JPS6150386A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
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- JPS6150386A JPS6150386A JP17153784A JP17153784A JPS6150386A JP S6150386 A JPS6150386 A JP S6150386A JP 17153784 A JP17153784 A JP 17153784A JP 17153784 A JP17153784 A JP 17153784A JP S6150386 A JPS6150386 A JP S6150386A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
- H01S5/18—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities
- H01S5/185—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only horizontal cavities, e.g. horizontal cavity surface-emitting lasers [HCSEL]
- H01S5/187—Surface-emitting [SE] lasers, e.g. having both horizontal and vertical cavities having only horizontal cavities, e.g. horizontal cavity surface-emitting lasers [HCSEL] using Bragg reflection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
- H01S5/026—Monolithically integrated components, e.g. waveguides, monitoring photo-detectors, drivers
- H01S5/0262—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices
- H01S5/0264—Photo-diodes, e.g. transceiver devices, bidirectional devices for monitoring the laser-output
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、分布帰還（ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｅｄｆｅｅｄ
ｂａｃｋ：ＤＦＢ）型半導体レーザと呼ばれる半導体発
光装置と受光素子部分とを一体化した構造の光半導体装
置に関する。
ｂａｃｋ：ＤＦＢ）型半導体レーザと呼ばれる半導体発
光装置と受光素子部分とを一体化した構造の光半導体装
置に関する。
一般に、発振波長が１．５〜１．６〔μｍ〕である半導
体レーザは、その波長帯の光を伝送する光ファイバに於
ける損失が最小であることから、多くの開発がなされて
いる。
体レーザは、その波長帯の光を伝送する光ファイバに於
ける損失が最小であることから、多くの開発がなされて
いる。
通常の半導体レーザ、即ち、ファブリ・ペロー型半導体
レーザを高速で変調すると波長を単一に維持することが
できず、多波長になってしまう。
レーザを高速で変調すると波長を単一に維持することが
できず、多波長になってしまう。
そのような信号光を光ファイバに入射して伝送すると、
その出射される光は、光フアイバ自体の材料分散に依り
各波長の屈折率が変わり、伝播速度が変わるので、波形
が崩れてしまう。
その出射される光は、光フアイバ自体の材料分散に依り
各波長の屈折率が変わり、伝播速度が変わるので、波形
が崩れてしまう。
その結果、このような信号は受信側では大きな雑音を伴
うものとなるので実用にならない。
うものとなるので実用にならない。
そこで、近年、ＤＦＢ型半導体レーザが開発され、好結
果を得ている。
果を得ている。
ＤＦＢ型半導体レーザは、活性層そのもの或いはその近
傍に回折格子を形成し、その回折格子の中を光が往復し
て共振するようになっている。
傍に回折格子を形成し、その回折格子の中を光が往復し
て共振するようになっている。
このＤＦＢ型半導体レーザでは、数百Ｍビット／秒の高
速で変調しても単一波長の発振を維持することができる
。
速で変調しても単一波長の発振を維持することができる
。
ところで、このようなりＦＢ型半導体レしザ番こ於いて
も、信号光とモニタ光を取り出した０旨の要求が在る。
も、信号光とモニタ光を取り出した０旨の要求が在る。
従来のファブリ・ベロー型半導体レーザでは、両端面を
臂開成いはエツチングに依り垂直の鏡面にしであるので
、一方の端面から信号光を、他方の端面からモニタ光を
取り出すことが可能であった。
臂開成いはエツチングに依り垂直の鏡面にしであるので
、一方の端面から信号光を、他方の端面からモニタ光を
取り出すことが可能であった。
然しなから、ＤＦＢ型半導体レーザでは、ファブ１川ペ
ロー・モードの発振を抑制する為、片方の端面での反射
率を０に近くする必要がある。
ロー・モードの発振を抑制する為、片方の端面での反射
率を０に近くする必要がある。
そこで、例えば、片方の端面を傾斜させる（前者）或い
は片方の端面近傍に非励起領域を形成する（後者）こと
等が行われているが、前者では、モニタ光の出射方向が
一定せず、後者ではモニタ光の取り出しは不可能である
。
は片方の端面近傍に非励起領域を形成する（後者）こと
等が行われているが、前者では、モニタ光の出射方向が
一定せず、後者ではモニタ光の取り出しは不可能である
。
また、端面から洩れる若干の光をモニタすることが行わ
れているが、その場合、ＤＦＢ半導体レーザ・チップと
同一のステムにボンディングされたフォト・ダイオード
でモニタするようにしてし）るが、このような装置では
、モニタできる光の量が極めて少ないことを我慢すると
しても、フォト・グイオートを固着する場所に著しく制
約を受けること、レーザ光の入射が最良の状態となるよ
うに調整してステムに取り付けるのに長時間を必要とす
ることなど実用の面から多くの問題がある。
れているが、その場合、ＤＦＢ半導体レーザ・チップと
同一のステムにボンディングされたフォト・ダイオード
でモニタするようにしてし）るが、このような装置では
、モニタできる光の量が極めて少ないことを我慢すると
しても、フォト・グイオートを固着する場所に著しく制
約を受けること、レーザ光の入射が最良の状態となるよ
うに調整してステムに取り付けるのに長時間を必要とす
ることなど実用の面から多くの問題がある。
本発明は、ＤＦＢ型半導体レーザの発振特性に悪影響を
与えることなく、モニタ光の検出を容易に行うことがで
きる構造の光半導体装置を提供する。
与えることなく、モニタ光の検出を容易に行うことがで
きる構造の光半導体装置を提供する。
本発明の光半導体装置では、光導波領域の導波方向に沿
って形成されてレーザ光を発生させる低次数の周期的凹
凸と、前記レーザ光を表面方向に取り出す為に前記低次
数の周期的凹凸に近接して設けられた高次数の周期的凹
凸と、該高次数の周期的凹凸に対向する表面に形成され
た受光素子部分とを有している。
って形成されてレーザ光を発生させる低次数の周期的凹
凸と、前記レーザ光を表面方向に取り出す為に前記低次
数の周期的凹凸に近接して設けられた高次数の周期的凹
凸と、該高次数の周期的凹凸に対向する表面に形成され
た受光素子部分とを有している。
この光半導体装置の構成は、ＤＦＢ型半導体レーザに於
いて、発振に寄与する導波方向に進む発光成分と、それ
以外の発光成分の割合が、回折格子を形成する為のコル
ゲーション（周期的凹凸）の次数に依って変化する旨の
知見を基にして得られたものである。
いて、発振に寄与する導波方向に進む発光成分と、それ
以外の発光成分の割合が、回折格子を形成する為のコル
ゲーション（周期的凹凸）の次数に依って変化する旨の
知見を基にして得られたものである。
−ｉに、ＤＦＢ型半導体レーザに於けるコルゲーション
のピッチＡと発振波長λ。との間には次のような関係が
必要とされていることは良く知られている。
のピッチＡと発振波長λ。との間には次のような関係が
必要とされていることは良く知られている。
２ｎ＠ｔｔ
この式に見られるｎ ｅｆｆは有効屈折率、ｍは整数で
あって、ｍ＝１のとき１次コルゲーション、ｍ＝２のと
き２次コルゲーション、以下、その整数倍になるにつれ
て３次コルゲーション、４次コルゲーション・・・・と
なる、尚、１次コルゲーションの場合が発振に関しては
最も効率が良く、高次のコルゲーションになるにつれて
導波方向以外への発光成分が増加する。
あって、ｍ＝１のとき１次コルゲーション、ｍ＝２のと
き２次コルゲーション、以下、その整数倍になるにつれ
て３次コルゲーション、４次コルゲーション・・・・と
なる、尚、１次コルゲーションの場合が発振に関しては
最も効率が良く、高次のコルゲーションになるにつれて
導波方向以外への発光成分が増加する。
前記手段を採ると、従来のＤＦＢ型半導体レーザと同様
に信号光を取り出すことが可能であると共に表面に形成
された受光素子部分で充分なモニタ光を検出することが
でき、そして、そのような構造にしても、ＤＦＢ型半導
体レーザ本来の発振特性には何等の悪影響もなく、また
、同一のステムにＤＦＢ型半導体レーザ・チップとフォ
ト・ダイオードとを取り付ける構造のものなどと比較す
ると、その生産は極めて容易である。
に信号光を取り出すことが可能であると共に表面に形成
された受光素子部分で充分なモニタ光を検出することが
でき、そして、そのような構造にしても、ＤＦＢ型半導
体レーザ本来の発振特性には何等の悪影響もなく、また
、同一のステムにＤＦＢ型半導体レーザ・チップとフォ
ト・ダイオードとを取り付ける構造のものなどと比較す
ると、その生産は極めて容易である。
第１Ｍは本発明一実施例の要部切断側面図を表している
。
。
図に於いて、Ｉはｎ型１ｎＰ基板、２は光導波領域の導
波方向に沿って形成されたコルゲーション、３は１次コ
ルゲーション領域、４は２次コルゲーション領域、５は
λ、（自然放出光のピーク波長）力月、１５ Ｃｐｍ）
であるｎ型１ｎＧａＡｓ導波層、６はλ、が１．３ （
、ｃｒｍ）であるＩｎＧａＡｓＰ活性層、７はｐ型１ｎ
Ｐクラッド層、８はλ、が１．１５ （、ｃａｍ）であ
るｐ型１ ｎＧａＡｓＰキャンプ層、９はｐ型１ｎＰ層
、１ｏは１ｎＧａＡｓ層、１１はｎ型１ｎＰ受光層、１
２はｎ側電極、１３はｐｉｎ！ｌ電極、１４は受光素子
部分に於ける電極、１５は信号光、１６はモニタ光をそ
れぞれ示している。尚、ｐ型１ｎＰ層９．１ｎＧａＡｓ
層１Ｏ１ｎ型ＩｎＰ受光層１１はフォト・ダイオード（
受光素子部分）を構成している。 この実施例において
、モニタ光１６は２次コルゲーション領域４を３次或い
は４次のコルゲーション領域とすれば更に多くの量を取
り出すことが可能であるが、通常は、１次コルゲーショ
ンと２次コルグーソヨンとの組み合わせで充分である。
波方向に沿って形成されたコルゲーション、３は１次コ
ルゲーション領域、４は２次コルゲーション領域、５は
λ、（自然放出光のピーク波長）力月、１５ Ｃｐｍ）
であるｎ型１ｎＧａＡｓ導波層、６はλ、が１．３ （
、ｃｒｍ）であるＩｎＧａＡｓＰ活性層、７はｐ型１ｎ
Ｐクラッド層、８はλ、が１．１５ （、ｃａｍ）であ
るｐ型１ ｎＧａＡｓＰキャンプ層、９はｐ型１ｎＰ層
、１ｏは１ｎＧａＡｓ層、１１はｎ型１ｎＰ受光層、１
２はｎ側電極、１３はｐｉｎ！ｌ電極、１４は受光素子
部分に於ける電極、１５は信号光、１６はモニタ光をそ
れぞれ示している。尚、ｐ型１ｎＰ層９．１ｎＧａＡｓ
層１Ｏ１ｎ型ＩｎＰ受光層１１はフォト・ダイオード（
受光素子部分）を構成している。 この実施例において
、モニタ光１６は２次コルゲーション領域４を３次或い
は４次のコルゲーション領域とすれば更に多くの量を取
り出すことが可能であるが、通常は、１次コルゲーショ
ンと２次コルグーソヨンとの組み合わせで充分である。
以下、この実施例を製造する場合について説明する。
先ず、ｎ型１ｎＰ基板１を用意し、その上にフォト・レ
ジスト、例えばＡＺ−１３５０（ヘキスト社製：米国）
を塗布する。
ジスト、例えばＡＺ−１３５０（ヘキスト社製：米国）
を塗布する。
次に、長さ４５０〔μｍ〕、幅２００〔μｍ〕のフォト
・レジスト膜が残留するパターンを形成する。この長さ
４５０ 〔μｍ〕のフォト・レジスト膜のうち、長さ４
００ 〔μｍ〕の部分で覆われた部分が１次コルゲーシ
ョン領域３を形成すべき部分であり、残りの５０〔μｍ
〕の部分が２次コルゲーション領域４を生成すべき部分
である。
・レジスト膜が残留するパターンを形成する。この長さ
４５０ 〔μｍ〕のフォト・レジスト膜のうち、長さ４
００ 〔μｍ〕の部分で覆われた部分が１次コルゲーシ
ョン領域３を形成すべき部分であり、残りの５０〔μｍ
〕の部分が２次コルゲーション領域４を生成すべき部分
である。
次に、再びフォト・レジストＡＺ−１３５０を厚さ例え
ば〜１０００ （人〕程度に塗布する。
ば〜１０００ （人〕程度に塗布する。
次に、温度約８０（’Ｃ）、時間３０〔分〕のブリ・ヘ
ーキングを行ってから２光束干渉露光法を適用し、前記
幅２００ 〔μｍ〕のフォト・レジスト膜に平行にピッ
チＡ、−〜２４００ （人）で露光を行い、それを現像
して前記４００〔μｍ〕の１次コルゲーション領域３に
相当する部分にフォト・レジスト膜のコルゲーションを
形成する。
ーキングを行ってから２光束干渉露光法を適用し、前記
幅２００ 〔μｍ〕のフォト・レジスト膜に平行にピッ
チＡ、−〜２４００ （人）で露光を行い、それを現像
して前記４００〔μｍ〕の１次コルゲーション領域３に
相当する部分にフォト・レジスト膜のコルゲーションを
形成する。
次に、温度約１２０（’Ｃ）、時間３０〔分〕のアフタ
・ヘーキングを行ってから、そのコルゲーション・パタ
ーンを有するフォト・レジスト膜をマスクとし、２ＳＢ
Ｗ＋Ｈ３ＰＯ４＋ １５ＨｚＯ混合液（ＳＢＷ：臭素（
Ｂｒ）の飽和水溶ｅ）を用いてｎ型ＪｎＰ基板】を３０
〔秒〕間に亙りエツチングを行い、深さ１０００ ［
人〕の１次コルゲーションを形成する。
・ヘーキングを行ってから、そのコルゲーション・パタ
ーンを有するフォト・レジスト膜をマスクとし、２ＳＢ
Ｗ＋Ｈ３ＰＯ４＋ １５ＨｚＯ混合液（ＳＢＷ：臭素（
Ｂｒ）の飽和水溶ｅ）を用いてｎ型ＪｎＰ基板】を３０
〔秒〕間に亙りエツチングを行い、深さ１０００ ［
人〕の１次コルゲーションを形成する。
次に、フォト・レジスト膜を剥離し、洗滌した後、また
、フォト・レジストＡＺ−１３５０を塗布する。
、フォト・レジストＡＺ−１３５０を塗布する。
次に、さきに形成した１次コルゲーションが存在する４
００〔μｍ〕の部分を覆い、且つ、残り５０ 〔μｍ〕
の部分が露出するフォト・レジスト膜のパターンを形成
する。
００〔μｍ〕の部分を覆い、且つ、残り５０ 〔μｍ〕
の部分が露出するフォト・レジスト膜のパターンを形成
する。
次に、更にフォト・レジストＡＺ−１３５０を厚さ〜１
０００ （人〕程度に塗布してから温度約８０ じＣ
〕、時間３０（分〕程度のブリ・ヘーキングを行う。
０００ （人〕程度に塗布してから温度約８０ じＣ
〕、時間３０（分〕程度のブリ・ヘーキングを行う。
次に、２光束干渉露光法を適用し、前記４００〔μｍ〕
の部分に形成した１次コルゲーションと平行にピッチΔ
２−〜４８００ （人）（Ａ！＝２Δ１）で露光を行い
、それを現像して前記２００〔μｍ〕の２次コルゲーシ
ョン領域４に相当する部分にフォト・レジスト膜のコル
ゲーションを形成する。
の部分に形成した１次コルゲーションと平行にピッチΔ
２−〜４８００ （人）（Ａ！＝２Δ１）で露光を行い
、それを現像して前記２００〔μｍ〕の２次コルゲーシ
ョン領域４に相当する部分にフォト・レジスト膜のコル
ゲーションを形成する。
次に、温度約１２０［’ｃ）、時間３０〔分〕のアフタ
・ヘーキングを行ってから、そのコルゲージラン・パタ
ーンを有するフォト・レジスト膜をマスクとし、前記同
様のエツチング液を用いてｎ型１ ｎ Ｐ基板を３０〔
秒〕間に互りエンチングして深さ１０００ （人）の２
次コルゲーションを形成する。
・ヘーキングを行ってから、そのコルゲージラン・パタ
ーンを有するフォト・レジスト膜をマスクとし、前記同
様のエツチング液を用いてｎ型１ ｎ Ｐ基板を３０〔
秒〕間に互りエンチングして深さ１０００ （人）の２
次コルゲーションを形成する。
次に、フォト・レジスト膜を剥離し、表面処理を施して
から、液相エピタキシャル成長法を適用することに依り
、ｎ型１ｎＧａＡｓＰ導波層５、ＩｎＧａＡｓＰ活性層
６、ｐ型ｒｎＧａＡｓＰクラッド層７、ｐ型ｆｎＧａＡ
ｓＰコンタクト層８、ｐ型１ｎＰ層９、ＪｎＧａＡｓ層
】０、ｎ型ＩｎＰ受光層１１を順に成長させる。
から、液相エピタキシャル成長法を適用することに依り
、ｎ型１ｎＧａＡｓＰ導波層５、ＩｎＧａＡｓＰ活性層
６、ｐ型ｒｎＧａＡｓＰクラッド層７、ｐ型ｆｎＧａＡ
ｓＰコンタクト層８、ｐ型１ｎＰ層９、ＪｎＧａＡｓ層
】０、ｎ型ＩｎＰ受光層１１を順に成長させる。
次に、化学気相堆積（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｕ
ｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＣＶＤ）法を適用して二
酸化シリコン（ＳｉＯｚ）膜を形成する。
ｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：ＣＶＤ）法を適用して二
酸化シリコン（ＳｉＯｚ）膜を形成する。
次に、フォト・リソグラフィ技術を通用して二酸化シリ
コン膜のバクーニングを行い、受光素子部分を覆う保護
膜とする。
コン膜のバクーニングを行い、受光素子部分を覆う保護
膜とする。
次に、エッチャントとして塩化水素（ＨＣＩ）系エツチ
ング液を用い、前記保護膜をマスクとしてｎ型１ｎＰ受
光層１１のエツチングを行う６次に、エッチャントとし
てＨ２Ｓ０４ｉＨ２０２１（２０＝Ｉ：３：ｌの混合液
を用い、前記保護膜をマスクとしてＩｎＣ＋ａＡｓ層１
０のエツチングを行う。
ング液を用い、前記保護膜をマスクとしてｎ型１ｎＰ受
光層１１のエツチングを行う６次に、エッチャントとし
てＨ２Ｓ０４ｉＨ２０２１（２０＝Ｉ：３：ｌの混合液
を用い、前記保護膜をマスクとしてＩｎＣ＋ａＡｓ層１
０のエツチングを行う。
次に、前記同様、エッチャントとして塩化水素系エツチ
ング液を用い、前記保護膜をマスクとしてｐ型１ｎＰ層
９をエツチングする。
ング液を用い、前記保護膜をマスクとしてｐ型１ｎＰ層
９をエツチングする。
次に、前記保護膜を除去した後、Ａｕ・Ｇｅ・Ｎｉから
なるｎ側電極１２、Ｔｉ−Ｐｔ−Ａｕからなるｐ側電極
、Ａｕ−Ｇｅ−Ｎｉからなる受光素子部分に於ける電極
を形成する。
なるｎ側電極１２、Ｔｉ−Ｐｔ−Ａｕからなるｐ側電極
、Ａｕ−Ｇｅ−Ｎｉからなる受光素子部分に於ける電極
を形成する。
尚、ｎ型ＩｎＰ層１１等をエツチングして受光素子部分
を形成する前に、表面からｎ型１ｎＰ基板１に達するメ
サ・エツチングを行い、それに依り除去された部分に、
例えばｎ型１ｎＰ埋め込み層及びｎ型１ｎＰ埋め込み層
を形成することもできる。
を形成する前に、表面からｎ型１ｎＰ基板１に達するメ
サ・エツチングを行い、それに依り除去された部分に、
例えばｎ型１ｎＰ埋め込み層及びｎ型１ｎＰ埋め込み層
を形成することもできる。
第２図は第１図に示した実施例の要部等価回路図であり
、第１図に関して説明した部分と同部分は同記号で指示
しである。
、第１図に関して説明した部分と同部分は同記号で指示
しである。
図に於いて、１７はＤＦＢ型半導体レーザ部分、１８は
受光素子部分、１９は抵抗、２０はモニタ信号出力端子
、■７及びＶ、はバイアス電圧をそれぞれ示している。
受光素子部分、１９は抵抗、２０はモニタ信号出力端子
、■７及びＶ、はバイアス電圧をそれぞれ示している。
尚、■。〈ｖａであり、このようにバイアス電圧を選択
すると電極１３から電極１４に電流が流れることはない
。
すると電極１３から電極１４に電流が流れることはない
。
第３図は本発明に於ける他の実施例を表す要部切断側面
図であり、第１図に関して説明した部分と同部分は同記
号で指示しである。
図であり、第１図に関して説明した部分と同部分は同記
号で指示しである。
本実施例が第１図に見られる実施例と相違する点は、Ｉ
ｎＧａＡｓＰ活性層６上にλ、が１．１５ Ｃμｍ）で
あるｐ型１ｎＧａＡｓＰ導波層２１を形成し、その表面
に２次コルゲーションを形成したことである。
ｎＧａＡｓＰ活性層６上にλ、が１．１５ Ｃμｍ）で
あるｐ型１ｎＧａＡｓＰ導波層２１を形成し、その表面
に２次コルゲーションを形成したことである。
本実施例では、光カンプリングで垂直方向にモニタ光１
６を採り出すようにしている。
６を採り出すようにしている。
この場合の１次コルゲーション領域３の長さは４００〔
μｍ〕、また、２次コルゲーション領域４の長さは５０
〔μｍ〕であり、１次コルゲーションと２次コルゲーシ
ョンとは全く独立しているので、その作製は非常に容易
になる。
μｍ〕、また、２次コルゲーション領域４の長さは５０
〔μｍ〕であり、１次コルゲーションと２次コルゲーシ
ョンとは全く独立しているので、その作製は非常に容易
になる。
本発明の光半導体装置では、光導波領域の導波方向に沿
って形成されてレーザ光を発生させる低次数の周期的凹
凸と、前記レーザ光を表面方向に取り出す為に前記低次
数の周期的凹凸に近接して設けられた高次数の周期的凹
凸と、該高次数の周期的凹凸に対向する表面に形成され
た受光素子部分とを有する構成になっている。
って形成されてレーザ光を発生させる低次数の周期的凹
凸と、前記レーザ光を表面方向に取り出す為に前記低次
数の周期的凹凸に近接して設けられた高次数の周期的凹
凸と、該高次数の周期的凹凸に対向する表面に形成され
た受光素子部分とを有する構成になっている。
この構成に依ると、従来、困難視されていたＤＦＢ型半
導体レーザに於けるモニタを作り付けの受光素子部分で
直接且つ容易に行うことが可能であり、そして、従来に
於ける個別のＤＦＢ型半導体レーザと受光素子とを組み
立てモニタできるようにする場合と比較すると、その製
造上の容易性は甚だ大きい。
導体レーザに於けるモニタを作り付けの受光素子部分で
直接且つ容易に行うことが可能であり、そして、従来に
於ける個別のＤＦＢ型半導体レーザと受光素子とを組み
立てモニタできるようにする場合と比較すると、その製
造上の容易性は甚だ大きい。
第１図は本発明一実施例の要部切断側面図、第２図は第
１図に示した実施例に関する要部等価回路図、第３図は
本発明に於ける他の実施例の要部切断側面図をそれぞれ
表している。 図に於いて、ｌはｎ型１ｎＰ基板、２は光導波領域の導
波方向に沿って形成されたコルゲーション、３は１次コ
ルゲーション領域、４は２次コルゲーション領域、５は
ｎ型１ｎＧａＡｓ導波層、６は１ｎＧａＡｓＰ活性層、
７はｐ型１ｎＰクラッド層、８はｐ型１ｎＧａＡＳＰキ
ャップ層、９はｐ型１ｎＰ層、ＩＯはＩｎＧａＡｓ層、
１１はｎ型１ｎＰ受光層、１２はｎｔＩ！Ｉ電極、１３
はｐ側電極、１４は受光素子部分に於ける電極、１５は
信号光、１６はモニタ光、１７はＤＦＢ型半導体レーザ
部分、１８は受光素子部分、１９は抵抗、２０はモニタ
信号出力端子、２１はｐ型１ｎＧａＡｓ導波層をそれぞ
れ示している。
１図に示した実施例に関する要部等価回路図、第３図は
本発明に於ける他の実施例の要部切断側面図をそれぞれ
表している。 図に於いて、ｌはｎ型１ｎＰ基板、２は光導波領域の導
波方向に沿って形成されたコルゲーション、３は１次コ
ルゲーション領域、４は２次コルゲーション領域、５は
ｎ型１ｎＧａＡｓ導波層、６は１ｎＧａＡｓＰ活性層、
７はｐ型１ｎＰクラッド層、８はｐ型１ｎＧａＡＳＰキ
ャップ層、９はｐ型１ｎＰ層、ＩＯはＩｎＧａＡｓ層、
１１はｎ型１ｎＰ受光層、１２はｎｔＩ！Ｉ電極、１３
はｐ側電極、１４は受光素子部分に於ける電極、１５は
信号光、１６はモニタ光、１７はＤＦＢ型半導体レーザ
部分、１８は受光素子部分、１９は抵抗、２０はモニタ
信号出力端子、２１はｐ型１ｎＧａＡｓ導波層をそれぞ
れ示している。
Claims (1)
- 光導波領域の導波方向に沿って形成されてレーザ光を
発生させる低次数の周期的凹凸と、前記レーザ光を表面
方向に取り出す為に前記低次数の周期的凹凸に近接して
設けられた高次数の周期的凹凸と、該高次数の周期的凹
凸に対向する表面に形成された受光素子部分とを有して
なることを特徴とする光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17153784A JPS6150386A (ja) | 1984-08-20 | 1984-08-20 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17153784A JPS6150386A (ja) | 1984-08-20 | 1984-08-20 | 光半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6150386A true JPS6150386A (ja) | 1986-03-12 |
Family
ID=15924960
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17153784A Pending JPS6150386A (ja) | 1984-08-20 | 1984-08-20 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6150386A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2630593A1 (fr) * | 1988-04-25 | 1989-10-27 | Gen Electric | Dispositif et procede pour surveiller un dispositif electroluminescent |
| FR2686753A1 (fr) * | 1992-01-24 | 1993-07-30 | France Telecom | Photorecepteur pour signaux optiques modules en frequence, emetteur-recepteur et liaison optique correspondants. |
-
1984
- 1984-08-20 JP JP17153784A patent/JPS6150386A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2630593A1 (fr) * | 1988-04-25 | 1989-10-27 | Gen Electric | Dispositif et procede pour surveiller un dispositif electroluminescent |
| FR2686753A1 (fr) * | 1992-01-24 | 1993-07-30 | France Telecom | Photorecepteur pour signaux optiques modules en frequence, emetteur-recepteur et liaison optique correspondants. |
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