JPH02188939A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

半導体装置の製造方法

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JPH02188939A
JPH02188939A JP840489A JP840489A JPH02188939A JP H02188939 A JPH02188939 A JP H02188939A JP 840489 A JP840489 A JP 840489A JP 840489 A JP840489 A JP 840489A JP H02188939 A JPH02188939 A JP H02188939A
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JP
Japan
Prior art keywords
plated
extraction wires
lead
carrier tape
wires
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP840489A
Other languages
English (en)
Inventor
Haruo Shimamoto
晴夫 島本
Hiroshi Seki
関 博司
Yasuhiro Teraoka
寺岡 康弘
Toru Tachikawa
立川 透
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP840489A priority Critical patent/JPH02188939A/ja
Publication of JPH02188939A publication Critical patent/JPH02188939A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)
  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明はTAB(Tabe Automated B
ondinf)方式におけるキャリアテープに関するも
のである。
〔従来の技術〕
第3図は従来のキャリアテープを示す上面図で1図にお
いて、…はポリイミド系樹脂、ポリエステル、ガラスエ
ポキシ等より成るテープ基材、121qキヤリアテープ
を各工程において定ピッチ送り及び位置決めするための
スズロケットホール、・31ハ半導体素子(図示せず)
を収めるため及びインナーリードを突出させるためのセ
ンターデバイス孔、n1ijこの位置にてアクタ−リー
ドを切断しキャリアテープより半導体素子金取り出すた
めのアクタ−リード孔、+611jテープ基材Ill上
に形成されたリード配線、 r5a)は半纒体素子上の
突起11m(図示せず)と接着する九めのインナーリー
ド、rsb)は基板あるいはフレーム等と接着するため
のアクタ−リード、r5a)はテスト時に使用するテス
トパッド、  r5d)はリード配$+61全体を電気
めっきする時に用いるめっき引き出し線、 (!5e)
はめっきする時に1極として使用されかつ、各めっき引
き出し線を集中させるためのめつき集中電極、 (6f
)は各めっき集中電8kを電気的に接続するための共通
電極である。
次に動作につhて説明する。スプロケットホール+tl
及びセンターデバイス孔(3)、アクターリ−ド孔(4
1、カット孔161等が明けられたテープ基材111上
に接着材(図示せず)を接着、あるいけテープ基材:+
1上にめっき等でCU箔を形成する。
但し、後者の場合、センターデバイス孔等は写真製版、
化学処理工程を経て形成される。
次VcOu箔全写真製版及びOuのエツチングにより所
定のパターンに形成される。次にCu より成るリード
配線、5i上に無電解Su  めっき、あるいは、 N
i 、 Au、はんだ等が電気めっきされる。後者の電
気めっきの場合は1図に示すようにめっき引き出線(5
d)及びめっき電極(5e)が必要である。次に、半導
体素子をキャリアテープのインナーリード(5a)と接
着した後、良否判定のためのテストを行なうために第3
図の場合。
めっき集中電極(5e)のまわりの点線の部分をテープ
基材Illとともに打ち抜くか、テープ基材からはく雌
することによって、全てめっき引き出し線(ad)及び
めっき集中’ll& (5θ)VCよって電気的につな
がってい之テスエバッド1lc)を独立させることによ
ってテスト可能とさせる。
〔発明が解決しようとする課題〕
従来のキャリアテープは以上の様に構成されていたので
、めっき用引き出し線を何ケ所かに集中させなければな
らず、そのための配線の弓き回しか必要となり、特に多
ビンの工/6線を持つ場合は引き回しのために不要なテ
ープ部を占付しテープからの取れ数を少くシ、又、長い
平行導体の引き回しは導体間の電気的干渉を引き起し、
ノイズ源とな夛電気的テスト’5−困mVCする等の問
題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになきれ
たもので、電気めっきの引き出し線を集中させずにテー
プに貫通孔を明けるこ七によりめっき引き出し線ヲカッ
トし電気的テストを長尺状のまま行なうことの出来るキ
ャリアテープを得ることを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係る半導体装置の製造方法はTABテープ上
のパターンのめつき引き出し線を数カ所に集中したその
部分ではなく、その手前iCおいてテープに貫通孔をあ
けることによりめっき引き出し線を切断するようにした
ものである。
〔作用〕
この発明におけるテープ貫通穴はめっき引出し線ヲ集中
させる必要がなくなることにより。
めっき引き出し緑の引き回しが簡単になる。
〔実施−]〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第1図はこの発明の一実施例であるキャリアテープを示
す上面図%窟2図はこの発明のキャリアテープの主要部
の拡大図である。第1図において、111はポリイミド
系樹脂、ポリエステル。
ガラスエポキシ等より成るテープ基材、121はキャリ
アテープを各工8において定ピッチ送り及び位置決めす
るためのスプロケットホール、(3Iは半導体素子(図
示せず)倉収めるため及びインナーリードを突出させる
ためのセンターデバイス孔、 +41 riこの位置に
てアクタ−リードを切断しキャリアテープより半導体素
子を取り出すためのアクタ−リード孔、151はテープ
基材III上に形成されたリード配線%(5a)は半導
体素子上の突起電極(図示せず)と接着するためのイン
ナーリード、(5a)は基板 あるいはフレーム等と接
続するためのアクタ−リード% (5e)はテスト時だ
使用するテストパッド、〔5d)はリード配@151全
体を電気めっきする時に用いるめっき引き出し線、(5
f)はめっきする時に1&として使用されか−Aつき引
き出し線を1本VC集めるための共通’II極、 16
1はテストするためにめっき引き出し線をカットするた
めにテープ上に開けるべき貫通孔のくる位置を破線で示
したものである。
第2図は本キャリアテープの主要部を示す上面図で1図
において%L71に第1図で示した破線部1[11′I
k金型等により打ち抜いた後のテープ上の貫通孔である
。(8)は半導体素子で、インナーリード(6a)で接
続されている。
次に動作について説明する。
半導体素子(8)上に形成された突起電極(内示せず)
とテープ上のインナーリード(5a)を位置合せし、熱
源により熱圧着する。この後、半導体素子(8)上に捌
脂コート(図示せず)シ派獲する。この後、テストパッ
ド(so)を用いて半導体素子(8)の′磁気的特性を
測定するために、第1図の16)都破線部よりめっき引
き出し線を金型等に打ち抜いたのが、第2図中の111
である。破断部は多数のめつき引き出し部をまたぐ様に
貫通孔を設けている。こうすることにより、単体として
テストが可能となる。
〔発明の効果〕
以上のようにこの発明によれば、めっき用共通電極を半
導体素子の周囲に配置しているため、各リードからのめ
つき引き出し線を引き回すための余分な配線スペースが
不要となり、多入出力をもつ場合にお−ても容易にめっ
き引き出し襟を設けることがcIT能となる。又、1四
−長のテープからの取れ数が多くなるという利点も発生
する。
又、めっき引き出し線の長さが短くなるこ七により、隣
接するリード間の電気的干渉も少くなり高周波数下で動
作する半導体素子においてもテストが可能となる効果が
ある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例によるキャリアテープを示
す上面図、第8図はこの発明の詳細な説明するための上
面図、!3図は従来のキャリアテープを示す上面図であ
る。 図において、…はテープ基材、161はリード配線、(
5(1)はめつき引き出し線、111に貫通孔、(81
け半導体素子である。 なお1図中、同一符号は同一 または相当部分を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. リード配線が電気めつきが可能となるようにめつき引き
    出し線を有するキャリアテープにおいて、半導体素子を
    電気的テストを行う際にめつき引き出し線を切断する方
    法として、めつき引き出し線を1ケ所あるいは数ヵ所に
    集中させずめつき引き出し線そのものを打ち抜くことに
    より電気テストを可能としたことを特徴とする半導体装
    置の製造方法。
JP840489A 1989-01-17 1989-01-17 半導体装置の製造方法 Pending JPH02188939A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5153708A (en) * 1990-09-14 1992-10-06 Nippon Steel Corporation Tape carrier used in tab system
JP2004138391A (ja) * 2002-10-15 2004-05-13 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
JP2007081058A (ja) * 2005-09-13 2007-03-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 配線基板及びその製造方法、並びに半導体装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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JP2004138391A (ja) * 2002-10-15 2004-05-13 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法
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