JPH03114273A - 光起電力装置の製造方法 - Google Patents
光起電力装置の製造方法Info
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- JPH03114273A JPH03114273A JP1252665A JP25266589A JPH03114273A JP H03114273 A JPH03114273 A JP H03114273A JP 1252665 A JP1252665 A JP 1252665A JP 25266589 A JP25266589 A JP 25266589A JP H03114273 A JPH03114273 A JP H03114273A
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
本発明は、フレキシビリティを有する光起電力装置の製
造方法に関する。
造方法に関する。
（ロ）従来の技術
従来からこの種フレキシビリティを有する光起電力装置
として、ステンレス薄板等のフレキシビリティを有する
基板上に、絶縁膜、金属背面電極、光活性層を含む薄膜
半導体層及び透明電極を順次形成したものがある。
として、ステンレス薄板等のフレキシビリティを有する
基板上に、絶縁膜、金属背面電極、光活性層を含む薄膜
半導体層及び透明電極を順次形成したものがある。
しかしながら、この構造の光起電力装置を製造する場合
、半導体層上に透明電極を形成する必要がある。そして
、この透明電極を形成する際に、半導体層にダメージを
与えないように、低温、低パワーで形成せざるを得ない
、そのため、透過率が高く、シート抵抗が低い透明電極
を形成する事が困難であり、光電変換効率が著しく低い
欠点があった。
、半導体層上に透明電極を形成する必要がある。そして
、この透明電極を形成する際に、半導体層にダメージを
与えないように、低温、低パワーで形成せざるを得ない
、そのため、透過率が高く、シート抵抗が低い透明電極
を形成する事が困難であり、光電変換効率が著しく低い
欠点があった。
一方、支持基板上に、可撓性、透光性を有する第１樹脂
層上に順次透明電極、光活性層を含む薄膜半導体層、背
面金属電極及び第２樹脂層をこの順序で積層形成した後
、上記支持基板より第１樹脂層を剥離する光起電力装置
の製造方法が特開平１−１０５５８１号公報に提案され
ている。
層上に順次透明電極、光活性層を含む薄膜半導体層、背
面金属電極及び第２樹脂層をこの順序で積層形成した後
、上記支持基板より第１樹脂層を剥離する光起電力装置
の製造方法が特開平１−１０５５８１号公報に提案され
ている。
ところで、上述した第１樹脂層としては、従来より耐熱
性に優れるポリイミド樹脂が用いられている。そして、
ポリイミド樹脂を使用しているために、可撓性を有し、
折り曲げが可能であり、また曲面への貼付けも容易であ
る。更に、薄膜半導体層上に透明電極を形成するプロセ
スが必要熱いため、すなわち、半導体層形成に先立って
透明電極を形成するので、低抵抗の透明電極を形成し得
る。又、透明電極形成による薄膜半導体層へのダメージ
がな（なり、光電変換効率の向上を図ることができる。
性に優れるポリイミド樹脂が用いられている。そして、
ポリイミド樹脂を使用しているために、可撓性を有し、
折り曲げが可能であり、また曲面への貼付けも容易であ
る。更に、薄膜半導体層上に透明電極を形成するプロセ
スが必要熱いため、すなわち、半導体層形成に先立って
透明電極を形成するので、低抵抗の透明電極を形成し得
る。又、透明電極形成による薄膜半導体層へのダメージ
がな（なり、光電変換効率の向上を図ることができる。
（ハ）発明が解決しようとする課題
しかしながら、上述の方法では支持基板から第１樹脂層
を剥離する工程において、積層形成した基板全体を水に
浸漬し、光起電力装置の内部応力によって、第１樹脂層
が支持基板から自然に剥離していくのを待たなければな
らず、非常に時間がかかる。
を剥離する工程において、積層形成した基板全体を水に
浸漬し、光起電力装置の内部応力によって、第１樹脂層
が支持基板から自然に剥離していくのを待たなければな
らず、非常に時間がかかる。
また、支持基板に金属基板を用いた場合、第１樹脂層と
の密着力が非常に強いため上述した方法では支持基板と
第１樹脂層とが剥離できない。
の密着力が非常に強いため上述した方法では支持基板と
第１樹脂層とが剥離できない。
これらの剥離を容易にするために、支持基板と第１ＦＭ
脂層との間の全面に離型剤を形成する方法が考えられて
いるが、この方法では逆に光起電力装置の積層製造の工
程途中で第１樹脂層が支持基板から剥離してしまうとい
う問題があった。
脂層との間の全面に離型剤を形成する方法が考えられて
いるが、この方法では逆に光起電力装置の積層製造の工
程途中で第１樹脂層が支持基板から剥離してしまうとい
う問題があった。
本発明は、上述した問題点に鑑みなされたものにして、
支持基板上に光電変換素子を形成する工程中は、支持基
板と第１樹脂層とが確実に接着し、また光起電力装置の
完成時には第１樹脂層と支持基板とが容易に剥離可能で
、短時間で両者の剥離が行える光起電力装置の製造方法
を提供することをその課題とする。
支持基板上に光電変換素子を形成する工程中は、支持基
板と第１樹脂層とが確実に接着し、また光起電力装置の
完成時には第１樹脂層と支持基板とが容易に剥離可能で
、短時間で両者の剥離が行える光起電力装置の製造方法
を提供することをその課題とする。
（ニ）課題を解決するための手段
本発明は、支持基板上の光電変換素子が形成される領域
より小許小さい領域に離型剤層を塗布形成し、この離型
剤層を含み前記支持基板上に、透光性、絶縁性かつ可撓
性の第１樹脂層と、透明電極、薄膜半導体層及び背面電
極の積層体からなる薄膜の光電変換素子と、絶縁性かつ
可撓性の第２樹脂層とを、この順序で積層形成した後、
前記光起電力装置を前記離型剤層の領域内で島状に切断
し、この切断した島状領域の第１樹脂層を前記離型剤層
を介して、支持基板から剥離することを特徴とする。
より小許小さい領域に離型剤層を塗布形成し、この離型
剤層を含み前記支持基板上に、透光性、絶縁性かつ可撓
性の第１樹脂層と、透明電極、薄膜半導体層及び背面電
極の積層体からなる薄膜の光電変換素子と、絶縁性かつ
可撓性の第２樹脂層とを、この順序で積層形成した後、
前記光起電力装置を前記離型剤層の領域内で島状に切断
し、この切断した島状領域の第１樹脂層を前記離型剤層
を介して、支持基板から剥離することを特徴とする。
（ホ）作用
上述の製造方法により、支持基板には離型剤が存在しな
い部分が存在するため、その部分で支持基板と第１樹脂
層が密着し、光起電力装置の積層製造工程の途中に両者
が剥離するおそれはない。
い部分が存在するため、その部分で支持基板と第１樹脂
層が密着し、光起電力装置の積層製造工程の途中に両者
が剥離するおそれはない。
また、光起電力装置の積層形成後、離型剤層内の領域上
で、光起電力装置が切断されるため、支持基板と第１樹
脂層とは、その間に存在する離型剤により容易に剥離さ
れる。
で、光起電力装置が切断されるため、支持基板と第１樹
脂層とは、その間に存在する離型剤により容易に剥離さ
れる。
（へ）実施例
以下、本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第１図ないし第３図は本発明の製造方法を各工程別に示
す断面図、第４図は第３図の上面図である。
す断面図、第４図は第３図の上面図である。
まず、第１図に示すように、ガラス、セラミックス、金
属等からなる支持基板（１）の一方の主面上の光電変換
素子が形成される領域より小許小さい領域にシリコン樹
脂からなる離型剤層（２）が塗布形成される。本実施例
では、支持基板（１）のふち周辺部に１〜５ｍｍの余白
をあけて、５〜２０μｍの厚さでシリコン樹脂からなる
離型剤をスクリーン印刷手法で塗布し、その後２５０℃
〜３００℃の温度で焼付で形成される。
属等からなる支持基板（１）の一方の主面上の光電変換
素子が形成される領域より小許小さい領域にシリコン樹
脂からなる離型剤層（２）が塗布形成される。本実施例
では、支持基板（１）のふち周辺部に１〜５ｍｍの余白
をあけて、５〜２０μｍの厚さでシリコン樹脂からなる
離型剤をスクリーン印刷手法で塗布し、その後２５０℃
〜３００℃の温度で焼付で形成される。
次に、第２図に示すように、ガラス、セラミックス、金
属等からなる支持基板（１）の離型剤層（２）を含んで
一方の主面上に透光性、絶縁性且つ可撓性を有する有機
高分子からなる第・１樹脂層（３）が５〜１００μｍの
厚さで形成される。具体的には、透明ポリイミドのフェ
スをスピンコータあるいはロールコータ等で均一に塗布
し、１００℃から３００℃まで段階的に昇温しながら処
理する。
属等からなる支持基板（１）の離型剤層（２）を含んで
一方の主面上に透光性、絶縁性且つ可撓性を有する有機
高分子からなる第・１樹脂層（３）が５〜１００μｍの
厚さで形成される。具体的には、透明ポリイミドのフェ
スをスピンコータあるいはロールコータ等で均一に塗布
し、１００℃から３００℃まで段階的に昇温しながら処
理する。
ここで、膜厚が５μ以下では、後述の工程で第１樹脂層
（３）を支持基板（１）から剥離した時に機械的強度が
不十分であり、また、膜厚が１００μ以上では十分な光
透過性が得られないことから、第１樹脂層（２）は上述
のように膜厚５〜１００μｍが好ましい。
（３）を支持基板（１）から剥離した時に機械的強度が
不十分であり、また、膜厚が１００μ以上では十分な光
透過性が得られないことから、第１樹脂層（２）は上述
のように膜厚５〜１００μｍが好ましい。
その後、この第１樹脂層（３）の上面に、酸化錫（Ｓｎ
Ｏ□） 酸化インジウム錫（ＩＴＯ）等からなる透明電
極（４）が膜厚２０００〜５０００人で形成される。
Ｏ□） 酸化インジウム錫（ＩＴＯ）等からなる透明電
極（４）が膜厚２０００〜５０００人で形成される。
続いて、透明電極（４）の上面に、内部に膜面に平行な
ｐｉｎ 、 ｐｎ接合等の半導体光活性層を含む半導体
接合を備えた膜厚３０００〜７０００人のアモルファス
シリコン（ａ−Ｓｉ） 、アモルファスシリコンカーバ
イド（ａ−５ｉ（： ） 、アモルファスシリコンゲル
マニウム（ａ−３ｉＧｅ）等のアモルファスシリコン系
の半導体膜（５）がプラズマＣＶＤ法や光ＣＶＤ法によ
り形成される。
ｐｉｎ 、 ｐｎ接合等の半導体光活性層を含む半導体
接合を備えた膜厚３０００〜７０００人のアモルファス
シリコン（ａ−Ｓｉ） 、アモルファスシリコンカーバ
イド（ａ−５ｉ（： ） 、アモルファスシリコンゲル
マニウム（ａ−３ｉＧｅ）等のアモルファスシリコン系
の半導体膜（５）がプラズマＣＶＤ法や光ＣＶＤ法によ
り形成される。
更に、半導体膜（５）の上面に、 ４０００人〜２μｍ
程度の厚さのアルミニウム（Ａｌ）単層構造、または該
アルミニウムにチタン（Ｔｉ）またはチタン銀合金（Ｔ
ｉＡｇ）を積層した２重構造、更には斯る２重構造を２
重に積み重ねた金属背面電極（６）が形成される。
程度の厚さのアルミニウム（Ａｌ）単層構造、または該
アルミニウムにチタン（Ｔｉ）またはチタン銀合金（Ｔ
ｉＡｇ）を積層した２重構造、更には斯る２重構造を２
重に積み重ねた金属背面電極（６）が形成される。
然る後、背１面電極（６）の上面に、２０μｍ／ｍｍ程
度の厚さの収縮力の強いＥＶＡ等の熱可塑性樹脂シート
からなる第２樹脂層（７）が形成される。
度の厚さの収縮力の強いＥＶＡ等の熱可塑性樹脂シート
からなる第２樹脂層（７）が形成される。
さて、本発明は、次の工程において、第３図及び第４図
に示すように、第１樹脂層（３）及び第２樹脂層（７）
の間に光電変換素子が挟まれた形態の可撓性光起電力装
置（９）が離型剤層（２）の領域内で、支持基板（１）
のぶち周辺部から切断ライン（８）に沿って、島状に切
断される。この切断は、例えば、レーザビームの照射に
より、光電変換素子部分を除去することにより行われる
。
に示すように、第１樹脂層（３）及び第２樹脂層（７）
の間に光電変換素子が挟まれた形態の可撓性光起電力装
置（９）が離型剤層（２）の領域内で、支持基板（１）
のぶち周辺部から切断ライン（８）に沿って、島状に切
断される。この切断は、例えば、レーザビームの照射に
より、光電変換素子部分を除去することにより行われる
。
而して、島状に切断された光起電力装置（９）の第１樹
脂層（３）と支持基板（１）との間には、離型剤層（２
）のみが介在するので、光起電力装置（９）は水に浸漬
することな（、容易に剥離する。従って、可撓性光起電
力装置が極めて短時間且つ容易に形成できる。
脂層（３）と支持基板（１）との間には、離型剤層（２
）のみが介在するので、光起電力装置（９）は水に浸漬
することな（、容易に剥離する。従って、可撓性光起電
力装置が極めて短時間且つ容易に形成できる。
また、支持基板（１）上に、光起電力装置の光電変換素
子を積層形成する工程中は、支持基板（１）上の離型剤
層（２）が存在しない領域と第１ｍ脂層（３）とが密着
しているため、両者が剥離することはない。
子を積層形成する工程中は、支持基板（１）上の離型剤
層（２）が存在しない領域と第１ｍ脂層（３）とが密着
しているため、両者が剥離することはない。
（ト）発明の詳細
な説明したように、本発明法によれば、支持基板と第１
樹脂層との間に離型剤層を形成しても、光起電力装置の
積層形成中には、離型剤層が存在しない領域で支持基板
と第１ＦＭ脂層が密着し、第１樹脂層が支持基板より剥
離することはなく、更に、光起電力装置の積層形成完了
後は、離型剤層の存在により、水に浸漬する必要もな（
、支持基板より光起電力装置を容易に剥離でき、短時間
で可撓性を有する光起電力装置を製造することができる
。
樹脂層との間に離型剤層を形成しても、光起電力装置の
積層形成中には、離型剤層が存在しない領域で支持基板
と第１ＦＭ脂層が密着し、第１樹脂層が支持基板より剥
離することはなく、更に、光起電力装置の積層形成完了
後は、離型剤層の存在により、水に浸漬する必要もな（
、支持基板より光起電力装置を容易に剥離でき、短時間
で可撓性を有する光起電力装置を製造することができる
。
図面は本発明の一実施例を示し、第１図ないし第３図は
本発明の製造方法を各工程別に示す断面図、第４図は第
５図の上面図である。 ■・・・支持基板、２・・・離型剤層、３・・・第１の
樹脂層、４・・・透明電極、５・・・半導体膜、６・・
・背面電極、 ７・・・第２樹脂層、 ８・・・切断ライン、 ９・・・光起 電力装置。 第 １ 図 第３ 図 第 図 手 続 補 正 （自発） １、事件の表示 平成１年特許願第２５２６６５号 ２、発明の名称 光起電力装置の製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 ＋１８８１三洋電機株式会社 ４、代理人 住 所 （〒５３０）大阪市北区天神西町１番６号大和
ビル１２号館３階３０７号 ５゜ 補正の対象 ６、補正の内容 明細書第９頁第１８行の「第４図は第５図の上面図であ
る。」とあるのを、［第４図は第３図の上面図である。 」と補正する。
本発明の製造方法を各工程別に示す断面図、第４図は第
５図の上面図である。 ■・・・支持基板、２・・・離型剤層、３・・・第１の
樹脂層、４・・・透明電極、５・・・半導体膜、６・・
・背面電極、 ７・・・第２樹脂層、 ８・・・切断ライン、 ９・・・光起 電力装置。 第 １ 図 第３ 図 第 図 手 続 補 正 （自発） １、事件の表示 平成１年特許願第２５２６６５号 ２、発明の名称 光起電力装置の製造方法 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名 称 ＋１８８１三洋電機株式会社 ４、代理人 住 所 （〒５３０）大阪市北区天神西町１番６号大和
ビル１２号館３階３０７号 ５゜ 補正の対象 ６、補正の内容 明細書第９頁第１８行の「第４図は第５図の上面図であ
る。」とあるのを、［第４図は第３図の上面図である。 」と補正する。
Claims (1)
- （１）支持基板上の光電変換素子が形成される領域より
小許小さい領域に離型剤層を塗布形成し、この離型剤層
を含み前記支持基板上に、透光性、絶縁性かつ可撓性の
第１樹脂層と、透明電極、薄膜半導体層及び背面電極の
積層体からなる薄膜の光電変換素子と、絶縁性かつ可撓
性の第２樹脂層とを、この順序で積層形成した後、前記
光起電力装置を前記離型剤層の領域内で島状に切断し、
この切断した島状領域の第１樹脂層を前記離型剤層を介
して、支持基板から剥離することを特徴とする光起電力
装置の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1252665A JP2698189B2 (ja) | 1989-09-27 | 1989-09-27 | 光起電力装置の製造方法 |
| DE69024304T DE69024304T2 (de) | 1989-09-06 | 1990-09-04 | Herstellungsverfahren für eine biegsame photovoltaische Vorrichtung |
| EP90116967A EP0421133B1 (en) | 1989-09-06 | 1990-09-04 | Manufacturing method of a flexible photovoltaic device |
| US07/578,088 US5069727A (en) | 1989-09-06 | 1990-09-05 | Flexible photovoltaic device and manufacturing method thereof |
| US07/745,182 US5215598A (en) | 1989-09-06 | 1991-08-15 | Flexible photovoltaic device and manufacturing method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1252665A JP2698189B2 (ja) | 1989-09-27 | 1989-09-27 | 光起電力装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03114273A true JPH03114273A (ja) | 1991-05-15 |
| JP2698189B2 JP2698189B2 (ja) | 1998-01-19 |
Family
ID=17240527
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1252665A Expired - Fee Related JP2698189B2 (ja) | 1989-09-06 | 1989-09-27 | 光起電力装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2698189B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0590623A (ja) * | 1991-09-28 | 1993-04-09 | Nissha Printing Co Ltd | 太陽電池用転写材 |
-
1989
- 1989-09-27 JP JP1252665A patent/JP2698189B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0590623A (ja) * | 1991-09-28 | 1993-04-09 | Nissha Printing Co Ltd | 太陽電池用転写材 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2698189B2 (ja) | 1998-01-19 |
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