JPH0290632A - 半導体装置の樹脂封止装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は半導体装置の樹脂封止装置に関するものである
。

従来の技術 近年、ＩＣカード、メモリーカード由、あるいは補聴器
用などの、超薄型、超小型の半導体装置が要求され、ま
た外部引出リード数が２００ピン程度の超多ビンは、ワ
イヤーボンディングが困難であるなどのため、ＴＡＢ方
式による半導体装置の必要が強まって来九〇 ＴＡＢ方式により半導体装置ｔｌ−製造する場合、ウェ
ハー上に形成された個４０半導体素子の外部引出電極で
あるポンディングパッド上に、ＴｉあるいはＣｒなどの
バリヤー金属層を介して、メツキ方法によりＡｕバンブ
七設け、個々の半導体素子に分割する一方、巾３５寵、
厚み１２５μｍで所定の穴を有するポリイミドフィルム
上に貼付けられた厚み３５ＩＸｎのＣｕ箔をエツチング
して回路を形成し、このＣｕ回路にＳｎあるいはんなど
のメツキを施し゛てなる施基板のＣｕ回路の所定の位置
と、前記半導体素子のＡｕバンプとを対向配置し、加圧
、加熱することによりポンディングをおこなった後、半
導体素子の表面部分をエポキシ樹脂を滴下して覆う封止
工程、電気的特性検査工程などを経て、完成されていｔ
ｏしかし、前記したエポキシ樹脂を滴下する封止方法で
は、滴下されたエポキシ樹脂は、粘度のわずかの差によ
って広がり具合が異なり、硬化しｔ際の形状が一定とは
ならず、ま九半導体素子の周辺部には充分な樹脂がコー
ティングされないため、半導体素子上に形成されたＡｕ
バンプと、ＴＡＢ基板のＣｕ回路との接合部と、滴下さ
れ友エポキシ樹脂の外部に露出しｆｃｕ回路との距離が
いちぢるしく短いなどのために完成された半導体装置の
耐湿性を主としｔ信頼性に劣り、したがって安定した封
止形状と、高い信頼性を得るために、トランスファー成
型による封止方法が検討されており、第４１Ｎ（ａｌお
よび＋ｂｉｔ”参照してトランスファー成型により樹脂
封止を行なう場合について説明する。

第４図（ａｌは封止用金型内にエポキシ樹脂が充填され
てトランスファー成形が完了した状ａｔ−示す。

すなわち、半導体素子２１ヲポリイミドフイμムｎ上の
Ｃｕ回路２３に、Ｍバンプ２４ｔ−介してボンディング
したＴＡＢ基板２５ｔ−１上金型２６と、下金型２７と
で挟んで加圧、加熱し、下金型２７に形成されたゲー）
２８ｔａじてキャビティ２９内に溶融した樹脂３０を圧
送し、樹脂封止が行なわれてい九〇ところで、上金型２
６に形成されたエヤーベント３１は、樹脂の圧送に際し
て、前記キャビティ畿内の空気などを排出させるための
ものであり、すきまは略０．０３ｍであり１通常ごくわ
ずかの樹脂が漏れるようになっている。ま九、第４図（
ｂｌは、前記第４図（ａｔでトランスファー成形が完了
し、下金型２６と、下金型２７とを開き、半導体装置を
取り出した状態を示す図である。すなわち、ＴＡＢ基板
２５の下面には、ゲート２８に充填された樹脂３０ａが
そのまま付着しており、まｔエヤーベント３１に漏れｔ
ごくわずかの樹脂３０ｂは、　ＴＡＢ基板２５の上面に
付着している。

発明が解決しようとする課題 ところで、削記した従来の樹脂封止装置である上金型２
６および下金型２７によると、ゲート２８の樹脂３０ａ
　ト、エヤーベント３１にごくわずか漏れた樹脂３０ｂ
とが、ＴＡＢ基板２５に付着するため、その除去が必要
となるが、　ＴＡＢ基板２５Ｆｉ前記し友ように薄いシ
ートであり、不要の樹脂の除去に際して、ＴＡＢ基板２
５が変形、破損などを起し、半導体装置を不良にしてし
まうという課題があつｔ。

そこで、本発明は上記課題に解消し得る半導体装置の樹
脂封止装置を提供することを目的とする。

課題全解決するための手段 １記課題を解決するため、本発明の半導体装置の樹脂封
止装置は、上金型と下金型のキャビティ内に半導体素子
を格納させた後、前記上金型または下金型のいずれかに
設けられたゲートから、前記キャビティ内に溶融樹脂を
圧入しつつ、前記下金型ま几は下金型のいずれかに設け
られたエヤーベントからキャビティ内のエヤーを抜いて
半導体装置における半導体素子の樹脂封止全行なう装置
であって、ｌｉｌ記ゲートおよびエヤーベントが設けら
れｔ金型紮、板状の金型本体と、中央にキャビティを有
する板体とから構成するとともに、半導体装置側とは反
対側の前記板体の表面に、ゲートおよびエヤーベント全
形成しｔものである。

作用 上記の半導体装置の樹脂封止装置によれば、エヤーベン
トおよびゲートに残る不要な樹脂は、板体側に付着する
ｔめ半導体装置側に伐ることはない。

実施例 以下、本発明の一実施例を第１図〜第３図に基づき説明
する。

マス、トランスファー成型における樹脂封止装置を第１
図に基づき説明する。この樹脂封止装置は、上金型１と
下金型２とから構成されるとともに、上金型１は板状の
上金型本体３と、　ＴＡＢ基板７にＭバンプ８ｔ−介し
て取付けられた半導体素子９ｔ−格納するキャビティ４
ａ　を中央に有する金属製の上板体４とから構成され、
また下金型２も上金型１と同様に、板状の下金型本体５
と、半導体素子９を格納するキャビティ６ａ　ｔ−中央
に有する金属製の下板体６とから構成されている。そし
て、さらに上板体４の半導体装置側すなわちＴＡＢ基板
７側とは反対側の表面にエヤーベント１０が形成され。

また下板体６のＴＡＢ基板７側とは反対側の表面にゲー
ト１１が形成されている。

次に、前記樹脂封止装置を使用して樹脂封止全行なう手
順を図面に基づき説明する。

まず、第２図に示すように、半導体素子９がキャビティ
４ａ、６ａに格納されるように、上板体４および下板体
６ｋＴＡＢ基板７の上下面に重ねｔ後。

さらにその上下から上金型本体３および下金型本体５５
ｃ重ねる。したがって％ＴＡＢＴＡＢ基板７型１および
下金型２によって挟み込まれ友ことになる。なお、この
時、上金型１および下金型２は所定温度に加熱されてい
る。次に、下板体６のゲート１１からキャビティ４ａ、
６ａ内に、エポキシ樹脂１２に９　　　　Ｋｑ ｔ−３０４〜７０ルの圧力でもって注入する。なお、樹
脂注入に際してエヤーベント１０からキャビティ４ａ、
６ａ内の空気と一緒にごく少量の樹脂１２も漏れ出る。

この後、第３図に示すように、上金型本体３および下金
型本体５を取除き、そしてさらに上板体４および下板体
６を除去すれば、ゲート１１およびエヤーペン）１０Ｉ
Ｃ残った樹脂１２ａ　、　１２ｂはそれぞれ下板体６お
よび上板体４に付着しているｔめ、容易に除去すること
ができる。したがって、ＴＡＢ基板７から不要な樹脂を
除去する必要がない定め、ＴＡＢ基板７ｔ−傷付ける４
れがない。

ところで、上記実施例においては、ＴＡＢ方式のものに
ついて説明し友が、たとえば金属製のリードフレームを
基板とする半導体装置に適用した場合でも、同様の効果
が得られる。

また、上記＊施例においては、上板体にエヤーベントを
、下板体にゲートを設けたものについて説明したが、半
導体装置の形状などにより、上板体および下板体それぞ
れにエヤーベントおよびゲートを設ける場合本ある。

発明の効果 以上のように、本発明の半導体装置の樹脂封止装置によ
れば、エヤーベントおよびゲートに残る不要な樹脂は、
板体側に付着して半導体装置側に残らないので、従来の
ような不要な樹脂の除去による半導体装置側の度形およ
び破損全階無にし得、したがって半導体装置の歩留りを
向上させることができ、またＴＡＢ方式による場合、　
ＴＡＢ基板に形成されるパターンに影響されることなく
、ゲートやエヤーベントを配置でき、やはり半導体装置
の歩留りの向上につながる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の一実施例における樹脂封止装置の慨略
構成を示す断面図、第２図および第３図は同樹脂封止装
置を使用した半導体装置の製造工程を示す断面図、第４
図（ａｌおよび（日は従来例における半導体装置の製造
工程を示す断面図である。 １・・・上金型、２・・・下金型、３・・・上金型本体
、４・・・上板体、　４ａ・・・キャビティ、５・・・
下金型本体、６・・・下板体、６ａ・・・キャビティ、
７・・・ＴＡＢ基板・８゛°゛Ａｕ　／＜ンプ、９・・
・半導体素子、１０・・・エヤーベント。 １１・・・ゲート、１２・・・樹脂。 ２ｈ 第１図 第３図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、上金型と下金型のキャビティ内に半導体素子を格納
   させた後、前記上金型または下金型のいずれかに設けら
   れたゲートから一前記キャビティ内に溶融樹脂を圧入し
   つつ、前記上金型または下金型のいずれかに設けられた
   エヤーベントからキャビティ内のエアーを抜いて半導体
   装置における半導体素子の樹脂封止を行なう装置であつ
   て、前記ゲートおよびエヤーベントが設けられた金型を
   、板状の金型本体と、中央にキャビティを有する板体と
   から構成するとともに、半導体装置側とは反対側の前記
   板体の表面に、ゲートおよびエヤーベントを形成した半
   導体装置の樹脂封止装置。