JPH08227961A - 半導体装置用リードフレームおよびその製造方法 - Google Patents
半導体装置用リードフレームおよびその製造方法Info
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- JPH08227961A JPH08227961A JP3222195A JP3222195A JPH08227961A JP H08227961 A JPH08227961 A JP H08227961A JP 3222195 A JP3222195 A JP 3222195A JP 3222195 A JP3222195 A JP 3222195A JP H08227961 A JPH08227961 A JP H08227961A
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- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
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Abstract
(57)【要約】
【目的】樹脂流動ホールの樹脂溜り部除去時に、ホール
周縁部のバリを生じることなく、かつパッケージ側のク
ラックおよび樹脂の欠損も生じない構造を有するリード
フレームを提供する。 【構成】アイランド２と、半導体チップの電極とワイヤ
で接続されるインナリード３と、アウタリード４と、イ
ンナリード３およびアウタリード４の間にあってこれら
のリード群を支持するタイバー５と、４辺のコーナー部
分でアウタリード４が配置されていないスペースである
ゲート部５と、コーナー部分に接続された吊りピン７の
うちの一つの幅が部分的に拡張され、この拡張部分とゲ
ート部６領域に渡って開口された樹脂流動ホール８とを
有し、ゲート部６領域の開口部を囲むように周縁部にエ
ッチング処理またはプレス加工処理によるＶノッチ９が
開口され、この開口部で囲まれたすき間１０部分を樹脂
溜り部とともに打ち落す。
周縁部のバリを生じることなく、かつパッケージ側のク
ラックおよび樹脂の欠損も生じない構造を有するリード
フレームを提供する。 【構成】アイランド２と、半導体チップの電極とワイヤ
で接続されるインナリード３と、アウタリード４と、イ
ンナリード３およびアウタリード４の間にあってこれら
のリード群を支持するタイバー５と、４辺のコーナー部
分でアウタリード４が配置されていないスペースである
ゲート部５と、コーナー部分に接続された吊りピン７の
うちの一つの幅が部分的に拡張され、この拡張部分とゲ
ート部６領域に渡って開口された樹脂流動ホール８とを
有し、ゲート部６領域の開口部を囲むように周縁部にエ
ッチング処理またはプレス加工処理によるＶノッチ９が
開口され、この開口部で囲まれたすき間１０部分を樹脂
溜り部とともに打ち落す。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体装置用リードフレ
ームに係わり、特にモールド樹脂封入時の樹脂溜りの除
去方法を改善した半導体装置用リードフレームに関す
る。
ームに係わり、特にモールド樹脂封入時の樹脂溜りの除
去方法を改善した半導体装置用リードフレームに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年の半導体装置は、微細加工技術の進
展に伴いその集積度も向上するとともに、利用分野も工
業用機器、民生用機器を含む幅広い分野の機器に使用さ
れるようになってきた。そのため、小型化、薄型化およ
び多ピン化等のそれぞれの機器に使用し易い形状のパッ
ケージを備えた半導体装置が製品化されている。
展に伴いその集積度も向上するとともに、利用分野も工
業用機器、民生用機器を含む幅広い分野の機器に使用さ
れるようになってきた。そのため、小型化、薄型化およ
び多ピン化等のそれぞれの機器に使用し易い形状のパッ
ケージを備えた半導体装置が製品化されている。
【０００３】これらの半導体装置に用いられるパッケー
ジ形態のなかに樹脂封止によるＤＩＰ（ｄｕａｌ ｉｎ
−ｌｉｎｅ ｐａｃｋａｇｅ）型、ＱＦＰ（ｑｕａｄ
ｆｌａｔ ｐａｃｋａｇｅ）型、およびＱＵＩＰ（ｑｕ
ａｄ ｉｎ−ｌｉｎｅ）型等がある。
ジ形態のなかに樹脂封止によるＤＩＰ（ｄｕａｌ ｉｎ
−ｌｉｎｅ ｐａｃｋａｇｅ）型、ＱＦＰ（ｑｕａｄ
ｆｌａｔ ｐａｃｋａｇｅ）型、およびＱＵＩＰ（ｑｕ
ａｄ ｉｎ−ｌｉｎｅ）型等がある。
【０００４】これらのパッケージを構成する場合には、
導電性の金属材料を用いたリードフレームが使用され
る。リードフレームは薄い金属板をプレス加工により打
ち抜いて所望の形状を得る方法とエッチング処理による
方法とがある。このリードフレームのアイランドに半導
体チップを搭載し、その電極とアイランド周辺に配設さ
れたインナリードとを金属細線（ワイヤ）を用いてワイ
ヤボンディングすることによって電気的接続を行ない、
これらを樹脂で封止する構造がとられている。
導電性の金属材料を用いたリードフレームが使用され
る。リードフレームは薄い金属板をプレス加工により打
ち抜いて所望の形状を得る方法とエッチング処理による
方法とがある。このリードフレームのアイランドに半導
体チップを搭載し、その電極とアイランド周辺に配設さ
れたインナリードとを金属細線（ワイヤ）を用いてワイ
ヤボンディングすることによって電気的接続を行ない、
これらを樹脂で封止する構造がとられている。
【０００５】上述した樹脂封止時においては、所定のパ
ッケージの形状に合せて形成されたキャビティ内に半導
体装置が搭載されたリードフレームが収容され、半導体
装置を搭載するアイランドの吊りピンの一方側から樹脂
が封入される。その場合、リードフレームの上下両面に
均等に樹脂を封入するために開発された方法の一つに樹
脂流動ホールと称する穴部を吊りピン部とコーナー部と
を含む領域に形成し、吊りピンの下面側から注入した樹
脂がこの樹脂流動ホールを通って上面にも流入し、上下
両面に万遍なく樹脂が注入されるように工夫されてい
る。
ッケージの形状に合せて形成されたキャビティ内に半導
体装置が搭載されたリードフレームが収容され、半導体
装置を搭載するアイランドの吊りピンの一方側から樹脂
が封入される。その場合、リードフレームの上下両面に
均等に樹脂を封入するために開発された方法の一つに樹
脂流動ホールと称する穴部を吊りピン部とコーナー部と
を含む領域に形成し、吊りピンの下面側から注入した樹
脂がこの樹脂流動ホールを通って上面にも流入し、上下
両面に万遍なく樹脂が注入されるように工夫されてい
る。
【０００６】その一例のリードフレームの平面図を示し
た図５（ａ）、樹脂封入後のリードフレームを平面図で
示した図５（ｂ）、およびこのリードフレームを樹脂封
止する工程であって、封入前のリードフレームの断面図
を示した図６（ａ）、樹脂封入開始状態を断面図で示し
た図６（ｂ）、樹脂封入後の状態を断面図で示した図６
（ｃ）、封入後のパッケージをゲートブレイクにより個
別のパッケージに分離した状態を断面図で示した図６
（ｄ）をそれぞれ併せて参照すると、導電性材料を用い
たリードフレーム１は、アイランド２と、インナリード
３と、アウタリード４と、インナリード３およびアウタ
リード４の間にあってこれらのリード群を支持するタイ
バー５と、４辺のコーナー部分でアウタリード４が配置
されていないスペースであるコーナー部領域のゲート部
６と、コーナー部分に接続された吊りピン７のうちの一
つの幅が部分的に拡張され、その拡張部分とゲート部６
とを含む領域に開口された樹脂流動ホール８とを有し、
アイランド２に半導体チップ２１が搭載され、その入出
力電極とインナリード３とがワイヤ２２で接続されてい
る。
た図５（ａ）、樹脂封入後のリードフレームを平面図で
示した図５（ｂ）、およびこのリードフレームを樹脂封
止する工程であって、封入前のリードフレームの断面図
を示した図６（ａ）、樹脂封入開始状態を断面図で示し
た図６（ｂ）、樹脂封入後の状態を断面図で示した図６
（ｃ）、封入後のパッケージをゲートブレイクにより個
別のパッケージに分離した状態を断面図で示した図６
（ｄ）をそれぞれ併せて参照すると、導電性材料を用い
たリードフレーム１は、アイランド２と、インナリード
３と、アウタリード４と、インナリード３およびアウタ
リード４の間にあってこれらのリード群を支持するタイ
バー５と、４辺のコーナー部分でアウタリード４が配置
されていないスペースであるコーナー部領域のゲート部
６と、コーナー部分に接続された吊りピン７のうちの一
つの幅が部分的に拡張され、その拡張部分とゲート部６
とを含む領域に開口された樹脂流動ホール８とを有し、
アイランド２に半導体チップ２１が搭載され、その入出
力電極とインナリード３とがワイヤ２２で接続されてい
る。
【０００７】樹脂封入は、半導体チップ２１を搭載した
リードフレーム１が複数個同時に行なわれるのが一般的
である。すなわち、リードフレームの複数個が、１５０
°〜１８０°Ｃの高温に加熱したパッケージ下金型２３
および上金型２４で挟まれてセットされ、モールドプレ
スで型締めし、流動性のある熱可塑性樹脂を６０〜１２
０Ｋｇ／ｃｍ2 の低圧で金型内に注入してパッケージを
トランスファ成形する。
リードフレーム１が複数個同時に行なわれるのが一般的
である。すなわち、リードフレームの複数個が、１５０
°〜１８０°Ｃの高温に加熱したパッケージ下金型２３
および上金型２４で挟まれてセットされ、モールドプレ
スで型締めし、流動性のある熱可塑性樹脂を６０〜１２
０Ｋｇ／ｃｍ2 の低圧で金型内に注入してパッケージを
トランスファ成形する。
【０００８】このとき、両方のパッケージを挟む金型の
キャビティ２５は樹脂流入路により連結されており、そ
の中間部に設けられたカル部２６に樹脂投入部２７があ
って樹脂が投入される（図６（ａ）および（ｂ））。
キャビティ２５は樹脂流入路により連結されており、そ
の中間部に設けられたカル部２６に樹脂投入部２７があ
って樹脂が投入される（図６（ａ）および（ｂ））。
【０００９】熱可塑性樹脂は注入圧力により樹脂流は樹
脂流入路内のリードフレーム１の下側を流れ、インナリ
ード３間のスキ間、あるいはインナリード３とダイパッ
ド２間のスキ間からリードフレーム１の上面のキャビテ
ィ２５内にも充填される。このとき上述した樹脂流動ホ
ール８からも樹脂流がリードフレーム１の上面に流入す
るので、キャビティ２５内には樹脂が均等に充填される
ことになる。
脂流入路内のリードフレーム１の下側を流れ、インナリ
ード３間のスキ間、あるいはインナリード３とダイパッ
ド２間のスキ間からリードフレーム１の上面のキャビテ
ィ２５内にも充填される。このとき上述した樹脂流動ホ
ール８からも樹脂流がリードフレーム１の上面に流入す
るので、キャビティ２５内には樹脂が均等に充填される
ことになる。
【００１０】リードフレーム１が封入されたパッケージ
は樹脂により複数個が連結された状態にあり、その中間
部に形成されるカル部２６の樹脂を成形ポンチ２８で上
下から挟んで固定し、パッケージに下向きの圧力を加え
ることによって個別のパッケージに分離（ゲートブレイ
ク）する（図５（ｃ））。
は樹脂により複数個が連結された状態にあり、その中間
部に形成されるカル部２６の樹脂を成形ポンチ２８で上
下から挟んで固定し、パッケージに下向きの圧力を加え
ることによって個別のパッケージに分離（ゲートブレイ
ク）する（図５（ｃ））。
【００１１】この樹脂封止されたパッケージの外側には
インナリード３が延長されたアウタリード４、タイバー
５、ゲート部６および樹脂流動ホール８部分が露出した
状態にあり、樹脂流動ホール８の個所にはホールの上下
面にその周縁部からはみ出した状態で樹脂溜り部２９が
形成されている（図５（ｂ）および図６（ｄ））。
インナリード３が延長されたアウタリード４、タイバー
５、ゲート部６および樹脂流動ホール８部分が露出した
状態にあり、樹脂流動ホール８の個所にはホールの上下
面にその周縁部からはみ出した状態で樹脂溜り部２９が
形成されている（図５（ｂ）および図６（ｄ））。
【００１２】上述した樹脂溜り部２９は、パッケージと
しては不要な部分であるから、除去する必要がある。こ
の樹脂溜り除去工程であって、その封入後のパッケージ
の部分断面図を示した図７（ａ）、ゲートブレイクを行
なった後のパッケージの部分断面図を示した図７
（ｂ）、樹脂溜り部２９の切断を説明するパッケージの
部分断面図を示した図７（ｃ）、樹脂溜り部２９の切断
後のパッケージの部分断面図を示した図７（ｄ）を参照
すると、樹脂封入後のパッケージをゲートブレイクによ
り個別のパッケージに分離し、樹脂溜り部２９が残った
状態にする（図７（ａ）および（ｂ））。この樹脂溜り
部２９をポンチ３０により打ち落して製品に仕上げる
（図７（ｃ）および（ｄ））。なお、この図では図示し
ていないがタイバー５の切断も同時に行なわれる。
しては不要な部分であるから、除去する必要がある。こ
の樹脂溜り除去工程であって、その封入後のパッケージ
の部分断面図を示した図７（ａ）、ゲートブレイクを行
なった後のパッケージの部分断面図を示した図７
（ｂ）、樹脂溜り部２９の切断を説明するパッケージの
部分断面図を示した図７（ｃ）、樹脂溜り部２９の切断
後のパッケージの部分断面図を示した図７（ｄ）を参照
すると、樹脂封入後のパッケージをゲートブレイクによ
り個別のパッケージに分離し、樹脂溜り部２９が残った
状態にする（図７（ａ）および（ｂ））。この樹脂溜り
部２９をポンチ３０により打ち落して製品に仕上げる
（図７（ｃ）および（ｄ））。なお、この図では図示し
ていないがタイバー５の切断も同時に行なわれる。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】前述した従来の半導体
装置用リードフレームは、リードフレーム１に搭載され
た半導体チップ２１を樹脂封止する際に、パッケージキ
ャビティ２５内に封入する樹脂をリードフレーム１の上
面側および下面側の両面から注入する手段として樹脂流
動ホール８を有している。そのため、この樹脂流動ホー
ル８部分に樹脂溜り部２９が樹脂封入後に形成される。
この樹脂溜り部２９はリードフレームとしては不要であ
り、かつ後工程における搬送時にこの樹脂溜り部が搬送
治具に接触して搬送の流れを止める要因にもなってい
た。
装置用リードフレームは、リードフレーム１に搭載され
た半導体チップ２１を樹脂封止する際に、パッケージキ
ャビティ２５内に封入する樹脂をリードフレーム１の上
面側および下面側の両面から注入する手段として樹脂流
動ホール８を有している。そのため、この樹脂流動ホー
ル８部分に樹脂溜り部２９が樹脂封入後に形成される。
この樹脂溜り部２９はリードフレームとしては不要であ
り、かつ後工程における搬送時にこの樹脂溜り部が搬送
治具に接触して搬送の流れを止める要因にもなってい
た。
【００１４】したがって、樹脂封止後はタイバー切断と
同時にこの樹脂溜り部分の打ち落しを行なうが、このと
き、樹脂流動ホール８からはみ出した樹脂が樹脂流動ホ
ール８の周縁部を挟み込む状態で密着している。リード
フレーム１と樹脂の密着性が良いため、図７（ｅ）に示
したように、成形ポンチ３０で打ち落しても樹脂溜り部
２９が樹脂流動ホール８の周縁部のリードフレームコー
ナー部に密着したまま周縁部を折り曲げた状態で残り、
この残った樹脂溜り部２９を除去しても周縁部の折れ曲
り部分３１はバリ状の突起として残るので、上述した後
工程におけるパッケージ搬送での送りミス等のトラブル
が発生し易い。
同時にこの樹脂溜り部分の打ち落しを行なうが、このと
き、樹脂流動ホール８からはみ出した樹脂が樹脂流動ホ
ール８の周縁部を挟み込む状態で密着している。リード
フレーム１と樹脂の密着性が良いため、図７（ｅ）に示
したように、成形ポンチ３０で打ち落しても樹脂溜り部
２９が樹脂流動ホール８の周縁部のリードフレームコー
ナー部に密着したまま周縁部を折り曲げた状態で残り、
この残った樹脂溜り部２９を除去しても周縁部の折れ曲
り部分３１はバリ状の突起として残るので、上述した後
工程におけるパッケージ搬送での送りミス等のトラブル
が発生し易い。
【００１５】さらにパッケージ側の打ち落された部分に
クラック３２あるいは欠損個所３３を生じ、パッケージ
不良が発生する場合が多い。
クラック３２あるいは欠損個所３３を生じ、パッケージ
不良が発生する場合が多い。
【００１６】本発明の目的は、上述した欠点に鑑みなさ
れたものであり、樹脂封止後における樹脂溜り部除去の
工程で、樹脂流動ホールの周縁部にバリが生じることな
く、さらに樹脂溜り部を打ち落した後のパッケージ側の
クラックおよび樹脂の欠損を生じない構造を有する半導
体装置用リードフレームを提供することにある。
れたものであり、樹脂封止後における樹脂溜り部除去の
工程で、樹脂流動ホールの周縁部にバリが生じることな
く、さらに樹脂溜り部を打ち落した後のパッケージ側の
クラックおよび樹脂の欠損を生じない構造を有する半導
体装置用リードフレームを提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置用リ
ードフレームの特徴は、半導体素子を搭載するリードフ
レームの吊りピンの幅が一部拡張され、その拡張領域と
コーナー部領域とを含む領域に開口されて封入樹脂をリ
ードフレームの上下面に均等に流入させるための樹脂流
動ホールを有する半導体装置用リードフレームにおい
て、前記コーナー部領域に形成された前記樹脂流動ホー
ルの周縁を囲むように所定の幅と深さとで開口された溝
状の開口部を有することにある。
ードフレームの特徴は、半導体素子を搭載するリードフ
レームの吊りピンの幅が一部拡張され、その拡張領域と
コーナー部領域とを含む領域に開口されて封入樹脂をリ
ードフレームの上下面に均等に流入させるための樹脂流
動ホールを有する半導体装置用リードフレームにおい
て、前記コーナー部領域に形成された前記樹脂流動ホー
ルの周縁を囲むように所定の幅と深さとで開口された溝
状の開口部を有することにある。
【００１８】また、前記溝状の開口部に代えて、前記コ
ーナー部領域に形成された樹脂流動ホールの周縁を囲む
ように所定の幅で開口されたスリットを有することこと
ができる。
ーナー部領域に形成された樹脂流動ホールの周縁を囲む
ように所定の幅で開口されたスリットを有することこと
ができる。
【００１９】さらに、前記コーナー部領域に形成された
前記樹脂流動ホール先端部近辺を囲む周縁部の一部領域
にのみ前記スリットまたは溝状の開口部を形成してもよ
い。
前記樹脂流動ホール先端部近辺を囲む周縁部の一部領域
にのみ前記スリットまたは溝状の開口部を形成してもよ
い。
【００２０】さらにまた、前記スリットはエチング加工
またはプレス加工の一方を用いて複数個一列状態で開口
されてもよい。
またはプレス加工の一方を用いて複数個一列状態で開口
されてもよい。
【００２１】また、前記溝状の開口部は、前記リードフ
レーム厚の略半分の深さまでエッチングされるハーフエ
ッチング加工、またはパンチにより略半分の深さまで開
口するプレス加工のいずれか一方を用いて開口されても
よい。
レーム厚の略半分の深さまでエッチングされるハーフエ
ッチング加工、またはパンチにより略半分の深さまで開
口するプレス加工のいずれか一方を用いて開口されても
よい。
【００２２】本発明の半導体装置用リードフレームの製
造方法の特徴は、半導体素子を搭載するリードフレーム
の吊りピンの幅が一部拡張され、その拡張領域とコーナ
ー部領域とを含む領域に樹脂流動ホールが開口されて封
入樹脂がリードフレームの上下面に均等に流入させるよ
うにしたリードフレームであって、エッチング加工工程
またはプレス加工工程のいずれかにより形成される半導
体装置用リードフレームの製造方法において；前記コー
ナー部領域に形成された前記樹脂流動ホールの周縁を囲
むように所定形状のスリットまたは溝状の開口部の開口
工程が前記エッチング加工工程または前記プレス加工工
程のいずれかに含まれ、前記エッチングによる前記開口
工程は、前記拡張領域の表裏両面または一方面にレジス
トを塗布する第１の工程と、前記スリットを開口するた
めのパターンが含まれたパターンマスクを用いて、前記
流動ホール周縁部のうち前記コーナー部領域の前記両面
または前記一方面に露光および焼き付けをする第２の工
程と、前記露光および焼き付けをした前記スリット状ま
たは前記溝状の開口部形成個所の前記レジストを現像し
て除去する第３の工程と、前記現像により露出された前
記スリット状または前記溝状の開口部形成個所の表面
を、エッチングにより裏面まで開口するスリット形成工
程または前記一方面から所定の深さまで開口する溝形成
工程からなる第４の工程とからなり、前記プレス加工に
よる前記開口工程は、所定の打抜きパンチにより前記ス
リットの形状に合せて前記コーナー領域を打抜く打抜き
加工、または前記溝状の開口部の形状に合せて所定の深
さまで開口する溝状の切り込み加工のいずれかの工程か
らなることにある。
造方法の特徴は、半導体素子を搭載するリードフレーム
の吊りピンの幅が一部拡張され、その拡張領域とコーナ
ー部領域とを含む領域に樹脂流動ホールが開口されて封
入樹脂がリードフレームの上下面に均等に流入させるよ
うにしたリードフレームであって、エッチング加工工程
またはプレス加工工程のいずれかにより形成される半導
体装置用リードフレームの製造方法において；前記コー
ナー部領域に形成された前記樹脂流動ホールの周縁を囲
むように所定形状のスリットまたは溝状の開口部の開口
工程が前記エッチング加工工程または前記プレス加工工
程のいずれかに含まれ、前記エッチングによる前記開口
工程は、前記拡張領域の表裏両面または一方面にレジス
トを塗布する第１の工程と、前記スリットを開口するた
めのパターンが含まれたパターンマスクを用いて、前記
流動ホール周縁部のうち前記コーナー部領域の前記両面
または前記一方面に露光および焼き付けをする第２の工
程と、前記露光および焼き付けをした前記スリット状ま
たは前記溝状の開口部形成個所の前記レジストを現像し
て除去する第３の工程と、前記現像により露出された前
記スリット状または前記溝状の開口部形成個所の表面
を、エッチングにより裏面まで開口するスリット形成工
程または前記一方面から所定の深さまで開口する溝形成
工程からなる第４の工程とからなり、前記プレス加工に
よる前記開口工程は、所定の打抜きパンチにより前記ス
リットの形状に合せて前記コーナー領域を打抜く打抜き
加工、または前記溝状の開口部の形状に合せて所定の深
さまで開口する溝状の切り込み加工のいずれかの工程か
らなることにある。
【００２３】
【実施例】次に、本発明の実施例を図面を参照しながら
説明する。
説明する。
【００２４】図１は本発明の半導体装置用リードフレー
ムの第１の実施例の平面図を示す図である。図１を参照
すると、リードフレーム１は、半導体チップを搭載する
アイランド２と、半導体チップの電極とボンディングワ
イヤで接続されるインナリード３と、アウタリード４
と、インナリード３およびアウタリード４の間にあって
これらのリード群を支持するタイバー５と、４辺のコー
ナー部分でアウタリード４が配置されていない領域であ
るゲート部５と、コーナー部分に接続された吊りピン７
のうちの一つの幅が部分的に拡張され、その拡張部分と
ゲート部５とを含む領域に開口され、かつゲート部５領
域の開口部が所定の大きさで、吊りピン６の拡張領域の
ホールよりも広く開口された脂流動ホール８とを有し、
ゲート部５領域の開口部を囲むように周縁部にエッチン
グ処理またはプレス加工処理による溝状の開口部（Ｖノ
ッチ）９が開口されている。
ムの第１の実施例の平面図を示す図である。図１を参照
すると、リードフレーム１は、半導体チップを搭載する
アイランド２と、半導体チップの電極とボンディングワ
イヤで接続されるインナリード３と、アウタリード４
と、インナリード３およびアウタリード４の間にあって
これらのリード群を支持するタイバー５と、４辺のコー
ナー部分でアウタリード４が配置されていない領域であ
るゲート部５と、コーナー部分に接続された吊りピン７
のうちの一つの幅が部分的に拡張され、その拡張部分と
ゲート部５とを含む領域に開口され、かつゲート部５領
域の開口部が所定の大きさで、吊りピン６の拡張領域の
ホールよりも広く開口された脂流動ホール８とを有し、
ゲート部５領域の開口部を囲むように周縁部にエッチン
グ処理またはプレス加工処理による溝状の開口部（Ｖノ
ッチ）９が開口されている。
【００２５】このＶノッチ９を設けたことにより、パッ
ケージキャビティ内のアイランド２および半導体チップ
の位置が、樹脂流でずれて変形しないようにリードフレ
ーム１の両面に均等に樹脂を充填するべく開口された樹
脂流動ホール８には、前述したように、封入後に樹脂溜
り部が形成される。ゲートブレイクによって樹脂注入路
で連結された他のパッケージと分離した後、樹脂流動ホ
ール８に残った樹脂溜り部をタイバー５とともに成形ポ
ンチで打ち落す。
ケージキャビティ内のアイランド２および半導体チップ
の位置が、樹脂流でずれて変形しないようにリードフレ
ーム１の両面に均等に樹脂を充填するべく開口された樹
脂流動ホール８には、前述したように、封入後に樹脂溜
り部が形成される。ゲートブレイクによって樹脂注入路
で連結された他のパッケージと分離した後、樹脂流動ホ
ール８に残った樹脂溜り部をタイバー５とともに成形ポ
ンチで打ち落す。
【００２６】このとき、Ｖノッチ９の無い従来のリード
フレームでは樹脂流動ホール８の周縁部にくい込んだ樹
脂溜り部が打ち落されたときに、樹脂と周縁部金属との
密着性が良いために樹脂が剥離せず、周縁部をも同時に
折り曲げてしまい、樹脂を取り去っても残った周縁部を
バリ状に変形させていた。
フレームでは樹脂流動ホール８の周縁部にくい込んだ樹
脂溜り部が打ち落されたときに、樹脂と周縁部金属との
密着性が良いために樹脂が剥離せず、周縁部をも同時に
折り曲げてしまい、樹脂を取り去っても残った周縁部を
バリ状に変形させていた。
【００２７】そのため、Ｖノッチ９をあらかじめ開口し
ておくことによってそのノッチ部分のリードフレームの
厚みが薄くなっているので、樹脂流動ホール８に形成さ
れた樹脂溜り部の打ち落しに伴なってＶノッチ９によっ
て囲まれた領域（すき間）１０も一緒に打ち落すことが
出来る。
ておくことによってそのノッチ部分のリードフレームの
厚みが薄くなっているので、樹脂流動ホール８に形成さ
れた樹脂溜り部の打ち落しに伴なってＶノッチ９によっ
て囲まれた領域（すき間）１０も一緒に打ち落すことが
出来る。
【００２８】したがって、周縁部がバリ状に変形するこ
ともなく樹脂溜り部９のパッケージ側の接続部にも余分
な圧力もかからないので、パッケージ側の打ち落された
側面部分にクラック、あるいはパッケージ欠損も生じな
い。
ともなく樹脂溜り部９のパッケージ側の接続部にも余分
な圧力もかからないので、パッケージ側の打ち落された
側面部分にクラック、あるいはパッケージ欠損も生じな
い。
【００２９】なお、上述したＶノッチ９はリードフレー
ム１の表裏両面のうちいずれの面に形成してもよい。
ム１の表裏両面のうちいずれの面に形成してもよい。
【００３０】本発明の第２の実施例を平面図で示した図
２を参照すると、第１の実施例との相違点は、第１の実
施例におけるＶノッチ９に代えてエッチング処理または
プレス加工処理によるスリット１１が開口されているこ
とである。このスリット１１はリードフレーム１の裏面
まで貫通され、短かいスリット１１を樹脂流動ホール７
の周縁を囲むように複数個所一列に並べて開口してあ
る。
２を参照すると、第１の実施例との相違点は、第１の実
施例におけるＶノッチ９に代えてエッチング処理または
プレス加工処理によるスリット１１が開口されているこ
とである。このスリット１１はリードフレーム１の裏面
まで貫通され、短かいスリット１１を樹脂流動ホール７
の周縁を囲むように複数個所一列に並べて開口してあ
る。
【００３１】それ以外の構成要素は第１の実施例と同様
であるから、同一の構成要素には同一の符号を付して構
成の説明は省略する。
であるから、同一の構成要素には同一の符号を付して構
成の説明は省略する。
【００３２】このスリット１１を設けたことにより、こ
のリードフレーム１を樹脂封止したパッケージは、ゲー
トブレイクによって樹脂注入路で連結された他のパッケ
ージと分離された後、樹脂流動ホール８に残った樹脂溜
り部をタイバー５とともに成形ポンチで打ち落す。
のリードフレーム１を樹脂封止したパッケージは、ゲー
トブレイクによって樹脂注入路で連結された他のパッケ
ージと分離された後、樹脂流動ホール８に残った樹脂溜
り部をタイバー５とともに成形ポンチで打ち落す。
【００３３】このとき、前述したように、スリット１１
の無い従来のリードフレームではホール７の周縁部にく
い込んだ樹脂溜り部が周縁部をバリ状に変形させていた
が、スリット１１があらかじめ開口され、成形ポンチで
容易に打ち落せる程度までスリット間隔を狭めてあるの
で、樹脂流動ホール８に形成された樹脂溜り部の打ち落
しに伴ないスリット１１によって囲まれたすき間１２も
一緒に打ち落すことが出来る。
の無い従来のリードフレームではホール７の周縁部にく
い込んだ樹脂溜り部が周縁部をバリ状に変形させていた
が、スリット１１があらかじめ開口され、成形ポンチで
容易に打ち落せる程度までスリット間隔を狭めてあるの
で、樹脂流動ホール８に形成された樹脂溜り部の打ち落
しに伴ないスリット１１によって囲まれたすき間１２も
一緒に打ち落すことが出来る。
【００３４】したがって、第１の実施例同様に、周縁部
がバリ状に変形することもなく樹脂溜り部９のパッケー
ジ側の接続部にも余分な圧力もかからないので、パッケ
ージ側の打ち落された側面部分にクラック、あるいはパ
ッケージ欠損も生じない。
がバリ状に変形することもなく樹脂溜り部９のパッケー
ジ側の接続部にも余分な圧力もかからないので、パッケ
ージ側の打ち落された側面部分にクラック、あるいはパ
ッケージ欠損も生じない。
【００３５】上述した本発明の半導体装置用リードフレ
ームの製造方法は、通常のリードフレーム形成工程であ
るエッチング加工工程による製造工程であって、スリッ
トおよびＶノッチ部分に係わる工程のうち、加工前のリ
ードフレーム金属材料を断面図で示した図３（ａ）、レ
ジスト塗布を断面図で示した図３（ｂ）、露光および焼
付けを断面図で示した図３（ｃ）、現像処理の断面図を
示した図（ｄ）、エッチング処理の断面図を示した図
（ｅ）、レジスト除去を断面図で示した図３（ｆ）を併
せて参照すると、それぞれの図毎に、左側にスリット形
成工程を、右側にＶノッチ形成工程を各々対比させて示
してある。
ームの製造方法は、通常のリードフレーム形成工程であ
るエッチング加工工程による製造工程であって、スリッ
トおよびＶノッチ部分に係わる工程のうち、加工前のリ
ードフレーム金属材料を断面図で示した図３（ａ）、レ
ジスト塗布を断面図で示した図３（ｂ）、露光および焼
付けを断面図で示した図３（ｃ）、現像処理の断面図を
示した図（ｄ）、エッチング処理の断面図を示した図
（ｅ）、レジスト除去を断面図で示した図３（ｆ）を併
せて参照すると、それぞれの図毎に、左側にスリット形
成工程を、右側にＶノッチ形成工程を各々対比させて示
してある。
【００３６】まず、リードフレームの金属材料１３の表
裏両面にそれぞれレジスト１４を塗布する（図３（ａ）
および（ｂ））。
裏両面にそれぞれレジスト１４を塗布する（図３（ａ）
および（ｂ））。
【００３７】次に、リードフレーム１に必要なアイラン
ド２、インナリード３、アウタリード４、タイバー５、
樹脂流動ホール８等の形成に必要なパターンとともに本
発明のＶノッチ９およびスリット１１形成のためのパタ
ーンがあらかじめ形成されたパターンマスク１５を用い
て、金属材料１３の表裏両面または片面に露光と焼き付
けを行なう（図３（ｃ））。
ド２、インナリード３、アウタリード４、タイバー５、
樹脂流動ホール８等の形成に必要なパターンとともに本
発明のＶノッチ９およびスリット１１形成のためのパタ
ーンがあらかじめ形成されたパターンマスク１５を用い
て、金属材料１３の表裏両面または片面に露光と焼き付
けを行なう（図３（ｃ））。
【００３８】すなわち、パターンマスク１５は、Ｖノッ
チ９の場合、例えば５０μｍ〜５００μｍの幅の穴を開
口するためのリードフレーム金属材料１３の片面だけに
適用するパターンマスクであり、スリット１１の場合
も、例えば５０μｍ〜５００μｍの幅の穴を開口するた
めの両面にかけるパターンマスクである。
チ９の場合、例えば５０μｍ〜５００μｍの幅の穴を開
口するためのリードフレーム金属材料１３の片面だけに
適用するパターンマスクであり、スリット１１の場合
も、例えば５０μｍ〜５００μｍの幅の穴を開口するた
めの両面にかけるパターンマスクである。
【００３９】次に、現像処理により先に露光・焼付け処
理をした部分のレジストを除去した後、例えば塩化第二
鉄からなる溶剤により先にレジスト除去処理をした部分
のリードフレーム１をエッチング処理して表裏両面の開
口（スリット）、またはハーフエッチング（Ｖノッチ）
する。このときのＶノッチ９のエッチングで開口する深
さは、少くともリードフレーム厚の約半分の深さがあれ
ば、樹脂溜り部の打ち落しとともにすき間１２の打ち落
しも容易である（図３（ｄ）および（ｅ））。
理をした部分のレジストを除去した後、例えば塩化第二
鉄からなる溶剤により先にレジスト除去処理をした部分
のリードフレーム１をエッチング処理して表裏両面の開
口（スリット）、またはハーフエッチング（Ｖノッチ）
する。このときのＶノッチ９のエッチングで開口する深
さは、少くともリードフレーム厚の約半分の深さがあれ
ば、樹脂溜り部の打ち落しとともにすき間１２の打ち落
しも容易である（図３（ｄ）および（ｅ））。
【００４０】最後に、リードフレーム１全面のレジスト
１４の除去処理を行なうことによりＶノッチ９およびス
リット１１を有するリードフレーム１が得られる（図３
（ｆ）。
１４の除去処理を行なうことによりＶノッチ９およびス
リット１１を有するリードフレーム１が得られる（図３
（ｆ）。
【００４１】一方、プレス金型による製造工程であっ
て、プレス加工前のリードフレーム金属材料を断面図で
示した図４（ａ）、ポンチによるプレス加工の断面図を
示した図４（ｂ）、プレス加工の状態を断面図で示した
図４（ｃ）、プレス加工後の断面図を示した図４（ｄ）
を参照すると、この場合もそれぞれの図毎に、左側にス
リット形成工程を、右側にＶノッチ形成工程を各々対比
させて示してある。
て、プレス加工前のリードフレーム金属材料を断面図で
示した図４（ａ）、ポンチによるプレス加工の断面図を
示した図４（ｂ）、プレス加工の状態を断面図で示した
図４（ｃ）、プレス加工後の断面図を示した図４（ｄ）
を参照すると、この場合もそれぞれの図毎に、左側にス
リット形成工程を、右側にＶノッチ形成工程を各々対比
させて示してある。
【００４２】まず、リードフレーム１３の金属材料を成
形ダイ１６およびホルダ１７により上下からホールドす
る。成形ダイ１６はスリット加工の場合はスリット形状
に合せて型が作製されている（図４（ａ）および
（ｂ））。
形ダイ１６およびホルダ１７により上下からホールドす
る。成形ダイ１６はスリット加工の場合はスリット形状
に合せて型が作製されている（図４（ａ）および
（ｂ））。
【００４３】次に、スリット形成の場合は打ち抜きポン
チ１８により不要部分２０を打ち抜き、Ｖノッチ形成の
場合は、ポンチ１９によりリードフレーム厚の少なくと
も約半分の深さまで溝を開口することにより、Ｖノッチ
９およびスリット１１を有するリードフレームが得られ
る（図４（ｃ）および（ｄ））。
チ１８により不要部分２０を打ち抜き、Ｖノッチ形成の
場合は、ポンチ１９によりリードフレーム厚の少なくと
も約半分の深さまで溝を開口することにより、Ｖノッチ
９およびスリット１１を有するリードフレームが得られ
る（図４（ｃ）および（ｄ））。
【００４４】上述した２つの実施例では、樹脂流動ホー
ル８の周縁をぐるりと囲む「Ｃ字型」のスリットおよび
ノッチを形成したが、これらは「コの字型」でもよく、
要は打ち落し可能な形状であればよく、少なくとも湾曲
した周縁部頂点近辺を囲むことが出来るだけの形状を有
することが必要である。
ル８の周縁をぐるりと囲む「Ｃ字型」のスリットおよび
ノッチを形成したが、これらは「コの字型」でもよく、
要は打ち落し可能な形状であればよく、少なくとも湾曲
した周縁部頂点近辺を囲むことが出来るだけの形状を有
することが必要である。
【００４５】また、Ｖノッチ９で囲まれた樹脂流動ホー
ル７との狭いすき間１０およびスリット１１で囲まれた
狭いすき間１２の幅は、封入樹脂が樹脂流動ホール８の
周縁部からはみ出る幅よりも広い幅にあらかじめ設定さ
れ、少なくとも０．１ｍｍ幅分のスペースが開いていれ
ば充分である。
ル７との狭いすき間１０およびスリット１１で囲まれた
狭いすき間１２の幅は、封入樹脂が樹脂流動ホール８の
周縁部からはみ出る幅よりも広い幅にあらかじめ設定さ
れ、少なくとも０．１ｍｍ幅分のスペースが開いていれ
ば充分である。
【００４６】
【発明の効果】上述したように、本発明の半導体装置用
リードフレームおよびその製造方法は、吊りピンの幅が
一部拡張され、その拡張領域とコーナー無聊域とを含む
領域に樹脂流動ホールが開口されて封入樹脂がリードフ
レームの上下面に均等に流入させるようにしたリードフ
レームであって、コーナー部領域の樹脂流動ホール周縁
部または周縁部先端近辺を囲むように開口されたスリッ
ト、または所定の深さで掘られたノッチを有し、これ等
所定形状のスリットまたはノッチが開口される工程が通
常のエッチング加工工程またはプレス加工工程のいずれ
かに含まれて形成されるので、スリットまたはノッチの
無い従来のリードフレームでは樹脂流動ホールの周縁部
を挟み込むように密着した樹脂溜り部を打ち落す時に、
樹脂の密着性が良いために樹脂が剥れにくく周縁部をも
折り曲げてしまい、樹脂除去後はバリ状になって残って
いた。しかし、本発明のスリットまたはノッチをあらか
じめ開口しておくことによって、その複数のスリット部
分によって部分的に切り離され、ノッチ部分は厚みが薄
くなっているので、樹脂流動ホールに形成された樹脂溜
り部の打ち落しに伴なってスリットまたはノッチによっ
て囲まれた領域も一緒に打ち落すことが容易に出来る。
リードフレームおよびその製造方法は、吊りピンの幅が
一部拡張され、その拡張領域とコーナー無聊域とを含む
領域に樹脂流動ホールが開口されて封入樹脂がリードフ
レームの上下面に均等に流入させるようにしたリードフ
レームであって、コーナー部領域の樹脂流動ホール周縁
部または周縁部先端近辺を囲むように開口されたスリッ
ト、または所定の深さで掘られたノッチを有し、これ等
所定形状のスリットまたはノッチが開口される工程が通
常のエッチング加工工程またはプレス加工工程のいずれ
かに含まれて形成されるので、スリットまたはノッチの
無い従来のリードフレームでは樹脂流動ホールの周縁部
を挟み込むように密着した樹脂溜り部を打ち落す時に、
樹脂の密着性が良いために樹脂が剥れにくく周縁部をも
折り曲げてしまい、樹脂除去後はバリ状になって残って
いた。しかし、本発明のスリットまたはノッチをあらか
じめ開口しておくことによって、その複数のスリット部
分によって部分的に切り離され、ノッチ部分は厚みが薄
くなっているので、樹脂流動ホールに形成された樹脂溜
り部の打ち落しに伴なってスリットまたはノッチによっ
て囲まれた領域も一緒に打ち落すことが容易に出来る。
【００４７】したがって、周縁部がバリ状に変形するこ
ともなく樹脂溜り部のパッケージ側の接続部にも余分な
圧力もかからないので、パッケージ側の打ち落された側
面部分にはクラック、あるいはパッケージ欠損も生じな
い半導体装置用のリドフレームを提供することが出来
る。
ともなく樹脂溜り部のパッケージ側の接続部にも余分な
圧力もかからないので、パッケージ側の打ち落された側
面部分にはクラック、あるいはパッケージ欠損も生じな
い半導体装置用のリドフレームを提供することが出来
る。
【図１】本発明の第１の実施例によるリードフレームの
平面図を示す図である。
平面図を示す図である。
【図２】本発明の第２の実施例によるリードフレームの
平面図を示す図である。
平面図を示す図である。
【図３】（ａ）スリットおよびＶノッチ部分に係わる工
程のうち、エッチング加工前のリードフレーム金属材料
を示した断面図である。 （ｂ）レジスト塗布を示した断面図である。 （ｃ）露光および焼付を示した断面図である。 （ｄ）現像処理を示したの断面図である。 （ｅ）エッチング処理を示した断面図図である。 （ｆ）レジスト除去を示した断面図である。
程のうち、エッチング加工前のリードフレーム金属材料
を示した断面図である。 （ｂ）レジスト塗布を示した断面図である。 （ｃ）露光および焼付を示した断面図である。 （ｄ）現像処理を示したの断面図である。 （ｅ）エッチング処理を示した断面図図である。 （ｆ）レジスト除去を示した断面図である。
【図４】（ａ）スリットおよびＶノッチ部分に係わる工
程のうち、プレス加工前のリードフレーム金属材料を示
した断面図である。 （ｂ）ポンチによるプレス加工を示した断面図である。 （ｃ）プレス加工の状態を示した断面図である。 （ｄ）プレス加工後の状態を示した断面図である。
程のうち、プレス加工前のリードフレーム金属材料を示
した断面図である。 （ｂ）ポンチによるプレス加工を示した断面図である。 （ｃ）プレス加工の状態を示した断面図である。 （ｄ）プレス加工後の状態を示した断面図である。
【図５】（ａ）樹脂流動ホールをもつ従来のリードフレ
ームの一例を示す平面図である。 （ｂ）樹脂封入後のリードフレームの平面図である。
ームの一例を示す平面図である。 （ｂ）樹脂封入後のリードフレームの平面図である。
【図６】（ａ）従来のリードフレームを樹脂封止する工
程であって、封入前のリードフレームの主要部の断面図
である。 （ｂ）樹脂封入開始状態を示した断面図である。 （ｃ）樹脂封入後の状態を示した断面図である。 （ｄ）封入後のパッケージをートブレイクにより個別の
パッケージに分離した状態を示した断面図である。
程であって、封入前のリードフレームの主要部の断面図
である。 （ｂ）樹脂封入開始状態を示した断面図である。 （ｃ）樹脂封入後の状態を示した断面図である。 （ｄ）封入後のパッケージをートブレイクにより個別の
パッケージに分離した状態を示した断面図である。
【図７】（ａ）樹脂溜り除去工程であって、その封入後
のパッケージの部分断面図である。 （ｂ）ゲートブレイクを行なった後のパッケージの部分
断面図である。 （ｃ）樹脂溜り部の切断を説明するパッケージの部分断
面図である。 （ｄ）樹脂溜り部の切断後のパッケージの部分断面図で
ある。 （ｅ）樹脂溜り部除去時の不具合パッケージの一例の部
分断面図である。
のパッケージの部分断面図である。 （ｂ）ゲートブレイクを行なった後のパッケージの部分
断面図である。 （ｃ）樹脂溜り部の切断を説明するパッケージの部分断
面図である。 （ｄ）樹脂溜り部の切断後のパッケージの部分断面図で
ある。 （ｅ）樹脂溜り部除去時の不具合パッケージの一例の部
分断面図である。
１ リードフレーム ２ アイランド ３ インナリード ４ アウタリード ５ タイバー ６ ゲート部 ７ 吊りピン ８ 樹脂流動ホール ９ Ｖノッチ １０ Ｖノッチおよび樹脂流動ホール間のすき間 １１ スリット １２ スリットおよび樹脂流動ホール間のすき間 １３ リドフレームの金属材料 １４ レジスト １５ パターンマスク １６ａ，１６ｂ 成形ダイ １７ａ 打ち抜きポンチ １７ｂ ポンチ １８ 打ち抜かれた不要部 ２１ 半導体チップ ２２ ワイヤ ２３ 下金型 ２４ 上金型 ２５ キャビティ ２６ カル部 ２７ 樹脂投入部 ２８，３０ 成形ポンチ ２９ 樹脂溜り部 ３１ 折れ曲り部分 ３２ クラック ３３ 欠損個所
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体素子を搭載するリードフレームの
吊りピンの幅が一部拡張され、その拡張領域とコーナー
部領域とを含む領域に開口されて封入樹脂をリードフレ
ームの上下面に均等に流入させるための樹脂流動ホール
を有する半導体装置用リードフレームにおいて、前記コ
ーナー部領域に形成された前記樹脂流動ホールの周縁を
囲むように所定の幅と深さとで開口された溝状の開口部
を有することを特徴とする半導体装置用リードフレー
ム。 - 【請求項２】 前記溝状の開口部に代えて、前記コーナ
ー部領域に形成された樹脂流動ホールの周縁を囲むよう
に所定の幅で開口されたスリットを有することを特徴と
する請求項１記載の半導体装置用リードフレーム。 - 【請求項３】 前記コーナー部領域に形成された前記樹
脂流動ホール先端部近辺を囲む周縁部の一部領域にのみ
前記スリットまたは溝状の開口部を形成することを特徴
とする請求項１または２記載の半導体装置用リードフレ
ーム。 - 【請求項４】 前記スリットはエチング加工またはプレ
ス加工の一方を用いて複数個一列状態で開口される請求
項１または３記載の半導体装置用リードフレーム。 - 【請求項５】 前記溝状の開口部は、前記リードフレー
ム厚の略半分の深さまでエッチングされるハーフエッチ
ング加工、またはパンチにより略半分の深さまで開口す
るプレス加工のいずれか一方を用いて開口される請求項
２または３記載の半導体装置用リードフレーム。 - 【請求項６】 半導体素子を搭載するリードフレームの
吊りピンの幅が一部拡張され、その拡張領域とコーナー
部領域とを含む領域に樹脂流動ホールが開口されて封入
樹脂がリードフレームの上下面に均等に流入させるよう
にしたリードフレームであって、エッチング加工工程ま
たはプレス加工工程のいずれかにより形成される半導体
装置用リードフレームの製造方法において；前記コーナ
ー部領域に形成された前記樹脂流動ホールの周縁を囲む
ように所定形状のスリットまたは溝状の開口部の開口工
程が前記エッチング加工工程または前記プレス加工工程
のいずれかに含まれ、前記エッチングによる前記開口工
程は、前記拡張領域の表裏両面または一方面にレジスト
を塗布する第１の工程と、前記スリットを開口するため
のパターンが含まれたパターンマスクを用いて、前記流
動ホール周縁部のうち前記コーナー部領域の前記両面ま
たは前記一方面に露光および焼き付けをする第２の工程
と、前記露光および焼き付けをした前記スリット状また
は前記溝状の開口部形成個所の前記レジストを現像して
除去する第３の工程と、前記現像により露出された前記
スリット状または前記溝状の開口部形成個所の表面を、
エッチングにより裏面まで開口するスリット形成工程ま
たは前記一方面から所定の深さまで開口する溝形成工程
からなる第４の工程とからなり、前記プレス加工による
前記開口工程は、所定の打抜きパンチにより前記スリッ
トの形状に合せて前記コーナー領域を打抜く打抜き加
工、または前記溝状の開口部の形状に合せて所定の深さ
まで開口する溝状の切り込み加工のいずれかの工程から
なることを特徴とする半導体装置用リードフレームの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7032221A JP2704128B2 (ja) | 1995-02-21 | 1995-02-21 | 半導体装置用リードフレームおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7032221A JP2704128B2 (ja) | 1995-02-21 | 1995-02-21 | 半導体装置用リードフレームおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08227961A true JPH08227961A (ja) | 1996-09-03 |
| JP2704128B2 JP2704128B2 (ja) | 1998-01-26 |
Family
ID=12352901
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7032221A Expired - Fee Related JP2704128B2 (ja) | 1995-02-21 | 1995-02-21 | 半導体装置用リードフレームおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2704128B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7326041B2 (en) | 2001-11-12 | 2008-02-05 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Lead frame, resin sealing mold and method for manufacturing a semiconductor device using the same |
| JP2014521186A (ja) * | 2011-07-19 | 2014-08-25 | イントリ−プレックス テクノロジーズ、インコーポレイテッド | ピエゾ駆動用ベースプレートの製造方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59169162A (ja) * | 1983-03-16 | 1984-09-25 | Hitachi Ltd | リ−ドフレ−ム |
| JPH029156A (ja) * | 1988-06-28 | 1990-01-12 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JPH02105448A (ja) * | 1988-10-13 | 1990-04-18 | Nec Corp | リードフレーム |
| JPH04133453A (ja) * | 1990-09-26 | 1992-05-07 | Nec Corp | 半導体装置用リードフレーム |
-
1995
- 1995-02-21 JP JP7032221A patent/JP2704128B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
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| JP2704128B2 (ja) | 1998-01-26 |
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