JPS5821888A - 可変波長半導体レ−ザ - Google Patents
可変波長半導体レ−ザInfo
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- JPS5821888A JPS5821888A JP56120852A JP12085281A JPS5821888A JP S5821888 A JPS5821888 A JP S5821888A JP 56120852 A JP56120852 A JP 56120852A JP 12085281 A JP12085281 A JP 12085281A JP S5821888 A JPS5821888 A JP S5821888A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、半導体レーザに関し、特にレーザ発振波長
を任倉に変え得るようにした可変波長半導体レーザに関
する。
を任倉に変え得るようにした可変波長半導体レーザに関
する。
従来より、長距離光伝送のために開発された単−縦モー
ド動作を行なう半導体レーザとして、GaAs −Ga
、−xAlxAs 2 N へテロ構造DFB(Di
stributed−feedback )レーザダイ
オードが知られている。このレーザダイオードは元閉じ
込め層上に1μm以下の一定周期のコルグージョン全形
成したもので、コルゲーションの周期Aによって発振波
長λLが λ1=2nA/m ・・・・・曲・曲・・・(1
)n:活性層の屈折率 m;ブラック回折の次数 の関係で決捷り、この発振波長λ、で単一波長発振の縦
モード動作が安定に行なわれるという利点がある。しか
しながら、コルゲーションの形成は、その周期が通常1
μm以下と小さいため、電子ビーム露光法やホログラフ
ィック々方法によらなければ々らず、GaA3活性層等
の元閉じ込め層上にこれらの方法でコルゲーションを形
成したのちGa 、−XAlXAs層を成長させる必裂
があるため、熱損傷が生じる問題があシ、1だ製造工程
が複雑であるという欠点がある。しかも発振波長はコル
ゲーションの周期で決才り安定である反面、可変できな
いことにより、多重通信の一手法である波長多重通信へ
の応用展開の途が閉ざされていることも問題である。
ド動作を行なう半導体レーザとして、GaAs −Ga
、−xAlxAs 2 N へテロ構造DFB(Di
stributed−feedback )レーザダイ
オードが知られている。このレーザダイオードは元閉じ
込め層上に1μm以下の一定周期のコルグージョン全形
成したもので、コルゲーションの周期Aによって発振波
長λLが λ1=2nA/m ・・・・・曲・曲・・・(1
)n:活性層の屈折率 m;ブラック回折の次数 の関係で決捷り、この発振波長λ、で単一波長発振の縦
モード動作が安定に行なわれるという利点がある。しか
しながら、コルゲーションの形成は、その周期が通常1
μm以下と小さいため、電子ビーム露光法やホログラフ
ィック々方法によらなければ々らず、GaA3活性層等
の元閉じ込め層上にこれらの方法でコルゲーションを形
成したのちGa 、−XAlXAs層を成長させる必裂
があるため、熱損傷が生じる問題があシ、1だ製造工程
が複雑であるという欠点がある。しかも発振波長はコル
ゲーションの周期で決才り安定である反面、可変できな
いことにより、多重通信の一手法である波長多重通信へ
の応用展開の途が閉ざされていることも問題である。
本発明は、上記に鑑み、製造容易で、安定な単−縦モー
ド発振を行わせることができ、しかhX′ も発振波長を変えることのできて波長多重通信にも応用
1できる可変波長半導体レーザを提供することを[[的
とする。
ド発振を行わせることができ、しかhX′ も発振波長を変えることのできて波長多重通信にも応用
1できる可変波長半導体レーザを提供することを[[的
とする。
すなわち、本発明による可変波長半導体レーザは、九閉
じ込め層の近傍に設けられ、該光閉じ込め層上に表面弾
性波を伝搬する櫛形電極超音波振動子を翁し、前記櫛形
電極超音波振動子の振動周波数を変化させることによっ
てレーザ発振波長を変化させることを特徴としている。
じ込め層の近傍に設けられ、該光閉じ込め層上に表面弾
性波を伝搬する櫛形電極超音波振動子を翁し、前記櫛形
電極超音波振動子の振動周波数を変化させることによっ
てレーザ発振波長を変化させることを特徴としている。
したがって通常のレーザダイオードの元閉じ込め層近傍
に櫛形11極超音波振動子を形成するだけでよいので製
造容易であシ、しかも櫛形電極超音波振動子の振動周波
数を変えることによってレーザ発振波長を変えることが
できるため、波長多重通信にも有効に応用できる。
に櫛形11極超音波振動子を形成するだけでよいので製
造容易であシ、しかも櫛形電極超音波振動子の振動周波
数を変えることによってレーザ発振波長を変えることが
できるため、波長多重通信にも有効に応用できる。
以下本発明の一実施例についてシj面を参照しながら説
明する。TA1図は本発明を21へテロ構造レーザダイ
オードに適用した第1の実施例を示す。この図に示すよ
うに、2重へテロ構造レーデダイオ−Pは、n−GaA
s単結晶基板1に液相エピタキシー技術を用いてn −
Ga 1−一軸As層2 + p−GaAs層8 、p
−Ga1−XMXAs層4.p−GaAs層5を成長さ
せ、襞間面8.9で骨間し、両面に電極6,7を設けて
々る。このp −GaAs層3がキャリア及び光の閉じ
込めを行なう活性層と々って矢印10方向にレーザ光を
出射する。
明する。TA1図は本発明を21へテロ構造レーザダイ
オードに適用した第1の実施例を示す。この図に示すよ
うに、2重へテロ構造レーデダイオ−Pは、n−GaA
s単結晶基板1に液相エピタキシー技術を用いてn −
Ga 1−一軸As層2 + p−GaAs層8 、p
−Ga1−XMXAs層4.p−GaAs層5を成長さ
せ、襞間面8.9で骨間し、両面に電極6,7を設けて
々る。このp −GaAs層3がキャリア及び光の閉じ
込めを行なう活性層と々って矢印10方向にレーザ光を
出射する。
この2重へテロ構造レーザダイオードの一部をエツチン
グ技術などによって切シ欠き、P −GaA 5)W5
Bを露出させこの層3の上に絶縁膜11を形成[1、
この絶縁膜11上に櫛形電極超音波振動子(以) ID
Tと称する)12を設ける。
グ技術などによって切シ欠き、P −GaA 5)W5
Bを露出させこの層3の上に絶縁膜11を形成[1、
この絶縁膜11上に櫛形電極超音波振動子(以) ID
Tと称する)12を設ける。
この第1図の構成において、IDT12にf’&る周波
数の電界を印加すると、表面弾性波(以下SAWと称す
る)が発生し、p −GaAs層3上に沿って光出射方
向に伝搬する。このSAWによシ、従来のDFBレーザ
ダイオードにおけるコルゲーシヨンと同様な効果が生じ
、単−縦モード発振を生じさせることができる。すなわ
ちSAWの波長をAとすれば、前記(1)式で示した波
長λ、のレーザ光が得らhる。そ[2てIDT12の印
加電界の周波数fを変化させてSAWの波長Aを△A変
化させると、(1)式よシ △λ□= 2 n△A / m ・・・・・・・
・・・・・・・・(2)SAWの伝搬速度をVとすると V=fA だから、 (3)式を(2)式に代入すると、 となシ、IDT12の発振周波数を△f変化させればレ
ーザ発振波長を△λL変化させることができる。
数の電界を印加すると、表面弾性波(以下SAWと称す
る)が発生し、p −GaAs層3上に沿って光出射方
向に伝搬する。このSAWによシ、従来のDFBレーザ
ダイオードにおけるコルゲーシヨンと同様な効果が生じ
、単−縦モード発振を生じさせることができる。すなわ
ちSAWの波長をAとすれば、前記(1)式で示した波
長λ、のレーザ光が得らhる。そ[2てIDT12の印
加電界の周波数fを変化させてSAWの波長Aを△A変
化させると、(1)式よシ △λ□= 2 n△A / m ・・・・・・・
・・・・・・・・(2)SAWの伝搬速度をVとすると V=fA だから、 (3)式を(2)式に代入すると、 となシ、IDT12の発振周波数を△f変化させればレ
ーザ発振波長を△λL変化させることができる。
たとえば(41式において、m=1 、V=5000(
m/s ) 、 f = 30 (GHz ) 、△f
=2(GHz)とすると、 △λL = (107(μm) となり、IDT]2の発振周波数を80GHzとしたと
き1μmの波長のレーザ光が得られている場合に、ID
T12の発振周波数を2GHz変えるとレーデ光の波長
を700X変えられることが分る。
m/s ) 、 f = 30 (GHz ) 、△f
=2(GHz)とすると、 △λL = (107(μm) となり、IDT]2の発振周波数を80GHzとしたと
き1μmの波長のレーザ光が得られている場合に、ID
T12の発振周波数を2GHz変えるとレーデ光の波長
を700X変えられることが分る。
第2図は第2の実施例を示すものである。この実施例は
、本発明をITG(集積2重導波路形)レーザダイオー
ドに適用したものである。この図において、ITGレー
ザダイオードは、n−GaAs基板21と、この基板2
1上に形成されたGa 、−、AixAs層22 、2
4 、26 、 GaAs活性層28 、25 、 p
−GaAs層27と、電極28゜29と絶縁膜30とに
よシ構成されている。このITGレーザダイオードにお
いて、元閉じ込め層であるGaAs活性層23に平行な
絶縁膜30の表面にIDT81が形成されている。
、本発明をITG(集積2重導波路形)レーザダイオー
ドに適用したものである。この図において、ITGレー
ザダイオードは、n−GaAs基板21と、この基板2
1上に形成されたGa 、−、AixAs層22 、2
4 、26 、 GaAs活性層28 、25 、 p
−GaAs層27と、電極28゜29と絶縁膜30とに
よシ構成されている。このITGレーザダイオードにお
いて、元閉じ込め層であるGaAs活性層23に平行な
絶縁膜30の表面にIDT81が形成されている。
このIDT81に高周波電界を印加するとSAWが光閉
じ込め層であるGaAa活性N28上に伝搬され、DB
Fレーザダイオードにおけるコルゲーションと同様の機
能が達成できる。またIDT31の周波数′(il−変
えることによりレーザ発振波長を変えることができるこ
とは上述と同様であるO このように、本発明によって得られた可変波長生導体レ
ーザは、波長多重通信に効果的に適用できる。すなわち
第3図に示すように、中央処理装置41からの制御信号
により、本発明に係る可変波長半導体レーザ42から、
波長の異なるレーデツ自イガ号を発射し、光ファイバ4
8を紅て九分波装楢44に送る。この光分波装置44に
Hl、2・・・nの各チャネルの九ファイバ45が接続
されており、波長毎にスイッチして各波長のレーザ元信
号をリアルタイムで各党ファイバ45に伝適する1本発
明による可変波長半導体レーザ42は、1個でも、制狗
j信月によって波長の異ったレーザ光信号を得ることが
できるたtl、波長多重通信システムを簡易に構成する
ことができ、このシステムに適用すると大きな効果が侑
らhる。
じ込め層であるGaAa活性N28上に伝搬され、DB
Fレーザダイオードにおけるコルゲーションと同様の機
能が達成できる。またIDT31の周波数′(il−変
えることによりレーザ発振波長を変えることができるこ
とは上述と同様であるO このように、本発明によって得られた可変波長生導体レ
ーザは、波長多重通信に効果的に適用できる。すなわち
第3図に示すように、中央処理装置41からの制御信号
により、本発明に係る可変波長半導体レーザ42から、
波長の異なるレーデツ自イガ号を発射し、光ファイバ4
8を紅て九分波装楢44に送る。この光分波装置44に
Hl、2・・・nの各チャネルの九ファイバ45が接続
されており、波長毎にスイッチして各波長のレーザ元信
号をリアルタイムで各党ファイバ45に伝適する1本発
明による可変波長半導体レーザ42は、1個でも、制狗
j信月によって波長の異ったレーザ光信号を得ることが
できるたtl、波長多重通信システムを簡易に構成する
ことができ、このシステムに適用すると大きな効果が侑
らhる。
なお、本発明は上述のDFBレーデダイオードやITG
レーザダイオードシ外の半導体レーザにも適用できるも
のであシ、材料的にもGaAs系以外のものでも圧電性
のあるものならば適用できる。
レーザダイオードシ外の半導体レーザにも適用できるも
のであシ、材料的にもGaAs系以外のものでも圧電性
のあるものならば適用できる。
第1図は本発明の第1の実施例の模式的々斜視図、第2
図は第2の実施例の模式的な斜視図、第3図は波長多M
通信システムへの適用例を示すブロック図である。 1 、21− n−GaAs基板、 3 、28 、25・・−GaAs活性層、11.80
・・・絶縁膜、 12.81・・・IDT。 出願人 立石電機株式会社
図は第2の実施例の模式的な斜視図、第3図は波長多M
通信システムへの適用例を示すブロック図である。 1 、21− n−GaAs基板、 3 、28 、25・・−GaAs活性層、11.80
・・・絶縁膜、 12.81・・・IDT。 出願人 立石電機株式会社
Claims (1)
- (1) 元閉じ込め層の近傍に設けられ、該光間じ込
め層上に表面弾性波を伝振する櫛形電極超音波振動子を
有し、前記櫛形%極超音波振動子の振動周波数を変化さ
せることによってレーザ発振波長を変えるようにした可
変波長半導体レーザ。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56120852A JPS5821888A (ja) | 1981-07-31 | 1981-07-31 | 可変波長半導体レ−ザ |
US06/403,819 US4532632A (en) | 1981-07-31 | 1982-07-30 | Tunable semiconductor laser |
DE19823228586 DE3228586A1 (de) | 1981-07-31 | 1982-07-30 | Abstimmbarer halbleiterlaser |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP56120852A JPS5821888A (ja) | 1981-07-31 | 1981-07-31 | 可変波長半導体レ−ザ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5821888A true JPS5821888A (ja) | 1983-02-08 |
JPH0376038B2 JPH0376038B2 (ja) | 1991-12-04 |
Family
ID=14796536
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP56120852A Granted JPS5821888A (ja) | 1981-07-31 | 1981-07-31 | 可変波長半導体レ−ザ |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4532632A (ja) |
JP (1) | JPS5821888A (ja) |
DE (1) | DE3228586A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006135256A (ja) * | 2004-11-09 | 2006-05-25 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体レーザ素子 |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3517814A1 (de) * | 1985-05-17 | 1986-11-20 | Standard Elektrik Lorenz Ag, 7000 Stuttgart | Laseranordnung |
US4750801A (en) * | 1985-09-30 | 1988-06-14 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Optical waveguide resonator filters |
US4893353A (en) * | 1985-12-20 | 1990-01-09 | Yokogawa Electric Corporation | Optical frequency synthesizer/sweeper |
JP2574752B2 (ja) * | 1986-01-22 | 1997-01-22 | 株式会社日立製作所 | 情報記録媒体および記録再生方法 |
US4767198A (en) * | 1987-06-24 | 1988-08-30 | Unisys Corporation | SAW/BAW Bragg cell |
US4872176A (en) * | 1988-04-25 | 1989-10-03 | General Electric Company | Device and method for monitoring a light-emitting device |
US4993036A (en) * | 1988-09-28 | 1991-02-12 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser array including lasers with reflecting means having different wavelength selection properties |
FR2648576B1 (fr) * | 1989-06-15 | 1991-08-30 | France Etat | Dispositif acousto-optique utilisant un super-reseau en tant que milieu d'interaction |
US5023944A (en) * | 1989-09-05 | 1991-06-11 | General Dynamics Corp./Electronics Division | Optical resonator structures |
FR2653125B1 (fr) * | 1989-10-13 | 1991-12-13 | Saint Laurent Parfums Yves | Systeme ternaire a base d'ethers perfluores. |
US5101294A (en) * | 1990-03-30 | 1992-03-31 | The University Of Connecticut | Surface acoustic wave optical modulator |
US5070509A (en) * | 1990-08-09 | 1991-12-03 | Eastman Kodak Company | Surface emitting, low threshold (SELTH) laser diode |
US5345466A (en) * | 1992-11-12 | 1994-09-06 | Hughes Aircraft Company | Curved grating surface emitting distributed feedback semiconductor laser |
JP2920738B2 (ja) * | 1995-06-15 | 1999-07-19 | 株式会社村田製作所 | 音響光学偏向素子 |
JP3438443B2 (ja) * | 1995-11-10 | 2003-08-18 | Kddi株式会社 | 光デバイス |
JP2856183B2 (ja) * | 1996-12-19 | 1999-02-10 | 日本電気株式会社 | 光波長フィルタ |
GB2363011B (en) * | 2000-05-31 | 2002-04-17 | Acoustical Tech Sg Pte Ltd | Surface acoustic wave device |
US6898217B2 (en) * | 2002-12-31 | 2005-05-24 | Intel Corporation | Ultrasonic tunable laser |
EP2048753B1 (en) | 2007-10-11 | 2009-11-25 | Alcatel Lucent | Laser module and method of providing a laser module |
NL1038419C2 (en) * | 2010-12-02 | 2012-06-05 | Rotterdam Res B V | Wavelength tunable laser diode comprising a surface acoustic wave generator. |
DE102013210561B4 (de) * | 2013-06-06 | 2016-11-10 | Albert-Ludwig-Universität Freiburg | Biegewandler mit einem piezoelektrischen Element |
US9519163B2 (en) * | 2013-09-24 | 2016-12-13 | Oracle International Corporation | Tunable silicon grating couplers |
CN103490280B (zh) * | 2013-09-27 | 2016-01-20 | 中国科学院半导体研究所 | 可调谐分布反馈量子级联激光器阵列器件及其制备方法 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53130992A (en) * | 1977-04-20 | 1978-11-15 | Takao Kawamura | Twoodimensional distribution feedback solid laser and laser array |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3755671A (en) * | 1972-09-29 | 1973-08-28 | Rca Corp | Method of providing a semiconductor body with piezoelectric properties |
US4039249A (en) * | 1973-03-28 | 1977-08-02 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Integrated optical devices including tunable fixed grating |
JPS5214392A (en) * | 1975-07-24 | 1977-02-03 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | Semiconductor laser |
FR2426922A1 (fr) * | 1978-05-26 | 1979-12-21 | Thomson Csf | Structure optique compacte a source integree |
US4216440A (en) * | 1978-08-28 | 1980-08-05 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Surface acoustic wave tuning for lasers |
US4318058A (en) * | 1979-04-24 | 1982-03-02 | Nippon Electric Co., Ltd. | Semiconductor diode laser array |
US4327962A (en) * | 1980-02-13 | 1982-05-04 | Redman Charles M | Laser/amplifier/detector diode |
US4390236A (en) * | 1981-03-19 | 1983-06-28 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Tunable polarization independent wavelength filter |
-
1981
- 1981-07-31 JP JP56120852A patent/JPS5821888A/ja active Granted
-
1982
- 1982-07-30 DE DE19823228586 patent/DE3228586A1/de active Granted
- 1982-07-30 US US06/403,819 patent/US4532632A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS53130992A (en) * | 1977-04-20 | 1978-11-15 | Takao Kawamura | Twoodimensional distribution feedback solid laser and laser array |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006135256A (ja) * | 2004-11-09 | 2006-05-25 | Hamamatsu Photonics Kk | 半導体レーザ素子 |
JP4536488B2 (ja) * | 2004-11-09 | 2010-09-01 | 浜松ホトニクス株式会社 | 半導体レーザ素子 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3228586A1 (de) | 1983-02-17 |
DE3228586C2 (ja) | 1990-12-06 |
US4532632A (en) | 1985-07-30 |
JPH0376038B2 (ja) | 1991-12-04 |
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