JPH03119504A - 磁気ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、ヒデオテープレコーダ（ＶＴＲ）やディジタ
ルオーディオテープレコーダ（Ｒ−ＤＡＴ）等の高密度
記録可能な記録再生装置に搭載して有用な磁気ヘッドに
関するものである。

〔発明の概要］ 本発明は、金属磁性薄膜を両側より基板で挾め込んでな
る磁気−１ア千体同士を当該金属Ｔｆｉ性薄膜の６：ｊ
ｊ血同十力弓・ｌ向等ろ。１、−）ルこ突合わされたい
わゆるラミ不−１クイブの付夕気ヘンＩにおいて、上記
磁気コア半体の前記突合わせ面とは反えＪ側の端面近傍
を融着ガラスて補強ずろことにより、金属磁性薄膜とＷ
仮との接合強変を同士さセようとするものＣある。

〔従来の技術］ 例えば、ヒデオテープレコーダやディジタルオーディオ
テープレコーダ等の磁気記録再生装置においては、高画
質化等を目的として情報信号の短波長記録化か進められ
ており、これに対応してる号性粉乙こ強磁性金属粉末を
用いたいわゆるメタルテープや、ヘースフィルム＋〇こ
強磁性金属材料を直接被着した蒸着テープ等の高抗磁力
磁気記録媒体か使用されるよう６ごなってきている。

一方、これに対処する・＼く磁気ヘッドの分野において
も研究が進められており、高抗磁力磁気記録媒体に対し
て高密度記録を可能ならしめるためコア材料に金属磁性
材料を用いるとともに狭トラツク化を図った磁気ヘッド
が種々開発されている。

かかる磁気ヘッドとしては、例えばセラミックス等の非
磁性材料よりなる基板で高透磁率且つ高飽和磁束密度を
有する金属磁性薄膜を挟み込んでなる磁気コア半体を突
合わせガラス融着により接合一体化した、いわゆるラミ
ネー１〜タイプの磁気ヘットが知られている。

上記磁気・＼ソ日こおいては、金属磁性薄膜の膜厚がす
なわち作動ギャップのトラック幅となるものであるから
、当該金属磁性薄膜の膜厚を制御することで簡単に狭Ｉ
・ランク化が図れること、及び金属磁性；■ｌりと基板
との界面が作動ギャップと非平行であるため当該界面が
疑憤ギャンプとし゛ζ動作することがないごと、さらに
製造工程が簡単であること等、種々の利点を有する。

ところが、この種の磁気へνＦにおいては、磁気コア半
体がいわゆるアモルファスリボン等の金するものである
。

〔作用〕

本発明の磁気ヘットにおいては、金属磁性薄膜が基板で
挟み込まれ接合一体化されてなる磁気コア半体同士の突
合わせ面と反対側の当該磁気コア半体の端面近傍が融着
ガラスによって補強されているので、これら金属磁性薄
膜と基板との接合強度が向上する。

〔実施例〕

以下、本発明を適用した具体的な実施例について説明す
る。

第」Ｊど組椎桝 本実施例の磁気ヘッドは、第１図に示すように、閉磁路
を構成する一対の磁気コア半体（１）　、　（２）が突
合わされガラス融着により接合一体化されてなり、磁気
記録媒体摺動面（３）に作動ギャップｇを構成してなっ
ている。

」１記磁気コア半体（１）　、　（２）は、単結晶フェ
ライ属磁性薄膜を非磁性基板で挾め込み有機接着剤や無
機接着剤等による低温接合によって作製されているため
、金属磁性薄膜と基板との接合強度の確保が難しく、信
頼性の点で劣るという問題がある。

〔発明が解決しようとする課題］ そこで本発明は、かかる従来の実情に鑑みて提案された
ものであって、金属磁性薄膜と基板との接合強度が確保
できる信頼性の高い磁気ヘッドを提供することを目的と
するものである。

〔課題を解決するための手段〕

本発明の磁気ヘッドは、上述の目的を達成するために提
案されたものであり、金属磁性薄膜が基板で挟み込まれ
接合一体化されてなる磁気コア半体が前記金属磁性薄膜
の端面同士が対向するように突き合わされ、これら金属
磁性薄膜の突合わせ面間に作動ギャップが構成されてな
り、前記磁気コア半体の前記突合わせ面とは反対側の端
面近傍が融着ガラスにより補強されていることを特徴と
トよりなるフェライト基（反（４ａ）　、　（４ｂ）　
、　（５ａ）　、　（５ｂ）と、Ｆｅ−３ｉ　−Ｇａ−
Ｒｕ合金等よりなる金属磁性薄膜（６）　、　（７）と
からなり、上記金属磁性薄膜（６）　、　（７）が上記
フェライト基板（４ａ）　、　（４ｂ）　、　（５ａ）
　。

（５ｂ）によって挾の込まれ接合一体化されてなってい
る。

上記金属磁性薄膜（６）　、　（７）には、前述の強磁
性材料の他に、例えば高飽和磁束密度を有し且つ軟磁気
特性に優れた強磁性合金材料が使用されるが、かかる強
磁性合金材料としては従来より公知のものがいずれも使
用でき、結晶質、非結晶質であると問わない。

例示するならば、Ｆｅ−Ａｆｆ−３ｉ系合金、Ｆｅ−Ａ
ｆｆ系合金、Ｆｅ−３ｉ−Ｃｏ系合金、Ｆｅ−Ｎｉ系合
金、Ｆｅ−Ａｌ１−Ｇｅ系合金、Ｆｅ−Ｇａ−Ｇｅ系合
金、Ｆｅ−３ｉ　−Ｇｅ系合金、Ｆｅ−ｃｏ−３ｉ−Ａ
ｐ、系合金等が挙げられる。さらには、耐蝕性や耐摩耗
性等の一層の向上を図るために、Ｔｉ、Ｃｒ　　Ｍｎ　
　Ｚｒ　　ＮｂＭｏ、Ｔａ、Ｗ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｂ、ｌ
　ｒ　　ＲｅＮｉ、Ｐｄ、ＰＬ、Ｈｆ、Ｖ等の少なくと
も１種を添加したものであってもよい。

また、強磁性非晶質金属合金、いわゆるアモルファス合
金（例えば、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏの１つ基土の元素とＰ、
　Ｃ，Ｂ、　　Ｓｉの１つ以上の元素とからなる合金、
またはこれらを主成分としＡＰ。

Ｇｅ　　Ｂｅ　　Ｓｎ　　Ｉｎ　　Ｍｏ　　Ｗ　　Ｔｉ
　　ＭｎＣｒ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｎｂ等を含んだ合金等のメ
タルーメクロイド系アモルファス合金、あるいはＣｏ、
Ｈｆ、Ｚｒ等の遷移元素や希土類元素等を主成分とする
メタル−メタル系アモルファス合金）等が挙げられる。

これら金属磁性薄膜（６）　、　（７）の成膜方法とし
ては、膜厚制御性に優れるスパンタリング法、真空Ｙ着
法、イオンブレーティング法、クラスターイオンビーム
法等に代表される真空薄膜形成技術が採用される。

］−述のように構成される磁気コア半体（１）、（２）
は、金属磁性薄膜（６）　、　（７）を挟み込む基板が
フェライトであるため、大きな磁路断面積力＜（Ｉ’ｆ
ｆｆｉ保され、一方、磁気コアを体（１）、（２）同士
の突き合わせ面においては、金属磁性薄膜（６）　、　
（７）の端面が突き合わされるごとによって作動ギャッ
プｇが構成されている。なお本実施例では、ト記作動ギ
ャンプｇは、−１−記金属磁性薄膜（６）　、　（７）
間にギヤソプスペーナか介されることによって構成され
ている。

上記作動ギャップｇのトラック幅Ｔｗは、上記金属磁性
薄膜（６）　、　（７）の膜厚方向の両端部において前
記フェライト基板（４ａ）　、　（４１））　、　（５
ａ）　、　（５ｂ）が断面略円弧状に切り欠かれること
によって規制されている。すなわち、上記切り欠き部が
作動ギヤノブｇのトラック幅Ｔｗを規制するトランク幅
規制溝（］Ｏａ）、　（ｌｏｂ）、　（ｌｌａ）、　（
ｌｌｂ）となされ、−に記金属磁性薄膜（６）、（７）
の膜厚が上記作動ギャップｇのｌ・ランク幅Ｔｗとなっ
ている。

また、上記磁気コア半体（１）　、　（２）の突合わせ
面近傍部においては、上記トランク幅規制溝（１０ａ）
（１０ｂ）　、　（ｌｌａ）　、　（１，］、ｂ）が前
記作動ギャップｇと非平行となされているので、当該１
〜ランク幅規制溝（１０ａ）、　（ｊｏｂ）、　（Ｉｌ
ａ）、　（］］、ｂ）か疑催ギャップとして動磁気抵抗
の低減か図れるようになされている。

また、に記金属磁性薄膜（６）　、　（７）は、前記フ
エライｈＭｆｆｆｌ（４ａ）、（４ｂ）、（５ａ）、（
５ｂ）全面に形成されているわけではなく、上記磁気コ
ア半体（］）、（２）同士の突合わせ面と反対側の端面
（ｌａ）　、　（２ａ）近傍で若干後退されており、こ
の金属磁性薄膜（６）　、　（７）が後退さンｊ、た領
域（＋７）　、　（１８）には、当該磁気コア半体（Ｉ
Ｌ（２）の端面（Ｉａ）　、　（２ａ）にその一部が露
呈するように融着ガラス（８）　、　（９）が充填され
ている。

従って、−Ｉ−記金属も〃性薄膜（６）　、　（７）と
これを挟み込むフ工うイｉ−法板（４，１）　、　（４
ｂ）　、　（５，１）　、　（５ｂ）とは上記融着ガラ
ス（８）、（！］）によって強固に接合され、Ｍｌ＋か
れるごとかないようになされている。もちろん、ごれら
金属磁性薄膜（６）　、　（７）とフェライト基板（４
ａ）　、　（４ｂ）　、　（，５ａ）　、　（５ｂ）と
は図示しない融着ガラスによって接合されある程度の接
合強度は確保されているが、−ヒ記磁気コア゛ト体（１
）、、　（２）の端面（１ａ）　、　（２ｈ）近傍の融
着ガラス（８）　、　（９）によりさらに補強され、よ
り−層高い接合強度が得られるようになされている。

作することがないようになっている。さらに、上記金属
磁性薄膜（６）　、　（７）とフェライト基板（４ａ）
（ｌｌｂ）　、　（５ａ）　、　（５１１）との界面も
、１−記作動ギャソプｇと非平１）となっているため、
前記磁気コア半体（１）（２）同士のガラス融着時に金
属磁性γ〜膜（６）　、　（７）とフェラ・イＩ−基板
（４ａ）　、　（４ｂ）　、　（５ａ）　、　、（５ｂ
）　とが当８亥界面で酸化還元反応して非磁性化された
反応層を生したとしても、該反応層は疑イ以ギャップと
して動作することがない。従って、磁気コア半体（１）
（２）同士のガラス融着が比較的高温度で行え、接合強
度の高い信頼性に優りまた（？（気ヘッドが実現される
。

また、−ト記１−ラック幅規制溝（］、Ｏａ）　、　（
１０ｂ）　、　（ｌｅａ）（１，ｌｂ）間には、融着ガ
ラス（１２ａ）　、　（１２ｂ）　、　（１３ａ）　、
　（１３ｂ）が充填されており、前記磁気コア半体（］
）、（２）同士の接合と、ａり気記録媒体への当たりが
確保されるようになされている。さらに、上記磁気コア
半体（１）、（２）の突合わせ面には、当該作動ギャッ
プｇのデプスｏｐを規制するとともにコイルを巻装さｌ
るための巻線溝（１４）が形成されている。ずなわち、
上記巻線溝（１４）は、一方の磁気コア半体（１）の突
合わせ面の中途部に平面略矩形状の孔としてコア厚方向
に貫通して形成されている。また、上記巻線溝（１４）
が形成された一方の磁気コア半体（１）のハックギャン
プ側には、前記磁気コア半体（１）（２）同士を接合一
体化させるためのガラス溝（１５）が形成されている。

なお、上記巻線溝（１４）内とガラス溝（１５）内には
、磁気コア半体（ＩＬ（２）同士の接合一体化を図るた
めの融着ガラス（１６ａ）　、　（１６ｂ）がそれぞれ
充填されている。

上記磁気ヘッドを作製するには、以下の工程に従って行
う。

先ず、第２図（ａ）に示すように、単結晶フェライトブ
ロック（１９）に対して作動ギャップ形成面となる一生
面（１９ａ）に断面略円弧状のトラック幅規制溝（２０
ａ）　、　（２０ｂ）をブロック（１９）全体に亘って
長手方向に形成する。

次に、上記トラック幅規制溝（２０ａ）　、　（２０ｂ
）内に融着ガラス（２１ａ）　、　（２１ｂ）を充填し
、溢れた融着ガ１ 性薄膜（２４ａ）　、　（２４ｂ）　、　（２４ｃ）が
ヘッドチップの大きさに分断されて成膜される。

このように、金属磁性薄膜を形成する際にヘッドチップ
の大きさに対応させて金属磁性材料をスパッタリングす
れば、単結晶フェライトブロック（１９）と金属磁性薄
膜（２４ａ）　、　（２４ｂ）　、　（２４ｃ）とのト
−タルな歪みが大幅に軽減され、フェライトとセンダス
ト等のように熱膨張係数の大きく異なる材料同士を後工
程でガラス融着しても当該ガラス融着時の熱によッテ金
属磁性薄膜（２４ａ）　、　（２４ｂ）　、　（２４ｃ
）が破壊されることはない。

次に、上記単結晶フェライトブロック（１９）を第２図
（ｂ）に示すように、重ね合わせ６００〜７００°Ｃで
ガラス融着する。

すなわち、先の工程で分断された金属磁性薄膜（２４ａ
）　、　（２４ｂ）　、　（２４ｃ）間に融着ガラス（
２５）を充填させる。

なお、ここで充填する融着ガラス（２５）には、先のト
ラック幅規制溝（２０ａ）　、　（２０ｂ）内に充填し
た融着ガラス（２１ａ）　、　（２１ｂ）より融点の低
いガラスを使ラス（２１ａ）　、　（２１ｈ）を研磨し
て羊結晶フェライトブロック（１９）の形状を整える。

なお、ここで使用する融着ガラス（２１ａ）　、　（２
１ｂ）には、磁気コア半体同士の接合強度を確保するた
めに高融点ガラスを用いることが望ましい。

次に、上記単結晶フェライトブロック（１９）同士の突
合わせ面となる一方の側面（１９ｂ）にセンダス等の強
磁性金属材料をスパッタリングする。

このとき、金属磁性薄膜が上記単結晶フェライトブロッ
ク（１９）の側面＜１９ｂ）全体に亘って形成されると
、金属磁性薄膜と単結晶フェライトとの熱膨張係数の違
いから当該金属磁性薄膜と単結晶フェライトブロック（
１９）との間に歪みを生ずるため、当該金属磁性薄膜を
ヘントチツブの大きさと路間−の大きさとなるように成
膜する。すなわち、上記単結晶フェライトブロック（Ｉ
９）の側面（１９ｂ）を例えばステンレス等よりなる丸
棒（２２ａ）　、　（２２ｂ）　、　（２３）によって
縦横に区切ってスパッタリングする。

この結果、上記丸棒（２２ａ）　、　（２２ｂ）　、　
（２３）がマスクとして作用し、第２図（ｂ）に示すよ
うに、金属磁２ 用する。

この結果、隣合う単結晶フェライトブロック（１９）は
、上記融着ガラス（２５）とトランク幅規制溝（２０ａ
）　、　（２０ｂ）内に充填される融着ガラス（２］ａ
）　、　（２１ｂ）の軟化熔融によって接合一体化され
る。

次に、接合一体化された磁気コア半体ブロック（２６）
に対し、第２図（ｃ）に示すように、コイルを巻回さ−
１るためのＳ線溝（２７）と、磁気コア半体ブロック（
２６）同士を接合一体化するためのガラス溝（２８）を
金属磁性薄膜（２４ａ）　、　（２４ｂ）と略直交方向
に磁気コア半体ブロック（２６）全体に亘っ°ζ形成す
る。

次に、−Ｆ記磁気コア半体ブロック（２６）の突合わせ
面を鏡面仕上げした後、該磁気コア半体ブロック（２６
）と、巻線溝及びガラス溝が形成されていない磁気コア
半体ブロック（２９）とを第２１１Ｄ（ｄ）に示すよう
に、ギャップスペーサ（図示は省略する。）を介して突
合わせる。

なお、上記巻線溝及びガラス溝が形成されていない磁気
コア半体ブロックも同様に突合わせ面を鏡面仕上げする
。また、これら磁気コア半体ブロツク（２６）　、　（
２９）を突合わせる際には、それぞれの金属磁性薄膜（
２４ａ）　、　（３２）の位置合わせを行う。

次に、この状態で前記巻線溝（２７）及びガラス溝（２
８）内にガラス棒（３０）　、　（３１）を挿入してガ
ラス融着を行う。

なお、ここで用いるガラス棒（３０）　、　（３１）に
は、Ｉ−ラックずれを防止するために前記金属磁性薄膜
（２４ａ）　、　（２４ｂ）間に充填した融着ガラス（
２５）より融点より低い低融点ガラスを使用する。

このとき、本実施例の磁気ヘットにおいては、熱膨張係
数の大きく異なるフエライＩ・と金属磁性材料との界面
で歪みが生ずることのないように前記金属磁性薄膜（２
４ａ）　、　（３２）か予めヘットチップの大きさに成
膜されているため、ガラス融着時の熱によって当該金属
磁性薄膜（２４ａ）　、　（３２）が破壊されることは
ない。

また、本実施例の磁気ヘッドにおいては、金属磁性膜（
２４ａ）　、　（３２）と単結晶フェライトブロック（
１９）　、　（３３）　との界面が作動ギャップｇと非
平行となっているので、当該金属磁性膜（２４ａ）　、
　（３２）と単結５ ない。従って、熱膨張係数の大きく異なるフェライトと
金属磁性材料であっても良好に接合さ−Ｕることかでき
る。

男」］γに施拠 本実施例の磁気ヘッドは、第３図に示すように、単結晶
フェライトとガラスセラミックスよりなる複合基板（３
４ａ）　、　（３４ｂ）　、　（３５ａ）　、　（３５
ｂ）で金属磁性薄膜（３６）　、　（３７）を挟み込ん
でなる磁気コア半体（３８）（３９）をギヤソブスベー
ザを介して突合わせガラス融着により接合一体化し、磁
気記録媒体摺動面（４０）に作動ギャップｇを構成した
ものである。

」−記磁気コア半体（３８）　、　（３９）は、単結晶
フェライトよりなるフェライ１．４％板（４１ａ）　、
　（４１ｂ）　、　（４２ａ）（４２ｂ）と高融点ガラ
スセラミックスよりなるガラスセラミックス基）反（４
３ａ）　、　（４３ｂ）　、　（４４ａ）　、　（４４
ｂ）　とからなる複合基＋Ｆｌ　（３４ａ）　、　（３
４ｂ）　、　（３５ａ）　、　（３５ｂ）と、ＦＣ−３
ｉ−Ｇａ−Ｒｕ合金等よりなる金属磁性薄膜（３８）　
、　（３９）　とからなり、−ヒ記金属磁性薄膜（３６
）　、　（３７）か上記複合基板（３ｈ）　、　（３４
ｂ）　、　（３５ａ）　、　（３５ｂ）晶フェライトブ
ロック（１９）　、　（３３）　　との接合界面で酸化
還元反応が生し非磁性化さね、た反応層が形成されたと
しても、該反応層は疑似ギャップとして動作することが
ない。従って、」−記反応層を考慮する必要がなく、ガ
ラス融着に際しては接合強度のみを考え、比較的融着温
度の高いガラスを使用することができる。

ごの結果、突き合わされた金属磁性薄膜（２４ａ）（３
２）間に作動ギャップｇか構成される。

次いで、これら接合一体化された磁気コア半体ゾロツク
（２６）　、　（２９）　、　に対し、磁気記録媒体と
の当たりを確保するために円筒研磨を施した後、第２図
（ｄ）図中Ａ−Ａ線及びＢ−Ｂ線で示す位置でスライシ
ングする。

ごの結果、第１図に示す本実施例の磁気ヘットが完成す
る。

このように、本実施例の磁気へントを作製するのに、予
め金属磁性薄膜をヘッドチップの大きさとなるように成
膜させているので、ガラス融着時の熱によデζ当該余属
俳性薄）１９が破壊する虞れは６ によって挟み込まれ接合一体化されてなっている。

上記複合基板（３４ａ）　、　（３４ｂ）　、　（３５
ａ）　、　（３５ｂ）は、前記作動キャップｇ近傍部に
おいてガラスセラミックス基板（４３ａ）　、　（４３
ｂ）　、　（４４ａ）　、　（４４ｂ）が当該作動ギャ
ップｇのデプスＤｐ方向に延在して設けられ、さらにこ
れにフェライト裁）反（４１ａ）　、　（４１ｂ）　、
　（４２ａ）　、　（４２ｂ）か熱間接合されることに
より一体化されている。また、上記複合基板（３４ａ）
　、　（３４）））　、　（３５ａ）　、　（３５ｂ）
の・うち一方の複合基板（３４ａ）　、　（３５ａ）の
前記突合わせ面とは反対側の端面（３８ａ）　、　（３
９ａ）近傍部においては、前記他方の複合基板（３４ｈ
）　、　（３５ｂ）　との対向部が削り落とされること
によって厚のが薄くなされている。従って、トδ己複合
基＋反（３４ａ）　、　（３５ａ）と他方の複合基板（
３４ｂ）　、　（３５ｂ）との間には、融着ガラス（４
５）　、　（４６）が充填される領域（５０）　、　（
５１）が形成されている。ずなわら、上記領域（５０）
　、　（５１）は、厚みが薄くなれた複合基板（３４ａ
）　、　（３５ａ）の屈曲部に沿って成膜される金属磁
性薄膜（３６）　、　（３７）　とこり、と対向する他
方の複合基板（３４ｂ）　、　（３５ｂ）との間に形成
されている。そし７で、この領域（５０）　、　（５１
）には、融着ガラス（４５）　、　（４６）が充填され
、相対向する複合基板（３４ａ）　、　（３４ｔ＋）　
、　（３５ａ）　、　（３５ｂ）同士の接合が確実なも
のとされている。従って、これら複合基板（３４ａ）　
、　（３４ｂ）　、　（３５ａ）　、　（３５ｂ）は、
剥がれることがないようになされている。もちろん、こ
れら複合基板（３４ａ）　、　（３４ｂ）　、　（’３
５ａ）　、　（３５ｂ）と金属磁性薄膜（３６）　、　
（３７）とは、図示しない融着ガラスによって接合され
ある程度の接合強度は確保されているが、上記磁気コア
半体（３８）、　（３９）の端面（３８ａ）　、　（３
９ａ）近傍の融着ガラス（４５）　、　（４６）により
さらに補強され、より一層高い接合強度が得られるよう
になされている。

なお、上記金属磁性薄膜（３６）　、　（３７）とフェ
ライト基板（４１ａ）　、　（４１ｂ）　、　（４２ａ
）　、　（４２ｂ）との界面は上記作動ギャップｇと非
平行となっているため、前記磁気コア半体（３Ｂ）　、
　（３９）同士のガラス融着時に金属磁性薄膜（３６）
　、　（３７）とフェライト基板（４１８）　、　（４
１ｂ）　、　（４２ａ）　、　（４２ｂ）とが当該界面
で酸化還元反応して非磁性化された反応層を生じたとし
ても、当該反応層は疑偵ギャップとして動作することが
ない９ て接合一体化し、これらガラスセラミックス（５２）と
単結晶フェライト（５３）よりなる複合ブロック（５４
）を作製する。

そして、上記複合ブロック（５４）の単結晶フェライト
（５３）側よりガラスセラミックス（５２）側へ向かっ
てガラス充填溝（５５）を当該複合ブロック（５４）同
士の突合わせ面となる一方の側面（５４ａ）にがけて形
成する。

なお、ここで使用するガラスセラミックス（５２）には
、磁気コア半体同士の接合強度を確保するために融点の
高い高融点ガラスセラミックスを用いることが望ましい
。

次に、上記複合ブロック（５４）同士の突合わせ面とな
る一方の側面（５４ａ）に後工程で成膜する金属磁性薄
膜（５７）をヘッドチップの大きさと諮問し大きさとな
すための膜分断溝（５６）を長手方向と直交する方向に
ヘッドチップの大きさに対応させた位置に形成する。

次に、上記複合ブロック（５４）同士の突合わせ面とな
る一方の側面（５４ａ）にセンダス等の強磁性金ように
なっている。

一方、上記作動ギャップｇを構成する磁気コア半体（３
８）　、　（３９）の突合わせ面には、当該作動ギャッ
プｇのデプスＤｐを規制するとともにコイルを巻装させ
るだめの巻線溝（４７）が形成されている。すなわち上
記巻線溝（４７）は、一方の磁気コア半体く３日）の突
合わせ面の中途部に平面略矩形状の孔としてコア厚方向
に貫通して形成されている。また、上記巻線溝（４７）
が形成された一力の磁気コア半体（３８）のバンクギヤ
ノブ側には、前記磁気コア半体（３８）　、　（３９）
同士を接合一体化させるためのガラス溝（４８）が形成
されている。

なお、上記巻線溝（４７）内とガラス溝（４８）内には
、磁気コア半体（３８）　、　（３９）同士の接合一体
化を図るための融着ガラス（４９ａ）　、　（４９ｂ）
がそれぞれ充填さ、＋１７でいる。

上記磁気ヘッドを作製するには、以下の工程に従って行
う。

先ず、第４図（ａ）　Ｌこ示すように、ガラスセラミッ
クス（５２）と単結晶フェライト（５３）を熱間接合し
０ 属材料をスパッタリングする。

この結果、上記複合ブロック（５４）の側面（５４ａ）
には、膜分断溝（５６）内を含めて金属磁性薄膜（５７
）が形成される。

このように、金属磁性薄膜（５７）を形成する際にヘッ
ドチップの大きさに対応させて金属磁性材料をスパッタ
リングすれば、複合ブロック（５４）と金属磁性薄膜（
５７）とのトータルな歪みが大幅に軽減され、フェライ
トとセンダスト等のように熱膨張係数の大きく異なる材
料同士を後工程でガラス融着しても当該ガラス融着時の
熱によって金属磁性薄膜（５７）が破壊されることはな
い。

次に、上記金属磁性薄膜（５７）上にガラスをスパッタ
リングしガラス膜（５８）を形成する。

次いで、上記複合ブロック（５４）を第４図（ｃ）に示
すように重ね合わせ、ガラス充填溝（５５）を図中上聞
こしてガラス棒（５９）を載せ、６００〜７００°Ｃに
てガラス融着する。

なお、こごで使用するガラス棒（５９）には、前記ガラ
ス膜（５８）を形成するに使用したガラスと略等しい融
点を有するガラスを使用する。

この結果、第４図（ｄ）に示すように、複合ブロック（
５４）のガラス充填溝（５５）と、このガラス充填溝（
５５）と対向する複合ブロック（５４）の単結晶フエラ
イ１−（５３）との間に融着ガラス（６０）が満たされ
るとともに、前記膜分断溝（５６）内にも融着ガラス（
６０）が満たされる。また、先の金属磁性薄膜（５７）
１に形成されたガラス膜（５日）の軟化溶融によって、
隣合う複合ブロック（５４）同士が接合一体化される。

次に、接合一体化された磁気コア半体ブ【コック（６１
）に対し、第４図（ｅ）に示すように、コイルを巻回さ
せるだめの巻線溝（６２）と、磁気コア半体ブロック（
６１）同士を接合一体化するためのガラス溝（６３）を
ガラスセラミックス（５２）側から金属磁性薄膜（５７
）と略直交方向に磁気コア半体ブロック（６１）全体に
亘って形成する。

次に、上記磁気コア半体ブロック（６１）の突合わせ面
を鏡面仕」二げした後、該磁気コア半体ブｌコック（６
１）と、巻線溝及びガラス溝が形成されていないも外気
コア半体プロ、り（６４）とを第４図（ｆ）に示３ また、本実施例の磁気ヘッドにおいては、金属磁性膜（
５７）　、　（６５）と複合ブロック（５４）　、　（
６８）　との界面が作動ギャップｇと非平行となってい
るので、当該金属磁性膜（５７）　、　（６５）と複合
ブロック（５４）（６８）との接合界面で酸化還元反応
が生し非磁性化された反応層が形成されたとしても、該
反応層は疑催ギャンプとして動作することがない。従っ
て、上記反応層を考慮する必要がなく、ガラス融着に際
しては接合強度のみを考え、比較的融着温度の高いガラ
スを使用することができる。

この結果、対向する金属磁性薄膜（５７）　、　（６５
）間に作動ギャップｇが形成される。

次いで、これら一体化された磁気コア半体ブロック（６
１）　、　（６４）に対し、磁気記録媒体との当たりを
確保するために円筒研磨を施した後、第４図（ｆ）Ｖ中
Ｃ−Ｃ線及びＤ−Ｄ線で示す位置でスライシングする。

この結果、第３図に示す本実施例の磁気ヘッドが完成す
る。

このように、本実施例の６ｆ気ヘツドを作製するずよう
にギャップスペーサ（図示は省略する。）を介して突合
わせる。

なお、」二足巻線溝及びガラス溝が形成されていない磁
気コア半体ブロックも同様に突合わせ面を鏡面仕」二げ
する。

これら磁気コア半体ブロック（６１）　、　（６４）を
突合わせる際には、それぞれの金属磁性薄膜（５７）　
、　（６５）の位置合わせを行う。

次に、ごの状態で前記巻線溝（６２）及びガラス溝（６
３）内にガラス棒（６６）　、　（６７）を挿入してガ
ラス融着を行う。

なお、ここて用いるガラス棒（６６）　、　（６７）に
は、］・ラックずれを防止するために先の工程で使用し
たガラス棒（５９）及びガラス膜（５８）に用いたガラ
スよりも融点の低い低融点ガラスを用いる。

このとき、本実施例の磁気ヘットにおいては、金属磁性
薄膜（５７）　、　（６５）が予めヘッドチップの大き
さとなされているので、ガラス融着時の熱によって当該
金属磁性薄膜（５７）　、　（６５）が破壊されること
はない。

４ のに、予め金属磁性薄膜を膜分断溝によってヘノＩ・チ
ップの大きさとなるように成膜させているので、ガラス
融着時の熱によって当該金属磁性薄膜か破壊する虞れは
ない。従って、本実施例によっても先の第１の実施例と
同様、熱膨張係数の大きく異なるフェライトと金属磁性
材料であっても良好に接合させることができる。

メ４！ｕ１虹仇 本実施例のるＨ気ヘッドは、第５図（ａ）に示すように
、単結晶フェライトと多結晶フエライ１−及びガラスセ
ラミックスよりなる複合基板（６９ａ）　、　（６９ｂ
）（７０ａ）　、　（７０ｂ）で金属磁性薄膜（７１）
、　（７２）を挟み込んでなる磁気コア半体（７３）　
、　（７４）をギヤソプスペザを介して突合わせガラス
融着して接合一体化し、磁気記録媒体摺動面り７５）に
作動ギャップｇを構成したものである。

すなわち本実施例の磁気へントは、前述の第２の実施例
のルク主気ヘットの単結晶フェライトとガラスセラミッ
クスよりなる複合基板のうぢ単結晶フエライトのフロン
ト部のみを残し、ハック部を多結晶フェライトとしたも
のである。なお、その他の構成は全て第２の実施例の磁
気ヘッドと同様である。

従って、上記複合基板（６９ａ）　、　（６９ｈ）　、
　（７０ａ）　、　（７Ｑｂ）は、磁気記録媒体摺動面
（７５）を構成するフロント部が単結晶フェライトより
なるフェライト基板（７６ａ）　、　（７６ｂ）　（７
７ａ）　、　（７７ｂ）　となされ、ハック部が多結晶
フェライトよりなるフェライト基板（７８ａ）　、　（
７８ｂ）　、　＜７９ａ）　、　（７９ｂ）となされて
接合一体化され、さらにこれらフェライト基板（７６ａ
）　、　（７６ｂ）　、　（７７ａ）　、　（７７ｂ）
　、　（７８ａ）　、　（７８ｂ）　、　（７９ａ）　
、　（７９ｂ）にガラスセラミックス基板（８０ａ）　
、　（８０ｂ）　、　（８１ａ）　、　（８１ｂ）が作
動ギヤツブｇ近傍部において当該作動ギャップｇのデプ
スＤｐ方向に延在して設けられてなっている。

このように構成された磁気ヘットにおいては、フロント
部が単結晶フェライトでハック部が多結晶フェライトと
なされているので、摺動ノイズの低減が期待できる。ま
た、本実施例の磁気ヘッドにおいても先の第２の実施例
の磁気ヘットと同様、７ 合ブロンク（８７）に対して前述した第２の実施例と同
一の工程順序で作製すれば本実施例の磁気ヘッドが完成
する。

第」（ｕ１虻凱 本実施例の磁気ヘッドは、第６図に示すように、単結晶
フェライトと多結晶フェライト及びガラスセラミックス
よりなる複合基板（８８ａ）　、　（８８ｈ）　、　（
８９ａ）（８９ｂ）で金属磁性薄膜（９０）　、　（９
１）を挟み込んでなる磁気コア半体（９２）　、　（９
３）をギャップスペーサを介して突合わせガラス融着し
て接合一体化し、磁気記録媒体摺動面（９４）に作動ギ
ャップｇを構成したものである。

すなわち本実施例の磁気ヘッドは、前述の第３の実施例
の磁気ヘッドの磁気コア半体を構成する複合基板のうち
一方の複合基板のバック部に高融点ガラスセラミックス
を使用したものである。なお、その他の構成は全て第３
の実施例の磁気へンドと同様である。

従って、上記複合基板（８８ａ）　、　（８８ｂ）　、
　（８９ａ）　（８９ｂ）閉磁路を構成する磁気コア半
体（７３）　、　（７４）がフェライト基板（７６ａ）
　、　（７６ｂ）　、　（７７ａ）　、　（７７ｂ）　
、　（７８ａ）　、　（７８ｂ）（７９ａ）　、　（７
９ｂ）と金属磁性薄膜（７１）　、　（７２）によって
構成されるので、磁路断面積が大きく取れ、磁気抵抗を
減少させることができる。従って、高出力化が望め、再
生出力特性の向上が図れる。

さらに、本実施例の磁気ヘットにおいても、前述の第２
の実施例の磁気ヘッドと同様、磁気コア半体（７３）　
、　（７４）の前記突合わせ面とは反対側の端面（７３
ａ）　、　（７４ａ）近傍に融着ガラス（８２）、　（
８３）が充填されているので、金属磁性薄膜（７１）　
、　（７２）と−方の複合基板（６９ｂ）　、　（７０
ｂ）との接合強度が確保でき、当該接合強度の信頼性の
向上を図ることができる。

上記の磁気ヘットを作製するには、第５図（ｂ）に示す
ように、単結晶フェライ１−（８４）と多結晶フェライ
ト（８５）を接合した基板にさらにガラスセラミックス
（８６）をト記単結晶フエライＩ−（８４）と多結晶フ
ェライ）　（８５）の突合わせ面と直交させこれら法板
の−・側面に熱間接合さ−ｌる。そしζ、この複８ のうち一方の複合基板（８８ａ）　、　（８９ａ）は、
磁気記録媒体摺動面（９４）を構成するフロント部が単
結晶フェライトよりなるフェライト基板（９５ａ）　、
　（９６ａ）となされ、ハック部が高融点ガラスセラミ
ックスよりなるガラスセラミックス基板（９７ａ）　、
　（９８ａ）　となされて接合一体化され、さらにこれ
らフェライト基板（９５ａ）　、　（９６ａ）及びガラ
スセラミックス基板（９７ａ）　、　（９１１ａ）にガ
ラスセラミックス基板（９９ａ）　、　（１００ａ）が
作動ギャップ８近傍部において当該作動ギャップｇのデ
プスＤｐ方向に延在して設けられてなっている。一方、
他方の複合基板（８８ｂ）　、　（８９ｂ）は、フロン
ト部が単結晶フェライトよりなるフェライト基板（９５
ｂ）　、　（９６ｂ）となされ、ハック部が多結晶フェ
ライトよりなるフェライト基板（９７ｂ）　、　（９８
ｂ）となされて接合一体化され、さらにこれらフェライ
ト基板（９５ｂ）　、　（９６ｂ）　、　（９７ｂ）　
、　（９８ｂ）にガラスセラミックス基板（９９ｂ）　
、　（１００ｂ）が作動ギヤツブｇ近傍ブロックにおい
て当該作動ギャップｇのデプスｏｐ方向に延在して設け
られてなっている。

このように構成された磁気へンドにおいては、前述の第
３の実施例の磁気ヘットに比べて多少ル？番路断面積か
小さくなるが、もちろんこのヘッドでも高出力化が望め
、再生出力特性の向上が図れる。

また、同様にフロンＩ・部か単結晶フェライＩ・てハッ
ク部か多結晶フェライトが構成されているので、摺動ノ
イズの低減が図れる。

さらに、本実施例の磁気ヘットにおいても、上述の第３
の実施例の磁気へノドと同様、磁気コア半体（９２）　
、　（９３）の前記突合わせ面とは反対側の端面（９２
ａ）　、　（９３ａ）近傍に融着ガラス（＋０１．）　
、　（１０２）が充填されているので、これら金属磁性
薄膜（９０）（９１）と一方の複合基板（８８ｂ）　、
　（８９ｂ）との接合強度が確保でき、当該接合強度の
信頼性の向セを図ることができる。

上記の磁気ヘラ１−を作製するには、前述の第３の実施
例と同し単結晶フェライトと多結晶フェライト及びガラ
スセラミックスよりなる複合ブロックを作製するととも
に、この複合ブロックのうら多結晶フェライトの部分を
ガラスセラミックスに変えて単結晶フェライ［・とガラ
スセラミックス及１ （１０４ａ）　、　（１０４１１）を用いた他は、前述
の第２の実施例の磁気ヘラＩ・と同じ構成である。

このように構成された磁気ヘッドにおいては、金属もＷ
性薄膜（１０５）　、　（１０６）とフェライト基板（
］］２ａ）　、　（ｌＩ２ｂ）　、　（１１３ａ）　、
　（１１３ｂ）とによって閉磁路が構成されるので、磁
路断面積が確保され、磁気抵抗の低減が図れる。従って
、高出力化が望め、再生出力特性の向上が図れる。

さらに、本実施例の磁気ヘットにおいても、上述の第２
の実施例の磁気ヘッドと同様、磁気コア半体（１，０７
）　、　（１０Ｂ）の前記突合わせ面と反対側の端面（
］、０７ａ）　、　（］０８ａ）近傍に融着ガラス（１
１４）　、　（１１５）が充填されているので、これら
金属磁性薄膜（１，０５）（１０６）　と一方の複合基
板（１０３ｂ）　、　（１０４ｂ）　との接合強度か確
保でき、当該接合強度の信頼性の向上を図ることかでき
る。

上記の磁気ヘットを作製するには、第７図（ｂ）に示す
ように、作動ギャップ近傍部を除くフロンＩ・部に対応
する位置に切り欠き部（１］６ａ）を設りた高融点ガラ
スセラミックス（１１６）に単結晶フェラびカラスセラ
ミックスよりなる複合基板を作製する。そして、この複
合ブロックに対して前述した第２の実施例と同一の工程
順序で作製すれば本実施例の磁気へ／１−が完成する。

第５の実施例 本実施例の磁気ヘットは、第７図（ａ）に示すように、
単結晶フェライトとガラスセラミックスよりなる複合載
板（１０３ａ）　、　（＋０３ｂ）　、　（１０４ａ）
　、　（１０４ｂ）で金属磁性薄膜（＋０５）　、　（
１０６）を挾め込んでなる磁気コア半体（１０７）　、
　（１，０８）をギャップスペーサを介して突合わせガ
ラス融着して接合一体化し、磁気記録媒体摺動向（１０
９）に作動ギャップｇを構成したものである。

すなわち本実施例の磁気へ７１−は、高融点ガラスセラ
ミックスよりなるガラスセラミックス基板（１］Ｏａ）
、　（１１０ｂ）、　（１１］、ａ）、　（ｌｌｌｂ）
に作動ギヤツブｇ近傍部を除くフロント部のめに単結晶
フェライトよりなるフェライト基板（１１２ａ）　、　
（］１２ｂ）　、　（１１３ａ＞（ｌ］、３ｂ）を接合
一体化した複合基板（１０３ａ）　、　（１０３ｂ）　
。

２ イト（１１７）を−Ｆ記切り欠き部（１１６ａ）に嵌合
させて接合−・体化した複合ブＩコック（１１８）を作
製する。

そして、この複合ブロック（１１８）に対して前述した
第２の実施例と同一の工程順序で作製すれば本実施例の
６Ｈ気ヘントが完成する。

男Ｊｙｕ１虻仇 本実施例の磁気ヘッドは、第８図（ａ）に示すように、
単結晶フＬライトとガラスセラミックスよりなる複合基
板（１１９ａ）　、　（１１９ｂ）　、　（１２０ａ）
　、　（１２０ｂ）で金属磁性薄膜（１２１）　、　（
１２２）を挟み込んでなる磁気コア半体（１２３）　、
　（１２４）をギャップスペーサを介して突合わせガラ
ス融着して接合一体化し、磁気記録媒体摺動面（１２５
）に作動ギャップｇを構成したものである。

すなわち本実施例の磁気ヘッドは、高融点ガラスセラミ
ックスよりなるガラスセラミックス基板（１２６ａ）　
、　（１２６ｂ）　、　（１２７ａ）　、　（１２７ｂ
）に作動ギヤツブｇ近傍部を除くフロント部のみＣＪ婚
結晶フェライトよりなるフ、ライト基板（１２８ａ）　
、　（１，２８ｂ）　、　（１２９ａ）（１２９ｂ）を
前記作動ギャップ面に対して傾斜させて接合一体化した
複合基板（１１９ａ）、　（］１９ｂ）、　（１２０ａ
）（１２０ｂ）を用いた他は、前記第２の実施例の磁気
ヘッドと同じ構成である。

このように構成された磁気ヘッドにおいては、金属磁性
薄膜（１２１）　、　（１２２）とフェライト基板（１
２８ａ）　、　（１２８ｂ）　、　（１２９ａ）　、　
（１２９ｂ）　とによって閉磁路が構成されるので、磁
路断面積が確保され、磁気抵抗の低減が図れる。従って
、高出力化が望め、再生出力特性の向上が図れる。特に
、本実施例の磁気ヘッドにおいては、作動ギヤツブｇ近
傍部においてフェライト基板（１２８ａ）　、　（１２
８ｂ）　、　（１２９ａ）　、　（１２９ｂ）が作動ギ
ャップ面に対して傾斜されているので、アジマス効果に
より再生出力特性の大幅な向上が望める。

さらに、本実施例の磁気ヘッドにおいても、上述の第２
の実施例の磁気ヘッドと同様、磁気コア半体（１２３）
　、　（１２４）の前記突合わせ面と反対側の端面（１
２３ａ）　、　（１２４ａ）近傍に融着ガラス（１３０
）　、　（１３１）が充填されているので、これら金属
磁性薄膜＜１２１）５ 接合一体化し、磁気記録媒体摺動面（１４１）に作動ギ
ャップｇを構成したものである。

すなわち本実施例の磁気へ・シトは、作動ギャップｇ近
傍部に高融点ガラスセラミックスよりなるガラスセラミ
ックス基板（１４２ａ）　、　（１４２ｂ）　、　（１
４３ａ）（１４３ｂ）を設け、このガラスセラミックス
基板（１４２ａ）　、　（１４２ｂ）　、　（１４３ａ
）　、　（１４３ｂ）部分を除くフロント部に単結晶フ
ェライトよりなるフェライト基板（１４４ａ）　、　（
１４４ｂ）　、　（１４５ａ）　、　（１４５ｂ）を設
け、ハック部に多結晶フェライＩ・よりなるフェライト
基板（１４６ａ）（＋４６ｂ）　、　（１４７ａ）　、
　（１４７ｂ）を設けてこれらを接合一体化した複合基
板（１３５ａ）　、　（１３５ｂ）　、　（１３６ａ）
　、　（１３６ｂ）を用いた他は、前述の第２の実施例
の磁気ヘッドと同じ構成である。

なお、上記単結晶フェライトよりなるフェライト基板（
１４４ａ）　、　（１４４ｂ）　、　（４４５ａ）　、
　（１４５ｂ）のガラスセラミックス基板（１４２ａ）
　、　（１４２ｂ）　、　（１４３ａ）　、　（１４３
ｂ）との接合面は、作動ギャップ面と非平行となるよう
に該接合面をバック部に向かって傾斜させている。

このように構成された磁気ヘッドにおいては、（１２２
）と一方の複合基板（１１９ｂ）　、　（１２０ｂ）と
の接合強度が確保でき、当該接合強度の信頬性の向上を
図ることができる。

上記の磁気へンドを作製するには、第８図（ｂ）に示す
ように、作動ギャップ近傍部を除くフロント部に対応す
る位置に傾斜面（１３２ａ）が形成されるように切り欠
き部を設けたガラスセラミックス（１３２）に単結晶フ
ェライ）　（１３３）を接合一体化した複合ブロック（
１３４）を作製する。そして、この複合ブロック（１３
４）に対して前述した第２の実施例と同一の工程順序で
作製すれば本実施例の磁気ヘットが完成する。

第ユ！す１虻桝 本実施例の磁気ヘッドは、第９図（ａ）に示すように、
単結晶フェライトと多結晶フェライト及びガラスセラミ
ックスよりなる複合基板（１３５ａ）　、　（１３５ｂ
）　、　（１３６ａ）　、　（１３６ｂ）で金属磁性薄
膜（１３７）　、　（１３８）を挟み込んでなる磁気コ
ア半体（１３９）　、　（１４０）をギャフプスペーサ
を介して突合わせガラス融着して６ 金属磁性薄膜（１３７）　、　（１３８）とフェライト
基板（１４４ａ）　、　（１４４ｂ）　、　（１４５ａ
）　、　（１４５’ｂ）　、　（１４６ａ）　、　（１
４６ｂ）　、　（１４７ａ）（１４７ｂ）とによって閉
磁路が構成されるので、磁路断面積が確保され、磁気抵
抗の低減が図れる。従って、高出力化が望め、再生出力
特性の向上が図れる。特に、本実施例の磁気ヘッドにお
いては、作動ギヤツブｇ近傍部において単結晶フェライ
トよりなるフェライト基板（１４４ａ）　、（１４４ｂ
）　、　（１４５ａ）　。

（１４５ｂ）とガラスセラミックス基板（１４２ａ）　
、　（１４２ｂ）（１４３ａ）　、　（１４３ｂ）との
接合面がハック部に向かって傾斜されているので、磁気
記録媒体摺動面（１４１）上に対向して露呈する接合面
間距離が大きくなる。

従って、これら接合面間距離が大きくなることから上記
接合面が疑僚ギャップとして動作することはない。

さらに、本実施例の磁気ヘッドにおいても、上述の第２
の実施例の磁気ヘットと同様、磁気コア半体（１３９）
　、　（１４０）の前記突合わせ面と反対側の端面（１
３９ａ）　、　（１４０，１）近傍に融着ガラス（１４
８）　、　（１４９）が充填されているので、これら金
属磁性薄膜（１３７）（１３８）　　と−・方の複合基
板（１３５ｂ）　、　（＋、３６ｂ）　との接合強度が
確保でき、当該接合強度の信頼性の向上を図ることがで
きる。

上記の磁気ヘットを作製するには、第９図（ｂ）に示す
ように、フロント部に相当する位置に単結晶フェライｌ
−（１５０）を設け、これにハック部となる多結晶フエ
ライ１−（１５１）を接合し、さらにこの接合体の作動
ギャップ近傍部に相当する位置に傾斜面（１５２）を設
けてここｔこガラスセラミックス（１５３）を接合一体
化して複合ブロック（１，５４）を作製する。そして、
この複合ブＩコンク（１５４）に対して前述した第２の
実施例と同一の工程順序で作製すれば木実層側の磁気へ
・ノドが完成する。

［発明の効果］ 以−トの説明からも明らかなように、本発明の磁気ヘッ
ドにおいては、金属磁性薄膜が基板によって挟み込まれ
てなる磁気コア半体の突合わせ面と反対側の端面近傍が
融着ガラスによって補強されているので、これら金属磁
性薄膜と基板とは２＋１が９

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明を適用した第１の実施例の磁気ヘットを
示す拡大斜視図、第２図（ａ）ないし第２図（ｄ）はそ
の製造工程を工程順に従って示す要部拡大斜視図であり
、第２図（ａ）はトランク幅規制溝形成工程及びマスキ
ング工程、第２図（ｂ）は複合ブロック接合工程、第２
図（ｃ）は巻線溝及びガラス溝形成工程、第２図（ｄ）
はガラス融着工程をそれぞれ示す。 第３図は本発明を適用した第２の実施例の磁気ヘッドを
示す拡大斜視図、第４図（ａ）ないし第４図（ｆ）はそ
の製造工程を工程順に従って示す要部拡大斜視図であり
、第４図（ａ）は膜分断溝形成工程、第４図（ｂ）は金
属磁性薄膜及びガラス膜形成工程、第４図（ｃ）は複合
ブロック接合工程、第４図（ｄ）は磁気コア半体ブロッ
ク作製工程、第４図（ｅ）は巻線溝及びガラス溝形成工
程、第４図（ｆ）はガラス融着工程をそれぞれ示す。 第５図（ａ）はさらに木発明を適用した第３の実施例の
磁気ヘットを示す拡大斜視図、第５１ｍａ＋）れること
かない。 従って、接合強度の高い信頼性に優れた磁気ヘッドの提
供が可能となる。 また、本発明のも〃気へ７１−においては、作動ギャッ
プのトランク幅がすなわち金属磁性薄膜の膜厚に相当す
るため、当該金属磁性薄膜の膜厚を真空薄膜形成技術等
の手段によって制御することで簡単に狭Ｉ・ラック化ヘ
ンｌとすることができる。 さらに木発明の磁気ヘットにおいては、金属磁性薄膜と
基板との接合面が作動ギャップと非平行であるため、該
金属磁性薄膜とフェライトとの間に＃＋１１月生化され
た反応層が形成されたとしても、該反応層は疑億ギャッ
プとして動作することがない。 また、本発明の磁気へノドを作製する場合においては、
ヘントチツブの大きさに応して金属磁性薄膜を成膜して
いるので、当該金属磁性薄膜と熱膨張係数の大きく異な
る材料、例えばフェライ１−等との成膜であっても当該
金属磁性薄膜に歪みを生しさせることなく成膜させるこ
とができる。 ０ はその磁気ヘン］・を作製するための複合ブロックの拡
大斜視図である。 第６図はさらに本発明を適用した第４の実施例のるｄ気
へノドを示す拡大斜視図である。 第７図（ａ）はざらに本発明を適用した第５の実施例の
磁気ヘットを示す拡大斜視図、第７図（ｂ）はその磁気
ヘット′を作製するための複合ブロックの拡大斜視図で
ある。 第８図（ａ）はさらに本発明を適用した第６の実施例の
磁気ヘッドを示す拡大斜視図、第８図（ｂ）はその磁気
ヘッドを作製するだめの複合ブロックの拡大斜視図であ
る。 第９図（ａ）はさらに本発明を適用した第７の実施例の
磁気へ７ドを示す拡大斜視図、第９図（ｂ）はその磁気
ヘットを作製するための複合ブロックの拡大斜視図であ
る。 ］　　２３８３９７３７４　９２，９３，１０７，１０
８，１２３．１２４．１３９１４０　　・・・磁気コア
半体 ８．９４５　４６．７＋、８３，１０１，１０２．＋１
４．１１．５，１３０．］３１．１４８１４９ 融着ガラス １７、１８．５’０，５１，７１．７２．９０．９１，
１０５．１０６．．１２１１２２　１３７ ３８ 金属磁性薄膜

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 　金属磁性薄膜が基板で挟み込まれ接合一体化されてな
   る磁気コア半体が前記金属磁性薄膜の端面同士が対向す
   るように突き合わされ、これら金属磁性薄膜の突合わせ
   面間に作動ギャップが構成されてなり、 前記磁気コア半体の前記突合わせ面とは反対側の端面近
   傍が融着ガラスにより補強されていることを特徴とする
   磁気ヘッド。