JPH0766383A - 半導体レーザ装置 - Google Patents
半導体レーザ装置Info
- Publication number
- JPH0766383A JPH0766383A JP21399693A JP21399693A JPH0766383A JP H0766383 A JPH0766383 A JP H0766383A JP 21399693 A JP21399693 A JP 21399693A JP 21399693 A JP21399693 A JP 21399693A JP H0766383 A JPH0766383 A JP H0766383A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor
- light
- diffraction grating
- laser
- laser device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Radar Systems And Details Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】光の出射方向が互いに異なる複数の同一波長の
レーザと、上記レーザ光を検出できる受光素子とを、同
一半導体基板上に構成した、低原価、軽量で、高い角度
分解能のレーザレーダを提供することにある。 【構成】同一半導体基板６に、全て同一波長のレーザ光
を出射する複数のＤＦＢ形半導体レーザ２７の群と、こ
れら半導体レーザ夫々と対をなし、夫々、互いに周期が
異なり一次回折効果で互いに異なる方向へレーザ光を出
射する複数個の第２回折格子５の群と、レーザ光を検出
できる受光素子２４と、半導体レーザを順次動作させて
光の出射方向を順次変化させる駆動回路２１と、半導体
レーザ光の出射時期と上記レーザ光に照射された物体か
らの散乱光を検出した時期との時間差により、上記物体
までの距離を計測する距離計数回路２２とを設けた。
レーザと、上記レーザ光を検出できる受光素子とを、同
一半導体基板上に構成した、低原価、軽量で、高い角度
分解能のレーザレーダを提供することにある。 【構成】同一半導体基板６に、全て同一波長のレーザ光
を出射する複数のＤＦＢ形半導体レーザ２７の群と、こ
れら半導体レーザ夫々と対をなし、夫々、互いに周期が
異なり一次回折効果で互いに異なる方向へレーザ光を出
射する複数個の第２回折格子５の群と、レーザ光を検出
できる受光素子２４と、半導体レーザを順次動作させて
光の出射方向を順次変化させる駆動回路２１と、半導体
レーザ光の出射時期と上記レーザ光に照射された物体か
らの散乱光を検出した時期との時間差により、上記物体
までの距離を計測する距離計数回路２２とを設けた。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、すべて同一波長のレ
ーザ光を複数方向へ出射する半導体レーザ及びそれを利
用した半導体レーザレーダに関する。
ーザ光を複数方向へ出射する半導体レーザ及びそれを利
用した半導体レーザレーダに関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の、互いに異なる方向へレーザ光を
出射する半導体レーザ装置としては、図８に示すような
ものがあった。図中、１５は出射ビーム、１６はレーザ
チップ、１７はプリント基板である。この半導体レーザ
では、ファブリペローの共振器を形成する必要があり、
その反射面には半導体結晶のへき開面などが用いられて
いる。しかし、へき開し易い方向は限られているのでレ
ーザ光の出る方向も限定される。例えば基板を（１０
０）ＧａＡｓ結晶とするとへき開面は｛１１０｝面で生
ずる。へき開面を用いずにエッチングによって反射面を
形成する方法もあるが、表面に垂直にエッチングがで
き、反射面として使えるのは｛１００｝面に限られてい
るために、任意の方向に出射することはできなかった
（参考文献 プロシーディング オブ ザ セブンス コン
ファレンス オン ソリッドステイト デヴァイシズ、Pro
ceeding of the 7th conference on Solid State Devic
es, 1975, pp.293)。従って、複数の方向に出射するた
めには図８に示すようなディスクリート構成になってい
た。具体的には、必要な数のレーザチップ１６を用意し
て、それらをプリント基板１７などに、あらかじめレー
ザ出射方向に角度差をつけて実装していた。
出射する半導体レーザ装置としては、図８に示すような
ものがあった。図中、１５は出射ビーム、１６はレーザ
チップ、１７はプリント基板である。この半導体レーザ
では、ファブリペローの共振器を形成する必要があり、
その反射面には半導体結晶のへき開面などが用いられて
いる。しかし、へき開し易い方向は限られているのでレ
ーザ光の出る方向も限定される。例えば基板を（１０
０）ＧａＡｓ結晶とするとへき開面は｛１１０｝面で生
ずる。へき開面を用いずにエッチングによって反射面を
形成する方法もあるが、表面に垂直にエッチングがで
き、反射面として使えるのは｛１００｝面に限られてい
るために、任意の方向に出射することはできなかった
（参考文献 プロシーディング オブ ザ セブンス コン
ファレンス オン ソリッドステイト デヴァイシズ、Pro
ceeding of the 7th conference on Solid State Devic
es, 1975, pp.293)。従って、複数の方向に出射するた
めには図８に示すようなディスクリート構成になってい
た。具体的には、必要な数のレーザチップ１６を用意し
て、それらをプリント基板１７などに、あらかじめレー
ザ出射方向に角度差をつけて実装していた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな従来の半導体レーザ装置には、（１）ディスクリー
ト構成のために原価と重量が増大する、（２）角度の正
確な設定が難しく、組み立て時の工数が非常にかかる、
（３）角度分解能を上げるには、非常に多くのレーザチ
ップと光学系が必要となる、などの問題点があった。本
発明は、上記従来のような問題点がなく、軽量、安価、
組立工数が少なくて済み、しかも十分な角度分解能を有
する半導体レーザ装置を提供することを課題とする。
うな従来の半導体レーザ装置には、（１）ディスクリー
ト構成のために原価と重量が増大する、（２）角度の正
確な設定が難しく、組み立て時の工数が非常にかかる、
（３）角度分解能を上げるには、非常に多くのレーザチ
ップと光学系が必要となる、などの問題点があった。本
発明は、上記従来のような問題点がなく、軽量、安価、
組立工数が少なくて済み、しかも十分な角度分解能を有
する半導体レーザ装置を提供することを課題とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明においては、同一半導体基板に、光の出射方向
が上記基板の主平面に平行ではなく、互いに異なってお
り、かつ、すべて同一波長のレーザ光を出射する複数の
半導体レーザと、上記レーザ光の波長に感度領域を有す
る受光素子と、上記半導体レーザを順次動作させて、光
の出射方向を順次変化させる手段とを設け、さらに、上
記光の出射方向が互いに異なる複数の半導体レーザ光
の、それぞれ、出射した時期と、上記レーザ光によって
照射された物体からの散乱光を検出した時期との間の時
間によって、上記物体までの距離を計測して出力する距
離計数回路を設けることにした。また、上記レーザ光の
出射方向が互いに異なる複数のレーザ光源を、比較的容
易に実現するための具体的手段として、同一半導体基板
上に、すべて同一波長のレーザ光を出射する複数の半導
体レーザが形成された半導体レーザ領域と、上記半導体
レーザのそれぞれに組み合わせられて１対をなす、それ
ぞれ、互いに周期が異なり、かつ一次回折効果によって
互いに異なった方向へレーザ光を出射する回折格子を複
数個形成させた回折格子領域とを、設けることにした。
に本発明においては、同一半導体基板に、光の出射方向
が上記基板の主平面に平行ではなく、互いに異なってお
り、かつ、すべて同一波長のレーザ光を出射する複数の
半導体レーザと、上記レーザ光の波長に感度領域を有す
る受光素子と、上記半導体レーザを順次動作させて、光
の出射方向を順次変化させる手段とを設け、さらに、上
記光の出射方向が互いに異なる複数の半導体レーザ光
の、それぞれ、出射した時期と、上記レーザ光によって
照射された物体からの散乱光を検出した時期との間の時
間によって、上記物体までの距離を計測して出力する距
離計数回路を設けることにした。また、上記レーザ光の
出射方向が互いに異なる複数のレーザ光源を、比較的容
易に実現するための具体的手段として、同一半導体基板
上に、すべて同一波長のレーザ光を出射する複数の半導
体レーザが形成された半導体レーザ領域と、上記半導体
レーザのそれぞれに組み合わせられて１対をなす、それ
ぞれ、互いに周期が異なり、かつ一次回折効果によって
互いに異なった方向へレーザ光を出射する回折格子を複
数個形成させた回折格子領域とを、設けることにした。
【０００５】
【作用】上記手段を採れば、すべて同一波長のレーザ光
を、互いに異なる方向へ出射する複数の半導体レーザ
と、上記レーザ光の波長に感度領域を有する受光素子
と、上記半導体レーザを順次動作させて、光の出射方向
を順次変化させる手段とを、同一半導体基板に形成させ
て１チップにまとめることができるので、十分な角度分
解能を有するにもかかわらず、軽量、安価で、組立工数
が少なくて済む所望の半導体レーザ装置が得られる。
を、互いに異なる方向へ出射する複数の半導体レーザ
と、上記レーザ光の波長に感度領域を有する受光素子
と、上記半導体レーザを順次動作させて、光の出射方向
を順次変化させる手段とを、同一半導体基板に形成させ
て１チップにまとめることができるので、十分な角度分
解能を有するにもかかわらず、軽量、安価で、組立工数
が少なくて済む所望の半導体レーザ装置が得られる。
【０００６】
【実施例】図１は、本発明の第１実施例図である。本実
施例では、図１に示すように、５つの半導体レーザを集
積化している。半導体基板６には、レーザアレイ領域１
と、回折格子領域２の２領域が形成されている。レーザ
アレイ領域１には、５つの同じ構造の半導体レーザ３が
形成されている。回折格子領域２には、それぞれ周期が
異なる回折格子２（５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄ、５ｅ）が
形成されている。個々の構成については図２によって説
明する。
施例では、図１に示すように、５つの半導体レーザを集
積化している。半導体基板６には、レーザアレイ領域１
と、回折格子領域２の２領域が形成されている。レーザ
アレイ領域１には、５つの同じ構造の半導体レーザ３が
形成されている。回折格子領域２には、それぞれ周期が
異なる回折格子２（５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄ、５ｅ）が
形成されている。個々の構成については図２によって説
明する。
【０００７】図２は、図１に示した互いに対応する１対
の半導体レーザと回折格子の組を説明するための、図１
中に示すＡ−Ａ′線断面図である。半導体基板６上に
は、複数の層からなる半導体薄膜１０を成長させてあ
る。この薄膜１０は、活性層７及び上部クラッド層８、
下部クラッド層９から成り立っている。近赤外線領域で
動作させる場合には、半導体基板６としてはＧａＡｓ基
板、活性層７としてはＧａＡｓ、クラッド層８、９とし
てはＡｌＧａＡｓを用いる。さらに、活性層７の一端は
へき開面１１で反射鏡面であり、他方の上部クラッド層
８には第１回折格子４と第２回折格子５が形成されてい
る。第１回折格子４は、ＤＢＲ（Distrib-uted Bragg R
efrecter）として働き、前述のへき開面１１とで共振器
を構成している。なお、１２はキャップ層、１３は上部
電極、１４は下部電極である。上記第１回折格子４の周
期をＴ1、媒質の屈折率をｎeとし１次の回折効果を利用
すると波長λ1＝２＊ｎe＊Ｔ1で発振する。第２回折格
子５は、レーザ光を上方へ導くために用いられる。その
周期をＴ2、回折光の波面と基板６とのなす角をθと
し、１次の回折効果を利用するとＴ2＝λ1／（ｎe＊
（１＋sinθ））（０＜θ≦９０°）が満たされる方向
へ出射される。従ってθを大きく、すなわち基板と平行
に近い方向へ出射させたい場合には第２回折格子５の周
期を小さくすればよい。図１においては、添字ａを附し
た方が基板に平行に近く、添字ｅを附した方が基板に垂
直に近い方向へ出射される。その様子を図３に示す。図
３中、１５は出射ビームである。製造方法は、通常のＤ
ＢＲレーザと何等変わりなく、第２回折格子５のパター
ンを追加するだけであるから、工程数は従来のＤＢＲと
殆ど変わらない。
の半導体レーザと回折格子の組を説明するための、図１
中に示すＡ−Ａ′線断面図である。半導体基板６上に
は、複数の層からなる半導体薄膜１０を成長させてあ
る。この薄膜１０は、活性層７及び上部クラッド層８、
下部クラッド層９から成り立っている。近赤外線領域で
動作させる場合には、半導体基板６としてはＧａＡｓ基
板、活性層７としてはＧａＡｓ、クラッド層８、９とし
てはＡｌＧａＡｓを用いる。さらに、活性層７の一端は
へき開面１１で反射鏡面であり、他方の上部クラッド層
８には第１回折格子４と第２回折格子５が形成されてい
る。第１回折格子４は、ＤＢＲ（Distrib-uted Bragg R
efrecter）として働き、前述のへき開面１１とで共振器
を構成している。なお、１２はキャップ層、１３は上部
電極、１４は下部電極である。上記第１回折格子４の周
期をＴ1、媒質の屈折率をｎeとし１次の回折効果を利用
すると波長λ1＝２＊ｎe＊Ｔ1で発振する。第２回折格
子５は、レーザ光を上方へ導くために用いられる。その
周期をＴ2、回折光の波面と基板６とのなす角をθと
し、１次の回折効果を利用するとＴ2＝λ1／（ｎe＊
（１＋sinθ））（０＜θ≦９０°）が満たされる方向
へ出射される。従ってθを大きく、すなわち基板と平行
に近い方向へ出射させたい場合には第２回折格子５の周
期を小さくすればよい。図１においては、添字ａを附し
た方が基板に平行に近く、添字ｅを附した方が基板に垂
直に近い方向へ出射される。その様子を図３に示す。図
３中、１５は出射ビームである。製造方法は、通常のＤ
ＢＲレーザと何等変わりなく、第２回折格子５のパター
ンを追加するだけであるから、工程数は従来のＤＢＲと
殆ど変わらない。
【０００８】図４は本発明の第２実施例図である。この
実施例は受光素子及び処理回路も同一基板上に集積した
レーザレーダの例である。まず、構成を説明する。半導
体基板６の図中下部には、１０個のＤＦＢ（分布帰還形
Distributed Feedback）レーザ２７、それを駆動する
ＨＥＭＴ２６、光を偏向させる第２回折格子５がある。
ＨＥＭＴ２６に順次信号を与えＤＦＢレーザ２７を順次
動作させる駆動回路２１、レーザに照射された物体から
の反射光を検出する受光素子２４、その出力信号を増幅
する前置増幅器２３、駆動回路２１と前置増幅器２３か
らの信号で物体との距離を算出する距離計数回路２２、
電源回路２０、入出力パッド２５が残りの部分（図中上
部）に形成されている。図４中に示すＢ−Ｂ′線に沿う
断面図を図６に示してある。この実施例では、ＤＦＢレ
ーザ２７とＨＥＭＴ２６を集積化するために高抵抗層３
３を設けて素子分離を行なっている。また、活性層７へ
の電気的な接続は拡散層３２によって行なっている。さ
らに、２９はＨＥＭＴのゲート電極、３１が電子走行層
である。ＨＥＭＴ２６間の分離は、Ｏ+イオン注入等に
よる素子分離領域３０でなされている。なお、図示して
はないが、受光素子２４はフォトダイオードで、その他
の回路部は前述のＨＥＭＴなどを用いている。また、受
光素子２４へのレーザ光の影響を防ぐために、図４に示
す光遮断領域２８を設けてある。光の出射は、図５に示
すように行なわれ、順次スイッチングしていく。ある方
向に出射された光は物体にあたって反射（一般に散乱
光）され戻って来る。その光を受光素子２４で検出し、
前置増幅器２３で増幅し、距離計数回路２２へ送る。こ
の回路では光の出射から反射光検出までの時間で距離情
報を、どのレーザからの光なのかを判断することにより
方向の情報を得て、その情報を出力する。本第２実施例
では、回折格子方向でのビームの広がりは非常に小さ
く、それと直角な方向には適当に広がる、所謂ファンビ
ーム形状の光となるので、レーザレーダに利用する場合
には非常に都合が良く、従って、光学系が不要になり、
基板と直角な方向へ光が出射されるので受光素子を集積
化することも簡単にできる。
実施例は受光素子及び処理回路も同一基板上に集積した
レーザレーダの例である。まず、構成を説明する。半導
体基板６の図中下部には、１０個のＤＦＢ（分布帰還形
Distributed Feedback）レーザ２７、それを駆動する
ＨＥＭＴ２６、光を偏向させる第２回折格子５がある。
ＨＥＭＴ２６に順次信号を与えＤＦＢレーザ２７を順次
動作させる駆動回路２１、レーザに照射された物体から
の反射光を検出する受光素子２４、その出力信号を増幅
する前置増幅器２３、駆動回路２１と前置増幅器２３か
らの信号で物体との距離を算出する距離計数回路２２、
電源回路２０、入出力パッド２５が残りの部分（図中上
部）に形成されている。図４中に示すＢ−Ｂ′線に沿う
断面図を図６に示してある。この実施例では、ＤＦＢレ
ーザ２７とＨＥＭＴ２６を集積化するために高抵抗層３
３を設けて素子分離を行なっている。また、活性層７へ
の電気的な接続は拡散層３２によって行なっている。さ
らに、２９はＨＥＭＴのゲート電極、３１が電子走行層
である。ＨＥＭＴ２６間の分離は、Ｏ+イオン注入等に
よる素子分離領域３０でなされている。なお、図示して
はないが、受光素子２４はフォトダイオードで、その他
の回路部は前述のＨＥＭＴなどを用いている。また、受
光素子２４へのレーザ光の影響を防ぐために、図４に示
す光遮断領域２８を設けてある。光の出射は、図５に示
すように行なわれ、順次スイッチングしていく。ある方
向に出射された光は物体にあたって反射（一般に散乱
光）され戻って来る。その光を受光素子２４で検出し、
前置増幅器２３で増幅し、距離計数回路２２へ送る。こ
の回路では光の出射から反射光検出までの時間で距離情
報を、どのレーザからの光なのかを判断することにより
方向の情報を得て、その情報を出力する。本第２実施例
では、回折格子方向でのビームの広がりは非常に小さ
く、それと直角な方向には適当に広がる、所謂ファンビ
ーム形状の光となるので、レーザレーダに利用する場合
には非常に都合が良く、従って、光学系が不要になり、
基板と直角な方向へ光が出射されるので受光素子を集積
化することも簡単にできる。
【０００９】図７は本発明の第３実施例図である。この
実施例は、垂直共振器型半導体レーザに適用した例であ
る。まず、構成を説明する。半導体基板６には化合物半
導体薄膜１０及び等方性エッチング面３５を形成してあ
る。この面３５の形成には、ＨＣｌ：Ｈ2Ｏ2：Ｈ2Ｏ＝
８０：４：１などの等方性エッチング液を用いる。半導
体薄膜１０は、多層反射膜１８、活性層７、キャップ層
１２、オーミックコンタクト層１９、高抵抗層３３、電
子供給層３６で構成されている。ＨＥＭＴ２６部分の構
成は第２実施例と同じなので説明は省略する。活性層７
への電流注入は、上部電極１３と下部電極１４によって
行なわれるが、必要な部分だけに電流が流れるように絶
縁層３４に形成されているコンタクトホールを介して行
なわれる。活性層７で発生した光は、多層反射膜１８と
上部電極１３の間で反射される。多層反射膜１８を抜け
たレーザ光は、基板６と空気の屈折率の違いによって等
方性エッチング面３５で屈折する。その際の角度はスネ
ルの法則に従い、ｎ1＊sinθ1＝ｎ2＊sinθ2（ｎ1、ｎ2
はそれぞれ空気、基板の屈折率、θ1、θ2は図中に示
す）で表わされる。一般にｎ1＜ｎ2であるからθ1＞θ2
となり図のように屈折する。入射角θ2は、レーザ（す
なわち上部電極１３）と等方性エッチング面３５との相
対的な位置関係で決まるので図に示すように位置を適当
に選ぶことによって多方向にレーザ光を出射することが
できる。
実施例は、垂直共振器型半導体レーザに適用した例であ
る。まず、構成を説明する。半導体基板６には化合物半
導体薄膜１０及び等方性エッチング面３５を形成してあ
る。この面３５の形成には、ＨＣｌ：Ｈ2Ｏ2：Ｈ2Ｏ＝
８０：４：１などの等方性エッチング液を用いる。半導
体薄膜１０は、多層反射膜１８、活性層７、キャップ層
１２、オーミックコンタクト層１９、高抵抗層３３、電
子供給層３６で構成されている。ＨＥＭＴ２６部分の構
成は第２実施例と同じなので説明は省略する。活性層７
への電流注入は、上部電極１３と下部電極１４によって
行なわれるが、必要な部分だけに電流が流れるように絶
縁層３４に形成されているコンタクトホールを介して行
なわれる。活性層７で発生した光は、多層反射膜１８と
上部電極１３の間で反射される。多層反射膜１８を抜け
たレーザ光は、基板６と空気の屈折率の違いによって等
方性エッチング面３５で屈折する。その際の角度はスネ
ルの法則に従い、ｎ1＊sinθ1＝ｎ2＊sinθ2（ｎ1、ｎ2
はそれぞれ空気、基板の屈折率、θ1、θ2は図中に示
す）で表わされる。一般にｎ1＜ｎ2であるからθ1＞θ2
となり図のように屈折する。入射角θ2は、レーザ（す
なわち上部電極１３）と等方性エッチング面３５との相
対的な位置関係で決まるので図に示すように位置を適当
に選ぶことによって多方向にレーザ光を出射することが
できる。
【００１０】
【発明の効果】以上説明してきたように本発明によれ
ば、互いに光の出射方向が異なる複数のレーザとレーザ
光の波長に感度領域のある受光素子とを同一半導体基板
上に構成することにより、低原価、軽量でありながら、
高い角度分解能が得られている。特に第２実施例のよう
にすれば、互いに異なる複数方向へレーザ光を順次出射
するレーダ全体が同一半導体基板上に集積化されている
から、小形、軽量になるのは勿論、結局、低原価になっ
ている。
ば、互いに光の出射方向が異なる複数のレーザとレーザ
光の波長に感度領域のある受光素子とを同一半導体基板
上に構成することにより、低原価、軽量でありながら、
高い角度分解能が得られている。特に第２実施例のよう
にすれば、互いに異なる複数方向へレーザ光を順次出射
するレーダ全体が同一半導体基板上に集積化されている
から、小形、軽量になるのは勿論、結局、低原価になっ
ている。
【図１】本発明第１実施例の上面図である。
【図２】第１実施例の互いに対応する１対の半導体レー
ザと回折格子の組を説明するための、図１中に示すＡ−
Ａ′線断面図である。
ザと回折格子の組を説明するための、図１中に示すＡ−
Ａ′線断面図である。
【図３】第１実施例で、出射されるレーザ光の方向が順
次変化する様子を模式的に示す図である。
次変化する様子を模式的に示す図である。
【図４】第２実施例の上面図である。
【図５】第２実施例で、出射されるレーザ光の方向が順
次変化する様子を模式的に示す図である。
次変化する様子を模式的に示す図である。
【図６】第２実施例の互いに対応する１対の半導体レー
ザと回折格子の組を説明するための、図４中に示すＢ−
Ｂ′線に沿う断面図である。
ザと回折格子の組を説明するための、図４中に示すＢ−
Ｂ′線に沿う断面図である。
【図７】垂直共振器型半導体レーザを用いた第３実施例
の断面図である。
の断面図である。
【図８】従来の、互いに異なる方向へレーザ光を出射す
るために、ファブリペロー型共振器を用いた半導体レー
ザ装置を複数個配列した例を示す平面図である。
るために、ファブリペロー型共振器を用いた半導体レー
ザ装置を複数個配列した例を示す平面図である。
１…レーザアレイ領域 ２…回折格子領域 ３…レーザ ４…第１回折格子 ５…第２回折格子 ６…半導体基板 ７…活性層 ８…上部クラッド
層 ９…下部クラッド層 １０…半導体薄膜 １１…へき開面 １２…キャップ層 １３…上部電極 １４…下部電極 １５…出射ビーム １６…レーザチッ
プ １７…プリント基板 １８…多層反射膜 １９…オーミックコンタクト層 ２０…電源回路 ２１…駆動回路 ２２…距離計数回
路 ２３…前置増幅器 ２４…受光素子 ２５…入出力パッド ２６…ＨＥＭＴ ２７…ＤＦＢレーザ ２８…光遮断領域 ２９…ゲート電極 ３０…素子分離領
域 ３１…電子走行層 ３２…拡散層 ３３…高抵抗層 ３４…絶縁層 ３５…等方性エッチング面 ３６…電子供給層
層 ９…下部クラッド層 １０…半導体薄膜 １１…へき開面 １２…キャップ層 １３…上部電極 １４…下部電極 １５…出射ビーム １６…レーザチッ
プ １７…プリント基板 １８…多層反射膜 １９…オーミックコンタクト層 ２０…電源回路 ２１…駆動回路 ２２…距離計数回
路 ２３…前置増幅器 ２４…受光素子 ２５…入出力パッド ２６…ＨＥＭＴ ２７…ＤＦＢレーザ ２８…光遮断領域 ２９…ゲート電極 ３０…素子分離領
域 ３１…電子走行層 ３２…拡散層 ３３…高抵抗層 ３４…絶縁層 ３５…等方性エッチング面 ３６…電子供給層
Claims (8)
- 【請求項１】光の出射方向が基板の主平面に平行でなく
互いに異なっている複数の半導体レーザと、 上記レーザ光の波長に感度領域を有する受光素子とを、 同一半導体基板上に有する半導体レーザ装置。 - 【請求項２】上記複数の半導体レーザは、すべて同一波
長のレーザ光を出射することを特徴とする請求項１記載
の半導体レーザ装置。 - 【請求項３】上記半導体レーザを順次動作させることに
より、光の出射方向を順次変化させる手段を、同一基板
上に有することを特徴とする請求項１又は２記載の半導
体レーザ装置。 - 【請求項４】上記半導体レーザ光を出射した時期と、上
記レーザ光によって照射された物体からの散乱光を検出
した時期との間の時間によって、上記物体までの距離を
計測して出力する距離計数回路を有することを特徴とす
る請求項１又は２又は３記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項５】複数の半導体レーザが形成された半導体レ
ーザ領域と、 上記半導体レーザのそれぞれと対をなし、それぞれ、周
期が互いに異なり、かつ回折効果により互いに異なる方
向へレーザ光を出射する回折格子を、複数個形成させた
回折格子領域とを、 同一半導体基板上に有する半導体レーザ装置。 - 【請求項６】上記複数の半導体レーザは、すべて同一波
長のレーザ光を出射することを特徴とする請求項５記載
の半導体レーザ装置。 - 【請求項７】上記回折格子は、一次の回折効果によって
基板主平面と平行でない方向へレーザ光を出射すること
を特徴とする請求項５又は６記載の半導体レーザ装置。 - 【請求項８】上記レーザ光の波長に感度領域を有する受
光素子を、同一半導体基板上に有することを特徴とする
請求項５又は６又は７記載の半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21399693A JPH0766383A (ja) | 1993-08-30 | 1993-08-30 | 半導体レーザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21399693A JPH0766383A (ja) | 1993-08-30 | 1993-08-30 | 半導体レーザ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0766383A true JPH0766383A (ja) | 1995-03-10 |
Family
ID=16648535
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21399693A Pending JPH0766383A (ja) | 1993-08-30 | 1993-08-30 | 半導体レーザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0766383A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009503887A (ja) * | 2005-08-05 | 2009-01-29 | ゼネラル・ナノ・オプティクス・リミテッド | インジェクションレーザ |
| JP2018512562A (ja) * | 2015-01-20 | 2018-05-17 | ディジレンズ・インコーポレイテッド | ホログラフィック導波路ライダー |
| US10712571B2 (en) | 2013-05-20 | 2020-07-14 | Digilens Inc. | Holograghic waveguide eye tracker |
| US10983340B2 (en) | 2016-02-04 | 2021-04-20 | Digilens Inc. | Holographic waveguide optical tracker |
| US11009699B2 (en) | 2012-05-11 | 2021-05-18 | Digilens Inc. | Apparatus for eye tracking |
| US11353561B2 (en) | 2017-11-17 | 2022-06-07 | Denso Corporation | Distance measuring sensor |
| US11480788B2 (en) | 2015-01-12 | 2022-10-25 | Digilens Inc. | Light field displays incorporating holographic waveguides |
| US11592614B2 (en) | 2019-08-29 | 2023-02-28 | Digilens Inc. | Evacuated gratings and methods of manufacturing |
| US11726329B2 (en) | 2015-01-12 | 2023-08-15 | Digilens Inc. | Environmentally isolated waveguide display |
| US11754842B2 (en) | 2015-10-05 | 2023-09-12 | Digilens Inc. | Apparatus for providing waveguide displays with two-dimensional pupil expansion |
-
1993
- 1993-08-30 JP JP21399693A patent/JPH0766383A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009503887A (ja) * | 2005-08-05 | 2009-01-29 | ゼネラル・ナノ・オプティクス・リミテッド | インジェクションレーザ |
| US11994674B2 (en) | 2012-05-11 | 2024-05-28 | Digilens Inc. | Apparatus for eye tracking |
| US11009699B2 (en) | 2012-05-11 | 2021-05-18 | Digilens Inc. | Apparatus for eye tracking |
| US11662590B2 (en) | 2013-05-20 | 2023-05-30 | Digilens Inc. | Holographic waveguide eye tracker |
| US10712571B2 (en) | 2013-05-20 | 2020-07-14 | Digilens Inc. | Holograghic waveguide eye tracker |
| US11740472B2 (en) | 2015-01-12 | 2023-08-29 | Digilens Inc. | Environmentally isolated waveguide display |
| US11726329B2 (en) | 2015-01-12 | 2023-08-15 | Digilens Inc. | Environmentally isolated waveguide display |
| US11480788B2 (en) | 2015-01-12 | 2022-10-25 | Digilens Inc. | Light field displays incorporating holographic waveguides |
| US10732266B2 (en) | 2015-01-20 | 2020-08-04 | Digilens Inc. | Holograghic waveguide LIDAR |
| JP2018512562A (ja) * | 2015-01-20 | 2018-05-17 | ディジレンズ・インコーポレイテッド | ホログラフィック導波路ライダー |
| US11754842B2 (en) | 2015-10-05 | 2023-09-12 | Digilens Inc. | Apparatus for providing waveguide displays with two-dimensional pupil expansion |
| US10983340B2 (en) | 2016-02-04 | 2021-04-20 | Digilens Inc. | Holographic waveguide optical tracker |
| US11353561B2 (en) | 2017-11-17 | 2022-06-07 | Denso Corporation | Distance measuring sensor |
| US11592614B2 (en) | 2019-08-29 | 2023-02-28 | Digilens Inc. | Evacuated gratings and methods of manufacturing |
| US11899238B2 (en) | 2019-08-29 | 2024-02-13 | Digilens Inc. | Evacuated gratings and methods of manufacturing |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5032879A (en) | Integrated semiconductor diode laser and photodiode structure | |
| US4293826A (en) | Hybrid semiconductor laser/detectors | |
| US6765948B2 (en) | VCSEL assembly with edge-receiving optical devices | |
| US5434434A (en) | Semiconductor optical device having device regions and diffraction gratings | |
| US4297653A (en) | Hybrid semiconductor laser/detectors | |
| US5732101A (en) | VCSEL device and optical pickup apparatus adopting the same | |
| JP2768988B2 (ja) | 端面部分コーティング方法 | |
| JP2925237B2 (ja) | 半導体放射素子の放射光結合システムおよびこれを用いた放射光処理アレイ | |
| US8081671B2 (en) | Optoelectronic device and method of operating optoelectronic device | |
| US6678432B2 (en) | Optical integrated device, semiconductor laser module and optical transmitter | |
| JP2006060204A (ja) | 自己監視式発光装置 | |
| US20050180482A1 (en) | Very low cost surface emitting laser diode arrays | |
| JPH0766383A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| US5408105A (en) | Optoelectronic semiconductor device with mesa | |
| JP3099921B2 (ja) | 受光素子付き面発光型半導体レーザ装置 | |
| US7558489B2 (en) | Method and apparatus for monitoring the power level of two or more optical transmitters | |
| US5438208A (en) | Mirror coupled monolithic laser diode and photodetector | |
| EP0805528A2 (en) | Reflection power monitoring system for vertical cavity surface emitting lasers | |
| JPH11261111A (ja) | モニタ機構を備えた発光装置 | |
| JP2022139943A (ja) | 面発光レーザアレイ、光源モジュール及び測距装置 | |
| US20100237358A1 (en) | Light-emitting device and light-emitting module | |
| JPH07202256A (ja) | 光集積型センサ | |
| US6631005B1 (en) | Optical displacement sensor having a semiconductor laser light source using an optical element which can control beam angle and a beam shape | |
| JPS62217226A (ja) | 光制御装置 | |
| JPH0685456B2 (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法 |