JPH03163821A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH03163821A JPH03163821A JP30406089A JP30406089A JPH03163821A JP H03163821 A JPH03163821 A JP H03163821A JP 30406089 A JP30406089 A JP 30406089A JP 30406089 A JP30406089 A JP 30406089A JP H03163821 A JPH03163821 A JP H03163821A
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Landscapes
- Element Separation (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関し、特に不純物拡散
層の形或方法に関する。
層の形或方法に関する。
従来、溝が形成されたシリコン基板の表面及び側面への
不純物層形威方法としては、不純物ガス熱拡散法，イオ
ン注入法及び化学気相成長（ＣＶＤ〉法で堆積した不純
物膜からの固相拡散法が主に用いられている。
不純物層形威方法としては、不純物ガス熱拡散法，イオ
ン注入法及び化学気相成長（ＣＶＤ〉法で堆積した不純
物膜からの固相拡散法が主に用いられている。
上述した従来技術としてのイオン注入法は、イオンビー
ムの入射角をコントロールすることによって行なわれて
いるが、より微細な、高アスベクト比の溝が形戒された
場合、入射角のコントロールが困難となり、側壁へのド
ーピングが不均一となる恐れがある。加えて、注入によ
るダメージや基板表面の形或膜からのノックオンによる
汚染物の導入の問題がある。また、装置のスループット
の低下も予想される。
ムの入射角をコントロールすることによって行なわれて
いるが、より微細な、高アスベクト比の溝が形戒された
場合、入射角のコントロールが困難となり、側壁へのド
ーピングが不均一となる恐れがある。加えて、注入によ
るダメージや基板表面の形或膜からのノックオンによる
汚染物の導入の問題がある。また、装置のスループット
の低下も予想される。
次に、不純物ガス拡散法は、ウェハの大口径化に伴う面
内ばらつき増大の問題及び高アスペクト比の渭などの場
合、パターン効果が顕著となり、パターンの大小による
不均一ドーピングの問題がある。
内ばらつき増大の問題及び高アスペクト比の渭などの場
合、パターン効果が顕著となり、パターンの大小による
不均一ドーピングの問題がある。
次に、ＣＶＤ法による固相拡散法は、高アスペクト比の
微細な溝の内部に均一な不純物膜を形成することが困難
であるため、不均一なドーピングとなる可能性が高い。
微細な溝の内部に均一な不純物膜を形成することが困難
であるため、不均一なドーピングとなる可能性が高い。
本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板に形成さ
れた溝内に不純物を含む有機化合物層を形戒する工程と
、熱処理を行ない前記溝の内壁面の少くとも一部に不純
物拡散層を形或する工程とを含んで構成される。
れた溝内に不純物を含む有機化合物層を形戒する工程と
、熱処理を行ない前記溝の内壁面の少くとも一部に不純
物拡散層を形或する工程とを含んで構成される。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図（ａ）〜（ｄ）は本発明の第１の実施例を説明す
るための半導体チップの断面図である。
るための半導体チップの断面図である。
まず第１図（ａ）に示すように、シリコン基板２上にマ
スクとしてのシリコン窒化膜１を形或したのち、ドライ
エッチング方法により各種形状の溝３Ａ，３Ｂを形成す
る。
スクとしてのシリコン窒化膜１を形或したのち、ドライ
エッチング方法により各種形状の溝３Ａ，３Ｂを形成す
る。
次に第１図（ｂ）に示すように、ホウ酸を数％含む有機
化合物溶液、例えば東京応化■製ボリボロンフィルム（
ＰＢＦ）を用い、低速回転で塗布し溝内部がＰＢＦ層４
で満たされるようにする。
化合物溶液、例えば東京応化■製ボリボロンフィルム（
ＰＢＦ）を用い、低速回転で塗布し溝内部がＰＢＦ層４
で満たされるようにする。
次に第１図（ｃ）に示すように、５００℃以上で数％〜
１００％の酸素雰囲気中でアニールすることにより、膜
中の有機ボリマーを二酸化炭素（ Ｃ’，ｏ’ ）と水
（Ｈ２０）に分解し、溝３Ａ，３Ｂの内壁面上に酸化ボ
ウ素（Ｂ２０３）膜４Ａを形或する。
１００％の酸素雰囲気中でアニールすることにより、膜
中の有機ボリマーを二酸化炭素（ Ｃ’，ｏ’ ）と水
（Ｈ２０）に分解し、溝３Ａ，３Ｂの内壁面上に酸化ボ
ウ素（Ｂ２０３）膜４Ａを形或する。
次に第１図（ｄ）に示すように、８００〜１０００℃の
窒素雰囲気中で数分〜数十分熱処理してボロンを拡散し
、その後ガラス層を除去することによって、溝３Ａ，３
Ｂの内壁面に所定の抵抗値をもつ、ダメージのない均一
なホロン拡散層５を形成する。
窒素雰囲気中で数分〜数十分熱処理してボロンを拡散し
、その後ガラス層を除去することによって、溝３Ａ，３
Ｂの内壁面に所定の抵抗値をもつ、ダメージのない均一
なホロン拡散層５を形成する。
このように第１の実施例によれば、不純物拡散層の形或
工程が非常に簡単なため、高歩留り、高スループッ１〜
が期待できるため、コストダウンが可能である。
工程が非常に簡単なため、高歩留り、高スループッ１〜
が期待できるため、コストダウンが可能である。
第２図は本発明の第２の実施例を説明するための半導体
チップの断面図であり、本発明をベース形成に適用した
場合である。
チップの断面図であり、本発明をベース形成に適用した
場合である。
まず第２図（ａ）に示すように、シリコン基板２上に形
威したシリコン窒化膜１のベース領域をホトリソグラフ
ィ技術によりパターニングし渭３Ｃを形或する。
威したシリコン窒化膜１のベース領域をホトリソグラフ
ィ技術によりパターニングし渭３Ｃを形或する。
次に第２図（ｂ）に示すように、ベース領域を含むシリ
コン基板表面に第１の実施例と同様にしてＰＢＦ層４を
塗布して形成する。
コン基板表面に第１の実施例と同様にしてＰＢＦ層４を
塗布して形成する。
次に第２図（ｃ．）に示すように、ベースコンタクト用
マスク６を用い、ステツバー装・置内でエキシマレーザ
光を照射してベースコンタクト領域に選択的にボロンを
拡散してＰ＋拡散層８を形成する。
マスク６を用い、ステツバー装・置内でエキシマレーザ
光を照射してベースコンタクト領域に選択的にボロンを
拡散してＰ＋拡散層８を形成する。
次に第２図（ｄ）に示すように、ベース形或用マスク９
に交換し、ステッパー装置内で前工程の場合より小さい
エネルギーでエキシマレーザ光を照射することによりＰ
−のベース拡散層１０を形成する。以下表面上のガラス
層を除去することによりＰ＋拡散層８及びＰ一拡散層１
０からなるベース領域が形或される。
に交換し、ステッパー装置内で前工程の場合より小さい
エネルギーでエキシマレーザ光を照射することによりＰ
−のベース拡散層１０を形成する。以下表面上のガラス
層を除去することによりＰ＋拡散層８及びＰ一拡散層１
０からなるベース領域が形或される。
このように第２の実施例によれば、エキシマレーザステ
ッパーにより微細なパターンが形成でき、しかも浅いベ
ース層の・形成が可能である。加５一 えて従来のようにホ１・レジスト等を使用しないため、
処理工程の短縮ができ、低コスト化を図ることができる
。
ッパーにより微細なパターンが形成でき、しかも浅いベ
ース層の・形成が可能である。加５一 えて従来のようにホ１・レジスト等を使用しないため、
処理工程の短縮ができ、低コスト化を図ることができる
。
以上説明したように本発明によれば、どのような複雑な
形状の溝の内部にも、簡単にダメージのない均一な不純
物拡散層が形戒できる。このため半導体装置の高歩留り
、高スループットが可能なためコストダウンを行うこと
ができる。加えて、ステッパー装置の光源としてエキシ
マレーザを使用した場合、より微細なパターンでなおが
っ浅い接合の拡散層が形戒できると共に、工程の短縮が
可能である。
形状の溝の内部にも、簡単にダメージのない均一な不純
物拡散層が形戒できる。このため半導体装置の高歩留り
、高スループットが可能なためコストダウンを行うこと
ができる。加えて、ステッパー装置の光源としてエキシ
マレーザを使用した場合、より微細なパターンでなおが
っ浅い接合の拡散層が形戒できると共に、工程の短縮が
可能である。
第１図及び第２図は本発明の第１及び第２の実施例を説
明するための半導体チップの断面図である。 １・・・シリコン窒化膜、２・・・シリコン基板、３Ａ
，３Ｂ・・・溝、４・・・ＰＢＦ膜、４Ａ・・・酸化ホ
ウ素一６一 （Ｂ２０Ｓ）膜、５・・・ボロン拡散層、６・・・ヘー
スコンタクト用マスク、７・・・メタル面、８・・・Ｐ
４拡散層、９・・・ベース形成用マスク、１０・・・Ｐ
一拡散層。
明するための半導体チップの断面図である。 １・・・シリコン窒化膜、２・・・シリコン基板、３Ａ
，３Ｂ・・・溝、４・・・ＰＢＦ膜、４Ａ・・・酸化ホ
ウ素一６一 （Ｂ２０Ｓ）膜、５・・・ボロン拡散層、６・・・ヘー
スコンタクト用マスク、７・・・メタル面、８・・・Ｐ
４拡散層、９・・・ベース形成用マスク、１０・・・Ｐ
一拡散層。
Claims (1)
- 半導体基板に形成された溝内に不純物を含む有機化合物
層を形成する工程と、熱処理を行ない前記溝の内壁面の
少くとも一部に不純物拡散層を形成する工程とを含むこ
とを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30406089A JPH03163821A (ja) | 1989-11-21 | 1989-11-21 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30406089A JPH03163821A (ja) | 1989-11-21 | 1989-11-21 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03163821A true JPH03163821A (ja) | 1991-07-15 |
Family
ID=17928554
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30406089A Pending JPH03163821A (ja) | 1989-11-21 | 1989-11-21 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03163821A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5478776A (en) * | 1993-12-27 | 1995-12-26 | At&T Corp. | Process for fabricating integrated circuit containing shallow junction using dopant source containing organic polymer or ammonium silicate |
| JP2006156646A (ja) * | 2004-11-29 | 2006-06-15 | Sharp Corp | 太陽電池の製造方法 |
| KR101689990B1 (ko) * | 2016-01-28 | 2017-01-02 | 곽상훈 | 음식물 처리 장치 |
| WO2017065880A1 (en) * | 2015-10-15 | 2017-04-20 | Applied Materials, Inc. | Conformal doping in 3d si structures using conformal dopant deposition |
| US11462630B2 (en) | 2017-09-03 | 2022-10-04 | Applied Materials, Inc. | Conformal halogen doping in 3D structures using conformal dopant film deposition |
-
1989
- 1989-11-21 JP JP30406089A patent/JPH03163821A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5478776A (en) * | 1993-12-27 | 1995-12-26 | At&T Corp. | Process for fabricating integrated circuit containing shallow junction using dopant source containing organic polymer or ammonium silicate |
| JP2006156646A (ja) * | 2004-11-29 | 2006-06-15 | Sharp Corp | 太陽電池の製造方法 |
| WO2017065880A1 (en) * | 2015-10-15 | 2017-04-20 | Applied Materials, Inc. | Conformal doping in 3d si structures using conformal dopant deposition |
| US9640400B1 (en) | 2015-10-15 | 2017-05-02 | Applied Materials, Inc. | Conformal doping in 3D si structure using conformal dopant deposition |
| KR101689990B1 (ko) * | 2016-01-28 | 2017-01-02 | 곽상훈 | 음식물 처리 장치 |
| US11462630B2 (en) | 2017-09-03 | 2022-10-04 | Applied Materials, Inc. | Conformal halogen doping in 3D structures using conformal dopant film deposition |
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