JPH02125633A - 集積回路 - Google Patents

集積回路

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JPH02125633A
JPH02125633A JP63279711A JP27971188A JPH02125633A JP H02125633 A JPH02125633 A JP H02125633A JP 63279711 A JP63279711 A JP 63279711A JP 27971188 A JP27971188 A JP 27971188A JP H02125633 A JPH02125633 A JP H02125633A
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JP
Japan
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semiconductor chip
electrodes
resin
chip
protection plate
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Pending
Application number
JP63279711A
Other languages
English (en)
Inventor
Kenji Ogawa
小川 憲治
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/93Batch processes
    • H01L24/95Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
    • H01L24/97Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Dicing (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、集積回路に関する。
〔従来の技術〕
従来、集積回路は、デュアルインラン形のパッケージ(
以下、DIP)に半導体チップを収納するのが一般的で
あった。しかし、近年集積回路の集積化が進むにつれて
、端子数が増加するようになり、このためより少ない面
積でより多くの端子数が取れるビングリッドアレー(以
下PGA)あるいはチップキャリアのようなパッケージ
方式が開発されてきている。
また、より高い実装密度を得るために、フリップチップ
と呼ばれる実装法も開発されている。これは第5図に示
すように半導体チップ1つの表面にバンプ20と呼ばれ
る盛り上がった電極を形成し、これを表面を下向きにし
て印刷配線板21などの基板に実装するもので半導体チ
ップ表面の電極がそのまま接続端子となるためきわめて
高い実装密度が得られる利点がある。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述したフリップチップ型の集積回路は、きわめて高い
実装密度が得られる利点があるが一方て、半導体チップ
と課で直接基板上に実装するため通常実装的に行なわれ
るスクリーングや)π別検査を行なうこヒができす、信
頼性や組み立て時のル’r/りが低下する問題点かある
以外に、チップ単体て取り汲うたぬに、チップの割れや
カケ等の破損か発生しやすい問題点かあった。これらの
問題、+、’、iを避けるためにはチップを何らかの形
でケースに収納する必要があるがケースに収納すれば、
必然的に実装:弊度が太陽に低下する問題点かあつt二
本(fi明の1・1的は信頼性及び実装密度の高い集積
i+lf+’各を提(兵することにある。
課題を解決するだめの手段〕 本発明の集植回路は、表面に電極パッドを複数(1”=
l 4Tする半導体チップと、前記電極パッドのそれ・
−れに対応するはんだハンプからなる裏面電極及1、″
−的記裏面電極と電気的に接続されたはんだハンプかへ
なる表向電極を備えた表面保護板と、前記′1uり貸く
ラドと前記裏面電極とを各々連結させて前記半導体チッ
プと前記表面保護板とを貼合せる結合部材と、前記半導
体チップと前記表面保護板の側面を被覆する樹脂を含ん
でなる容器とを有している。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の第1の実施例の断面図である。
この実施例は、表面に電極パッド2を複数個廟する半導
体チップ1aと、電極パッド2のそれぞれに対応するは
んなバンプからなる裏面電極7゜及び裏面電極7.とス
ルーホール電極6及び孔を充填するはんだで電気的に接
続されたはんだバンプからなる表面電極7sを備えた表
面保護板5aと5電極パツド2と裏面電極7bとを各々
連結させて半導体チップ11と表面保護板5aとを貼合
せる結合部材8と、半導体チップ11と表面像Alj板
5aの側面を被覆する樹脂12′を含んでなる容器とを
1している。裏面保護板3.は接続層4を介して半導体
チップ1.の裏面に接続され、樹脂12′とともに容器
を構成している。
次に、この実施例の製造方法について説明する。
第2図(a)〜(e)は第1の実施例の製造方法を説明
するため工程順に配置した断面図である。
まず、第1図(a)に示すように、表面に外部との電気
的接続をとる電極パッド2を設けたウェーハ1をR”=
faする。このウェーハには通常のように集積回路がつ
くりこまれている。
次に、第1図(b)に示すように、ウェーハ1の表面及
び裏面にそれぞれ表面保護板5及び裏面保護板3を取り
付ける。裏面保護板3は、裏面の導通か必要な場合は、
金属板等を用いる。この場合接着層4は、AM−8i合
金あるいは、銀ペースト等を用いることになる。また、
導通が必要ない場合は、セラミック板や樹脂板等が使用
可能でこの場合接着層4は熱硬化樹脂等の通常の接着剤
が使用可能である。
表面保護板5には、電極パッド2に対応した位置に表面
保護板5の表面及び裏面を貫通するスルーホール電極り
を設けさらに半田バンプ7によ−・てスルーホール電極
訓1)を埋めることによって電極バ/1・2と外部との
電気的接続を確実にする。表面保護板5の財°dとして
は透明ガラス、通常のセラミック板又は樹脂等かり能で
ある。位置合せの容易さなどからは透明ガラスが適して
いるが外部からの光の影響に対する配慮が必要となる。
透1】J1ガラスを用いる場合は結合部材8は光硬化樹
脂か使用できる。通常のセラミック及び樹脂等を用しる
場合は位置合せのため、数カ所に窓を設けて下のウェー
ハとグ)相χ・1位置の調整ができるようにずれはよい
。セラミック樹脂等を表面保護板らの材料として用いた
場合は、結合部材8としては熱6す2化樹脂等が使用可
能である。このようなウェーハとの接続方法については
すでに、ソルダーホンターコンタクト法等としてよく知
られており、技術的には十分確立されたものであり、例
えば日経マイクロデバイス誌、第22号、1987年の
第50頁〜第51頁に記されている。
また、表面保護板に、混成集積回路や印刷配線板などで
用いられる多層基板を用いれば、第1図の様に表面保護
板5.の表面電極7aと電極パッド2が一対一に対応す
るのではなく、位置をずらしたり、保護板内部で配線を
ほどこしたり、コンデンサ、抵抗等の回路素子を埋め込
んでおくことも可能であり、たとえば静電破壊に対する
強力な(呆S回路を設けることも可能である。
さらに、第1図(c)に示すように、通常のスクライブ
工程とまったく同様に円形のフレーム10の上に張られ
たテープ9に裏面保護板3を貼りj=fける。さらに、
ダイシングによりスクライブ1M11を縦横に形成し、
各チップに分離する。この際ダイシンクマシーンによる
目動認識が可能なように表面fK a%板の表面にパタ
ーンを形成して正filに各チップに分離できろように
する。
さらに第1[2](d)に示すように、スクライブ講1
1に沿ってさらにフレーキングをほとこし各チ・ツブを
テープ9上で完全に分離したのち、テープ9に張力をか
けてチップの間隔を広げる。チップ間隔は通常の場合に
比べ大きくし少なくとも2mm以上にし、さらにチップ
の並びが直線がらずれないように注意する。フレーム1
oを通常のものよりも大きくし、張力をフレーム1oの
円周に均一に加える。このあと、周囲に漏れ止めの枠1
3を設け、チップ間にボッティング樹脂12を充Jルし
硬化させる。ボッティング樹脂としては;l、′ノイミ
ドやエポキシ等がよい。樹脂の表面が表面保護板5の表
面とほぼ一致するようにし、半田ハンプ7の電極にかが
らないようにする。
さらに第1図(e)に示すように再びダイシンク加工に
より各チップの間のボッティング樹脂1にスフライフl
:l 14を設は各チップを分離し、周囲の枠を取りの
ぞけば、周囲を完全に覆われた状態のチップを取り出す
ことができる。
以上の説明より、通常のパッケージングと′I′i%す
り、それぞれのチップサイズより2〜3 mm程度大き
いたけてか−)、信頼性ら高く、また通常のフリソアチ
ノプとほぼ何等の高度密度実装が可能な集積回路が得ら
れることがわかる。またこの組み立て方法の場合、通常
必要となるモールゼ型等が必要なく、ダイシングを利用
することによりウェーハ全体について一度に組み立て加
工を行なうため非常に効率の良い組み立て方法であり、
低コスト化ち企れることかわかる。
第3図は本発明の第2の実施例の断面図である5、 側面と底面が全て樹脂製の容器12″に収納されたちの
であり、樹脂モールド型集積回路に準じた耐湿性をもな
ぜることができる利点がある。
第4図(a)〜(c)は、本発明の第2の実施例の製造
方法を説明するための工程j・1aに配置した断面図で
ある。
第4[1] <a>に示すように、ウェーハ1の表面に
表面保護板5を取り付け、表面保護板5を下側にして逆
向きにしてテープ9に貼り付ける。テープ9は第1の実
施例の場合に比べ厚手のものが好ましい。
さらに第4図(b)に示すように各チップをダイシング
によって切りはなし、張力をかりて各チップの間1癌を
広げたのち全体をモールド型に収納して、モールド加工
を行なう。この際ウェーハ部+i−は、上型16の内部
にはいり、テープを介して下型15にささえられる。テ
ープは、厚手のためり・ノションになり、ウェーハの損
傷を防ぐ。
さらに第4図(c)に示すように、モールドされたウェ
ーハを再ひダイシングにより各チップに切りはなしテー
プからはがせは、組み立てが完−」′づ−ろ。最後のダ
イシングク)際には、上側からは各チップ゛の間が見え
ないため、テープを通して下側からWA> A6を行な
って、ダイシングを実施する。また、モールドの際に下
側15に直接クツションを1・tければ、テープ9は薄
いものでもかまわない。
また、本例では裏面の保護板を用いなかったが裏面の保
護板を用いても同様なモールド化が可能である。
し発明の効果〕 以上説明したように本発明は、半導体チップの表面に、
表面電極を設けた表面保護板を貼りつけ、側面を樹脂で
被覆した構成を有しているのてフリップチップに準じた
実装密度を有しながら、通常のパッケージと同等の信頼
性を有すとともに収り汲いが容易でかつ、低コストの集
積回路が得られる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の第1の実施例の断面図、第2図<a
)〜(e)は第1の実施例の製造方法を説明するための
工程順に配置した断面図、第3図は第2の実施例の断面
図、第4図<a)〜(c)は第2の実施例の製造方法を
説明するための工程順に配置した断面図、第5図はフリ
ップチップの接続法を示す断面図である。 1・・ウェーハ、1a〜1o・・・半導体チップ、2・
・電極パッド、3・・・裏面保護板、4・・・接着層、
5.5a〜5c・・・表面保護板、6・・・スルーホー
ル電()イ、7・・はんだバンプ、7.・・・表面電極
、7b・裏面電極、8・・・結合部材、9・・・テープ
、10・・・フレーム、11・・・スクライブ溝、12
・・・ボッチインク樹脂、12′・・・樹脂、12″・
・・容器、13・・・枠、14・・・スクライブ溝、1
5・・・下型、16・・・上型、17・・・モールド樹
脂、18・・・スクライブ溝、1つ・・・半導体チップ
、20・・・バンプ、21・・・印刷配線板。 第1図 第 叉 第 図 第夕図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 表面に電極パッドを複数個有する半導体チップと、前記
    電極パッドのそれぞれに対応するはんだバンプからなる
    裏面電極及び前記裏面電極と電気的に接続されたはんだ
    バンプからなる表面電極を備えた表面保護板と、前記電
    極パッドと前記裏面電極とを各々連結させて前記半導体
    チップと前記表面保護板とを貼合せる結合部材と、前記
    半導体チップと前記表面保護板の側面を被覆する樹脂を
    含んでなる容器とを有することを特徴とする集積回路。
JP63279711A 1988-11-04 1988-11-04 集積回路 Pending JPH02125633A (ja)

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