルムで連結しているので、これらの不良
が無くなってはんだ接合等の組立て工程が容易となると
共に、上層段と下層段で同一のフィルムキャリアを使用
できるのでフィルムキャリアの製作が容易となり、低コ
スト化を実現できるなどの優れた効果を奏する。
【図1】本発明の一実施例におけるICメモリカードの
一部を切り欠いた斜視図
一部を切り欠いた斜視図
【図2】同メモリカードの電気回路のブロック図
【図3】同メモリカードの部分断面図
【図4】同メモリカードのメモリLSIチップの積層状
態を示す部分斜視図
態を示す部分斜視図
【図5】従来のICメモリカードにおける部分断面図
2 プリント配線板 6、6’ メモリLSIチップ 10、10’ 共通電極 12 導体リード 12a 導体リードの一端部 12b 導体リードの中間部 12c 導体リードの他端部 15、16 絶縁フィルム 19、20 導体配線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 政博 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 平2−217296(JP,A) 特開 平3−23995(JP,A) 特開 平3−45399(JP,A) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) G06K 19/077 B42D 15/10 521
Claims (1)
- 【請求項1】メモリLSIチップの電極に導体リードの
一端部を接合し、前記メモリLSIチップを、前記電極
の配列が同一になる方向にプリント配線板に複数個積層
し、前記メモリLSIチップの共通電極に接続した前記
導体リードの中間部を絶縁フィルムで連結し、前記導体
リードの中間部から他端部の間を、部分的に重ね合わせ
て前記プリント配線板の導体配線に接合した構成であっ
て、前記積層した上層段のメモリLSIチップに接続し
た前記導体リードの他端部を、絶縁フィルムで連結した
ことを特徴とするICメモリカード。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3030009A JP3064438B2 (ja) | 1991-02-25 | 1991-02-25 | Icメモリカード |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3030009A JP3064438B2 (ja) | 1991-02-25 | 1991-02-25 | Icメモリカード |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH04269597A JPH04269597A (ja) | 1992-09-25 |
JP3064438B2 true JP3064438B2 (ja) | 2000-07-12 |
Family
ID=12291876
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP3030009A Expired - Fee Related JP3064438B2 (ja) | 1991-02-25 | 1991-02-25 | Icメモリカード |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3064438B2 (ja) |
-
1991
- 1991-02-25 JP JP3030009A patent/JP3064438B2/ja not_active Expired - Fee Related
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---|---|
JPH04269597A (ja) | 1992-09-25 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |