JPH04177753A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置Info
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- JPH04177753A JPH04177753A JP2303932A JP30393290A JPH04177753A JP H04177753 A JPH04177753 A JP H04177753A JP 2303932 A JP2303932 A JP 2303932A JP 30393290 A JP30393290 A JP 30393290A JP H04177753 A JPH04177753 A JP H04177753A
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Landscapes
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は回路基板上に設けられたＩＣ等の電子部品を熱
硬化性樹脂で樹脂封止する方法に関するものである。
硬化性樹脂で樹脂封止する方法に関するものである。
近年、ＩＣカードや携帯用電子計算機等の小型で且つ薄
型の電子機器の開発が急速に進歩している。このような
電子機器では、小型・薄型の形状を保つために内部に収
納されているＩＣチップ等の電子部品を小型・薄型に実
装することが要求されている。以下の説明では、従来の
ＩＣカード及びＩＣカードに収納されるＩＣモジ−−ル
を例にして従来の技術を説明する。
型の電子機器の開発が急速に進歩している。このような
電子機器では、小型・薄型の形状を保つために内部に収
納されているＩＣチップ等の電子部品を小型・薄型に実
装することが要求されている。以下の説明では、従来の
ＩＣカード及びＩＣカードに収納されるＩＣモジ−−ル
を例にして従来の技術を説明する。
第６図は従来のＩＣカードの外観図、第７図は第６図の
Ａ−Ａ断面図、第８図はＩＣカードのカード基体を示す
外観図、第９図は従来のＩＣチップ樹脂封止構造を示す
断面図、第１０図は従来のＩＣモジュールを示す外観図
である。
Ａ−Ａ断面図、第８図はＩＣカードのカード基体を示す
外観図、第９図は従来のＩＣチップ樹脂封止構造を示す
断面図、第１０図は従来のＩＣモジュールを示す外観図
である。
第６図において、ＩＣカード６０は表面に複数のデータ
入出力端子ろ３ａが設けられており、全体の形状は第８
図に示したプラスチック製のカード基体６１で決められ
ている。
入出力端子ろ３ａが設けられており、全体の形状は第８
図に示したプラスチック製のカード基体６１で決められ
ている。
第７図に示すごとく、このカード基体ろ１には、凹部３
１ａが形成されており、この四部３１ａ内には、ＣＰＵ
、メモリチップ等のＩＣチップ４６を回路基板６６にボ
ンディングし、ＩＣチップ４６へ樹脂による封止部６４
を形成したＩＣモジュール６２が収納固定される。
１ａが形成されており、この四部３１ａ内には、ＣＰＵ
、メモリチップ等のＩＣチップ４６を回路基板６６にボ
ンディングし、ＩＣチップ４６へ樹脂による封止部６４
を形成したＩＣモジュール６２が収納固定される。
ＩＣカード６０は、カード基体ろ１の凹部３１ａ内にＩ
Ｃモジ−−ル６２を収納固定した後、カード基体３１の
両面をオーバーシート６５で覆って構成される。
Ｃモジ−−ル６２を収納固定した後、カード基体３１の
両面をオーバーシート６５で覆って構成される。
又第７図に示す各素子の関係は、ＩＣモジュール６２は
、封止部６４の上面が凹部３１ａの底面に当接して厚味
が規制され、又回路基板６６の外周が四部３１ａの内周
に係合して平面位置が規制されている。
、封止部６４の上面が凹部３１ａの底面に当接して厚味
が規制され、又回路基板６６の外周が四部３１ａの内周
に係合して平面位置が規制されている。
一般にＩＣカード６０は厚さが約０．８ ｍｍであり、
携帯時や使用時に受ける外力によって破壊されないよう
にするため、ある程度の曲げに耐える柔軟性が必要であ
る。そのため、カード基体６１の柔軟性はもちろん必要
であるとともに、ＩＣモジュール３２は、曲げによって
ＩＣチップ４６の割れやボンディングワイヤーの断線等
が生じない様に、剛性が高く、又耐湿性にすぐれた樹脂
で封止する必要がある。
携帯時や使用時に受ける外力によって破壊されないよう
にするため、ある程度の曲げに耐える柔軟性が必要であ
る。そのため、カード基体６１の柔軟性はもちろん必要
であるとともに、ＩＣモジュール３２は、曲げによって
ＩＣチップ４６の割れやボンディングワイヤーの断線等
が生じない様に、剛性が高く、又耐湿性にすぐれた樹脂
で封止する必要がある。
しかも上記の如く薄いカード基体６１の凹部３１ａの底
面に封止部６４の上面が当接して厚味が規制されるので
、封止部６４は、厚味のバラツキが生じないように外形
形状を管理しなければならない。従って、従来から多用
しているＩＣチップ上に溶融樹脂を滴下させるポンティ
ング封正方法では、封止部６４の厚味にバラツキが生じ
易いので、ＩＣモジュール６２の封止部６４は、形状精
度が良く、かつ剛性の高い熱硬化性樹脂を用いたトラン
スファーモールド方法で形成するのが最適であった。
面に封止部６４の上面が当接して厚味が規制されるので
、封止部６４は、厚味のバラツキが生じないように外形
形状を管理しなければならない。従って、従来から多用
しているＩＣチップ上に溶融樹脂を滴下させるポンティ
ング封正方法では、封止部６４の厚味にバラツキが生じ
易いので、ＩＣモジュール６２の封止部６４は、形状精
度が良く、かつ剛性の高い熱硬化性樹脂を用いたトラン
スファーモールド方法で形成するのが最適であった。
第９図に基づいて従来のトランスファーモールドによる
ＩＣチップの樹脂封止構造を説明する。
ＩＣチップの樹脂封止構造を説明する。
第９図ＫＩｊＩＳいて、６６は下金型であり、その上面
にはＩＣチップ４６をボンディングした回路基板６６が
載置される。３７はキャビティー３７ａが形成された上
金型であり、」−金型６７はキャビティー３７ａがＩＣ
チップ４６の上面を覆うように下金型３６に固定される
。
にはＩＣチップ４６をボンディングした回路基板６６が
載置される。３７はキャビティー３７ａが形成された上
金型であり、」−金型６７はキャビティー３７ａがＩＣ
チップ４６の上面を覆うように下金型３６に固定される
。
上金型６７にはゲート溝３９ａとランナー溝４０ａが形
成されており、この上金型６７と下金型６６の合わせ而
及び上金型６７と回路基板６６の合わせ面には、樹脂６
８をキャビティー３７ａに導くランナー４０及びゲート
６９が構成され、いわゆるサイドゲート方式のトランス
ファーモールド方法になる。
成されており、この上金型６７と下金型６６の合わせ而
及び上金型６７と回路基板６６の合わせ面には、樹脂６
８をキャビティー３７ａに導くランナー４０及びゲート
６９が構成され、いわゆるサイドゲート方式のトランス
ファーモールド方法になる。
封止部６４は、加熱、溶融した樹脂６８をプランジャー
４１でランナー４０へ注入し、ゲート６９を通った樹脂
６８をキャビティー３７ａ内に充填することによって形
成され、更に樹脂６８が硬化したら上金型６７を外して
封止部６４が形成されたＩＣモジュール６２が取出され
る。
４１でランナー４０へ注入し、ゲート６９を通った樹脂
６８をキャビティー３７ａ内に充填することによって形
成され、更に樹脂６８が硬化したら上金型６７を外して
封止部６４が形成されたＩＣモジュール６２が取出され
る。
しかし、前述した如く上金型３７と回路基板６６の合わ
せ面にゲート６９が構成されるため、ＩＣモジュール６
２の回路基板６６上には、第１１図に示す如く封止部６
４につながってゲート残り３４ａが形成されてしまうと
いう問題があった。
せ面にゲート６９が構成されるため、ＩＣモジュール６
２の回路基板６６上には、第１１図に示す如く封止部６
４につながってゲート残り３４ａが形成されてしまうと
いう問題があった。
一般にカード基体６１はポリ塩化ビニルシート（以下Ｐ
ｖＣシートと略記する）を多層に貼り合せて構成されて
おり、ＩＣモジュール６２の封止部６４が収納される凹
部ろ１ａは、ザグリ加工によって形成されている。従っ
て第１１図に示したようにＩＣモジュール６２にゲート
残り３４ａが形成されると、第８図に示す如くカード基
板６１には更にゲート残り６４ａを収納するための溝部
３１ｂを形成しなければならないので、ザグリ加工が大
変面倒なものとなっていた。
ｖＣシートと略記する）を多層に貼り合せて構成されて
おり、ＩＣモジュール６２の封止部６４が収納される凹
部ろ１ａは、ザグリ加工によって形成されている。従っ
て第１１図に示したようにＩＣモジュール６２にゲート
残り３４ａが形成されると、第８図に示す如くカード基
板６１には更にゲート残り６４ａを収納するための溝部
３１ｂを形成しなければならないので、ザグリ加工が大
変面倒なものとなっていた。
そこでカード基体６１に溝部３１ｂを形成しないように
するため、回路基板６６上のゲート残り３４ａを機械的
に除去すると、ゲート残り３４ａと回路基板６６の面３
３Ｃとの接着性が高いので、第１０図に示す如く１点鎖
線で示すゲート残り３４ａを折取る時に、その力がゲー
ト残り３４ａに及び、回路基板６６の面３３Ｃを剥離し
てしまい、場合によっては回路パターンまでも切断して
しまうという問題があった。
するため、回路基板６６上のゲート残り３４ａを機械的
に除去すると、ゲート残り３４ａと回路基板６６の面３
３Ｃとの接着性が高いので、第１０図に示す如く１点鎖
線で示すゲート残り３４ａを折取る時に、その力がゲー
ト残り３４ａに及び、回路基板６６の面３３Ｃを剥離し
てしまい、場合によっては回路パターンまでも切断して
しまうという問題があった。
そこでカード基体６１に溝部３１ｂを形成しなくても良
いようにするため、ＩＣモジュール６２の回路基板６６
上にゲート残り３４ａを形成しないでＩＣチップ４６を
封止できるトランスファーモールド方法が望まれていた
。
いようにするため、ＩＣモジュール６２の回路基板６６
上にゲート残り３４ａを形成しないでＩＣチップ４６を
封止できるトランスファーモールド方法が望まれていた
。
しかるに前記従来の樹脂封止方法の持つ欠点を解決する
樹脂封止方法が特開平２−２００３３号公報に提案され
ている。
樹脂封止方法が特開平２−２００３３号公報に提案され
ている。
この樹脂封止方法を第１］図、第１２図に基づいて説明
する。尚、前述の第９図と第１０図に示した構成と同一
のものについては、同一番号を付してその説明を省略す
る。
する。尚、前述の第９図と第１０図に示した構成と同一
のものについては、同一番号を付してその説明を省略す
る。
第１１図に示す如く上金型６７のゲート溝３９ａ、ラン
ナー溝４０ａに対向するＩＣモジ一シル６２回路基板６
ろ上には、予めシルク印刷等の方法によりソルダレジス
ト４２が形成されている。そして封止樹脂６８はこのフ
ルダレシスト４２上のランナー４０、ゲート３９を通っ
てキャビティー３７ａ内に充填されてＩＣチップ４６を
封止している。従ってソルダレジスト４２上で硬化した
封止樹脂６８は、ＩＣモジ−−ル６２を金型から取り出
した時に切り取られるので、第１３図に一点鎖線で示す
如く、回路基板６６上のゲート残り３４ａは存在せず、
第９図に示したようなカード基体６１の溝部３１ｂは不
要となる。
ナー溝４０ａに対向するＩＣモジ一シル６２回路基板６
ろ上には、予めシルク印刷等の方法によりソルダレジス
ト４２が形成されている。そして封止樹脂６８はこのフ
ルダレシスト４２上のランナー４０、ゲート３９を通っ
てキャビティー３７ａ内に充填されてＩＣチップ４６を
封止している。従ってソルダレジスト４２上で硬化した
封止樹脂６８は、ＩＣモジ−−ル６２を金型から取り出
した時に切り取られるので、第１３図に一点鎖線で示す
如く、回路基板６６上のゲート残り３４ａは存在せず、
第９図に示したようなカード基体６１の溝部３１ｂは不
要となる。
しかしながら上記の如く、ＩＣモジュールの回路基板」
二にソルダレジストを形成してゲート残りを取り除く樹
脂封止構造においても、下記の如き問題があった。
二にソルダレジストを形成してゲート残りを取り除く樹
脂封止構造においても、下記の如き問題があった。
即ち、ソルダレジストに対する封止樹脂の密着カシま、
回路基板に対するそれよりも幾分弱いものの比較的強く
密着するので、完全に取り除こうとすると、結局機械的
な除去処理が必要となり面倒であった。
回路基板に対するそれよりも幾分弱いものの比較的強く
密着するので、完全に取り除こうとすると、結局機械的
な除去処理が必要となり面倒であった。
又、回路基板上のゲート残りを除去する時に回路基板に
キズをつげたり、ゲート残りが多少残っタマまのＩＣモ
ジ−−ルをカード基体の凹部に接着すると、この部分で
不完全接着となってカード基体からＩＣモジ−−ルが脱
落するという問題があった。
キズをつげたり、ゲート残りが多少残っタマまのＩＣモ
ジ−−ルをカード基体の凹部に接着すると、この部分で
不完全接着となってカード基体からＩＣモジ−−ルが脱
落するという問題があった。
本発明の目的は上記問題点を解決し、サイドゲート方式
のトランスファーモールド方法において、回路基板上に
特別なレジストを形成せずに、しかも機械的な除去処理
をしなくても容易にゲート残りを取り除くことが可能な
樹脂封止構造を提供することである。
のトランスファーモールド方法において、回路基板上に
特別なレジストを形成せずに、しかも機械的な除去処理
をしなくても容易にゲート残りを取り除くことが可能な
樹脂封止構造を提供することである。
以下図面により本発明の実施例を詳述する。
第２図は本発明に於ける回路基板２の平面図であり、回
路基板２のダイパターン２ＣにはＩＣチップ４が接着さ
れており該ＩＣチップ４の接続電極である各パッドはリ
ードパターン２ｂとワイヤーボンデングされている。又
前記ＩＣチップ４のパッドの設けられていない一辺４ａ
に面する回路基板２上にはゲートパターン２ａが形成さ
れている。点線で示す円は後述する封止部乙の範囲を示
しており前記ゲートパターン２ａは回路基板２の外端部
から前記封止部乙の範囲にすこし喰込むように形成され
ている。尚、第２図に示すゲートパターン２ａは電気的
接続を有さない眸パターンになっているが、点線で示す
ごとく細いパターンにてダイパターン２Ｃに接続してお
いてもよい。尚前記ゲートパターン２ａはリードパター
ン２ｂと同一工程によって形成されており該リードパタ
ーン２ｂと同様銅箔上に薄い金メツキ層を形成したもの
である。
路基板２のダイパターン２ＣにはＩＣチップ４が接着さ
れており該ＩＣチップ４の接続電極である各パッドはリ
ードパターン２ｂとワイヤーボンデングされている。又
前記ＩＣチップ４のパッドの設けられていない一辺４ａ
に面する回路基板２上にはゲートパターン２ａが形成さ
れている。点線で示す円は後述する封止部乙の範囲を示
しており前記ゲートパターン２ａは回路基板２の外端部
から前記封止部乙の範囲にすこし喰込むように形成され
ている。尚、第２図に示すゲートパターン２ａは電気的
接続を有さない眸パターンになっているが、点線で示す
ごとく細いパターンにてダイパターン２Ｃに接続してお
いてもよい。尚前記ゲートパターン２ａはリードパター
ン２ｂと同一工程によって形成されており該リードパタ
ーン２ｂと同様銅箔上に薄い金メツキ層を形成したもの
である。
次に本発明に於げるＩＣモジ−−ルの樹脂封止構造を第
３図、第４図及び第１図に基づいて説明する。尚、第９
図及び第１１図と同一のものについては同一番号を付し
てその説明を省略する。 ゛第３図に示すごとく
上金型６７のゲート溝３９ａ、ランナー溝４０ａに対向
する丁Ｃモジュール１の回路基板２上には前述のごとく
ゲートパターン２ａが設けられており、封止樹脂６８は
このゲートパターン２ａ上のランナー４ｏ、ゲート６９
を通ってキャビティー３７ａ内に充填されることにより
ＩＣチップ４を封止している。
３図、第４図及び第１図に基づいて説明する。尚、第９
図及び第１１図と同一のものについては同一番号を付し
てその説明を省略する。 ゛第３図に示すごとく
上金型６７のゲート溝３９ａ、ランナー溝４０ａに対向
する丁Ｃモジュール１の回路基板２上には前述のごとく
ゲートパターン２ａが設けられており、封止樹脂６８は
このゲートパターン２ａ上のランナー４ｏ、ゲート６９
を通ってキャビティー３７ａ内に充填されることにより
ＩＣチップ４を封止している。
第４図は第３図のＢ−Ｂ断面図でありゲート溝３９ａと
ゲートパターン２ａの断面を示すものである。
ゲートパターン２ａの断面を示すものである。
すなわちゲートパターン２ａは銅箔層５の表面上に薄い
金層６をメツキ処理したものであり前記リードパターン
２ｂと同一工程によって形成されている。そして前記ゲ
ートパターン２ａ上の金層６は基板やソルダーンジスト
に比べて封止樹脂６８との密着力が著しく低いためゲー
トパターン２ａ上で硬化した封止樹脂６８はＩＣモジュ
ール１を金型から取り出すときに簡単に切り取られてし
まうため第１図に一点鎖線で示す如く回路基板２上には
ゲート残り６ａは存在しない。
金層６をメツキ処理したものであり前記リードパターン
２ｂと同一工程によって形成されている。そして前記ゲ
ートパターン２ａ上の金層６は基板やソルダーンジスト
に比べて封止樹脂６８との密着力が著しく低いためゲー
トパターン２ａ上で硬化した封止樹脂６８はＩＣモジュ
ール１を金型から取り出すときに簡単に切り取られてし
まうため第１図に一点鎖線で示す如く回路基板２上には
ゲート残り６ａは存在しない。
第５図を土木発明の他の実施例を示す回路基板２の平面
図であり、第２図と同一のものについては同一番号を付
し説明を省略する。
図であり、第２図と同一のものについては同一番号を付
し説明を省略する。
第５図に於いて第２図と異るところは、第２図のゲート
パターン２ａが電気的な接続を有さない汁パターンであ
るのに対し、第５図のゲートパターン２ａは電源端子等
の電気的機能な有するパターンであり前記丁Ｃチップ４
のパッドとワイヤーボンデングされていることである。
パターン２ａが電気的な接続を有さない汁パターンであ
るのに対し、第５図のゲートパターン２ａは電源端子等
の電気的機能な有するパターンであり前記丁Ｃチップ４
のパッドとワイヤーボンデングされていることである。
すなわち第２図に示すＩＣカード用のＩＣモジュールの
場合はＩＣチップ４にパッドを設けない辺が存在するの
で前記ゲートリード２ａを猪パターンとして設けること
が出来るが、第５図に示すメモリカード用のＩＣモジ−
−ルの場合にはパッドを設けない辺が存在しないので、
リードパターンの１つを中広にしてゲートパターンにす
る方式％式％ 尚、本実施例に於いてはゲートパターン２ａをリードパ
ターン２ｂと同一工程によって形成可能な金層６とした
が、これに限定されるものではなく、銀、クロム、ニッ
ケル等の面状態が安定した難酸化金属層であれば前記封
止樹脂６８との密着力を低くすることが可能であり、ゲ
ートパターンとして利用することが出来る。
場合はＩＣチップ４にパッドを設けない辺が存在するの
で前記ゲートリード２ａを猪パターンとして設けること
が出来るが、第５図に示すメモリカード用のＩＣモジ−
−ルの場合にはパッドを設けない辺が存在しないので、
リードパターンの１つを中広にしてゲートパターンにす
る方式％式％ 尚、本実施例に於いてはゲートパターン２ａをリードパ
ターン２ｂと同一工程によって形成可能な金層６とした
が、これに限定されるものではなく、銀、クロム、ニッ
ケル等の面状態が安定した難酸化金属層であれば前記封
止樹脂６８との密着力を低くすることが可能であり、ゲ
ートパターンとして利用することが出来る。
」二記のごとく本発明によれば、回路基板上に形成した
金属層をゲートパターンとして封止樹脂のゲート残りを
除去するようにしているため回路基板面をキズにしたり
、汚したりすることなく、又特別な機械的除去処理を必
要とすることなくゲート残りの存在しないＩＣモジ−−
ルを提供することが可能となる。
金属層をゲートパターンとして封止樹脂のゲート残りを
除去するようにしているため回路基板面をキズにしたり
、汚したりすることなく、又特別な機械的除去処理を必
要とすることなくゲート残りの存在しないＩＣモジ−−
ルを提供することが可能となる。
さらにゲートパターンの形成うまリードパターンと同一
丁稚で行うことが出来るため特別な費用を必要としない
等、回路基板を用いたＩＣモジュールの品質向上に犬な
る効果を有する。
丁稚で行うことが出来るため特別な費用を必要としない
等、回路基板を用いたＩＣモジュールの品質向上に犬な
る効果を有する。
第１図〜第５図は本発明の実施例を示し、第１図はＩＣ
モジュールの外観図、第２図及び第５図は回路基板の平
面図、第３図はＩＣチップ樹脂封止構造を示す断面図、
第４図（ま第３図のＢ−Ｂ断面図である。 第６図は従来のＩＣカードの外観図、第７図は第６図の
Ａ−Ａ断面図、第８図は丁Ｃカードのカード基体を示す
外観図、第９図及び第１１図は従来のＩＣチップ樹脂封
止構造を示す断面図、第１０図及び第１２図は従来の■
Ｃモジーールを示す外観図である。 Ｌ ３２・・・・・ＩＣモジュール、２．３６・・・
・・・回路基板、 ４．４６・・・・・・ＩＣチップ、 ２ａ・・・・・ゲートパターン、 ６ａ、３４ａ・・・・・・ゲート残り。
モジュールの外観図、第２図及び第５図は回路基板の平
面図、第３図はＩＣチップ樹脂封止構造を示す断面図、
第４図（ま第３図のＢ−Ｂ断面図である。 第６図は従来のＩＣカードの外観図、第７図は第６図の
Ａ−Ａ断面図、第８図は丁Ｃカードのカード基体を示す
外観図、第９図及び第１１図は従来のＩＣチップ樹脂封
止構造を示す断面図、第１０図及び第１２図は従来の■
Ｃモジーールを示す外観図である。 Ｌ ３２・・・・・ＩＣモジュール、２．３６・・・
・・・回路基板、 ４．４６・・・・・・ＩＣチップ、 ２ａ・・・・・ゲートパターン、 ６ａ、３４ａ・・・・・・ゲート残り。
Claims (5)
- （１）電極パターンを有する樹脂基板上にＩＣチップを
搭載した回路基板の前記ＩＣチップを、成型金型を用い
て前記樹脂基板の周縁から離れた内側で樹脂封止してな
る半導体装置において、前記樹脂基板上の前記成型金型
に設けられた封止樹脂注入用のゲート溝に対応する位置
に、金属薄膜層を形成したことを特徴とする樹脂封止型
半導体装置。 - （２）金属薄膜層が電極パターンと同一の金属層である
ことを特徴とする請求項１記載の樹脂封止型半導体装置
。 - （３）金属薄膜層は銅箔上に難酸化金属処理を施した薄
膜層であることを特徴とする請求項２記載の樹脂封止型
半導体装置。 - （４）ＩＣチップは接続電極を有さない一辺を有し、前
記金属薄膜層は前記接続電極を有さない一辺に対応した
樹脂基板上に設けられていることを特徴とする請求項１
記載の樹脂封止型半導体装置。 - （５）金属薄膜層はＩＣチップと電気的に接続された電
極パターンであり、かつ他の電極パターンに比べて巾広
に形成されていることを特徴とする請求項１記載の樹脂
封止型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2303932A JP2706000B2 (ja) | 1990-11-13 | 1990-11-13 | 樹脂封止型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2303932A JP2706000B2 (ja) | 1990-11-13 | 1990-11-13 | 樹脂封止型半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04177753A true JPH04177753A (ja) | 1992-06-24 |
| JP2706000B2 JP2706000B2 (ja) | 1998-01-28 |
Family
ID=17927020
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2303932A Expired - Lifetime JP2706000B2 (ja) | 1990-11-13 | 1990-11-13 | 樹脂封止型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2706000B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL9500511A (nl) * | 1994-03-16 | 1995-11-01 | Amkor Electronics | Vormrunnerverwijdering van een substraat-gebaseerde, van een behuizing voorziene, elektronische bouwsteen. |
| FR2734948A1 (fr) * | 1995-05-31 | 1996-12-06 | Sgs Thomson Microelectronics | Boitier d'encapsulation a reseau de boules de soudure et procede d'encapsulation. |
| FR2734947A1 (fr) * | 1995-05-31 | 1996-12-06 | Sgs Thomson Microelectronics | Boitier d'encapsulation a reseau de boules de soudure et procede d'encapsulation. |
| CN1081847C (zh) * | 1997-06-17 | 2002-03-27 | 三菱电机株式会社 | 脉宽调制逆变器装置的控制方法及控制装置 |
| US7095115B2 (en) | 2001-04-05 | 2006-08-22 | Micron Technology, Inc. | Circuit substrates, semiconductor packages, and ball grid arrays |
-
1990
- 1990-11-13 JP JP2303932A patent/JP2706000B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL9500511A (nl) * | 1994-03-16 | 1995-11-01 | Amkor Electronics | Vormrunnerverwijdering van een substraat-gebaseerde, van een behuizing voorziene, elektronische bouwsteen. |
| FR2734948A1 (fr) * | 1995-05-31 | 1996-12-06 | Sgs Thomson Microelectronics | Boitier d'encapsulation a reseau de boules de soudure et procede d'encapsulation. |
| FR2734947A1 (fr) * | 1995-05-31 | 1996-12-06 | Sgs Thomson Microelectronics | Boitier d'encapsulation a reseau de boules de soudure et procede d'encapsulation. |
| CN1081847C (zh) * | 1997-06-17 | 2002-03-27 | 三菱电机株式会社 | 脉宽调制逆变器装置的控制方法及控制装置 |
| US7095115B2 (en) | 2001-04-05 | 2006-08-22 | Micron Technology, Inc. | Circuit substrates, semiconductor packages, and ball grid arrays |
| US7148083B2 (en) | 2001-04-05 | 2006-12-12 | Micron Technology, Inc. | Transfer mold semiconductor packaging processes |
| US7384805B2 (en) * | 2001-04-05 | 2008-06-10 | Micron Technology, Inc. | Transfer mold semiconductor packaging processes |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2706000B2 (ja) | 1998-01-28 |
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