JPH0548244Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、ビデオテープレコーダ（VTR）等
に搭載される磁気ヘツドに関し、詳細には作動ギ
ヤツプ近傍部が強磁性金属薄膜で構成され且つ磁
気コア半体の大部分が強磁性酸化物で構成されて
なる複合型の磁気ヘツドに関する。

〔考案の概要〕

本考案は、強磁性酸化物よりなる磁気コア部と
少なくとも該磁気コア部のフロントデプス部に被
着形成される強磁性金属薄膜により磁気コア半体
が構成され、前記強磁性金属薄膜の作動ギヤツプ
におけるトラツク幅を規制するトラツク幅規制溝
がフロントデプス部からバツクデプス部まで延在
して形成される磁気ヘツドにおいて、 上記バツクデプス部には高透磁率材料よりなる
バツクコアを接合一体化することにより、 磁気ヘツドの機械的強度を確保し同時に、磁気
効率の向上を図ろうとするものである。

〔従来の技術〕

磁気記録の分野においては、情報信号の高密度
記録化が進められており、これに対応して磁気記
録媒体として磁性粉にFe，Co，Ni等の強磁性金
属粉末を用いた、いわゆるメタルテープや、磁性
金属材料を蒸着等の真空薄膜形成技術によりベー
スフイルム上に直接被着した、いわゆる蒸着テー
プ等が商品化されている。

この種の磁気記録媒体は高い抗磁力や残留磁束
密度を有しており、これに対応して磁気ヘツドの
コア材料には高飽和磁束密度及び高透磁率を有す
る材料が要求されている。

ところが、従来より多用されているフエライト
等の強磁性酸化物をコア材料としたヘツドは、高
透磁率を有し再生能率に優れるものの、飽和磁束
密度が低いため、記録の高密度化に限界がある。
一方、Fe−Al−Si系合金等の強磁性金属材料を
用いたヘツドでは、飽和磁束密度がフエライトよ
りも大きいので高抗磁力磁気記録媒体に対しても
十分記録が可能であるものの、一般に使用される
ヘツド形状でのコア厚では使用周波数領域での実
効透磁率が低く再生特性が劣化する。

このような状況より近年では、上記強磁性酸化
物と強磁性金属薄膜とを組み合わせた、いわゆる
複合型の磁気ヘツドが提案され実用化されている
ことは周知である。

上記複合型の磁気ヘツドとして、例えば第９図
に示すようなものが提案されている。この磁気ヘ
ツドにおいては、磁気コア部１０１，１０２がフ
エライト等の強磁性酸化物よりなり、これら磁気
コア部１０１，１０２の当接面近傍にはフロント
デプス部からバツクデプス部に亘つて連続してト
ラツク幅規制溝１０３，１０４が形成され、同様
にこの溝１０３，１０４内を含む当接面には強磁
性金属薄膜１０５，１０６が形成され、磁気コア
半体１１１，１１２が構成されている。そして、
これら磁気コア半体１１１，１１２の当接面を作
動ギヤツプｇとしている。なお、上記トラツク幅
規制溝１０５，１０６には、磁気記録媒体との当
たりを確保するために非磁性材１０７，１０８が
溶融充填されている。

この複合型の磁気ヘツドは、磁気コア半体１０
１，１０２を強磁性酸化物材料と強磁性金属薄膜
との複合磁性材料で構成しているので、高抗磁力
磁気記録媒体に対して良好な記録再生特性を示
す。しかも、トラツク幅規制溝１０３，１０４を
フロントデプス部からバツクデプス部まで連続し
て形成しているのでトラツク幅精度が良好である
こと、強磁性金属薄膜１０５，１０６の膜厚とは
無関係にトラツク幅を設定できること等、の特徴
を有している。

〔考案が解決しようとする問題点〕

ところが、上記トラツク幅規制溝１０３，１０
４がバツクデプス部にも形成されていることよ
り、バツクデプス部近傍のコア体積が小さく、従
つてこの部分での磁気抵抗が大きくなり、再生画
像の高品質化を考慮するとまだまだ不満を残して
いる。

また、上記磁気コア半体１０１，１０２の当接
面全体に強磁性金属薄膜１０５，１０６が形成さ
れているので、この接合強度は強磁性金属薄膜１
０５，１０６の付着強度により左右され、この結
果十分な接合強度が得られず、信頼性に劣るヘツ
ドとなつてしまうという欠点がある。

そこで、本考案は上述の実情に鑑みて提案され
たものであり、機械的強度や磁気効率の優れた磁
気ヘツドを提供することを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

上述の目的を達成するために、本考案の磁気ヘ
ツドは、強磁性酸化物よりなる磁気コア部と少な
くとも該磁気コア部のフロントデプス部に被着形
成される強磁性金属薄膜により磁気コア半体が構
成され、前記強磁性金属薄膜の作動ギヤツプにお
けるトラツク幅を規制するトラツク幅規制溝がフ
ロントデプス部からバツクデプス部まで延在して
形成される磁気ヘツドであつて、上記バツクデプ
ス部には高透磁率材料よりなるバツクコアが接合
一体化され、フロントデプス部では強磁性金属薄
膜同士を突き合わせることにより作動ギヤツプが
構成されるとともに、バツクデプス部では上記磁
気コア部とバツクコアとで閉磁路が構成されるこ
とを特徴とするものである。

〔作用〕

本考案の磁気ヘツドは、バツクデプス部に補助コ
アとして高透磁率材料よりなるバツクコアを接合
一体化しているので、バツクデプス部側での磁気
的な結合は磁気コア半体の当接面と該バツクコア
とで行われる。したがつて、上記バツクデプス部
側での磁気抵抗が低減する。

また、磁気バツクコアは補強材としても作用す
るので、ヘツドの機械的強度も確保できる。

〔実施例〕

以下、本考案を適用した磁気ヘツドの一実施例
について、図面を参照しながら説明する。

本考案の磁気ヘツドは、第１図及び第２図に示
すように、磁気コア部１，２が強磁性酸化物材
料、例えばMn−Znフエライトで構成され、その
当接面近傍にはフロントデプス部FDpからバツク
デプス部BDpに亘つてトラツク幅を規制するた
めのトラツク幅規制溝３，４が略円弧状に切欠か
れ、さらにこのトラツク幅規制溝３，４内を含む
上記当接面にはフロントデプス部FDp側にのみ強
磁性金属薄膜５，６が被着形成され、磁気コア半
体，が構成されている。そして、これら磁気
コア半体，はギヤツプスペーサを介して突き
合わされガラスボンデイング等の手法にて接合さ
れトラツク幅Twの作動ギヤツプｇが構成されて
いる。なお、一方の磁気コア半体には、この磁
気ヘツドに信号を供給するためのコイル巻回用の
巻線溝９が穿設されている。また、上記トラツク
幅規制溝３，４内には、強磁性金属薄膜３，４の
摩耗を防止し、磁気記録媒体との当たりを確保す
るために非磁性材７，８が溶融充填されている。

そして本考案にあつては、上記バツクデプス部
BDp側に、高透上率材料よりなるバツクコア１
０が接合一体化され、磁気コア部１と磁気コア部
とを磁気的に結合している。

ここで、上記バツクコア１０としては、Mn−
ZnフエライトやNi−Znフエライト等の高透磁率
材料が使用され、この接合手段としてはガラスボ
ンデイング法や接着材による接合手段が挙げられ
る。

また、上記バツクコア１０は、この厚みｌが余
り小さいと、バツクデプス部BDpでの磁気抵抗
が大きくなつて磁気効率の低下を招き、逆に厚み
ｌが大きすぎると、ヘツドが大型化する等好まし
くなく、磁気コア部１，２の厚みや当接面幅等を
考慮して適宜設定することが好ましい。例えば、
VTR記録再生装置に搭載する磁気ヘツドにおい
ては、上記厚みｌは0.05mm〜0.2mm程度が好まし
い。

このように本考案では、バツクデプス部BDp
側での磁気コア部１，２同士の磁気的な結合をバ
ツクコア１０にて行つているので、磁気コア半体
，同士の当接面幅Ｗが狭くなつても、ヘツド
の磁気効率は確保できる。したがつて、ヘツド特
性（特に、Ｌ特性やＱ特性）が格段に向上する。

同時に、上記バツクコア１０は、磁気コア半体
，に跨るように接合一体化されているので、
磁気コア半体，同士の接合が確実となり、信
頼性に優れた磁気ヘツドとなる。しかも、本実施
例ではバツクデプス部BDpの当接面に強磁性金
属薄膜３，４を形成せず、強磁性酸化物同士の接
合としているので、上記接合は一層強固なものと
なる。

なお、従来の如く強磁性金属薄膜３，４を当接
面全体に形成した場合でも、バツクコア１０を接
合一体化することにより、磁気効率や機械的強度
が改善されることはいうまでもない。

上記強磁性金属薄膜３，４の材質としては、強
磁性非晶質合金、いわゆるアモルフアス合金（例
えばFe，Ni，Coの１つ以上の元素とＰ，Ｃ，
Ｂ，Siの１つ以上の元素とからなる合金、または
これ主成分としAl，Ge，Be，Sn，In，Mo，Ｗ，
Ti，Mn，Cr，Zr，Hf，Nb等を含んだ合金等の
メタル−メタロイド系アモルフアス合金、あるい
はCo，Hf，Zr等の遷移元素や希土類元素を主成
分とするメタル−メタル系アモルフアス合金）、
Fe−Al−Si系合金であるセンダスト、Fe−Al系
合金、Fe−Si系合金、Fe−Si−Co系合金、Ni−
Fe系合金であるパーマロイ等が挙げられ、その
膜付け方法とては、スパツタリング法、真空蒸着
法、フラツシユ蒸着法、イオンプレーテイング
法、クラスター・イオンビーム法等の真空薄膜形
成技術が挙げられる。また、上記強磁性金属薄膜
５は本例では単層構造としているが、例えば
SiO₂，Ta₂O₅，Al₂O₃，ZrO₂，Si₃N₄等の高耐摩
耗性絶縁膜を介して複数層積層形成しても良い。
この場合、強磁性金属薄膜の積層数は任意に設定
することができる。

また、フロントデプス部FDp側の強磁性酸化物
と強磁性金属薄膜との間に、フロントデプス部
FDp側のトラツク幅規制溝３，５内にのみ（作動
ギヤツプの形成面は除く）にTa，Ti，Al等の金
属材料やそれらの酸化物、あるいはSiO₂等の非
磁性中間膜を形成しても良い。このように非磁性
中間膜を介することにより、強磁性酸化物と強磁
性金属薄膜との密着性が向上し、ヘツドの機械的
強度が一層向上する。

次に、この実施例をより明確なものとするため
に、その製造方法について説明する。

上記実施例の磁気ヘツドを作成するには、先
ず、第３図に示すように、例えばMz−Znフィエ
ライト等の強磁性酸化物基板２０の上面２０ａ、
すなわちこの基板２０における磁気コア半体突き
合わせ時の当接面に、回転砥石加工等の手段にて
断面略半円形状のトラツク幅規制溝２１を全幅に
亘つて複数平行に形成する。なお、上記トラツク
幅規制溝２１の断面形状は半円形状の他、略Ｖ字
状あるいは屈曲点を複数有する多角形状等、従来
公知の種々の形状が採り得る。

このように、トラツク幅規制溝２１をフロント
デプス部FDpからバツクデプス部BDpまで連続
的に形成しているので、トラツク幅の規制を容易
かつ高精度に行える。したがつて、生産効率の点
で有利である。

次に、第４図に示すように、上記トラツク幅規
制溝２１を含む基板２０の上面２０ａに、例えば
Fe−Al−Si系合金等の強磁性金属材料を被着し
強磁性金属薄膜２２を形成する。ここで、上記強
磁性金属薄膜２２は、フロントデプス部FDpに対
応する面上の薄膜２２ａと、バツクデプス部
BDpに対応する面の後端側の薄膜２２ｂとで構
成され、バツクデプス部BDpに対応する面２０
ｂには強磁性金属薄膜２２が形成されないように
例えばマスクパツタ等の手法にて形成する。以上
により、トラツク幅Twの一対の磁気コアブロツ
ク２３を得る。

このように強磁性金属薄膜２２ａ，２２ｂを分
断して形成することにより、薄膜２２ａ，２２ｂ
の内部応力が分散されるので、基板２０の反りも
同時に改善され、後工程での寸法制御を精度良く
行える。

なお、上記強磁性酸化物と強磁性金属薄膜との
接合強度を向上させるために非磁性中間膜を形成
する場合には、基板２０の上面２０ａに非磁性材
を被着し、上記上面２０ａに対して平面研削を施
して上面２０ａ上の中間非磁性膜を除去した後、
上述の手法にて強磁性金属薄膜を形成すれば良
い。

続いて、上述の工程で作成される一対の磁気コ
アブロツク２３のうち一方の磁気コアブロツクに
対して、第５図に示すように、上記トラツク幅規
制溝２１と直交する方向に溝加工を施し、コイル
を巻装するための巻線溝２４を形成し磁気コアブ
ロツク２５を得る。

次に、上記磁気コアブロツク２３の当接面ある
いは磁気コアブロツク２５の当接面の少なくとも
何れか一方にギヤツプスペーサを被着した後、第
６図に示すように突き合わせ、ガラス等の非磁性
材２６にて融着接合する。このときバツクデプス
部BDpにおける各磁気コアブロツク２３，２５
の当接面には上記非磁性材２６が充填される。

したがつて、上記各コアブロツク２３，２５
は、バツクデプス部が強磁性酸化物と上記非磁性
材２６とで確実に接合される。この結果、コアブ
ロツク２３，２５同士の接合強度が向上する。

なお、上記ギヤツプスペーサとしては、SiO₂，
ZrO₂，Ta₂O₅，Cr等が使用される。また、この
製造工程において、上記トラツク幅規制溝２１へ
の非磁性材２６の充填は、磁気コアブロツク２
３，２５の接合と同時でなく、例えば第４図に示
す工程で予めトラツク幅規制溝２１内に非磁性材
２６を充填し、第６図に示す工程ではコアブロツ
ク２３，２５同士の接合のみとしても良い。

次いで、第７図中Ｘ−Ｘ線及びX′−X′線の位
置でスライシング加工を施し複数個のヘツドチツ
プを切り出した後、磁気記録媒体対接面を円筒研
磨を施す。このとき必要に応じて、バツクデプス
部BDp側に形成した強磁性金属薄膜２２ｂをト
ラツク幅規制溝２１と直交方向にスライシングす
ることにより除去する。なお、磁気コアブロツク
１０，２０に対するスライシング方向を突き合わ
せ面に対して傾斜させることにより、アジマス記
録用の磁気ヘツドを作成することもできる。

最後に、上記ヘツドチツプのバツクデプス部
BDp側の側面に各磁気コア半体を構成する基板
２０，２０に跨るようにバツクコア２７をガラス
融着あるいは接着材等により接合一体化すること
により、第１図に示す磁気ヘツドを完成する。

ここで、第１図に示す磁気ヘツドの一方の磁気
コア半体は一方の磁気コアブロツク２３を母材
としており、他方の磁気コア半体はコアブロツ
ク２５を母材としている。したがつて、磁気コア
部１，２は基板２０に、強磁性金属薄膜５，６は
強磁性金属薄膜２２ａに、非磁性材７，８は非磁
性材２６に、バツクコア１０はバツクコア２７
に、それぞれ対応している。

以上、本考案の具体的な実施例について説明し
たが、本考案はこの実施例に限定されるものでは
なく、本考案の趣旨を逸脱しない範囲において、
種々の磁気ヘツドに適用可能である。

例えば、強磁性金属薄膜を磁気コア半体の当接
面に対して斜めに配設し、これら強磁性金属薄膜
同士を突き合わせて作動ギヤツプとした磁気ヘツ
ドにも本考案は適用される。すなわち、第８図に
示すように、強磁性酸化物より形成される一対の
磁気コア部３１，３２の当接面をそれぞれフロン
トデプス部からバツクデプス部まで斜めに切欠い
て強磁性金属薄膜形成面３３，３４を形成し、こ
の強磁性金属薄膜薄膜形成面３３，３４上に真空
薄膜形成技術により強磁性金属薄膜３５，３６を
被着し、これら強磁性金属薄膜３５，３６同士が
当接するように突き合わせ作動ギヤツプｇを形成
してなり、バツクデプス部側には補強及び磁路形
成用のバツクコア４０を接合一体化する構造とし
ても良い。このような構造としても、先の実施例
と同様の作用・効果を有することはいうまでもな
い。

〔考案の効果〕

以上の説明からも明らかなように、本考案の磁
気ヘツドは、バツクデプス部に高透磁率材料より
なるバツクコアを接合一体化していることより、
バツクデプス部での磁気抵抗が大幅に減少するの
で、磁気効率の優れた磁気ヘツドとなる。

また、上記バツクコアは、磁気コア半体同士の
接合の補強作用も有しているので、磁気ヘツドと
しての機械的強度が向上し、信頼性の高い磁気ヘ
ツドが提供できる。

さらに、トラツク幅を規制するためのトラツク
幅規制溝をフロントデプス部からバツクデプス部
まで連続して形成しているので、トラツク幅精度
や生産効率の点でも有利である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本考案を適用した磁気ヘツドの一実施
例を示す概略的な斜視図であり、第２図は第１図
中Ａ−Ａ線における断面図である。第３図ないし
第７図は第１図に示す磁気ヘツドの製造工程をそ
の工程順序に従つて示す概略的な斜視図であり、
第３図はトラツク幅規制溝の切削工程、第４図は
強磁性金属薄膜の形成工程、第５図は巻線溝の形
成工程、第６図は基板の接合工程及びスライシン
グ加工工程、第７図はバツクコアの接合工程、を
それぞれ示す。第８図は本考案の他の例を示す概
略的な斜視図である。第９図は従来の磁気ヘツド
を示す概略的な斜視図である。 ，……磁気コア半体、１，２……磁気コア
部、３，４……トラツク幅規制溝、５，６……強
磁性金属薄膜、１０……バツクコア。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 強磁性酸化物よりなる磁気コア部と少なくとも
   該磁気コア部のフロントデプス部に被着形成され
   る強磁性金属薄膜により磁気コア半体が構成さ
   れ、前記強磁性金属薄膜の作動ギヤツプにおける
   トラツク幅を規制するトラツク幅規制溝がフロン
   トデプス部からバツクデプス部まで延在して形成
   される磁気ヘツドであつて、 上記バツクデプス部には高透磁率材料よりなる
   バツクコアが接合一体化され、 フロントデプス部では強磁性金属薄膜同士を突
   き合わせることにより作動ギヤツプが構成される
   とともに、バツクデプス部では上記磁気コア部と
   バツクコアとで閉磁路が構成されることを特徴と
   する磁気ヘツド。