JPH0221687A - 表面発光装置とその出力監視方法 - Google Patents
表面発光装置とその出力監視方法Info
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- JPH0221687A JPH0221687A JP1103614A JP10361489A JPH0221687A JP H0221687 A JPH0221687 A JP H0221687A JP 1103614 A JP1103614 A JP 1103614A JP 10361489 A JP10361489 A JP 10361489A JP H0221687 A JPH0221687 A JP H0221687A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/105—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the mutual position or the reflecting properties of the reflectors of the cavity, e.g. by controlling the cavity length
- H01S3/1055—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the mutual position or the reflecting properties of the reflectors of the cavity, e.g. by controlling the cavity length one of the reflectors being constituted by a diffraction grating
-
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
- H01S5/125—Distributed Bragg reflector [DBR] lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/185—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only horizontal cavities, e.g. horizontal cavity surface-emitting lasers [HCSEL]
- H01S5/187—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only horizontal cavities, e.g. horizontal cavity surface-emitting lasers [HCSEL] using Bragg reflection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/1206—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers having a non constant or multiplicity of periods
- H01S5/1215—Multiplicity of periods
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
［本発明は、アメリカ空軍省の助成金付き契約第Ｆ２９
６．０ｌ−８５−Ｃ−（１０１９号による政府援助の下
で行われた。政府は本発明につき所定の権利を有してい
る。］ ［産業上の利用分野］ 本発明は、表面発光装置の出力監視用の装置と方法に関
する。
６．０ｌ−８５−Ｃ−（１０１９号による政府援助の下
で行われた。政府は本発明につき所定の権利を有してい
る。］ ［産業上の利用分野］ 本発明は、表面発光装置の出力監視用の装置と方法に関
する。
［従来の技術］
表面発光装置の構成の１形式として、広い光学的空胴の
屈折率導波形（４ｎｄｅｘ−ｇｕ １ｄｅｄ）レーザの
中に回折格子表面が用いられている。この装置は、格子
表面に通常はぼ垂直な放射光パターンを放出する装置の
７レイを１枚の基板上に形成して構成される。このアレ
イの出力は、普通は電荷結合素子のアレイのような検出
装置をこの放射光パターンの中に挿入するることによっ
て監視される。
屈折率導波形（４ｎｄｅｘ−ｇｕ １ｄｅｄ）レーザの
中に回折格子表面が用いられている。この装置は、格子
表面に通常はぼ垂直な放射光パターンを放出する装置の
７レイを１枚の基板上に形成して構成される。このアレ
イの出力は、普通は電荷結合素子のアレイのような検出
装置をこの放射光パターンの中に挿入するることによっ
て監視される。
［発明が解決しようとする課題］
この監視は、所望の遠距離照射パターンな発生するよう
に駆動電流を加減するためにまず必要であり、更に環境
条件の変化に対する補正をするためと装置の経時劣化に
対する補正を行うために、駆動電流を加減するのに必要
である。
に駆動電流を加減するためにまず必要であり、更に環境
条件の変化に対する補正をするためと装置の経時劣化に
対する補正を行うために、駆動電流を加減するのに必要
である。
したがって、本来の放射光パターンの中に監視装置を挿
入しないで済むような発光装置ならびにその装置の監視
方法を得ることは望ましい。
入しないで済むような発光装置ならびにその装置の監視
方法を得ることは望ましい。
［課題を解決するための手段］
本発明による表面発光装置は、基板を覆う広い光学的空
胴領域を有する基板を有する。この広い光学的空胴領域
は、露出区域と、非露出区域の区域の双方を備えている
。この非露出区域を覆って、活性領域と、この活性領域
を覆う被覆層とがある。広い光学的空胴領域の露出区域
を覆って、第Ｉの周期を有する第１の格子領域と、この
第１の領域とは周期が異なる第２の格子領域とからなる
格子領域が存在する。
胴領域を有する基板を有する。この広い光学的空胴領域
は、露出区域と、非露出区域の区域の双方を備えている
。この非露出区域を覆って、活性領域と、この活性領域
を覆う被覆層とがある。広い光学的空胴領域の露出区域
を覆って、第Ｉの周期を有する第１の格子領域と、この
第１の領域とは周期が異なる第２の格子領域とからなる
格子領域が存在する。
本発明は表面発光装置のアレイをも包含している。この
アレイには、基板と、この基板を覆う広い光学的空胴領
域と、この空胴領域の第１の部分を覆う第１の活性領域
と、空胴の第２の部分を覆う第２の活性領域がある。被
覆層が活性領域を覆い、そしてこの装置は、基板および
被覆層を電気的に接続するための手段を備えている。第
１の格子領域は空胴領域を覆い、そしてこの格子領域は
、実質的に等間隔に並べられた複数の素子から形成され
ている。前記第１の格子領域とは異なる間隔を持つ複数
の素子を有する第２の格子領域も、この空胴領域を覆っ
ている。
アレイには、基板と、この基板を覆う広い光学的空胴領
域と、この空胴領域の第１の部分を覆う第１の活性領域
と、空胴の第２の部分を覆う第２の活性領域がある。被
覆層が活性領域を覆い、そしてこの装置は、基板および
被覆層を電気的に接続するための手段を備えている。第
１の格子領域は空胴領域を覆い、そしてこの格子領域は
、実質的に等間隔に並べられた複数の素子から形成され
ている。前記第１の格子領域とは異なる間隔を持つ複数
の素子を有する第２の格子領域も、この空胴領域を覆っ
ている。
最後に、それぞれが異なった周期の格子を持つ第１と第
２の格子を有する表面発光装置を形成することを含む発
光装置の監視方法を本発明は含んでいる。この回折格子
から放射光が放出されるように、この装置に電流が供給
され、そして出力が第２の格子から検出される結果、装
置への電流がこの第２の格子の出力に基づいて加減され
ることになる。
２の格子を有する表面発光装置を形成することを含む発
光装置の監視方法を本発明は含んでいる。この回折格子
から放射光が放出されるように、この装置に電流が供給
され、そして出力が第２の格子から検出される結果、装
置への電流がこの第２の格子の出力に基づいて加減され
ることになる。
［実施例］
第１図を見れば、表面アレイ１０は、複数の半導体ダイ
オード部分１１を含むことが分かる。第２図の示すよう
に、このダイオード部分１１は、その上に第１の積層領
域（クラッド領域）１４を持つ基板１２を含んでいる。
オード部分１１を含むことが分かる。第２図の示すよう
に、このダイオード部分１１は、その上に第１の積層領
域（クラッド領域）１４を持つ基板１２を含んでいる。
広い光学的空胴領域１６が第１の積層領域１４を覆い、
活性領域１８がこの広い光学的空胴領域１６を覆い、第
２の積層領域２０がこの活性領域１８を覆い、そして被
覆層２２が第２の積層領域２０を覆っている。この装置
を電気的に接続させる手段には、第１の積層領域１４と
は反対の側で基板１２の表面を覆う第１の電気接点３ｏ
と、被覆層２２を覆う第２の電気接点３２がある。第１
図のアレイにおいて、ダイオード部分１１は、このダイ
オード部分１１の間に伸びている空胴領域１６によって
互いに接続されており、そして、ダイオード部分の間の
空胴領域１６を覆って格子領域４０がある。この格子領
域は普通、空胴領域１６の表面に形成された複数の実質
的に平行な素子４１からなる。
活性領域１８がこの広い光学的空胴領域１６を覆い、第
２の積層領域２０がこの活性領域１８を覆い、そして被
覆層２２が第２の積層領域２０を覆っている。この装置
を電気的に接続させる手段には、第１の積層領域１４と
は反対の側で基板１２の表面を覆う第１の電気接点３ｏ
と、被覆層２２を覆う第２の電気接点３２がある。第１
図のアレイにおいて、ダイオード部分１１は、このダイ
オード部分１１の間に伸びている空胴領域１６によって
互いに接続されており、そして、ダイオード部分の間の
空胴領域１６を覆って格子領域４０がある。この格子領
域は普通、空胴領域１６の表面に形成された複数の実質
的に平行な素子４１からなる。
第３図に示すように、格子領域４ｏには、実質的に等し
い周期４３を持つ格子を備える第１の出力用格子４２と
、この出力用格子の周期４３とは異なる周期４５を備え
る第２の監視用、格子４４とがある。この出力用、監視
用のそれぞれの格子４２．４４は、第３図のように隣接
しているということを知るべきである。その代案として
、第４図のように、出力用格子４２が監視用格子４４の
変調であるように、出力用格子４２の１部分が監視用格
子４４上に重畳されている格子形式を用いることもでき
る。
い周期４３を持つ格子を備える第１の出力用格子４２と
、この出力用格子の周期４３とは異なる周期４５を備え
る第２の監視用、格子４４とがある。この出力用、監視
用のそれぞれの格子４２．４４は、第３図のように隣接
しているということを知るべきである。その代案として
、第４図のように、出力用格子４２が監視用格子４４の
変調であるように、出力用格子４２の１部分が監視用格
子４４上に重畳されている格子形式を用いることもでき
る。
基板１２は、普通、厚さが約２５０ミクロン（ｕｍ）で
、その第１の主面が、＋ １００１（７）結晶面に平行
であるか多少傾いている、Ｎ型のＧａＡｓから出来てい
る。第１の積層領域１４は、通常、Ｎ型のＡｌｘＧａ＋
−Ｊｓからなり、このＸの値は、普通的０．２から０．
４間にあり、その代表値は約０．２７である。空胴領域
１６は、普通、厚さが０．２５ないし０．６０μｍであ
り、Ｘが一般的に約０、１５ないし０．２５で、代表値
は０．１８のＮ型のＡｌ＊Ｇａ＋−Ｊｓから出来ている
。活性領域１８は、厚さが普通的０．０８μｍで、Ｘが
普通的０．０６のＮ型のＡｌｘＧａ＋−３Ａｓから出来
ている。第２の格子領域２０は、厚さが普通、約１．２
ないし１．７μｍで、Ｘが普通的０．４であるＮ型のＡ
ｌｘＧａ＋−Ｊｓからなっている。第１の電気接点３０
は、ゲルマニウム、金ニツケル合金および金の各署を順
次析出させたものからなるのが好ましい、第２の電気接
点３２は、ＺｎまたはＣｄを拡散させた表面上に、チタ
ン、白金、および金を順次析出させたものからなるのが
好ましい０本発明には、表面の格子を利用した表面発光
装置の他の構造も、同様に応用が可能であることを理解
する必要がある。
、その第１の主面が、＋ １００１（７）結晶面に平行
であるか多少傾いている、Ｎ型のＧａＡｓから出来てい
る。第１の積層領域１４は、通常、Ｎ型のＡｌｘＧａ＋
−Ｊｓからなり、このＸの値は、普通的０．２から０．
４間にあり、その代表値は約０．２７である。空胴領域
１６は、普通、厚さが０．２５ないし０．６０μｍであ
り、Ｘが一般的に約０、１５ないし０．２５で、代表値
は０．１８のＮ型のＡｌ＊Ｇａ＋−Ｊｓから出来ている
。活性領域１８は、厚さが普通的０．０８μｍで、Ｘが
普通的０．０６のＮ型のＡｌｘＧａ＋−３Ａｓから出来
ている。第２の格子領域２０は、厚さが普通、約１．２
ないし１．７μｍで、Ｘが普通的０．４であるＮ型のＡ
ｌｘＧａ＋−Ｊｓからなっている。第１の電気接点３０
は、ゲルマニウム、金ニツケル合金および金の各署を順
次析出させたものからなるのが好ましい、第２の電気接
点３２は、ＺｎまたはＣｄを拡散させた表面上に、チタ
ン、白金、および金を順次析出させたものからなるのが
好ましい０本発明には、表面の格子を利用した表面発光
装置の他の構造も、同様に応用が可能であることを理解
する必要がある。
アレイ１ｏは、標準的な液相エピタキシャル技術を用い
、層と領域を析出させて作ることができる。これに適す
る液層エピタキシャル技術は、参考用に添付した。
、層と領域を析出させて作ることができる。これに適す
る液層エピタキシャル技術は、参考用に添付した。
米国特許第３．７５３．８０１号の中に、ロックウッド
（Ｌｏｃｋｗｏｏｄ）ほかによって開示されている。そ
の後に、ダイオード部分１１と、第２の電気接点３２の
上にフォトレジストが形成され、次いで、ダイオード部
分１１の外側が、イオン研削法によって除去される６次
に、被覆ＪＷ２２と第２の積層領域２０および活性領域
１８が、普通、ＨＦの緩衝溶液とＨｇＳＯ４：ＨａＯ□
：Ｈ２Ｏによる方法のような化学的除去方法を用いてダ
イオード部分１１の外側から除去される。格子領域の形
成は、普通は通常のホログラフ蝕刻技術を用いて一定周
期の格子を形成させる方法で、最初、出力用格子４２を
形成して作られる。この方法の代わりに、イオン研削法
を用いて格子を形成してもよい、出力格子４３の周期は
、普通約２４０ナノメートル（ｎｍ）である、第４図に
示すような別の形状のものを形成するには、監視用格子
４４を先に形成するのが望ましいということを理解する
必要がある。監視用格子４４は、出力用格子４２とは異
なる周期を持たせて同じ技術で形成されるが、その結果
、監視用格子４４からの放射光の光軸が層の面となす角
度は、出力用格子４２からの放射光の光軸のその角度と
は異ったものになる。監視用格子４４の周期、は、出力
用格子４２の周期よりも大きいことが好ましい。一般に
、表面から測った、監視用格子からの出力角度φは、お
およそ、φ＝Ｃ０３−’（ｎ＊△−λｍｃ）／（ｎｏ△
）］になる、ここで、λは放射光の波長、ｍｅは整数の
定数（１，２，３，・・・）、△は監視用格子の周期、
ｎ、は広い光学的空胴領域の屈折率の実効値、そしてｎ
。は空気中の屈折率の実効値である。△を約３７５ｎｍ
とすると、φは約１０″になる０作動に当たっては、第
１と第２の電気接点３０と３２に、適切な極性のバイア
ス電圧が与えられ、これが活性領域１８に放射光を発生
する。この放射光は、一部は出力用格子によって放出さ
れる。放出される放射光の光軸の角度は、普通、層の面
に垂直である。放射光の１部は、監視用格子からも放出
される。監視用格子からの放射光を受けるために、当技
術で公知の、ＣＣＤ検出器のアレイのような検出装置が
置かれ、この検出装置の面は普通、監視用格子からの放
射光の軸に直角に置かれる。この検出装置は、表示装置
へ電気信号を伝達し、この装置は監視用格子からの出力
を表示する。監視用格子４４からと出力用格子４２から
の各出力は、それぞれ同じ干渉条件下にあるので、前者
は後者に独特の関係がある０例えば、装置の成る構成に
おいて、監視用格子４４の出力からの単１０−ブは、出
力用格子からの単１０−ブに対応する。この独特の関係
は、出力用と監視用の格子のそれぞれ４２と４４につい
て、必ずしも同じパターンではないので、最初、両方の
格子から得られる出力を監視することにより、試行錯誤
で実験的決められるものだということを理解する必要が
ある。したがって、この装置に供給される電流は、監視
用格子４４の出力を観測することにより最初は望ましい
駆動電流に調整され、次いで経年劣化や環境条件の変化
を補償するための修正がなされる。
（Ｌｏｃｋｗｏｏｄ）ほかによって開示されている。そ
の後に、ダイオード部分１１と、第２の電気接点３２の
上にフォトレジストが形成され、次いで、ダイオード部
分１１の外側が、イオン研削法によって除去される６次
に、被覆ＪＷ２２と第２の積層領域２０および活性領域
１８が、普通、ＨＦの緩衝溶液とＨｇＳＯ４：ＨａＯ□
：Ｈ２Ｏによる方法のような化学的除去方法を用いてダ
イオード部分１１の外側から除去される。格子領域の形
成は、普通は通常のホログラフ蝕刻技術を用いて一定周
期の格子を形成させる方法で、最初、出力用格子４２を
形成して作られる。この方法の代わりに、イオン研削法
を用いて格子を形成してもよい、出力格子４３の周期は
、普通約２４０ナノメートル（ｎｍ）である、第４図に
示すような別の形状のものを形成するには、監視用格子
４４を先に形成するのが望ましいということを理解する
必要がある。監視用格子４４は、出力用格子４２とは異
なる周期を持たせて同じ技術で形成されるが、その結果
、監視用格子４４からの放射光の光軸が層の面となす角
度は、出力用格子４２からの放射光の光軸のその角度と
は異ったものになる。監視用格子４４の周期、は、出力
用格子４２の周期よりも大きいことが好ましい。一般に
、表面から測った、監視用格子からの出力角度φは、お
およそ、φ＝Ｃ０３−’（ｎ＊△−λｍｃ）／（ｎｏ△
）］になる、ここで、λは放射光の波長、ｍｅは整数の
定数（１，２，３，・・・）、△は監視用格子の周期、
ｎ、は広い光学的空胴領域の屈折率の実効値、そしてｎ
。は空気中の屈折率の実効値である。△を約３７５ｎｍ
とすると、φは約１０″になる０作動に当たっては、第
１と第２の電気接点３０と３２に、適切な極性のバイア
ス電圧が与えられ、これが活性領域１８に放射光を発生
する。この放射光は、一部は出力用格子によって放出さ
れる。放出される放射光の光軸の角度は、普通、層の面
に垂直である。放射光の１部は、監視用格子からも放出
される。監視用格子からの放射光を受けるために、当技
術で公知の、ＣＣＤ検出器のアレイのような検出装置が
置かれ、この検出装置の面は普通、監視用格子からの放
射光の軸に直角に置かれる。この検出装置は、表示装置
へ電気信号を伝達し、この装置は監視用格子からの出力
を表示する。監視用格子４４からと出力用格子４２から
の各出力は、それぞれ同じ干渉条件下にあるので、前者
は後者に独特の関係がある０例えば、装置の成る構成に
おいて、監視用格子４４の出力からの単１０−ブは、出
力用格子からの単１０−ブに対応する。この独特の関係
は、出力用と監視用の格子のそれぞれ４２と４４につい
て、必ずしも同じパターンではないので、最初、両方の
格子から得られる出力を監視することにより、試行錯誤
で実験的決められるものだということを理解する必要が
ある。したがって、この装置に供給される電流は、監視
用格子４４の出力を観測することにより最初は望ましい
駆動電流に調整され、次いで経年劣化や環境条件の変化
を補償するための修正がなされる。
ｌＯ・・・表面発光アレイ
ト・・半導体ダイオード部分
２、・・・基板
４・・・第１の積層領域
６・・・光学的空胴領域
８・・・活性領域
Ｏ・・・第２の積層領域
２・・・被覆層
Ｏ・・・第１の電気接点
２・・・第２の電気接点
０・・・格子領域
２・・・第１の出力用格子
３・・・出力用格子の周期
４・・・第２の監視用格子
５・・・監視用格子の周期
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基板と、 この基板を覆い、露出と非露出の区域を有する、広い光
学的空胴領域と、 前記広い光学的空胴領域の非露出区域を覆う活性領域と
、 前記活性領域を覆う被覆層と、 前記基板と前記被覆層に電気的に接続する手段と、 前記広い光学的空胴領域の露出区域を覆い、第１の周期
長をもつ第１の格子領域と前記第１の格子領域と異なる
周期長を持つ第２の格子領域とを有する格子領域を含む
表面発光装置。 ２、前記装置がレーザーである、請求項１記載の表面発
光装置。 ３、前記装置が放射光を放出する装置のアレイである、
請求項１記載の表面発光装置。 ４、前記第２の格子領域の周期が前記第１の格子領域の
周期よりも大きい、請求項１に記載の表面発光装置。 ５、前記第２の格子領域が前記第１の格子領域に隣接し
ている、請求項１に記載の表面発光装置。 ６、前記第１の格子領域の少なくとも１部が前記第２の
格子領域の少なくとも１部に重畳している、請求項１に
記載の表面発光装置。 ７、基板と、 この基板を覆う広い光学的空胴領域と、 広い光学的空胴領域の第１の部分を覆う第１の活性領域
と、 広い光学的空胴領域の第２の部分を覆う第２の活性領域
と、 前記第１の活性領域を覆う、第１の被覆層と、前記第２
の活性領域を覆う、第２の被覆層と、前記基板と第１、
第２の被覆層とに電気的に接続するための手段と、 前記第１と第２の活性領域の間の広い光学的空胴領域を
覆い、実質的に等しい間隔に置かれた複数の格子素子か
らなる第１の格子領域と、 前記広い光学的空胴領域を覆い、前記第１の格子領域と
は異なる素子間隔を有する複数の素子からなる第２の格
子領域とを有する表面発光装置のアレイ。 ８、前記アレイがレーザーアレイである、請求項７記載
の表面発光装置。 ９、前記第１の格子領域が前記第２の格子領域に隣接す
る、請求項７に記載の表面発光装置。 １０、前記第１の格子領域の少なくとも１部が、前記第
２の格子領域の少なくとも１部の上にある、請求項７に
記載の表面発光装置。 １１、前記第２の格子領域が、前記第１の格子よりも大
きい素子間隔を有する、請求項７に記載の表面発光装置
。 １２、ほぼ等しい素子間周期を持ち、放射光が放出され
る第１の格子と、前記第１の格子とは異なる周期を持つ
第２の格子を備えた装置であって、活性領域と、この装
置に電気的接続するための手段を有する表面発光装置と
を形成する各ステップと、 前記第１と第２の格子から放射光が放出されるように、
前記装置に電流を供給するステップと、 前記第２の格子からの前記出力を検出するステップと、 前記第２の格子の検出された出力にもとづいて、前記装
置への電流を調整するステップとを含む、表面発光装置
の出力監視方法。 １３、前記表面発光装置がアレイであり、前記出力を検
出するステップが、更にこのアレイからの出力を検出す
るステップを含む、請求項１２記載の表面発光装置の出
力監視方法。 １４、前記第２の格子の出力が放出放射光の光軸を有し
、前記出力を検出するステップが更に、実質的に平面の
受光表面を有する検出装置を、そのの受光表面が放出放
射光の光軸にほぼ直角であるように位置決めするステッ
プを含む、請求項１２記載の表面発光装置の出力監視方
法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US184,843 | 1988-04-25 | ||
| US07/184,843 US4872176A (en) | 1988-04-25 | 1988-04-25 | Device and method for monitoring a light-emitting device |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0221687A true JPH0221687A (ja) | 1990-01-24 |
Family
ID=22678590
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1103614A Pending JPH0221687A (ja) | 1988-04-25 | 1989-04-25 | 表面発光装置とその出力監視方法 |
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| US (1) | US4872176A (ja) |
| JP (1) | JPH0221687A (ja) |
| CA (1) | CA1302477C (ja) |
| DE (1) | DE3912800A1 (ja) |
| FR (1) | FR2630593A1 (ja) |
| GB (1) | GB2219134A (ja) |
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-
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- 1989-04-19 FR FR8905205A patent/FR2630593A1/fr not_active Withdrawn
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- 1989-04-25 JP JP1103614A patent/JPH0221687A/ja active Pending
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|---|---|
| GB2219134A (en) | 1989-11-29 |
| GB8909113D0 (en) | 1989-06-07 |
| FR2630593A1 (fr) | 1989-10-27 |
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