JPS60175573A - 超微粒子スプレ−膜の形成法 - Google Patents
超微粒子スプレ−膜の形成法Info
- Publication number
- JPS60175573A JPS60175573A JP3142784A JP3142784A JPS60175573A JP S60175573 A JPS60175573 A JP S60175573A JP 3142784 A JP3142784 A JP 3142784A JP 3142784 A JP3142784 A JP 3142784A JP S60175573 A JPS60175573 A JP S60175573A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ultra
- substrate
- film
- pattern
- fine particles
- Prior art date
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- Granted
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- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、基材面に強固に結着した超微粒子スプレー１
１侍の形成法に関する。
１侍の形成法に関する。
従来基材面に、超微粒子の膜を形成する場合、超微粉子
マスに少量のバインダー＋ａ人しペースト状としたもの
を塗布、乾燥することにより）１にを形成する方法の欠
点を改良するべく、発明者は先に特願昭５７−１９６．
０８５号によりキャリヤーガスにより超微粒子を混入し
これを基材面に直接スプレーして所定形状の膜を形成す
る発明を提案したが、本発明は、更にこの発明に関し、
経済的に強固な膜を基材面に形成する方法を新たに提供
するもので、基材面に超微粒子をキャリヤーガスと共に
スプレーし、その基材面に所定個所にその膜を形成する
超微粒子スプレー膜の形成法において、上記スプレーに
際し予め該基材面の所定個所に光スポラ）ｌ走らせて表
面活性化することを特徴とする。
マスに少量のバインダー＋ａ人しペースト状としたもの
を塗布、乾燥することにより）１にを形成する方法の欠
点を改良するべく、発明者は先に特願昭５７−１９６．
０８５号によりキャリヤーガスにより超微粒子を混入し
これを基材面に直接スプレーして所定形状の膜を形成す
る発明を提案したが、本発明は、更にこの発明に関し、
経済的に強固な膜を基材面に形成する方法を新たに提供
するもので、基材面に超微粒子をキャリヤーガスと共に
スプレーし、その基材面に所定個所にその膜を形成する
超微粒子スプレー膜の形成法において、上記スプレーに
際し予め該基材面の所定個所に光スポラ）ｌ走らせて表
面活性化することを特徴とする。
而して、更に強固な膜を望む場合は、上記の方法によっ
て得た膜の上面に更に光スポラ）１走査して該膜を加熱
することが好ましい。かように、本発明によれば、基材
の所定個所のみを光スポツト加熱するので、基板全体を
加熱するような無駄を省き、経済的且つ高能率な基材表
面の活性を行なうことができる０又上記追加の膜の光ス
ポツト加熱によっても同様の効果をもたらし、膜の更に
ち密強固な生成をもたらす。
て得た膜の上面に更に光スポラ）１走査して該膜を加熱
することが好ましい。かように、本発明によれば、基材
の所定個所のみを光スポツト加熱するので、基板全体を
加熱するような無駄を省き、経済的且つ高能率な基材表
面の活性を行なうことができる０又上記追加の膜の光ス
ポツト加熱によっても同様の効果をもたらし、膜の更に
ち密強固な生成をもたらす。
本発明を実施するには、例えば図示のように、真空室中
に基材、例えばガラス基板（１）を用意しこの表面に、
その所定の文字、図形、模様、などのパターンを超微粒
子の焼成膜で表示するに当り、その所定の個所に、図示
の想像線で表わした所定パターンに従って、この個所（
２）だけ紫外線などの集光したものレーザー光、赤外線
光などのスポット光（３）全照射装置（４）により照射
して腋部の活性化即ち、表面吸着或は励起により超微粒
子、特に金属超微粒子に対する付着性の向上をもたらし
、この状態において、例えば、ノズル（５）より平均粒
径０．１μ島以下のＮ１などの超微粒子を水素、ヘリウ
ムなどのキャリヤーガスと共にその所定のパターン個所
に吹き付けてその所定のパターン（６）を第２図系の如
く形成する。
に基材、例えばガラス基板（１）を用意しこの表面に、
その所定の文字、図形、模様、などのパターンを超微粒
子の焼成膜で表示するに当り、その所定の個所に、図示
の想像線で表わした所定パターンに従って、この個所（
２）だけ紫外線などの集光したものレーザー光、赤外線
光などのスポット光（３）全照射装置（４）により照射
して腋部の活性化即ち、表面吸着或は励起により超微粒
子、特に金属超微粒子に対する付着性の向上をもたらし
、この状態において、例えば、ノズル（５）より平均粒
径０．１μ島以下のＮ１などの超微粒子を水素、ヘリウ
ムなどのキャリヤーガスと共にその所定のパターン個所
に吹き付けてその所定のパターン（６）を第２図系の如
く形成する。
然るときは、超微粒子は基材（１１の一該活性化した表
面耳屑に強固に結着される。尚このパターン（６）形成
作業中、該スポット光（３）の照射を継続することが好
ましく、これにより、基材に堆積の超微粒子相互の焼成
結着が行なわれると共にこれら超微粒子堆積又は焼成膜
中に含まれるガスは容易に拡散除去でき、ガスを含まな
いち密な焼成膜を得ることができる。更に好ましくは、
か＼る膜パターンの形成後も、該スポット光（３）を該
パターン（６）の上面に当て走査するときは、更に強固
ち密な焼成膜を高能率に得ることができる・この場合、
照射光のエネルギー密度Ｘ照射時間を適宜その使用され
る超微粒子の種類１量等に応じて設定する。レーザーの
場合、超微粒子の共鳴吸収波長と合致した波長のレーザ
ーを用いれば・効率は更に向上する。この照射装置のＩ
ｉ４囲は、真空減圧下で、或は不活性ガスなどの雰囲気
下におくこともできる。キャリヤーガスによる超微粒子
マスの混合搬送スプレー装置は、先の出願に開示した装
置ヲ用いることができることは云うまでもない。
面耳屑に強固に結着される。尚このパターン（６）形成
作業中、該スポット光（３）の照射を継続することが好
ましく、これにより、基材に堆積の超微粒子相互の焼成
結着が行なわれると共にこれら超微粒子堆積又は焼成膜
中に含まれるガスは容易に拡散除去でき、ガスを含まな
いち密な焼成膜を得ることができる。更に好ましくは、
か＼る膜パターンの形成後も、該スポット光（３）を該
パターン（６）の上面に当て走査するときは、更に強固
ち密な焼成膜を高能率に得ることができる・この場合、
照射光のエネルギー密度Ｘ照射時間を適宜その使用され
る超微粒子の種類１量等に応じて設定する。レーザーの
場合、超微粒子の共鳴吸収波長と合致した波長のレーザ
ーを用いれば・効率は更に向上する。この照射装置のＩ
ｉ４囲は、真空減圧下で、或は不活性ガスなどの雰囲気
下におくこともできる。キャリヤーガスによる超微粒子
マスの混合搬送スプレー装置は、先の出願に開示した装
置ヲ用いることができることは云うまでもない。
このように本発明によるときは、超微粒子をキャリヤー
ガスと共に基材面にスプレーし、その所定のパターン膜
を形成するに当り、予め、基板面にその所定の膜パター
ンを形成すべき個所にのみ光スポットを照射走査するよ
うにしたので、基材面に高能率且つ経済的に超微粒子の
焼成パターンを形成することができる効果をもたらす。
ガスと共に基材面にスプレーし、その所定のパターン膜
を形成するに当り、予め、基板面にその所定の膜パター
ンを形成すべき個所にのみ光スポットを照射走査するよ
うにしたので、基材面に高能率且つ経済的に超微粒子の
焼成パターンを形成することができる効果をもたらす。
第１図及び第２図は本発明実施の１例を示す斜面図であ
る。 （１）・・・基材 （２）・・・所定個所 （３）・・
・スポット光（４）・・・照射装置（５）・・・ノズル
（６）・・・パターン外２名
る。 （１）・・・基材 （２）・・・所定個所 （３）・・
・スポット光（４）・・・照射装置（５）・・・ノズル
（６）・・・パターン外２名
Claims (1)
- １、 基材面に超微粒子をキャリヤーガスと共にスプレ
ーし、その基材面に所定個所にその膜を形成する超微粒
子スプレー膜の形成法において、上記スプレーに際し予
め該基材面の所定個所に光スポットを走らせて表面活性
化することを特徴とするｍ超微粒子スプレー膜１すの形
成法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3142784A JPS60175573A (ja) | 1984-02-23 | 1984-02-23 | 超微粒子スプレ−膜の形成法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3142784A JPS60175573A (ja) | 1984-02-23 | 1984-02-23 | 超微粒子スプレ−膜の形成法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60175573A true JPS60175573A (ja) | 1985-09-09 |
| JPH0316187B2 JPH0316187B2 (ja) | 1991-03-04 |
Family
ID=12330938
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3142784A Granted JPS60175573A (ja) | 1984-02-23 | 1984-02-23 | 超微粒子スプレ−膜の形成法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60175573A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06296920A (ja) * | 1993-04-15 | 1994-10-25 | Matsushita Electric Works Ltd | 立体表面への膜形成方法 |
| JP2006007164A (ja) * | 2004-06-29 | 2006-01-12 | Alps Electric Co Ltd | スプレーコート方法及びスプレーコート装置 |
-
1984
- 1984-02-23 JP JP3142784A patent/JPS60175573A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06296920A (ja) * | 1993-04-15 | 1994-10-25 | Matsushita Electric Works Ltd | 立体表面への膜形成方法 |
| JP2006007164A (ja) * | 2004-06-29 | 2006-01-12 | Alps Electric Co Ltd | スプレーコート方法及びスプレーコート装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0316187B2 (ja) | 1991-03-04 |
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