JPH02207546A - インライン式真空装置に於ける基板搬送装置 - Google Patents

インライン式真空装置に於ける基板搬送装置

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JPH02207546A
JPH02207546A JP1014216A JP1421689A JPH02207546A JP H02207546 A JPH02207546 A JP H02207546A JP 1014216 A JP1014216 A JP 1014216A JP 1421689 A JP1421689 A JP 1421689A JP H02207546 A JPH02207546 A JP H02207546A
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JP
Japan
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magnet
tray
vacuum chamber
along
substrate
Prior art date
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Pending
Application number
JP1014216A
Other languages
English (en)
Inventor
Milon Poly Neil
ネイル・マイロン・ポーレイ
Muneharu Komiya
小宮 宗治
Takao Ito
隆生 伊藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ulvac Inc
International Business Machines Corp
Original Assignee
Ulvac Inc
International Business Machines Corp
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Publication date
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Publication of JPH02207546A publication Critical patent/JPH02207546A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/568Transferring the substrates through a series of coating stations

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は、スパッタリング装置、プラズマCVD装置等
の真空装置の真空室内で基板を取付けたトレイを搬送し
、該基板にスパッタリング、プラズマCVD等の処理を
施すインライン式真空装置に於ける基板搬送装置に関す
る。
(従来の技術) 従来、シリコンウェハ等の基板にスパッタリングやプラ
ズマCVDにより薄膜を形成する装置に於いて、基板を
板状のトレイに取付け、該トレイをスパッタリング装置
等の真空室内で搬送することにより該基板に処理を施す
ようにしたインライン式真空装置が知られている。この
場合、基板の板面にダストの付着を防止するため、第1
図乃至第3図にみられるように、トレイaを直立させ、
その下方に設けたラックピニオン型の機械的搬送装置す
により複数の真空室C内を搬送することが行なわれてい
る。該トレイaの上方には、トレイaの傾動を防ぐため
に、真空室C内の固定板dに揺動自在に設けたガイドロ
ーラeと係合するガイドレールfが取付けられ、該ガイ
ドレールfの下方にこれとガイドローラeとの摺接によ
り発生するダストを受ける樋状のダストシールドgが設
けられる。該トレイaは、真空室Cに設けた下部ガイド
レールh及びピニオンギアiと、該ガイドレールhに沿
って回転するトレイaの下部側方の下部ローラj及び該
ピニオンギアiと咬合するトレイaの下端に固定のラッ
クギアにとで構成した機械的搬送装置すにより搬送され
、該トレイaの側面に治具lで取付けた基板mに例えば
スパッタリングカソードnによりスパッタリングが施さ
れる。
(発明が解決しようとする課題) 前記のようにトレイaを直立して搬送すれば基板mの表
面にダストが付着する確立が少なくなり、また機械的搬
送装置すをトレイaの下方に設けることにより該搬送装
置すからその作動時に機械的摩擦等によって剥離、落下
するダストが基板に付着することを防げ、機械的搬送装
置すで重量の大きいトレイを搬送出来る利点がある。し
かし、直立したトレイaの上方をガイドローラeとガイ
ドレールfの共同により保持すると、これらの機械的摩
擦によりダストが発生し、発生したダストをその下方の
ダストシールgに於いて完全に捕捉することは難しく、
多少とも真空室C内へダストが拡散することは防げない
従って、トレイaを直立して搬送しても、ダストの発生
個数の増大のために基板mに付着するダストは減少しな
い。
本発明は、比較的重量の大きいトレイを搬送出来る機械
的搬送装置の前記した欠点を解決することを特徴とする
ものである。
(課題を解決するための手段) 本発明では、インライン式真空装置の真空室内に、側面
に基板を取付けた板状のトレイを直立させ、該トレイの
下方に該トレイを支持してその板面の方向に搬送する機
械的搬送装置を設けるようにしたものに於いて、該直立
したトレイの上方をS該トレイの上部にその搬送方向に
沿って配置された第1磁石と、該第1磁石の配列方向の
両側に沿って真空室内に配置さ、れ且っ該第1磁石と反
発する第2磁石とで構成された無接触保持装置により保
持するようにし、これにより搬送されるトレイの上方に
於けるダストの発生を防ぎ、前記目的を達成するように
した。
(作 用) インライン式スパッタリング装置の場合、適当な治具に
よりトレイの板面に基板を取付け、該トレイを直立させ
てスパッタリング装置の真空室内へ搬入する。該トレイ
はその下方に設けられた機械的搬送装置によりトレイの
板面の方向に搬送され、該真空室内で基板にスパッタリ
ングにより薄膜が形成される。トレイが該真空室内を搬
送されるとき、トレイの上方は、第1磁石と第2磁石で
構成された無接触保持装置によって直立状態が保持され
、機械的接触がないので、ダス;・を発生がない。従っ
て真空室内に於けるダストの発生は、トレイの下方に設
けられた機械的搬送装置からに限られ、その発生個所は
基板よりも下方であるので、基板にダストが付着するこ
とがなく、基板全面の清浄を維持することが出来る。
(実施例) 本発明の実施例を図面第4図乃至第6図に基づき説明す
るに、これらの図面に於いて、符号(1)は両側に開閉
自在のバルブ(2) (2)を備えた開口(3) (3
)を有するインライン式のスパッタリング装置の真空室
を示し、該真空室(1)の側壁(4)にはスパッタリン
グカソード(5)が設けられる。該真空室(1)内は、
下方の真空排気口(6)からの排気と図示してないガス
導入口からのスパッタガスの導入とにより例えば1O−
2Torr程度の真空圧に保たれる。該真空室(1)内
には、側面に複数枚のシリコンウェハ等の基板(7)を
治具(8)により取付けた板状のトレイ(9)が直立し
て開口(3)から送り込まれ、該トレイ(9)はその下
方に設けられた機械的搬送装置(IGにより直立した状
態で該トレイ(9)の板面の方向に搬送される。
該機械的搬送装置(IOは、トレイ(9)の下端に沿っ
て取付けたフレーム(11)の両側に夫々回転自在に設
けた複数個のローラ(+21と、該フレームavの下側
にばね■を介して上下動自在に取付けたラックaΦと、
各ローラaδを案内するように真空室(1)の底部に設
けられたチャンネル状の1対のガイドレール(+!i)
と、1対のガイドレールa9の中間に設けられて該ラッ
クa@に咬合う複数個のピニオンギアcUO及び各ピニ
オンギア(IGの支軸(+71に駆動を与える真空室(
1)の外部の電動機aeにより構成するようにした。
該真空室(1)内にトレイ(9)が送り込まれると、ト
レイ(9)の下端のラック(141に回転するピニオン
ギアaOが咬合い、ガイドレールOS1に沿って回転す
るローラ■によりトレイ(9)が支持されてその板面の
方向に搬送され、該トレイ(9)に取付けられた基板(
7)にスパッタリングカソード(5)により薄膜形成の
処理が施されると該真空室(1)がら外部へ送り出され
る。
直立して搬送されるトレイ(9)の上方は、無接触保持
装置a9により該トレイ(9)がその板面の方向に傾か
ないように保持される。該無接触保持装置aつは、トレ
イ(9)の上端に取付けた第1磁石■と、真空室(1)
内に取付けられ且つ第1磁石■と反発する第2磁石■を
備え、第4図及び第5図示の実施例では、該第1磁石■
をトレイ(9)の板面の方向で磁極が異なる長い永久磁
石からなる1本の棒磁石とし、これをトレイ(9)の上
部にその搬送方向に沿わせて配置するようにし、また該
第2磁石■は6個のブロック状の永久磁石を第1磁石■
の配列方向の両側に沿って該第1磁石■と反発するよう
に3個ずつ配置した。これによってトレイ(9)が真空
室(1)内に搬入されると、該トレイ(9)の上部の第
1磁石■が第2磁石■の間に進入し、磁力による反発作
用により第2磁石■の間に無接触で保持され該トレイ(
9)はその板面の方向に傾動することなく搬送される。
該第1磁石■は、第7図示のように、板面の方向に磁極
が異なる2本の棒磁石120a)(20a)とし、これ
をトレイ(9)の上方の両側に取付けるように構成して
もよい。また第2磁石■は、第8図に見られるように、
複数個の電磁石(21a)で構成することも可能である
以上の実施例はインライン式のスパッタリング装置に適
用した場合につき説明したが、本発明はインライン式の
プラズマCVD装置やその他のインライン式真空装置に
も適用することが出来る。
(発明の効果) 以上のように、本発明によるときは、インライン式真空
装置の真空室内を直立して搬送される基板を取付けたト
レイの上方に、トレイに取付けた第1磁石と、真空室に
取付けた第2磁石からなる無接触保持装置を設けるよう
にしたので、基板の上方に搬送用の摺動部を設けること
なくトレイの直立状態を保持することが出来、該保持装
置によるダストの発生がないので基板の表面が清浄にな
り、真空処理による不良品の発生率を少なく出来る等の
効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は従来のインライン式真空装置の概略の平面図、
第2図は第1図の要部の裁断側面図、第3図は第2図の
■−■線部分の断面図、第4図は本発明の実施例の要部
の断面図、第5図は第4図のv−V線部分の断面図、第
6図は第4図のVl−VI線部分の断面図、第7図は本
発明の他の実施例の断面図、第8図は本発明の更に他の
実施例の斜視図を示す。 (1)・・・真空室      (7)・・・基 板(
9)・・・トレイ      (IG・・・機械的搬送
装置a9・・・無接触保持装置  ■・・・第1磁石■
・・・第2磁石 特許出願人    インターナショナル・ビジネス・マ
シーンズφコーポレーション

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、インライン式真空装置の真空室内に、側面に基板を
    取付けた板状のトレイを直立させ、該トレイの下方に該
    トレイを支持してその板面の方向に搬送する機械的搬送
    装置を設けるようにしたものに於いて、該直立したトレ
    イの上方を、該トレイの上部にその搬送方向に沿って配
    置された第1磁石と、該第1磁石の配列方向の両側に沿
    って真空室内に配置され且つ該第1磁石と反発する第2
    磁石とで構成された無接触保持装置により保持するよう
    にしたことを特徴とするインライン式真空装置に於ける
    基板搬送装置。 2、前記無接触保持装置の第1磁石を、前記トレイの上
    端に沿って取付けられ且つ該トレイの左右の板面に対し
    垂直の方向に極性が異なる長い棒状の永久磁石で構成し
    、該第1磁石と反発する第2磁石を、該トレイの搬送経
    路の左右に沿って第1磁石と対向するように真空室内に
    取付けした複数個のブロック状の永久磁石で構成した前
    記請求項1に記載のインライン式真空装置に於ける基板
    搬送装置。 3、前記無接触保持装置の第1磁石を、前記トレイの上
    端部の左右に沿って取付けられ且つ該トレイの板面方向
    に極性が異なる2本の長い棒状の永久磁石で構成し、該
    第1磁石と反発する第2磁石を、該トレイの搬送経路の
    左右に沿って各第1磁石と対向するように真空室内に取
    付けした複数個の永久磁石で構成した前記請求項1に記
    載のインライン式真空装置に於ける基板搬送装置。 4、前記無接触保持装置の第1磁石を、前記トレイの上
    端に沿って取付けられ且つ該トレイの左右の板面の方向
    に極性が異なる長い棒状の永久磁石で構成し、該第1磁
    石と反発する第2磁石を該トレイの搬送経路に沿って第
    1磁石と対向するように真空室内に取付けした複数個の
    電磁石で構成した前記請求項1に記載のインライン式真
    空装置に於ける基板搬送装置。
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