FR2630593A1 - Dispositif et procede pour surveiller un dispositif electroluminescent - Google Patents
Dispositif et procede pour surveiller un dispositif electroluminescent Download PDFInfo
- Publication number
- FR2630593A1 FR2630593A1 FR8905205A FR8905205A FR2630593A1 FR 2630593 A1 FR2630593 A1 FR 2630593A1 FR 8905205 A FR8905205 A FR 8905205A FR 8905205 A FR8905205 A FR 8905205A FR 2630593 A1 FR2630593 A1 FR 2630593A1
- Authority
- FR
- France
- Prior art keywords
- region
- network
- covering
- output
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/105—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the mutual position or the reflecting properties of the reflectors of the cavity, e.g. by controlling the cavity length
- H01S3/1055—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating by controlling the mutual position or the reflecting properties of the reflectors of the cavity, e.g. by controlling the cavity length one of the reflectors being constituted by a diffraction grating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
- H01S5/125—Distributed Bragg reflector [DBR] lasers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/185—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only horizontal cavities, e.g. horizontal cavity surface-emitting lasers [HCSEL]
- H01S5/187—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only horizontal cavities, e.g. horizontal cavity surface-emitting lasers [HCSEL] using Bragg reflection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
- H01S5/1206—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers having a non constant or multiplicity of periods
- H01S5/1215—Multiplicity of periods
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
Un dispositif électroluminescent comporte un substrat et une région à cavité recouvrant ce substrat. La région à cavité comprend une région à réseau recouvrant des parties exposées de la surface constituée d'une première région à réseau 42 ayant une première période et d'une seconde région à réseau 44 ayant une période différente de la première. Sur les autres parties de la région à cavité, une région active recouvre la couche à cavité et une couche formant coiffe recouvre la région active. Le dispositif est surveillé en formant un dispositif à surface émettrice avec des premier et second réseaux ayant des périodes différentes. Le courant est appliqué au dispositif de façon que le rayonnement soit émis par le réseau et que la sortie soit détectée par le second réseau de façon que le courant soit ajusté sur la base de la sortie du second réseau. Application aux dispositifs électroluminescents.
Description
La présente invention concerne un dispositif et un procédé pour surveiller
la sortie de dispositifs à surface émettrice. Un type de construction d'un dispositif à surface émettrice utilise la surface d'un réseau dans un laser guidé
par indice à grande cavité optique. On peut former ces dis-
positifs sur un seul substrat afin de constituer un assem-
blage de dispositifs qui émettent un diagramme de rayonne-
ment qui est en général approximativement perpendiculaire à
- la surface du réseau. La sortie de ces assemblages est géné-
ralement surveillée en insérant un dispositif de détection, tel qu'un assemblage de dispositifs à transfert de charges
dans ce diagramme de rayonnement. Il est nécessaire de pro-
céder initialement à cette surveillance pour régler les cou-
rants d'attaque afin de produire la configuration désirée du champ lointain et en outre il faut en général faire cette surveillance pour ajuster les courants d'attaque afin de compenser les variations des conditions ambiantes ainsi que le vieillissement du dispositif. Par conséquent, il serait souhaitable d'avoir un dispositif électroluminescent et un procédé de surveillance du dispositif dans lesquels -2 -
l'équipement de surveillance n'est pas inséré dans le dia-
gramme de rayonnement primaire.
Selon la présente invention, un dispositif à sur-
face émettrice comprend un substrat ayant une zone à grande cavité optique recouvrant le substrat. La zone à grande cavité optique comporte des surfaces exposées ainsi que non exposées. Recouvrant les zones non exposées il y a une région active et une couche formant coiffe recouvrant la régi6n active. Recouvrant la zone.exposée de la région à grande cavité optique, il y a une région à réseau constituée d'une première région ayant une première période et d'une
seconde région ayant une période différente de la première.
La présente invention comprend également un assem-
blage de dispositifs à surface émettrice. Cet assemblage comporte un substrat, une région à grande cavité optique
recouvrant le substrat, une première région active recou-
vrant une première partie de la région à cavité et une seconde région active recouvrant une seconde partie de la région à cavité. Des couches formant coiffe recouvrent les régions actives et le dispositif comporte un moyen pour
mettre en contact électrique le substrat et les couches for-
mant coiffe. Une première région à réseau recouvre la région
à cavité et la région à réseau est constituée d'une multi-
tude d'éléments pratiquement espacés de la même distance.
Une seconde région à réseau recouvre également la région à
cavité qui comporte une multitude d'éléments ayant un espa-
cement différent de celui de la première région à réseau.
Enfin, la présente invention comprend un procédé
de surveillance du dispositif électroluminescent qui com-
porte l'étape consistant à former un dispositif à surface émettrice avec des premier et second réseaux, les réseaux ayant des périodes différentes. Un courant est appliqué au dispositif de façon que le rayonnement soit émis par le réseau et la sortie est détectée par le second réseau de sorte que le courant entrant dans le dispositif est ajusté - 3 -
sur la base de la sortie du second réseau.
La suite de la description se réfère aux figures
annexées qui représentent respectivement Figure 1, une vue d'ensemble d'un réseau à surface émettrice comprenant une multitude de sections à diode en semi-conducteur; Figure 2, une vue en coupe des sections à diode; Figure 3, une vue d'une région formant réseau;
Figure 4, une variante de réseau.
En figure 1, un assemblage 10 à surface émettrice
comprend une multitude de sections 11 à diode en semi-
conducteur. Comme représenté en figure 2, ces sections 11 à diode comporte un substrat 12 présentant sur leur-surface une première région d'habillage 14. Une région 16 à grande cavité optique recouvre la première région d'habillage 14; une région active 18 recouvre la région 16 à cavité optique; une seconde région d'habillage 20 recouvre la région active 18, et une couche 22 formant coiffe recouvre la seconde région d'habillage 20. Un -moyen de raccordement
électrique du dispositif comprend un premier contact élec-
trique 30 qui recouvre la surface du substrat 12, à l'opposé de la première région d'habillage 14, et un second contact électrique 32 qui recouvre la couche 22 formant coiffe. Dans l'assemblage de la figure 1, les sections à diode 11 sont connectées ensemble par la région 16 à cavité qui s'étend entre elles, et recouvrant la région à cavité 16 entre les sections à diode se trouve une région à réseau 40. La région à réseau 40 est généralement constituée d'une multitude d'éléments 41 sensiblement parallèles formés sur la surface de la région 16 à cavité. Comme représenté en figure 3, la région à réseau 40 comprend un premier réseau de sortie 42, les réseaux ayant une période 43 sensiblement égale et un second réseau de surveillance 44,r chaque période 45 de ce réseau de surveillance étant différente de la période 43 du réseau de sortie. On remarquera que les réseaux de sortie et - 4 - de surveillance 42 et 44, respectivement, peuvent être contigus comme dans le cas de la figure 3. En variante, on peut utiliser d'autres systèmes de réseau comme en figure 4 dans laquelle une partie du réseau de sortie 42 est placée sur le réseau de surveillance 44 de façon que le réseau de
sortie 42 soit une modulation du réseau de surveillance 44.
Le substrat 12 est généralement constitué de GaAs du type N ayant une épaisseur d'environ 250 micromètres et comportant une première surface principale parallèle au plan cristallographique (100) ou légèrement déviée de ce plan. La première région d'habillage 14 a généralement une épaisseur d'environ 1,26 >m et est typiquement constituée de AlxGal_xAs du type N, o x est généralement compris entre environ 0,2 et 0,4 et a typiquement 0,27 comme valeur
L'épaisseur de la région à cavité 16 est généralement com-
prise entre environ 0,25 et 0,60 pm et celle-ci est typique-
ment constituée de AlxGalxAs du type N o x est générale-
ment compris entre environ 0,15 et 0,25 et est typiquement d'environ 0,18. La-région active 18 a généralement environ 0,08 pm d'épaisseur et est typiquement constituée de AlxGal_xAs du type N o x est généralement égal à environ 0,06. La seconde région d'habillage 20 a une épaisseur généralement comprise entre environ 1,2 et 1,7 pm et est typiquement constituée de AlxGa lxAs du type N o x est égal à environ 0,4. Le premier contact électrique 30 est de préférence constitué de couches de germanium, d'or, de nickel et d'or déposées les unes à la suite des 'autres. Le second contact électrique 32 est de préférence constitué de couches de titane, de platine et d'or qui sont déposées les e30 unes à la suite des autres sur une surface à Zn ou Cd diffusé. On remarquera que d'autres structures de dispositifs à surface émettrice qui utilisent un réseau en surface peuvent également être utilisées dans la présente invention. L'assemblage 10 peut se fabriquer en utilisant les -5 - techniques standard d'épitaxie en phase liquide pour déposer les couches et les régions. Des techniques appropriées d'épitaxie en phase liquide ont été décrites par Lockwood et autres dans le brevet des Etats-Unis d'Amérique n 3 753 801 qu'on incorpore ici à titre de référence. Un agent photoresistant est alors formé sur les sections à diode 11 et le second contact électrique 32 est alors enlevé par fraisage ionique à l'extérieur des sections à diode 11. La couche 22 formant coiffe, la seconde région d'habillage 20 et la
région active 18 sont alors enlevées de l'extérieur des sec-
tions à diode 11, généralement par un agent chimique tel qu'une solution HF tamponnée et H2S04: H202: H20. La région à réseau est généralement formée en créant d'abord le
réseau de sortie 42 en formant un réseau périodique par uti-
lisation des techniques standard d'holographie et de gra-
vure. En variante, on peut former le réseau par fraisage ionique. Typiquement, la période du réseau de sortie 43 est d'environ 240 nanomètres (nm). On remarquera qu'il peut
s'avérer souhaitable de former d'abord le réseau de surveil-
lance 44 afin d'obtenir d'autres configurations que celle représentée en figure 4. Le réseau de surveillance 44 est obtenu en faisant appel à la même technique afin d'.avoir une longueur périodique différente de celle du réseau de sortie de façon que l'angle de l'axe optique du rayonnement émis par le réseau de surveillance 44 par rapport au plan des
couches soit différent de l'angle de l'axe optique du rayon-
nement émis par le réseau de sortie 42. De préférence, la longueur périodique du réseau de surveillance 44 est plus grande que celle du réseau de sortie 42. Typiquement, l'angle de sortie 4 par rapport au réseau de surveillance mesuré par rapport à la surface sera environ: 4 = COS-1 [(neA -Amc)/(no^)] o A est la longueur d'onde du rayonnement, mc est un nombre entier (1, 2, 3...), A la période du réseau de surveillance, ne l'indice effectif de réfraction dans la - 6 - région à grande. cavité optique et no l'indice effectif de réfraction dans l'air. ^ peut être d'environ 375 nm de
sorte que sera d'environ 10 .
En fonctionnement, une tension de polarisation ayant une polarité appropriée est appliquée aux premier et
second contacts électriques 30 et 32 respectivement, produi-
sant un rayonnement dans la région active 18. Ce rayonnement est émis en partie par le réseau de sortie 42. L'axe optique du rayonnement émis est généralement perpendiculaire au plan des couches. Une partie du rayonnement est également émise par le réseau de surveillance. Un dispositif de détection tel qu'un réseau de détecteurs à transfert de charges, comme cela est connu dans la technique, est placé de manière à recevoir le rayonnement provenant du réseau de surveillance
et le plan du dispositif de détection est généralement per-
pendiculaire à l'axe optique du rayonnement émis par le réseau de surveillance. Le dispositif de détection transmet des signaux électriques à un dispositif de vision, qui décrit la sortie du réseau de surveillance. Cette sortie du réseau de surveillance 44 aura une relation unique avec la sortie du réseau de sortie 42 car chacun est soumis aux mêmes conditions d'interférence. Par exemple, dans certaines configurations, un simple lobe de la sortie du réseau de surveillance 44 correspondra à un seul. lobe du réseau de sortie. On doit remarquer que cette relation unique n'a pas nécessairement la même configuration pour les réseaux de sortie et de surveillance 42 et 44 respectivement, et est donc déterminée en général expérimentalement de manière empirique en surveillant d'abord les sorties des deux réseaux. Par conséquent, le courant fourni au dispositif
sera ajusté aux valeurs initialement désirées pour les cou-
rants d'attaque en observant la sortie du réseau de surveil-
lance 44 et sera ensuite réglé afin de le compenser pour
tenir compte du vieillissement ou des variations des condi-
tions ambiantes.
- 7 -
Claims (14)
1. Dispositif à surface émettrice (10) caractérisé en ce qu'il comprend: un substrat (12), une région (16) à grande cavité optique recouvrant le substrat ayant une zone exposée et une zone non exposée, une région active (18) recouvrant la zone non exposée de la région à grande cavité optique, une couche formant coiffe (22) recouvrant la région active, des moyens (30, 32) pour contact électrique avec le substrat et la couche formant coiffe,
une région à réseau (40) recouvrant la zone expo-
sée de la région à grande cavité optique ayant une première
région à réseau (42).présentant une première longueur pério-
dique et une seconde région à -réseau (44) présentant une longueur périodique différente de celle de la première
région à réseau.
2. Dispositif selon la revendication 1, caracté-
risé en ce qu'il s'agit d'un laser.
3. Dispositif selon la revendication 1, caracté-
risé en ce qu'il est constitué d'un réseau de dispositifs
émetteurs de rayonnement.
4. Dispositif selon la revendication 1, caracté-
risé en ce que la période de la seconde région à réseau (44)
est supérieure à celle de la première région à réseau (42).
5. Dispositif selon la revendication 1, caracté-
risé en ce que la seconde région à réseau est contiguë à la
premiere.
6. Dispositif selon la revendication 1, caracté-
risé en ce qu'au moins une partie de la première région à réseau recouvre au moins une partie de la seconde région à réseau.
7. Assemblage (10) de dispositifs à surface émet-
- 8 - trice, caractérisé en ce qu'il comprend: un substrat (12), une région à grande cavité optique (16) recouvrant le substrat, une première région active recouvrant une première partie de la région à grande cavité optique, une seconde région active recouvrant une seconde partie de la région à grande cavité optique, une première couche formant coiffe recouvrant la première région active, une seconde région formant coiffe recouvrant la seconde région active,
des moyens (30, 32) pour venue en contact élec-
trique avec le substrat et avec les première et seconde couches formant coiffe, une première région à réseau (42) recouvrant la région à grande cavité optique entre les première et seconde régions actives, la première région à réseau étant formée
d'une multitude d'éléments de réseau (41) espacés sensible-
ment de la même distance, une seconde région à réseau (44) recouvrant la région à grande cavité optique, la première région à réseau
étant constituée d'une multitude d'éléments qui ont un espa-
cement entre eux différent de celui de la première région.
8. Assemblage selon la revendication 7, caracté-
risé en ce qu'il s'agit d'un assemblage laser.
9. Assemblage selon la revendication 7, caracté-
risé en ce que la première région à réseau est contiguë à la seconde.
10. Assemblage selon la revendication 7, caracté-
risé en ce qu'au moins une partie de la première région à
réseau recouvre au moins une partie de la seconde région.
11. Assemblage selon la revendication 7, caracté-
risé en ce que le second réseau a un espacement entre élé-
ments supérieur à celui du premier.
- 9
12. Procédé pour surveiller la sortie d'un dispo-
sitif électroluminescent, et caractérisé en ce qu'il com-
prend les étapes consistant à: former un dispositif à surface émettrice (10) ayant un premier réseau (42) o un rayonnement est émis qui présente environ la même période entre ses éléments et un second réseau (44) ayant une période différente de celle du premier réseau, le dispositif comportant une région active (18) et des moyens (30, 32) pour contact électrique avec le dispositif; appliquer un courant au dispositif de façon que le rayonnement soit émis par les premier et second réseaux; détecter la sortie du second réseau; ajuster le courant entrant dans le dispositif sur la base de la sortie détectée du second réseau;
13. Procédé selon la revendication 12, caractérisé
en ce que le dispositif à surface émettrice est un assem-
blage, et l'étape consistant à détecter la sortie comprend
en outre l'étape de détection de la sortie de l'assemblage.
14. Procédé selon la revendication 12, caractérisé en ce que la-sortie du second réseau a un axe optique du rayonnement émis, l'étape consistant à détecter la sortie comprenant en outre'l'étape de: positionnement d'un dispositif de détection ayant une surface de réception sensiblement plane de sorte que cette surface est approximativement perpendiculaire à l'axe
optique du rayonnement émis.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US07/184,843 US4872176A (en) | 1988-04-25 | 1988-04-25 | Device and method for monitoring a light-emitting device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| FR2630593A1 true FR2630593A1 (fr) | 1989-10-27 |
Family
ID=22678590
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| FR8905205A Withdrawn FR2630593A1 (fr) | 1988-04-25 | 1989-04-19 | Dispositif et procede pour surveiller un dispositif electroluminescent |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4872176A (fr) |
| JP (1) | JPH0221687A (fr) |
| CA (1) | CA1302477C (fr) |
| DE (1) | DE3912800A1 (fr) |
| FR (1) | FR2630593A1 (fr) |
| GB (1) | GB2219134A (fr) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4976539A (en) * | 1989-08-29 | 1990-12-11 | David Sarnoff Research Center, Inc. | Diode laser array |
| US5003550A (en) * | 1990-03-09 | 1991-03-26 | Spectra Diode Laboratories, Inc. | Integrated laser-amplifier with steerable beam |
| US5109386A (en) * | 1990-09-10 | 1992-04-28 | Tacan Corporation | Rugate filter on grating coupled surface emitting laser array |
| US5111467A (en) * | 1990-09-10 | 1992-05-05 | Tacan Corporation | Hybrid rugate filter assembly for temperature stabilized emission of grating coupled surface emitting lasers |
| US5131001A (en) * | 1990-12-21 | 1992-07-14 | David Sarnoff Research Center, Inc. | Monolithic semiconductor light emitter and amplifier |
| JP2830591B2 (ja) * | 1992-03-12 | 1998-12-02 | 日本電気株式会社 | 半導体光機能素子 |
| DE4334525A1 (de) * | 1993-10-09 | 1995-04-13 | Deutsche Bundespost Telekom | Optoelektronisches Bauelement mit verteilter Rückkopplung und variierbarem Kopplungskoeffizienten |
| US7468710B2 (en) | 2003-06-09 | 2008-12-23 | Rohm Co., Ltd. | Light emitting display device |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2376536A1 (fr) * | 1976-12-30 | 1978-07-28 | Ibm | Dispositif d'emission d'un rayonnement laser dans une direction autre que la direction naturelle |
| JPS6150386A (ja) * | 1984-08-20 | 1986-03-12 | Fujitsu Ltd | 光半導体装置 |
| US4674100A (en) * | 1983-10-06 | 1987-06-16 | Nec Corporation | Bistable optical device |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| BE788374A (fr) * | 1971-12-08 | 1973-01-02 | Rca Corp | Procede de depot d'une couche epitaxiale d'un materiau semi-conducteur sur la surface d'un substrat |
| GB1513573A (en) * | 1974-08-22 | 1978-06-07 | Xerox Corp | Electrically pumpable feedback solid-state diode laser |
| US4047124A (en) * | 1975-12-31 | 1977-09-06 | International Business Machines Corporation | Planar solid state laser array |
| JPS5821888A (ja) * | 1981-07-31 | 1983-02-08 | Omron Tateisi Electronics Co | 可変波長半導体レ−ザ |
| JPS6147685A (ja) * | 1984-08-15 | 1986-03-08 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 分布帰還形半導体レ−ザ |
| DE3586174D1 (de) * | 1985-01-07 | 1992-07-09 | Siemens Ag | Verfahren zur herstellung einer integriert - optischen anordnung. |
| GB2197122B (en) * | 1986-11-03 | 1990-01-24 | Stc Plc | Injection laser and monitor photosensor combination |
-
1988
- 1988-04-25 US US07/184,843 patent/US4872176A/en not_active Expired - Fee Related
-
1989
- 1989-04-06 CA CA000595894A patent/CA1302477C/fr not_active Expired - Fee Related
- 1989-04-19 DE DE3912800A patent/DE3912800A1/de not_active Withdrawn
- 1989-04-19 FR FR8905205A patent/FR2630593A1/fr not_active Withdrawn
- 1989-04-21 GB GB8909113A patent/GB2219134A/en not_active Withdrawn
- 1989-04-25 JP JP1103614A patent/JPH0221687A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2376536A1 (fr) * | 1976-12-30 | 1978-07-28 | Ibm | Dispositif d'emission d'un rayonnement laser dans une direction autre que la direction naturelle |
| US4674100A (en) * | 1983-10-06 | 1987-06-16 | Nec Corporation | Bistable optical device |
| JPS6150386A (ja) * | 1984-08-20 | 1986-03-12 | Fujitsu Ltd | 光半導体装置 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| APPLIED PHYSICS LETTERS, vol. 50, no. 19, 11 mai 1987, pages 1301-1303, New York, US; N.W. CARLSON et al.: "Phase-locked operation of a grating-surface-emitting diode laser array" * |
| PATENT ABSTRACTS OF JAPAN, vol. 10, no. 209 (E-421)[2265], 22 juillet 1986; & JP-A-61 50 386 (FUJITSU) 12-03-1986 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3912800A1 (de) | 1989-11-02 |
| GB2219134A (en) | 1989-11-29 |
| JPH0221687A (ja) | 1990-01-24 |
| US4872176A (en) | 1989-10-03 |
| GB8909113D0 (en) | 1989-06-07 |
| CA1302477C (fr) | 1992-06-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CA2223022C (fr) | Dispositif capteur d'empreintes | |
| EP3404781B1 (fr) | Source de lumière guidée, son procédé de fabrication et son utilisation pour l'émission de photons uniques | |
| FR2937791A1 (fr) | Dispositif d'imagerie polarimetrique optimise par rapport au contraste de polarisation | |
| FR2588701A1 (fr) | Procede de realisation d'une structure integree laser-photodetecteur | |
| FR3076960A1 (fr) | Laser a emission de surface a cavite verticale segmentee | |
| FR2585522A1 (fr) | Laser semi-conducteur | |
| EP2180511B1 (fr) | Dispositif d'imagerie multispectral à base de multi-puits quantiques | |
| EP0091859B1 (fr) | Procédé de réalisation d'un laser à semi-conducteur à plusieurs longueurs d'onde indépendantes | |
| FR2748123A1 (fr) | Ensemble optique pour coupler un guide de lumiere et procede pour sa fabrication | |
| KR100205731B1 (ko) | 광 검출부를 구비한 면 발광형 반도체 레이저 및 그 제조방법과 그것을 이용한 센서 | |
| FR2630593A1 (fr) | Dispositif et procede pour surveiller un dispositif electroluminescent | |
| EP0847113B1 (fr) | Emetteur-récepteur optique à semi-conducteur | |
| EP0786843B1 (fr) | Composant d'émission laser multilongueur d'onde | |
| EP2084503B1 (fr) | Dispositif de detection d'interferences monolithique integre | |
| WO1992009106A1 (fr) | Detecteur optoelectronique a semiconducteurs | |
| FR2534078A1 (fr) | Dispositif laser a semi-conducteur | |
| EP0466598B1 (fr) | Procédé et installation de dépôt de couches antireflet et de contrôle de leur épaisseur | |
| EP0252565A1 (fr) | Dispositif semiconducteur intégré du type dispositif de couplage entre un photodéecteur et un guide d'ond lumineuse | |
| FR2509910A1 (fr) | Composant optoelectronique dont la structure semiconductrice comporte deux parties respectivement emettrice et receptrice, et dispositif de regulation d'une diode electroluminescente | |
| CA2232392A1 (fr) | Dispositif de modulation du rayonnement infrarouge | |
| US5639673A (en) | Transparent ohmic contacts for Schottky diode optical detectors on thin and inverted epitaxial layers | |
| FR2786279A1 (fr) | Composant optique a base d'amplificateurs optiques a semi-conducteur comportant un nombre reduit d'electrodes independantes | |
| EP0807982A1 (fr) | Photodétecteur à structure optique résonnante avec un réseau | |
| JP2000183319A (ja) | 量子井戸型光センサ | |
| EP0274796B1 (fr) | Elément de commutation optique entre deux guides de lumière et matrice de commutation optique formée de ces éléments de commutation |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| ST | Notification of lapse |