JPH0223680A - 磁気抵抗効果薄膜およびその製造方法 - Google Patents
磁気抵抗効果薄膜およびその製造方法Info
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- JPH0223680A JPH0223680A JP63174742A JP17474288A JPH0223680A JP H0223680 A JPH0223680 A JP H0223680A JP 63174742 A JP63174742 A JP 63174742A JP 17474288 A JP17474288 A JP 17474288A JP H0223680 A JPH0223680 A JP H0223680A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は強磁性磁気抵抗効果（以下、ＭＲ効果と略す）
を利用して磁界を検出する磁気抵抗効果素子（以下、Ｍ
Ｒ素子と略す）に用いる強磁性磁気抵抗効果薄膜（以下
、ＭＲ膜と略す）に関するものである。
を利用して磁界を検出する磁気抵抗効果素子（以下、Ｍ
Ｒ素子と略す）に用いる強磁性磁気抵抗効果薄膜（以下
、ＭＲ膜と略す）に関するものである。
（従来の技術）
周知の如＜、ＭＲ効果を用いて磁界を検出するＭＲ素子
は、磁気センサー、磁気ヘッド、回転検出素子、位置検
出素子などとして、現在盛んに用いられている。このＭ
Ｒ素子の主要部分であるＭＲ膜には、ＮｉＦｅまたはＮ
ｉＣｏ合金薄膜が広く用いられてきた。特に、Ｎ ｔ
Ｆ ｅは、異方性磁界が４０ｃ程度と小さく、非常に良
好な軟磁気特性を示すため、外部からの印加磁界に対す
る磁化の応答が良く、例えば、ＭＲ効果を用いて微弱な
信号磁界を読み出すＭＲヘッドには最適であるとされて
きた。
は、磁気センサー、磁気ヘッド、回転検出素子、位置検
出素子などとして、現在盛んに用いられている。このＭ
Ｒ素子の主要部分であるＭＲ膜には、ＮｉＦｅまたはＮ
ｉＣｏ合金薄膜が広く用いられてきた。特に、Ｎ ｔ
Ｆ ｅは、異方性磁界が４０ｃ程度と小さく、非常に良
好な軟磁気特性を示すため、外部からの印加磁界に対す
る磁化の応答が良く、例えば、ＭＲ効果を用いて微弱な
信号磁界を読み出すＭＲヘッドには最適であるとされて
きた。
（発明が解決しようとする課題）
ところで、現在、ＭＲ素子の高感度・高出力化が重要な
課題となっている。特に磁気記録の分野ニオいて、記録
密度の向上のためには、ＭＲヘッドの磁界感度を高め、
再生出方を大きくすることが急務である。このためには
、ＭＲ膜において、より大きなＭＲ比Δρ／ρ（最大比
抵抗変化量Δρと比抵抗の平均値の比）と良好な軟磁気
特性が必要とされる。特に、ＭＲヘッドにおいては、磁
界に対する線形応答性が必要とされるため、バイアス磁
界をＭＲ膜に印加するが、その際、バイアスのかかり易
さの点がら、ＭＲ膜の異方性磁界は約１００ｅ以下であ
ることが望ましい。
課題となっている。特に磁気記録の分野ニオいて、記録
密度の向上のためには、ＭＲヘッドの磁界感度を高め、
再生出方を大きくすることが急務である。このためには
、ＭＲ膜において、より大きなＭＲ比Δρ／ρ（最大比
抵抗変化量Δρと比抵抗の平均値の比）と良好な軟磁気
特性が必要とされる。特に、ＭＲヘッドにおいては、磁
界に対する線形応答性が必要とされるため、バイアス磁
界をＭＲ膜に印加するが、その際、バイアスのかかり易
さの点がら、ＭＲ膜の異方性磁界は約１００ｅ以下であ
ることが望ましい。
従来のＭＲ膜であるＮｉＦｅよりも大きなΔρ／ρを持
つ系としてはＮｉＣｏが知られている（フジツウ サイ
エンス アンド テクニカル ジャーナル、１９７４年
、１２３ページ）が、磁気異方性が強く（異方性磁界〜
２ｏｏｅ）、軟磁気特性がＮｉＦｅに較べてがなり劣っ
ているため、高感度・高出力のＭＲ材料としては利用で
きないという問題点があった。
つ系としてはＮｉＣｏが知られている（フジツウ サイ
エンス アンド テクニカル ジャーナル、１９７４年
、１２３ページ）が、磁気異方性が強く（異方性磁界〜
２ｏｏｅ）、軟磁気特性がＮｉＦｅに較べてがなり劣っ
ているため、高感度・高出力のＭＲ材料としては利用で
きないという問題点があった。
本発明は、以上の点に鑑み、ＮｉＦｅよりも大きなＭＲ
比を持ち、しかも異方性磁界の値が小さく良好な軟磁気
特性を示し、高感度・高出力のＭＲ素子に適するＭＲ材
料を提供しようとするものである。
比を持ち、しかも異方性磁界の値が小さく良好な軟磁気
特性を示し、高感度・高出力のＭＲ素子に適するＭＲ材
料を提供しようとするものである。
（課題を解決するための手段）
本発明のＭＲ膜においては、Ｎｉ１Ｆｅ１ｃＯを主成分
としＮ Ｎ ｒの組成比が８０重量％以上８３重量％以
下であり、しかもＣｏの組成比が６重量％以上９重量％
以下であることを特徴としている。
としＮ Ｎ ｒの組成比が８０重量％以上８３重量％以
下であり、しかもＣｏの組成比が６重量％以上９重量％
以下であることを特徴としている。
また本発明のＭＲ膜の製造方法においては、ＮｌＮＦｅ
ＮＣｏを主成分とするＭＲ膜の作製時に、２００℃以上
４００℃以下の熱処理を行うことを特徴としている。
ＮＣｏを主成分とするＭＲ膜の作製時に、２００℃以上
４００℃以下の熱処理を行うことを特徴としている。
（作用）
本発明において、Ｎｉ１Ｆｅ、Ｃｏを主成分とする合金
膜を採用し、組成範囲を上記の如く限定した理由、およ
びＭＲ膜に熱処理を施すことを指定した理由について述
べる。
膜を採用し、組成範囲を上記の如く限定した理由、およ
びＭＲ膜に熱処理を施すことを指定した理由について述
べる。
ＭＲ材料として用いられるＮ１Ｆｅ（Ｎｉ：８０〜８３
重量％）合金は、比較的大きなＭＲ比と、低磁歪および
良好な軟磁気特性を有している。一方Ｎ Ｎ ｔとＣＯ
が同様の組成比を持っＮｉＣ０合金は、非常に大きなＭ
Ｒ比を示すが、軟磁気特性はＮｉＦｅに較べてかなり劣
っている。それ故、Ｎｉｓ Ｆｅ１Ｃｏを主成分とし、
Ｎ １の組成比が８０〜８３重量％である合金薄膜にお
いては、ｃｏ７ｊ１度を選択することによって、Ｎ Ｉ
Ｆ ｅの持つ良好な軟磁気特性を保ちつつ、ＮｉＣ０
の持つ大きなＭＲ比を実現する可能性が考えられる。
重量％）合金は、比較的大きなＭＲ比と、低磁歪および
良好な軟磁気特性を有している。一方Ｎ Ｎ ｔとＣＯ
が同様の組成比を持っＮｉＣ０合金は、非常に大きなＭ
Ｒ比を示すが、軟磁気特性はＮｉＦｅに較べてかなり劣
っている。それ故、Ｎｉｓ Ｆｅ１Ｃｏを主成分とし、
Ｎ １の組成比が８０〜８３重量％である合金薄膜にお
いては、ｃｏ７ｊ１度を選択することによって、Ｎ Ｉ
Ｆ ｅの持つ良好な軟磁気特性を保ちつつ、ＮｉＣ０
の持つ大きなＭＲ比を実現する可能性が考えられる。
第１図に、この三元合金膜におけるＣ ｏ ９１１度と
ＭＲ比Δρ／ρとの関係を示す。各ＣＯ濃度の膜におい
て、熱処理後のΔρ／ρ（○）は、熱処理前のΔρ／ρ
（・）よりも大きくなっている。また、熱処理後の膜に
おいては、ｃｏ濃度が６重量％以上では、Δρ／ρはほ
とんど変化しないことがわかる。なお、熱処理温度に関
しては２００℃から４００℃の間で、はとんど同じ処理
効果が得られる。一般に蒸着直後の膜においては、多分
に含まれる構造欠陥によって、ＭＲ比の値は、本来膜が
持っている値よりも小さくなっているが、アニールする
ことによって構造欠陥が解消し、本来の値に戻ると考え
られている。よって、Ｃｏ 濃度、が６重量％以上の膜
では、本来のＭＲ比には、はとんど差がみられないと結
論できる。
ＭＲ比Δρ／ρとの関係を示す。各ＣＯ濃度の膜におい
て、熱処理後のΔρ／ρ（○）は、熱処理前のΔρ／ρ
（・）よりも大きくなっている。また、熱処理後の膜に
おいては、ｃｏ濃度が６重量％以上では、Δρ／ρはほ
とんど変化しないことがわかる。なお、熱処理温度に関
しては２００℃から４００℃の間で、はとんど同じ処理
効果が得られる。一般に蒸着直後の膜においては、多分
に含まれる構造欠陥によって、ＭＲ比の値は、本来膜が
持っている値よりも小さくなっているが、アニールする
ことによって構造欠陥が解消し、本来の値に戻ると考え
られている。よって、Ｃｏ 濃度、が６重量％以上の膜
では、本来のＭＲ比には、はとんど差がみられないと結
論できる。
次に、第２図に、ｃｏ濃度と異方性磁界との関係を示す
。異方性磁界はＣＯ濃度の増加とともに増大する。特に
、ｃｏ濃度が９重量％あたりで増加の割合が大きくなっ
ており、それ以上のＣｏ１１４度の膜においては、異方
性磁界はＮ ｉ Ｆ’ ｅの３倍以上の大きな値となっ
ており、ＭＲ材料には適さないことがわかる。なお、異
方性磁界の値は熱処理によって変化せず、熱処理は磁気
異方性に悪影響を及ぼさないことがわかる。
。異方性磁界はＣＯ濃度の増加とともに増大する。特に
、ｃｏ濃度が９重量％あたりで増加の割合が大きくなっ
ており、それ以上のＣｏ１１４度の膜においては、異方
性磁界はＮ ｉ Ｆ’ ｅの３倍以上の大きな値となっ
ており、ＭＲ材料には適さないことがわかる。なお、異
方性磁界の値は熱処理によって変化せず、熱処理は磁気
異方性に悪影響を及ぼさないことがわかる。
以上の実験事実から、Ｎｉ１Ｆｅ１Ｃｏを主成分とし、
Ｎｉの組成比が８０重量％以上８３重量％以下の合金薄
膜において、ｃｏ濃度を６重量％以上８重量％以下とす
ることによって、ＮｉＣ０と同程度の大きなＭＲ比を持
ち、しかも異方性磁界の値がＮｉＦｅと同程度であって
良好な軟磁気特性を示し、高感度・高出力のＭＲ素子に
適するＭＲ材料を得ることがきる。また、成膜直後の、
多くの構造欠陥を含むＭＲ膜に熱処理を施すことによっ
て、異方性磁界の値に悪影響を及ぼすことなく、膜本来
のＭＲ比を得ることができる。
Ｎｉの組成比が８０重量％以上８３重量％以下の合金薄
膜において、ｃｏ濃度を６重量％以上８重量％以下とす
ることによって、ＮｉＣ０と同程度の大きなＭＲ比を持
ち、しかも異方性磁界の値がＮｉＦｅと同程度であって
良好な軟磁気特性を示し、高感度・高出力のＭＲ素子に
適するＭＲ材料を得ることがきる。また、成膜直後の、
多くの構造欠陥を含むＭＲ膜に熱処理を施すことによっ
て、異方性磁界の値に悪影響を及ぼすことなく、膜本来
のＭＲ比を得ることができる。
本発明によるＮ ｌ １Ｆ ｅｌＣｏを主成分とする合
金薄膜においては、適度な量のＣｏ添加によって伝導電
子散乱の異方性が極大化し、ＮｉＣｏと同程度のＭＲ比
を持つに至ったものと考えられる。また、構造欠陥を多
く含む膜においては、熱処理が施されることにより、構
造欠陥が解消され、本来のＭＲ比を示すことになると考
えられる。さらに、本発明において軟磁気特性が良好で
ある理由について考察するため、膜の磁気特性に大きな
影響を与える結晶粒の状態を、ＦＥ−８ＦＭを用いて観
察した。第１表に、ｃｏ濃度と結晶粒径の関係を示す。
金薄膜においては、適度な量のＣｏ添加によって伝導電
子散乱の異方性が極大化し、ＮｉＣｏと同程度のＭＲ比
を持つに至ったものと考えられる。また、構造欠陥を多
く含む膜においては、熱処理が施されることにより、構
造欠陥が解消され、本来のＭＲ比を示すことになると考
えられる。さらに、本発明において軟磁気特性が良好で
ある理由について考察するため、膜の磁気特性に大きな
影響を与える結晶粒の状態を、ＦＥ−８ＦＭを用いて観
察した。第１表に、ｃｏ濃度と結晶粒径の関係を示す。
一般に、薄膜を構成する結晶粒が小さいほど、結晶磁気
異方性が抑制され、軟磁気特性は良好となると考えられ
ている。ＮｉＣｏ膜においては、結晶粒径はＮｉＦｅ膜
と較べて非常に大きくなっており、第２図に示したよう
に異方性磁界が非常に大きくなってしまうことが理解で
きる。一方、Ｃｏ６重量％の膜においては、結晶粒径は
ＮｉＦｅと同程度である。その結果、磁気異方性が小さ
く、軟磁気特性がほとんど劣化しないものと考えられる
。
異方性が抑制され、軟磁気特性は良好となると考えられ
ている。ＮｉＣｏ膜においては、結晶粒径はＮｉＦｅ膜
と較べて非常に大きくなっており、第２図に示したよう
に異方性磁界が非常に大きくなってしまうことが理解で
きる。一方、Ｃｏ６重量％の膜においては、結晶粒径は
ＮｉＦｅと同程度である。その結果、磁気異方性が小さ
く、軟磁気特性がほとんど劣化しないものと考えられる
。
このように、本発明によるＭＲ膜は、良好な軟磁気特性
を保ちつつ、大きなＭＲ比を示し、ＭＲ材料として優れ
た特性を発揮するにいたる。
を保ちつつ、大きなＭＲ比を示し、ＭＲ材料として優れ
た特性を発揮するにいたる。
（実施例１）
第３図に、本発明の一実施例を示す。
第３図において、ガラス基板１上に、ＭＲ成膜として膜
厚１５００人のＮｉｓ。Ｆｅｔ。Ｃｏｅ （重量％）
膜を蒸着した。その後真空中（５Ｘ１０−７Ｔｏ ｒ
ｒ）にて熱処理（３２０℃−２時間）を行った。次に、
この膜上にＡｕ３を蒸着した（膜厚は２４０ＯＡ）。さ
らに、このＡｕ蒸着膜上にフォトレジストパターンを形
成し、Ａ ｒガス雰囲気中でイオンエツチングを行い、
感磁部分である矩形状のパターン４およびセンス電流を
供給するための電極パターン５に加工した。ここで、エ
ツチング条件は、加速電圧：５００Ｖ、Ａｒガス圧カニ
ｌＸ１０”’Ｔｏｒｒである。さらに、このパターン上
にマスクとなるフォトレジストパターンを形成し、選択
化学エツチングを行うことによって、ＭＲ膜を長さ２ｍ
ｍＮ幅５０μｍの矩形状のパターンに露出させ、ＭＲ素
子を作製した。
厚１５００人のＮｉｓ。Ｆｅｔ。Ｃｏｅ （重量％）
膜を蒸着した。その後真空中（５Ｘ１０−７Ｔｏ ｒ
ｒ）にて熱処理（３２０℃−２時間）を行った。次に、
この膜上にＡｕ３を蒸着した（膜厚は２４０ＯＡ）。さ
らに、このＡｕ蒸着膜上にフォトレジストパターンを形
成し、Ａ ｒガス雰囲気中でイオンエツチングを行い、
感磁部分である矩形状のパターン４およびセンス電流を
供給するための電極パターン５に加工した。ここで、エ
ツチング条件は、加速電圧：５００Ｖ、Ａｒガス圧カニ
ｌＸ１０”’Ｔｏｒｒである。さらに、このパターン上
にマスクとなるフォトレジストパターンを形成し、選択
化学エツチングを行うことによって、ＭＲ膜を長さ２ｍ
ｍＮ幅５０μｍの矩形状のパターンに露出させ、ＭＲ素
子を作製した。
このように作製したＭＲ素子において、磁界印加を永久
磁石によって行い、電気抵抗を４端子法によって測定す
ることにより、ＭＲ比Δρ／ρを測定したところ、５．
１％という高い値が得られた。また、試料振動型磁力計
を用いて測定した異方性磁界の値は７．８０ｅであり、
バイアスのがかり易さおよび磁界検出感度の点から望ま
しい値となっていることがわかった。
磁石によって行い、電気抵抗を４端子法によって測定す
ることにより、ＭＲ比Δρ／ρを測定したところ、５．
１％という高い値が得られた。また、試料振動型磁力計
を用いて測定した異方性磁界の値は７．８０ｅであり、
バイアスのがかり易さおよび磁界検出感度の点から望ま
しい値となっていることがわかった。
このように、本実施例において作製されたＭＲ素子は、
非常に大きなＭＲ比および良好な軟磁気特性を示すこと
がわかった。そこで、この素子に数Ｏｅのオーダーで変
化する外部磁界を印加したところ、従来に較べて、より
高い磁界検出感度と、より高い出力を得ることができた
。
非常に大きなＭＲ比および良好な軟磁気特性を示すこと
がわかった。そこで、この素子に数Ｏｅのオーダーで変
化する外部磁界を印加したところ、従来に較べて、より
高い磁界検出感度と、より高い出力を得ることができた
。
（実施例２）
第３図において、ＭＲ成膜を５Ｘ１０−３ＴｏｒｒのＡ
ｒガス中、放電電力５．０Ｗ／ｃｍ２スパッタ法で成膜
し、他は、実施例１と全く同様にしてＭＲ素子を作製し
た。本実施例においても実施例１と同様に、大きなＭＲ
比および良好な軟磁気特性が得られ、高磁界検出感度と
高出力を得ることができた。
ｒガス中、放電電力５．０Ｗ／ｃｍ２スパッタ法で成膜
し、他は、実施例１と全く同様にしてＭＲ素子を作製し
た。本実施例においても実施例１と同様に、大きなＭＲ
比および良好な軟磁気特性が得られ、高磁界検出感度と
高出力を得ることができた。
（実施例３）
第３図において、ＭＲ成膜を成膜後、熱処理を行わずに
Ａｕ膜３を成膜し、矩形状のパターン４および電極パタ
ーン５を加工し、選択化学エツチングを行うことによっ
てＭＲ膜を露出させた後、真空中（５Ｘ １０−’Ｔｏ
ｒ ｒ）にて熱処理（３２０℃−２時間）を行いＭＲ
素子を作製した。本実施例においても実施例１と同様に
、大きなＭＲ比および良好な軟磁気特性が得られ、高磁
界検出感度と高出力を得ることができた。
Ａｕ膜３を成膜し、矩形状のパターン４および電極パタ
ーン５を加工し、選択化学エツチングを行うことによっ
てＭＲ膜を露出させた後、真空中（５Ｘ １０−’Ｔｏ
ｒ ｒ）にて熱処理（３２０℃−２時間）を行いＭＲ
素子を作製した。本実施例においても実施例１と同様に
、大きなＭＲ比および良好な軟磁気特性が得られ、高磁
界検出感度と高出力を得ることができた。
（発明の効果）
以上のように、本発明の磁気抵抗効果薄膜は、ＮＩＮ
Ｆｅ１Ｃｏを主成分とし、Ｎｉの組成比を８０重量％以
上８３重量％以下とし、しかもＣＯの組成比が６重量％
以上９重量％以下とすることによって、ＮｉＣ０と同程
度の大きなＭＲ比を示し、しかも異方性磁界の値はＮｉ
Ｆｅと同程度に小さくなり、高感度・高出力のＭＲ素子
に適したものである。
Ｆｅ１Ｃｏを主成分とし、Ｎｉの組成比を８０重量％以
上８３重量％以下とし、しかもＣＯの組成比が６重量％
以上９重量％以下とすることによって、ＮｉＣ０と同程
度の大きなＭＲ比を示し、しかも異方性磁界の値はＮｉ
Ｆｅと同程度に小さくなり、高感度・高出力のＭＲ素子
に適したものである。
また本発明のＭＲ膜の製造方法においては、Ｎｉｓ Ｆ
ｅ１Ｃｏを主成分とするＭＲ膜の作製時に、２００℃以
上４００℃以下の熱処理を行うことによって、成膜直後
に多く含まれる構造欠陥を解消し、膜本来のＭＲ比を引
き出すことができる。
ｅ１Ｃｏを主成分とするＭＲ膜の作製時に、２００℃以
上４００℃以下の熱処理を行うことによって、成膜直後
に多く含まれる構造欠陥を解消し、膜本来のＭＲ比を引
き出すことができる。
を図である・阜３圓＋７７１一番帽め一諭Ｆ６１１４ｉ
）幻１′ある。 図において、 １ニガラス基板、２：ＭＲ膜、３：Ａｕ膜、５：感磁部
分である矩形状パターン、６：電極。
）幻１′ある。 図において、 １ニガラス基板、２：ＭＲ膜、３：Ａｕ膜、５：感磁部
分である矩形状パターン、６：電極。
Claims (2)
- （１）Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏを主成分とする磁気抵抗効果薄
膜において、Ｎｉの組成比が８０重量％以上８３重量％
以下であり、しかもＣｏの組成比が６重量％以上９重量
％以下であることを特徴とする磁気抵抗効果薄膜。 - （２）Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｏを主成分とする磁気抵抗効果薄
膜の製造方法において、２００℃以上４００℃以下の熱
処理の工程を含むことを特徴とする磁気抵抗効果薄膜の
製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63174742A JP2545935B2 (ja) | 1988-07-12 | 1988-07-12 | 磁気抵抗効果薄膜およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63174742A JP2545935B2 (ja) | 1988-07-12 | 1988-07-12 | 磁気抵抗効果薄膜およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0223680A true JPH0223680A (ja) | 1990-01-25 |
| JP2545935B2 JP2545935B2 (ja) | 1996-10-23 |
Family
ID=15983883
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63174742A Expired - Lifetime JP2545935B2 (ja) | 1988-07-12 | 1988-07-12 | 磁気抵抗効果薄膜およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2545935B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09283735A (ja) * | 1996-04-10 | 1997-10-31 | Nec Corp | 集積化磁気センサ及びその製造方法 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4890891B2 (ja) | 2006-03-10 | 2012-03-07 | 山梨日本電気株式会社 | 磁気センサ、その製造方法および電子機器 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5927587A (ja) * | 1982-08-05 | 1984-02-14 | Akai Electric Co Ltd | 磁気抵抗素子用磁性薄膜の製造方法 |
| JPS60200935A (ja) * | 1984-03-23 | 1985-10-11 | Hitachi Ltd | 磁気抵抗効果合金膜およびその製造方法 |
| JPS61144893A (ja) * | 1984-12-18 | 1986-07-02 | Aichi Tokei Denki Co Ltd | 磁気抵抗素子 |
-
1988
- 1988-07-12 JP JP63174742A patent/JP2545935B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH09283735A (ja) * | 1996-04-10 | 1997-10-31 | Nec Corp | 集積化磁気センサ及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2545935B2 (ja) | 1996-10-23 |
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