JPH0290632A - 半導体装置の樹脂封止装置 - Google Patents
半導体装置の樹脂封止装置Info
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- B29C45/00—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor
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- B29C45/14639—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components
- B29C45/14655—Injection moulding, i.e. forcing the required volume of moulding material through a nozzle into a closed mould; Apparatus therefor incorporating preformed parts or layers, e.g. injection moulding around inserts or for coating articles for obtaining an insulating effect, e.g. for electrical components connected to or mounted on a carrier, e.g. lead frame
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は半導体装置の樹脂封止装置に関するものである
。
。
従来の技術
近年、ICカード、メモリーカード由、あるいは補聴器
用などの、超薄型、超小型の半導体装置が要求され、ま
た外部引出リード数が200ピン程度の超多ビンは、ワ
イヤーボンディングが困難であるなどのため、TAB方
式による半導体装置の必要が強まって来九〇 TAB方式により半導体装置tl−製造する場合、ウェ
ハー上に形成された個40半導体素子の外部引出電極で
あるポンディングパッド上に、TiあるいはCrなどの
バリヤー金属層を介して、メツキ方法によりAuバンブ
七設け、個々の半導体素子に分割する一方、巾35寵、
厚み125μmで所定の穴を有するポリイミドフィルム
上に貼付けられた厚み35IXnのCu箔をエツチング
して回路を形成し、このCu回路にSnあるいはんなど
のメツキを施し゛てなる施基板のCu回路の所定の位置
と、前記半導体素子のAuバンプとを対向配置し、加圧
、加熱することによりポンディングをおこなった後、半
導体素子の表面部分をエポキシ樹脂を滴下して覆う封止
工程、電気的特性検査工程などを経て、完成されていt
oしかし、前記したエポキシ樹脂を滴下する封止方法で
は、滴下されたエポキシ樹脂は、粘度のわずかの差によ
って広がり具合が異なり、硬化しt際の形状が一定とは
ならず、ま九半導体素子の周辺部には充分な樹脂がコー
ティングされないため、半導体素子上に形成されたAu
バンプと、TAB基板のCu回路との接合部と、滴下さ
れ友エポキシ樹脂の外部に露出しfcu回路との距離が
いちぢるしく短いなどのために完成された半導体装置の
耐湿性を主としt信頼性に劣り、したがって安定した封
止形状と、高い信頼性を得るために、トランスファー成
型による封止方法が検討されており、第41N(alお
よび+bit”参照してトランスファー成型により樹脂
封止を行なう場合について説明する。
用などの、超薄型、超小型の半導体装置が要求され、ま
た外部引出リード数が200ピン程度の超多ビンは、ワ
イヤーボンディングが困難であるなどのため、TAB方
式による半導体装置の必要が強まって来九〇 TAB方式により半導体装置tl−製造する場合、ウェ
ハー上に形成された個40半導体素子の外部引出電極で
あるポンディングパッド上に、TiあるいはCrなどの
バリヤー金属層を介して、メツキ方法によりAuバンブ
七設け、個々の半導体素子に分割する一方、巾35寵、
厚み125μmで所定の穴を有するポリイミドフィルム
上に貼付けられた厚み35IXnのCu箔をエツチング
して回路を形成し、このCu回路にSnあるいはんなど
のメツキを施し゛てなる施基板のCu回路の所定の位置
と、前記半導体素子のAuバンプとを対向配置し、加圧
、加熱することによりポンディングをおこなった後、半
導体素子の表面部分をエポキシ樹脂を滴下して覆う封止
工程、電気的特性検査工程などを経て、完成されていt
oしかし、前記したエポキシ樹脂を滴下する封止方法で
は、滴下されたエポキシ樹脂は、粘度のわずかの差によ
って広がり具合が異なり、硬化しt際の形状が一定とは
ならず、ま九半導体素子の周辺部には充分な樹脂がコー
ティングされないため、半導体素子上に形成されたAu
バンプと、TAB基板のCu回路との接合部と、滴下さ
れ友エポキシ樹脂の外部に露出しfcu回路との距離が
いちぢるしく短いなどのために完成された半導体装置の
耐湿性を主としt信頼性に劣り、したがって安定した封
止形状と、高い信頼性を得るために、トランスファー成
型による封止方法が検討されており、第41N(alお
よび+bit”参照してトランスファー成型により樹脂
封止を行なう場合について説明する。
第4図(alは封止用金型内にエポキシ樹脂が充填され
てトランスファー成形が完了した状at−示す。
てトランスファー成形が完了した状at−示す。
すなわち、半導体素子21ヲポリイミドフイμムn上の
Cu回路23に、Mバンプ24t−介してボンディング
したTAB基板25t−1上金型26と、下金型27と
で挟んで加圧、加熱し、下金型27に形成されたゲー)
28taじてキャビティ29内に溶融した樹脂30を圧
送し、樹脂封止が行なわれてい九〇ところで、上金型2
6に形成されたエヤーベント31は、樹脂の圧送に際し
て、前記キャビティ畿内の空気などを排出させるための
ものであり、すきまは略0.03mであり1通常ごくわ
ずかの樹脂が漏れるようになっている。ま九、第4図(
blは、前記第4図(atでトランスファー成形が完了
し、下金型26と、下金型27とを開き、半導体装置を
取り出した状態を示す図である。すなわち、TAB基板
25の下面には、ゲート28に充填された樹脂30aが
そのまま付着しており、まtエヤーベント31に漏れt
ごくわずかの樹脂30bは、 TAB基板25の上面に
付着している。
Cu回路23に、Mバンプ24t−介してボンディング
したTAB基板25t−1上金型26と、下金型27と
で挟んで加圧、加熱し、下金型27に形成されたゲー)
28taじてキャビティ29内に溶融した樹脂30を圧
送し、樹脂封止が行なわれてい九〇ところで、上金型2
6に形成されたエヤーベント31は、樹脂の圧送に際し
て、前記キャビティ畿内の空気などを排出させるための
ものであり、すきまは略0.03mであり1通常ごくわ
ずかの樹脂が漏れるようになっている。ま九、第4図(
blは、前記第4図(atでトランスファー成形が完了
し、下金型26と、下金型27とを開き、半導体装置を
取り出した状態を示す図である。すなわち、TAB基板
25の下面には、ゲート28に充填された樹脂30aが
そのまま付着しており、まtエヤーベント31に漏れt
ごくわずかの樹脂30bは、 TAB基板25の上面に
付着している。
発明が解決しようとする課題
ところで、削記した従来の樹脂封止装置である上金型2
6および下金型27によると、ゲート28の樹脂30a
ト、エヤーベント31にごくわずか漏れた樹脂30b
とが、TAB基板25に付着するため、その除去が必要
となるが、 TAB基板25Fi前記し友ように薄いシ
ートであり、不要の樹脂の除去に際して、TAB基板2
5が変形、破損などを起し、半導体装置を不良にしてし
まうという課題があつt。
6および下金型27によると、ゲート28の樹脂30a
ト、エヤーベント31にごくわずか漏れた樹脂30b
とが、TAB基板25に付着するため、その除去が必要
となるが、 TAB基板25Fi前記し友ように薄いシ
ートであり、不要の樹脂の除去に際して、TAB基板2
5が変形、破損などを起し、半導体装置を不良にしてし
まうという課題があつt。
そこで、本発明は上記課題に解消し得る半導体装置の樹
脂封止装置を提供することを目的とする。
脂封止装置を提供することを目的とする。
課題全解決するための手段
1記課題を解決するため、本発明の半導体装置の樹脂封
止装置は、上金型と下金型のキャビティ内に半導体素子
を格納させた後、前記上金型または下金型のいずれかに
設けられたゲートから、前記キャビティ内に溶融樹脂を
圧入しつつ、前記下金型ま几は下金型のいずれかに設け
られたエヤーベントからキャビティ内のエヤーを抜いて
半導体装置における半導体素子の樹脂封止全行なう装置
であって、lil記ゲートおよびエヤーベントが設けら
れt金型紮、板状の金型本体と、中央にキャビティを有
する板体とから構成するとともに、半導体装置側とは反
対側の前記板体の表面に、ゲートおよびエヤーベント全
形成しtものである。
止装置は、上金型と下金型のキャビティ内に半導体素子
を格納させた後、前記上金型または下金型のいずれかに
設けられたゲートから、前記キャビティ内に溶融樹脂を
圧入しつつ、前記下金型ま几は下金型のいずれかに設け
られたエヤーベントからキャビティ内のエヤーを抜いて
半導体装置における半導体素子の樹脂封止全行なう装置
であって、lil記ゲートおよびエヤーベントが設けら
れt金型紮、板状の金型本体と、中央にキャビティを有
する板体とから構成するとともに、半導体装置側とは反
対側の前記板体の表面に、ゲートおよびエヤーベント全
形成しtものである。
作用
上記の半導体装置の樹脂封止装置によれば、エヤーベン
トおよびゲートに残る不要な樹脂は、板体側に付着する
tめ半導体装置側に伐ることはない。
トおよびゲートに残る不要な樹脂は、板体側に付着する
tめ半導体装置側に伐ることはない。
実施例
以下、本発明の一実施例を第1図〜第3図に基づき説明
する。
する。
マス、トランスファー成型における樹脂封止装置を第1
図に基づき説明する。この樹脂封止装置は、上金型1と
下金型2とから構成されるとともに、上金型1は板状の
上金型本体3と、 TAB基板7にMバンプ8t−介し
て取付けられた半導体素子9t−格納するキャビティ4
a を中央に有する金属製の上板体4とから構成され、
また下金型2も上金型1と同様に、板状の下金型本体5
と、半導体素子9を格納するキャビティ6a t−中央
に有する金属製の下板体6とから構成されている。そし
て、さらに上板体4の半導体装置側すなわちTAB基板
7側とは反対側の表面にエヤーベント10が形成され。
図に基づき説明する。この樹脂封止装置は、上金型1と
下金型2とから構成されるとともに、上金型1は板状の
上金型本体3と、 TAB基板7にMバンプ8t−介し
て取付けられた半導体素子9t−格納するキャビティ4
a を中央に有する金属製の上板体4とから構成され、
また下金型2も上金型1と同様に、板状の下金型本体5
と、半導体素子9を格納するキャビティ6a t−中央
に有する金属製の下板体6とから構成されている。そし
て、さらに上板体4の半導体装置側すなわちTAB基板
7側とは反対側の表面にエヤーベント10が形成され。
また下板体6のTAB基板7側とは反対側の表面にゲー
ト11が形成されている。
ト11が形成されている。
次に、前記樹脂封止装置を使用して樹脂封止全行なう手
順を図面に基づき説明する。
順を図面に基づき説明する。
まず、第2図に示すように、半導体素子9がキャビティ
4a、6aに格納されるように、上板体4および下板体
6kTAB基板7の上下面に重ねt後。
4a、6aに格納されるように、上板体4および下板体
6kTAB基板7の上下面に重ねt後。
さらにその上下から上金型本体3および下金型本体55
c重ねる。したがって%TABTAB基板7型1および
下金型2によって挟み込まれ友ことになる。なお、この
時、上金型1および下金型2は所定温度に加熱されてい
る。次に、下板体6のゲート11からキャビティ4a、
6a内に、エポキシ樹脂12に9 Kq t−304〜70ルの圧力でもって注入する。なお、樹
脂注入に際してエヤーベント10からキャビティ4a、
6a内の空気と一緒にごく少量の樹脂12も漏れ出る。
c重ねる。したがって%TABTAB基板7型1および
下金型2によって挟み込まれ友ことになる。なお、この
時、上金型1および下金型2は所定温度に加熱されてい
る。次に、下板体6のゲート11からキャビティ4a、
6a内に、エポキシ樹脂12に9 Kq t−304〜70ルの圧力でもって注入する。なお、樹
脂注入に際してエヤーベント10からキャビティ4a、
6a内の空気と一緒にごく少量の樹脂12も漏れ出る。
この後、第3図に示すように、上金型本体3および下金
型本体5を取除き、そしてさらに上板体4および下板体
6を除去すれば、ゲート11およびエヤーペン)10I
C残った樹脂12a 、 12bはそれぞれ下板体6お
よび上板体4に付着しているtめ、容易に除去すること
ができる。したがって、TAB基板7から不要な樹脂を
除去する必要がない定め、TAB基板7t−傷付ける4
れがない。
型本体5を取除き、そしてさらに上板体4および下板体
6を除去すれば、ゲート11およびエヤーペン)10I
C残った樹脂12a 、 12bはそれぞれ下板体6お
よび上板体4に付着しているtめ、容易に除去すること
ができる。したがって、TAB基板7から不要な樹脂を
除去する必要がない定め、TAB基板7t−傷付ける4
れがない。
ところで、上記実施例においては、TAB方式のものに
ついて説明し友が、たとえば金属製のリードフレームを
基板とする半導体装置に適用した場合でも、同様の効果
が得られる。
ついて説明し友が、たとえば金属製のリードフレームを
基板とする半導体装置に適用した場合でも、同様の効果
が得られる。
また、上記*施例においては、上板体にエヤーベントを
、下板体にゲートを設けたものについて説明したが、半
導体装置の形状などにより、上板体および下板体それぞ
れにエヤーベントおよびゲートを設ける場合本ある。
、下板体にゲートを設けたものについて説明したが、半
導体装置の形状などにより、上板体および下板体それぞ
れにエヤーベントおよびゲートを設ける場合本ある。
発明の効果
以上のように、本発明の半導体装置の樹脂封止装置によ
れば、エヤーベントおよびゲートに残る不要な樹脂は、
板体側に付着して半導体装置側に残らないので、従来の
ような不要な樹脂の除去による半導体装置側の度形およ
び破損全階無にし得、したがって半導体装置の歩留りを
向上させることができ、またTAB方式による場合、
TAB基板に形成されるパターンに影響されることなく
、ゲートやエヤーベントを配置でき、やはり半導体装置
の歩留りの向上につながる。
れば、エヤーベントおよびゲートに残る不要な樹脂は、
板体側に付着して半導体装置側に残らないので、従来の
ような不要な樹脂の除去による半導体装置側の度形およ
び破損全階無にし得、したがって半導体装置の歩留りを
向上させることができ、またTAB方式による場合、
TAB基板に形成されるパターンに影響されることなく
、ゲートやエヤーベントを配置でき、やはり半導体装置
の歩留りの向上につながる。
第1図は本発明の一実施例における樹脂封止装置の慨略
構成を示す断面図、第2図および第3図は同樹脂封止装
置を使用した半導体装置の製造工程を示す断面図、第4
図(alおよび(日は従来例における半導体装置の製造
工程を示す断面図である。 1・・・上金型、2・・・下金型、3・・・上金型本体
、4・・・上板体、 4a・・・キャビティ、5・・・
下金型本体、6・・・下板体、6a・・・キャビティ、
7・・・TAB基板・8゛°゛Au /<ンプ、9・・
・半導体素子、10・・・エヤーベント。 11・・・ゲート、12・・・樹脂。 2h 第1図 第3図
構成を示す断面図、第2図および第3図は同樹脂封止装
置を使用した半導体装置の製造工程を示す断面図、第4
図(alおよび(日は従来例における半導体装置の製造
工程を示す断面図である。 1・・・上金型、2・・・下金型、3・・・上金型本体
、4・・・上板体、 4a・・・キャビティ、5・・・
下金型本体、6・・・下板体、6a・・・キャビティ、
7・・・TAB基板・8゛°゛Au /<ンプ、9・・
・半導体素子、10・・・エヤーベント。 11・・・ゲート、12・・・樹脂。 2h 第1図 第3図
Claims (1)
- 1、上金型と下金型のキャビティ内に半導体素子を格納
させた後、前記上金型または下金型のいずれかに設けら
れたゲートから一前記キャビティ内に溶融樹脂を圧入し
つつ、前記上金型または下金型のいずれかに設けられた
エヤーベントからキャビティ内のエアーを抜いて半導体
装置における半導体素子の樹脂封止を行なう装置であつ
て、前記ゲートおよびエヤーベントが設けられた金型を
、板状の金型本体と、中央にキャビティを有する板体と
から構成するとともに、半導体装置側とは反対側の前記
板体の表面に、ゲートおよびエヤーベントを形成した半
導体装置の樹脂封止装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24351088A JPH0290632A (ja) | 1988-09-28 | 1988-09-28 | 半導体装置の樹脂封止装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP24351088A JPH0290632A (ja) | 1988-09-28 | 1988-09-28 | 半導体装置の樹脂封止装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0290632A true JPH0290632A (ja) | 1990-03-30 |
Family
ID=17104977
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP24351088A Pending JPH0290632A (ja) | 1988-09-28 | 1988-09-28 | 半導体装置の樹脂封止装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0290632A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5358069A (en) * | 1992-07-23 | 1994-10-25 | Krause-Werk Gmbh & Co. Kg | Stepboard for ladders |
US5391923A (en) * | 1992-10-15 | 1995-02-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Tape carrier including leads on both sides and resin-encapsulated semiconductor device incorporating the tape carrier |
EP0728567A1 (en) * | 1995-02-22 | 1996-08-28 | Apic Yamada Corporation | A method and machine for resin molding |
US5664736A (en) * | 1995-05-15 | 1997-09-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method and apparatus for forming laminated coil |
-
1988
- 1988-09-28 JP JP24351088A patent/JPH0290632A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5358069A (en) * | 1992-07-23 | 1994-10-25 | Krause-Werk Gmbh & Co. Kg | Stepboard for ladders |
US5391923A (en) * | 1992-10-15 | 1995-02-21 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Tape carrier including leads on both sides and resin-encapsulated semiconductor device incorporating the tape carrier |
EP0728567A1 (en) * | 1995-02-22 | 1996-08-28 | Apic Yamada Corporation | A method and machine for resin molding |
US5664736A (en) * | 1995-05-15 | 1997-09-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method and apparatus for forming laminated coil |
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