JPH0240961B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、基板上の被覆における不規則を検出
するための方法及び装置に関する。更に詳しくは
本発明は、金属製ねじキヤツプ及びラグキヤツプ
等を含む容器蓋の表面の如き塗装された或いはラ
ツカ塗布された表面の検査に関する。かような検
査は、物理的損傷及び汚染の検出のために遂行さ
れる。

近時、器蓋製造プロセスにおいては、各容器蓋
に表面被覆欠陥及び汚染が存在しないか否かの検
査に相当な努力がなされている。被覆は、一般
に、透明キヤリアと入射光を散乱せしめる顔料粒
子とを含んでいる。被覆の典型例としては、エナ
メル、ラテツクス塗料、エポキシ被覆及びラツカ
等を挙げることができる。これらの被覆は、一般
に、固溶体及び混合物と称することができる。

被覆欠陥は、しみ及び残留シール材等の異物の
存在、ひつかき或いは擦過による物理的損傷、並
びにピンホールを含み得る。容器蓋の美的及び機
能的特性は、保護被覆における異物或いは傷によ
つて悪影響をを受け得る。被覆の損傷は容器蓋の
基板を露呈せしめ、これによつて基板の腐食を招
くことがある。

高製品品質を維持するためには、良好な容器蓋
から欠陥容器蓋を分離する必要がある。上記欠陥
のうちの、ピンホールの如き幾つかのものは著し
く小さい故に、肉眼検査では不充分であり能率が
悪い。また、容器蓋は、一般に、検査者が無視し
なければならないエンボス構造（浮彫構造）を含
んでいる。容器蓋の欠陥領域と良好な領域との間
のコントラスト差に基く光学的技法は、上記エン
ボス構造もコントラスト差を生成する故に、上記
エンボス構造を誤認してしまう。

従つて、基板上の被覆を検査して不規則を検出
するための簡潔で、低価で且つ信頼性のある方法
及び装置が望まれている。

表面の検査に偏光を使用すること自体は、新し
いことではない。例えば、アール・シー・ウツズ
の米国特許第2947212号には、筋付（striated）
金属シートを筋と平行に移動せしめてその表面を
偏光に露呈せしめる検査方法が開示されている。
金属表面における極めて微細な山と谷とから成る
筋は、検出器に非鏡面反射光を反射せしめる。反
射光はフイルタされて偏光のみが透過される。反
射ビームの強度変化は筋の変化を示す。

ギーの米国特許第3904293号においては、偏光
が道路表面に投射される。反射光は、道路の表面
形態を示す特定度合の偏光解消
（depolarization）を有する。

シヤーキンズの米国特許第4015127号において
は、金属基板上の被覆に非偏光赤外放射ビームを
ブルースタ角で投射し、被覆の上面で反射された
場合にはビームが平面偏光（plane−polarize）
されるようにせしめている。被覆の上面で反射さ
れなかつた放射ビームは被覆を透過し、一部は被
覆に吸収され一部は被覆と基板との境界面で反射
される。反射ビームはフイルタされて偏光が除去
され、入射ビームのうちの、被覆の上面で反射さ
れた部分を含まない、被覆を透過した部分の強度
が監視される。被覆に吸収されることに起因する
光線強度の減衰を被覆厚さに相関せしめることに
よつて被覆厚さが測定される。また、上記米国特
許第4015127号には、偏光フイルタとブルースタ
角の適用との他の組合せによつて望ましくない偏
光反射ビームを除去することも開示されている。

而して、上述した先行特許のいずれも、被覆に
おける不規則の存在を確認するための本発明の簡
潔な方法及び装置を教示するものではない。特
に、上述した先行特許のいずれも、所要のエンボ
スを無視して表面汚染を検出することを教示する
ものではない。

本発明によれば、表面上、光学的散乱中心を含
む被覆における不規則を検出する方法にして、該
基板表面に対して平行でない偏光電磁放射線を該
被覆に照射し、該基板に入射した放射線は当初の
偏光で反射され、該散乱中心に入射した放射線は
散乱されて偏光解消されるようにせしめる照射工
程と、反射放射線及び散乱放射線を、反射放射線
を除去する要素を通して伝送する伝送工程と、伝
送された散乱放射線を受ける受け工程と、受けた
散乱放射線を解析して、伝送された散乱放射線の
強度の極小を検出することによつて該被覆におけ
る不規則の存在を検出する解析工程と、を含むこ
とを特徴とする方法が提供される。

反射放射線を除去する上記要素は、散乱放射線
の電界ベクトルの軸線に実質上垂直な通過軸線を
有するポラロイドフイルタであるのが好ましい。

一具体例においては、上記解析工程は、伝送さ
れた散乱放射線の強度を測定することと、測定さ
れた強度を被覆の種々の領域に相関せしめること
を含む。

他の具体例においては、上記照射工程は、偏光
電磁放射線によつて被覆を所定パターンで走査す
ることを含む、この具体例においては、上記解析
工程は、伝送された散乱放射線の強度を測定する
ことと、被覆を走査する際の測定された強度にお
ける不連続変動を検出することによつて不規則の
存在を確認することを含むことができる。上記照
射工程は、レーザ光によつて被覆を照射すること
を含むことができ、上記伝送工程は、伝送される
放射線をフイルタしてレーザ光の周波数帯域の放
射線のみを通過せしめることを含むことができ
る。更に、上記伝送工程は、伝送される放射線を
拡散することを含むことができる。

螺旋パターン、ラスター走査パターン、被覆の
中心の周りの極座標走査パターンを含む多数のパ
ターンのうちの任意のパターンで被覆を走査する
ことができる。いずれもパターンが使用されるに
しても、上記解析工程は、測定される強度を所定
走査パターンに相関せしめることを含むことがで
きる。基板が非平面であつても上記解析工程にお
いて非平面が不規則と認識されることはない。

他の具体例においては、被覆は偏光電磁放射線
によつて実質上連続して且つ実質上均一に照射さ
れる。この具体例においては、上記解析工程は、
伝送された散乱放射線をビデオカメラに導入する
ことを含む。そしてまた、上記解析工程は、ビデ
オカメラの出力信号を検出して、不規則を示すビ
デオ信号レベルの急激な変化を検出することを含
む。

本発明によれば、更に、上述した方法を遂行す
るのに適した装置も提供される。

以下、添付図面を参照して更に詳細に説明す
る。

本発明は、入射偏光ビームの散乱及び偏光解消
を利用して、塗装された或いはラツカ塗布された
表面が許容し得るものであるか否かを評価する。
入射光の偏光解消は、第１図に図示する如く、塗
装或いはラツカ被覆１０中の顔料粒子と入射偏光
ビーム１１との相互作用によつて生ずる。偏光ビ
ーム１１が被覆１０上に入射されると、その一部
１４は最上面１２で反射されるが、残りの光１６
は被覆１０内に透過して被覆１０内で顔料媒質と
相互作用する。被覆１０のラツカ或いは塗装キヤ
リア基材は一般に明澄（clear）であるので、光
ビームを若干吸収するのみであり、光ビームに対
する作用はほぼ無視することができる。

しかしながら、顔料粒子２０は、塗装の色に帰
着するところの特定の波長帯域の選択的吸収によ
つて、光ビームに大きな影響を及ぼす。しかしな
がら、本発明によつて更に重要な点は、顔料粒子
が入射光を散乱せしめることである。散乱プロセ
スにおいては、光エネルギが吸収され、次いで各
散乱中心から球面波として放射される。入射光の
波長に対する顔料粒子２０の寸法に起因して、各
顔料粒子２０は多数の潜在（potential）散乱中
心を含んでいる。第１図に図示する如く、正味の
結果として、入射ビームの方向及び偏光状態に対
して、散乱中心から放射されるビームの方向及び
偏光状態が異なる。

第１図に図示する如く、塗装の最上面で反射さ
れる光ビーム部分１４は当初の偏光を維持し、同
様に、第２図に図示する如く、露呈した金属基板
２６で反射される光ビーム部分２６も当初の偏光
を維持する。これらの鏡面反射（正反射）部分
は、入射角θ_iと反射角θ_rとが等しい光学反射法則
に従う。入射光に対して被覆１０を遮蔽する異物
２８が存在する場合、異物２８は光を吸収し或い
は入射光ビームと同一の偏光を有する反射光ビー
ム３４として光を反射する。光ビームは不透明異
物を透過しない故に、散乱されることなく吸収或
いは反射される。

上記の通りであるので、表面１０からの光は、
反射光ビーム１４，２４及び３４並びに散乱光ビ
ーム２２を含んでいる。反射光ビーム１４，２４
及び３４は特定の角度θ_rに集中するが、散乱光ビ
ーム２２は広角度範囲に渡つて散乱される故に、
一般に、容器蓋表面の全ての部分からの光が肉眼
で見られる。

散乱光ビーム２２は入射光ビームと同一の偏光
を有さないが、反射光ビーム１４，２４及び３４
は入射光ビームと同一の偏光を有する。第３図に
図示する如く、ポラロイド要素３６を通して表面
を見る場合、ポラロイド要素３６を特定角度位置
まで回転せしめると、偏光反射光ビーム１４，２
４及び３４は遮蔽される。この位置におけるポラ
ロイド要素３６の通過軸線は、入射偏光の電界ベ
クトルの軸線に対して垂直である。ポラロイド要
素３６を通して見た場合、散乱顔料粒子によつて
適切に覆われた表面領域のみが明るい。汚染物に
よつて覆われ、或いは被覆にピンホール又はひつ
かき傷が存在する等によつて、被覆された表面に
不規則が存在すると暗くなる。被覆に不規則が存
在しない領域は、散乱光が広角度範囲に渡つて放
射される故に明るい。これは、第３図に図示する
如く、基板の非平面部上の被覆の湾曲領域におい
ても当てはまる。かかる事実は、ほとんどの容器
蓋が強度を増大せしめるため及び密封用ライナを
保持するため等のエンボス構造を含んでいる故
に、重要な特性である。

上記の通りであるので、保護ラツカ又は塗装が
異物に覆われ或いはピンホール、ひつかき又は擦
過によつて損傷されている等の欠陥が存在しない
限り、エンボス構造を含む容器蓋の全表面は、観
察者に明るく見える。

容器蓋の検査に関連して、本発明は、被覆上の
汚染或いは被覆におけるピンホール又はひつかき
傷の存在の検出に有用である。通常の適切に被覆
された容器蓋表面は入射偏光ビームを散乱し大幅
に偏光解消するが、欠陥領域は偏光を少ししか変
化させずに入射偏光ビームを反射又は吸収する。

上述した光学原理を使用した本発明の一具体例
を第４図に図示する。以下、この好適具体例につ
いて詳述するが、本発明はかかる具体例に限定さ
れるもではなく、上述した光学原理を使用する他
の具体例も本発明に含まれることは多言を要しな
い。

第４図における照射源は、偏光ヘリウム−ネオ
ンレーザ４０である。これに代えて、非偏光レー
ザ、タングステンランプ及びアークランプの如き
照射源と、特定の光軸を有する偏光ビームを生成
する偏光要素とを用いることもできる。第４図に
図示する如く、光軸は矢印４２で示す通り紙面に
おいて上下方向である。照射源４０の波長帯域
は、種々の波長帯域でよいが、可視光が特に好都
合である。

レーザ４０の出力ビームは、螺旋走査器に導か
れる。走査器４４は容器蓋の全領域に渡つて偏光
ビームを走査する。走査ビームはレンズ４５及び
ビームスプリツタ４６を通つて容器蓋５０に至
る。容器蓋５０からの反射放射は、ビームスプリ
ツタ４６に反射された集光レンズ４９、ポラロイ
ドフイルタ５２、レーザフイルタ５４及び拡散板
５６を通つて光学検出器５８に至る。ビームスプ
リツタ４６は、偏光感度を有さない通常の部分的
に銀（クロム又はアルミニウム）が塗られたガラ
ス板、或いは偏光方向に従つて光を選択的に反射
又は透過する特殊な多層誘導体薄膜でよい。照射
源からの光軸は、ビームスプリツタ４６の平面に
対して平行又は垂直であつて透過光の偏光に干渉
しないのが好ましい。

容器蓋５０からの光のうちの鏡面反射（正反
射）部分の偏光は、照射源からの光の偏光と同一
である。フイルタ５２の光学的通過軸線は紙面に
垂直であり反射光の偏光成分の光軸４２に垂直で
ある。従つて、フイルタ５２はビームの反射部分
を遮蔽し、非偏光散乱部分を通過せしめる。

レーザフイルタ５４は、レーザ波長周囲の狭ス
ペクトル帯域を通過せしめるように同調されてい
て、周囲の光から光学検出器５８を遮蔽し、かく
して検出器５８の信号対雑音率を増大せしめる。
検出器５８は、直接的に又は高域フイルタ６０を
通してオシロスコープ６１に適用することができ
る電気的信号に光を変換する型のものでよい。艶
消ガラス又はマイラーフイルムの簡潔なシートで
よい光学的拡散板５６は、検出器５８の全面に渡
つて光を均一に分布せしめ、容器蓋の走査領域に
かかわらず一層均一な信号を生成せしめることを
可能にする。フイルタ５２による偏光成分の除去
により検出器５８は容器蓋５０の良好な表面領域
からの光のみを受ける。容器蓋からの散乱は広立
体角に渡つて分布される故に、円滑乃至平担でな
い表面を有するエンボス領域を含む容器蓋の良好
な全領域に対して検出器５８は実質上均一に応答
する。偏光フイルタ５２がないと、容器蓋の非平
担領域が欠陥領域から区別され得ない。

第５図は、螺旋走査パターン即ち容器蓋５０の
表面上でのビーム移動経路４８を簡略に図示して
いる。第４図及び第５図には螺旋走査を図示して
いるが、ｘ−ｙ座標ラスター走査或いは容器蓋の
中心の周りに線走査を回転せしめる極座標走査の
如き他の同様に有効な走査パターンもよい。走査
器は、表面欠陥又は汚染の検出のために容器蓋の
全表面領域を一度に或いは数度に渡つて照射す
る。

勿論、容器蓋を走査するのに要する時間は、走
査ビーム及び容器蓋の寸法並びにビームの移動速
度に関連する。ビームの寸法は、短走査時間が好
ましいか高解像度が好ましいかに従つて選定され
る。充分に強い出力信号を生成するために必要な
最小ビーム寸法が存在することは多言を要しな
い。典型例を挙げれば、直径が0.005乃至0.01inch
（0.0127乃至0.0254cm）のビーム寸法で、走査時
間は容器蓋１個当り0.1乃至0.25秒程度である。

容易に理解される如く、ビームが容器蓋の良好
な領域を走査している限り、強度が比較的均一な
非偏光ビームが散乱され検出される。走査入射ビ
ームが不規則に出合うと、極く僅かの光或いはほ
とんど偏光のみの光が反射される。そして、いず
れの場合も検出器５８の強度は極小になり、かか
る極小が不規則と認識され得る。

第６図及び第７図は、良好な容器蓋を走査する
ことによつて生成された信号を示している。

第８図及び第９図は、ひつかき傷に応答して生
成された信号を示している。第１０図及び第１１
図は、異物汚染に応答して生成された信号を示し
ている。第１２図及び第１３図は、ピンホールに
応答して生成された信号を示している。

第６図、第８図、第１０図及び第１２図は、光
学的検出器５８からの典型的な信号を示し、第７
図、第９図、第１１図及び第１３図は、検出器５
８の出力が供給される高周波通過フイルタ６０に
よつてフイルタされた夫々対応する信号を示して
いる。螺旋走査の場合、容器蓋表面からの散乱に
おける若干の変動によつて低周波交流信号が生成
され、直流信号レベルは容器蓋の走査領域が周縁
部になると減少する。低周波信号は高周波通過フ
イルタによつて除去され、欠陥信号のみが残され
る。第６図、第８図、第１０図及び第１２図に図
示する信号においては、直流信号レベルは上方へ
変位し、レーザビームが容器蓋の縁を脱れると信
号は零になる。第７図、第９図、第１１図及び第
１３図に図示する如く、高周波通過処理を施す
と、低周波交流及び直流成分が除去され、容器蓋
表面の欠陥を自動的に表示するための比較器に適
用することができる高周波欠陥信号のみが残され
る。

検査のために光学的偏光解消の基本原理を用い
る他の方法として、飛点走査方法の使用とカメラ
を用いるビデオシステムの使用とを含む方法を挙
げることができる。第１４図はビデオシステムの
一例を示している。容器蓋６２の全体は均一偏光
源６４によつて照射される。既に言及した通り、
容器蓋上の被覆の顔料に入射されると、入射光は
散乱され偏光解消される。被覆上の汚染物或いは
ひつかき傷又はピンホールに入射された光は、吸
収され或いは当初の偏光を維持して鏡面反射（正
反射）される。同様に、被覆の最上面からの鏡面
反射（正反射）も当初の偏光を維持する。角度θ_r
に沿つた偏光成分はポラロイド要素６６によつて
フイルタされ、被覆中の散乱中心からの偏光解消
された光のみが残されてポラロイド要素６６を通
してビデオカメラ６８に伝送される。

ビデオカメラ６８は通常のテレビジヨンモード
で作用し、レンズ７０を通つた光が感光面に入射
される。感光面は到達した光の量に対応して電荷
を生成し、カメラは所定のシーケンスに従つて感
光面の種々の部分に遂次信号を生成する。完全に
均一な像に対しては出力信号は定レベルである
が、像に不連続部がある時には信号レベルが急激
に変化する。上記不連続は、容器蓋におけるピン
ホール、ひつかき傷、汚染或いはその他の欠陥に
起因する。従つて、上記不連続に起因するところ
のビデオカメラからの出力信号のレベルの急激な
変化は、欠陥容器蓋を示す。

容器蓋の縁に起因する不連続は、検査すべき容
器蓋を常に同一の背景で同一の位置に存在せしめ
て常に同一の縁不連続が存在するようにせしめめ
ることによつて無視され得る。ビデオカメラ６８
の出力が適用される信号処理モジユール７２は、
上述した予期される縁不連続を当業者には周知の
方式によつて無視するようにプログラムすること
ができる。

【図面の簡単な説明】

第１図及び第２図は、偏光に露呈された基板を
示す簡略部分断面図。第３図は、偏光に露呈され
たエンボス構造を示す簡略部分図。第４図は、本
発明に従つて構成された装置の一具体例を示す簡
略図。第５図は、走査パターンの一つを示す容器
蓋の簡略平面図。第６図乃至第１３図は、種々の
状態下にて第４図の装置によつて生成される信号
を示す線図。第１４図は、本発明に従つて構成さ
れた装置の他の具体例を示す簡略図。 １０……被覆、１１……偏光ビーム、１４，２
４及び３４……反射光ビーム、２２……散乱光ビ
ーム、３６……ポラロイド要素。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 基板表面上の、光学的散乱中心を含む被覆に
   おける不規則を検出する方法にして、 該基板表面に対して平行でない偏光電磁放射線
   を該被覆に照射し、該基板に入射した放射線は当
   初の偏光で反射され、該散乱中心に入射した放射
   線は散乱されて偏光解消されるようにせしめる照
   射工程と、 反射放射線及び散乱放射線を、反射放射線を除
   去する要素を通して伝送する伝送工程と、 伝送された散乱放射線を受ける受け工程と、 受けた散乱放射線を解析して、伝送された散乱
   放射線の強度の極小を検出することによつて該被
   覆における不規則の存在を検出する解析工程と、 を含むことを特徴とする方法。 ２ 反射放射線の電界ベクトルの軸線に実質上垂
   直な通過軸線を有するポラロイドフイルタに、伝
   送される反射放射線を通すことによつて、反射放
   射線を除去する、特許請求の範囲第１項記載の方
   法。 ３ 該照射工程は、該偏光電磁放射線によつて該
   被覆を所定パターンで走査することを含む、特許
   請求の範囲第１項記載の方法。 ４ 該解析工程は、伝送された散乱放射線の強度
   を測定することと、該被覆を走査する際の測定さ
   れた強度における不連続変動を検出することによ
   つて不規則の存在を確認することを含む、特許請
   求の範囲第３項記載の方法。 ５ 該照射工程は、レーザ光によつて該被覆を照
   射することを含み、該伝送工程は、伝送される放
   射線をフイルタして該レーザ光の周波数帯域の放
   射線のみを通過せしめることを含む、特許請求の
   範囲第３項記載の方法。 ６ 該伝送工程は、伝送される放射線を拡散する
   ことを含む、特許請求の範囲第４項記載の方法。 ７ 該パターンは螺旋パターンである、特許請求
   の範囲第６項記載の方法。 ８ 該パターンはラスター走査パターンである、
   特許請求の範囲第６項記載の方法。 ９ 該パターンは極座標走査パターンである、特
   許請求の範囲第６項記載の方法。 １０ 該基板は、走査の結果として該解析工程に
   おいて測定される強度に連続的な変動のみを生成
   するところの非平面部を有する、特許請求の範囲
   第７項から第９項までのいずれかに記載の方法。 １１ 該照射工程は、該偏光電磁放射線によつて
   該被覆を実質上連続して且つ実質上均一に照射す
   ることを含む、特許請求の範囲第１項記載の方
   法。 １２ 該解析工程は、伝送された散乱放射線をビ
   デオカメラに導入することを含む、特許請求の範
   囲第１１項記載の方法。 １３ 該解析工程は、該ビデオカメラの出力信号
   を検出して、不規則を示すビデオ信号レベルの急
   激な変化を検出することを含む、特許請求の範囲
   第１２項記載の方法。 １４ 該照射工程は、該偏光電磁放射線を所定入
   射角で該被覆に照射して、該反射放射線が所定反
   射角で反射されるようにせしめることを含み、該
   伝送工程は、該反射放射線を該所定反射角で、該
   反射放射線を除去する該要素に伝送することを含
   む、特許請求の範囲第１項記載の方法。 １５ 該偏光電磁放射線は可視光である、特許請
   求の範囲第１項記載の方法。 １６ 該反射工程は、該被覆上の汚染物を照射
   し、該汚染物に入射した放射線は当初の偏光で反
   射されるようにせしめることをを含み、該伝送工
   程は、該汚染物からの反射放射線を、反射放射線
   を除去する該要素を通して伝送して、該汚染物か
   らの反射放射線を除去することを含む、特許請求
   の範囲第１項記載の方法。 １７ 基板表面上の、光学的散乱中心を含む被覆
   における不規則を検出する装置にして、 該基板表面に対して平行でない偏光電磁放射線
   を該被覆に照射して、該基板に入射した放射線は
   当初は偏光で反射され、該散乱中心に入射した放
   射線は散乱されて偏光解消されるようにせしめる
   照射手段と、 反射放射線及び散乱放射線から偏光反射放射線
   を除去して非偏光散乱放射線を伝送する偏光反射
   放射線除去手段と、 伝送された散乱放射線を受ける手段と、 受けた散乱放射線を解析して、伝送された散乱
   放射線の強度の極小を検出することによつて該被
   覆における不規則の存在を検出する解析手段と、 を具備することを特徴とする装置。 １８ 該偏光反射放射線除去手段は、偏光反射放
   射線のの電界ベクトルの軸線に実質上垂直な通過
   軸線を有するポラロイドフイルタである、特許請
   求の範囲第１７項記載の装置。 １９ 該照射手段は、偏光電磁放射線によつて該
   被覆を所定パターンで走査する手段を含む、特許
   請求の範囲第１７項記載の装置。 ２０ 該解析手段は、伝送された散乱放射線の強
   度を測定し、該被覆を走査する際の測定された強
   度における不連続変動を検出することによつて不
   規則の存在を確認する手段を含む、特許請求の範
   囲第１９項記載の装置。 ２１ 該照射手段は、レーザ光によつて該被覆を
   照射する手段を含み、そして、受けた放射線をフ
   イルタして該レーザ光の周波数に近似した周波数
   帯域の放射線のみを通過せしめる手段が設けられ
   ている、特許請求の範囲第１９項記載装置。 ２２ 受けた放射線を拡散せしめる手段が設けら
   れている、特許請求の範囲第２１項記載の装置。 ２３ 該パターンは螺旋パターンである、特許請
   求の範囲第１９項記載の装置。 ２４ 該パターンはラスター走査パターンであ
   る、特許請求の範囲第１９項記載の装置。 ２５ 該パターンは極座標走査パターンである、
   特許請求の範囲第１９項記載の装置。 ２６ 該基板は、走査の結果として該解析手段に
   よつて測定される強度に連続的な変動のみを生成
   するところの非平面部を有する、特許請求の範囲
   第２３項から第２５項までのいずれかに記載の装
   置。 ２７ 該照射手段は、偏光電磁放射線によつて該
   被覆を実質上連続して且つ実質上均一に照射す
   る、特許請求の範囲第１７項記載の装置。 ２８ 該解析手段はビデオカメラを含む、特許請
   求の範囲第２７項記載の装置。 ２９ 該解析手段は、該ピデオカメラの出力信号
   を検出して、不規則を示すビデオ信号レベルの急
   激な変化を検出する手段を含む、特許請求の範囲
   第２８項記載の装置。 ３０ 該照射手段は、該被覆が所定入射角で照射
   して、反射放射線が所定反射角で反射されるよう
   にせしめる手段を含み、該偏光反射放射線除去手
   段は、該所定反射角に方向付けられている、特許
   請求の範囲第１７項記載の装置。 ３１ 該照射手段は該被覆に可視光を照射する、
   特許請求の範囲第１７項記載の装置。