JPH0316187B2 - - Google Patents
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- JPH0316187B2 JPH0316187B2 JP3142784A JP3142784A JPH0316187B2 JP H0316187 B2 JPH0316187 B2 JP H0316187B2 JP 3142784 A JP3142784 A JP 3142784A JP 3142784 A JP3142784 A JP 3142784A JP H0316187 B2 JPH0316187 B2 JP H0316187B2
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- Japan
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- film
- substrate
- ultrafine particles
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- Expired
Links
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Landscapes
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、基材面に強固に結着した超微粒子ス
プレー膜の形成法に関する。
プレー膜の形成法に関する。
従来基材面に、超微粒子の膜を形成する場合、
超微粒子マスに少量のバインダーを混入しペース
ト状としたものを塗布、乾燥することにより膜を
形成する方法の欠点を改良するべく、発明者は先
に特願昭57−196085号によりキヤリヤーガスによ
り超微粒子を混入しこれを基材面に直接スプレー
して所定形状の膜を形成する発明を提案したが、
本発明は、更にこの発明に関し、経済的に強固な
膜を基材面に形成する方法を新たに提供するもの
で、基材面に超微粒子をキヤリヤーガスと共にス
プレーし、その基材面に所定個所にその膜を形成
する超微粒子スプレー膜の形成法において、上記
スプレーに際し予め該基材面の所定個所に光スポ
ツトを走らせて表面活性化することを特徴とす
る。
超微粒子マスに少量のバインダーを混入しペース
ト状としたものを塗布、乾燥することにより膜を
形成する方法の欠点を改良するべく、発明者は先
に特願昭57−196085号によりキヤリヤーガスによ
り超微粒子を混入しこれを基材面に直接スプレー
して所定形状の膜を形成する発明を提案したが、
本発明は、更にこの発明に関し、経済的に強固な
膜を基材面に形成する方法を新たに提供するもの
で、基材面に超微粒子をキヤリヤーガスと共にス
プレーし、その基材面に所定個所にその膜を形成
する超微粒子スプレー膜の形成法において、上記
スプレーに際し予め該基材面の所定個所に光スポ
ツトを走らせて表面活性化することを特徴とす
る。
而して、更に強固な膜を望む場合は、上記の方
法によつて得た膜の上面に更に光スポツトを走査
して該膜を加熱することが好ましい。かように、
本発明によれば、基材の所定個所のみを光スポツ
ト加熱するので、基板全体を加熱するような無駄
を省き、経済的且つ高能率な基材表面の活性を行
なうことができる。又上記追加の膜の光スポツト
加熱によつても同様の効果をもたらし、膜の更に
ち密強固な生成をもたらす。
法によつて得た膜の上面に更に光スポツトを走査
して該膜を加熱することが好ましい。かように、
本発明によれば、基材の所定個所のみを光スポツ
ト加熱するので、基板全体を加熱するような無駄
を省き、経済的且つ高能率な基材表面の活性を行
なうことができる。又上記追加の膜の光スポツト
加熱によつても同様の効果をもたらし、膜の更に
ち密強固な生成をもたらす。
本発明を実施するには、例えば図示のように、
真空室中に基材、例えばガラス基板１を用意しこ
の表面に、その所定の文字、図形、模様、などの
パターンを超微粒子の焼成膜で表示するに当り、
その所定の個所に、図示の想像線で表わした所定
パターンに従つて、この個所２だけ紫外線などの
集光したものレーザー光、赤外線光などのスポツ
ト光３を照射装置４により照射して該部の活性化
即ち、表面吸着或は励起により超微粒子、特に金
属超微粒子に対する付着性の向上をもたらし、こ
の状態において、例えば、ノズル５より平均粒径
0.1μｍ以下のNiなどの超微粒子を水素、ヘリウ
ムなどのキヤリヤーガスと共にその所定のパター
ン個所に吹き付けてその所定のパターン６を第２
図示の如く形成する。然るときは、超微粒子は基
材１の該活性化した表面個所に強固に結着され
る。尚このパターン６形成作業中、該スポツト光
３の照射を継続することが好ましく、これによ
り、基材に堆積の超微粒子相互の焼成結着が行な
われると共にこれら超微粒子堆積又は焼成膜中に
含まれるガスは容易に拡散除去でき、ガスを含ま
ないち密な焼成膜を得ることができる。更に好ま
しくは、かゝる膜パターンの形成後も、該スポツ
ト光３を該パターン６の上面に当て走査するとき
は、更に強固ち密な焼成膜を高能率に得ることが
できる。この場合、照射光のエネルギー密度Ｘ照
射時間を適宜その使用される超微粒子の種類、量
等に応じて設定する。レーザーの場合、超微粒子
の共鳴吸収波長と合致した波長のレーザーを用い
れば、効率は更に向上する。この照射装置の周囲
は、真空減圧下で、或は不活性ガスなどの雰囲気
下におくこともできる。キヤリヤーガスによる超
微粒子マスの混合搬送スプレー装置は、先の出願
に開示した装置を用いることができることは云う
までもない。
真空室中に基材、例えばガラス基板１を用意しこ
の表面に、その所定の文字、図形、模様、などの
パターンを超微粒子の焼成膜で表示するに当り、
その所定の個所に、図示の想像線で表わした所定
パターンに従つて、この個所２だけ紫外線などの
集光したものレーザー光、赤外線光などのスポツ
ト光３を照射装置４により照射して該部の活性化
即ち、表面吸着或は励起により超微粒子、特に金
属超微粒子に対する付着性の向上をもたらし、こ
の状態において、例えば、ノズル５より平均粒径
0.1μｍ以下のNiなどの超微粒子を水素、ヘリウ
ムなどのキヤリヤーガスと共にその所定のパター
ン個所に吹き付けてその所定のパターン６を第２
図示の如く形成する。然るときは、超微粒子は基
材１の該活性化した表面個所に強固に結着され
る。尚このパターン６形成作業中、該スポツト光
３の照射を継続することが好ましく、これによ
り、基材に堆積の超微粒子相互の焼成結着が行な
われると共にこれら超微粒子堆積又は焼成膜中に
含まれるガスは容易に拡散除去でき、ガスを含ま
ないち密な焼成膜を得ることができる。更に好ま
しくは、かゝる膜パターンの形成後も、該スポツ
ト光３を該パターン６の上面に当て走査するとき
は、更に強固ち密な焼成膜を高能率に得ることが
できる。この場合、照射光のエネルギー密度Ｘ照
射時間を適宜その使用される超微粒子の種類、量
等に応じて設定する。レーザーの場合、超微粒子
の共鳴吸収波長と合致した波長のレーザーを用い
れば、効率は更に向上する。この照射装置の周囲
は、真空減圧下で、或は不活性ガスなどの雰囲気
下におくこともできる。キヤリヤーガスによる超
微粒子マスの混合搬送スプレー装置は、先の出願
に開示した装置を用いることができることは云う
までもない。
このように本発明によるときは、超微粒子をキ
ヤリヤーガスと共に基材面にスプレーし、その所
定のパターン膜を形成するに当り、予め、基板面
にその所定の膜パターンを形成すべき個所にのみ
光スポツトを照射走査するようにしたので、基材
面に高能率且つ経済的に超微粒子の焼成パターン
を形成することができる効果をもたらす。
ヤリヤーガスと共に基材面にスプレーし、その所
定のパターン膜を形成するに当り、予め、基板面
にその所定の膜パターンを形成すべき個所にのみ
光スポツトを照射走査するようにしたので、基材
面に高能率且つ経済的に超微粒子の焼成パターン
を形成することができる効果をもたらす。
第１図及び第２図は本発明実施の１例を示す斜
面図である。 １……基材、２……所定個所、３……スポツト
光、４……照射装置、５……ノズル、６……パタ
ーン。
面図である。 １……基材、２……所定個所、３……スポツト
光、４……照射装置、５……ノズル、６……パタ
ーン。
Claims (1)
- １ 基材面に超微粒子をキヤリヤーガスと共にス
プレーし、その基材面に所定個所にその膜を形成
する超微粒子スプレー膜の形成法において、上記
スプレーに際し予め該基材面の所定個所に光スポ
ツトを走らせて表面活性化することを特徴とする
超微粒子スプレー膜の形成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3142784A JPS60175573A (ja) | 1984-02-23 | 1984-02-23 | 超微粒子スプレ−膜の形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3142784A JPS60175573A (ja) | 1984-02-23 | 1984-02-23 | 超微粒子スプレ−膜の形成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60175573A JPS60175573A (ja) | 1985-09-09 |
| JPH0316187B2 true JPH0316187B2 (ja) | 1991-03-04 |
Family
ID=12330938
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3142784A Granted JPS60175573A (ja) | 1984-02-23 | 1984-02-23 | 超微粒子スプレ−膜の形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60175573A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3222614B2 (ja) * | 1993-04-15 | 2001-10-29 | 松下電工株式会社 | 立体表面への膜形成方法 |
| JP4383268B2 (ja) * | 2004-06-29 | 2009-12-16 | アルプス電気株式会社 | スプレーコート方法及びスプレーコート装置 |
-
1984
- 1984-02-23 JP JP3142784A patent/JPS60175573A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60175573A (ja) | 1985-09-09 |
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