JPH02185051A - 両面保護コート型tab用テープキャリア - Google Patents

両面保護コート型tab用テープキャリア

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JPH02185051A
JPH02185051A JP1005558A JP555889A JPH02185051A JP H02185051 A JPH02185051 A JP H02185051A JP 1005558 A JP1005558 A JP 1005558A JP 555889 A JP555889 A JP 555889A JP H02185051 A JPH02185051 A JP H02185051A
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protective coat
tape carrier
coat
double
insulating compound
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Mamoru Onda
護 御田
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Hitachi Cable Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/50Tape automated bonding [TAB] connectors, i.e. film carriers; Manufacturing methods related thereto

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  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、両面保護コート型TAB用テープキャリアに
関する。
〈従来の技術〉 半導体素子の実装技術においては、一定水準以上の性能
を持つ製品を高速で量産するために自動化が図られてい
る。
この自動化を目的として開発された半導体素子の実装技
術の一つに、長尺のテープキャリアにワイヤレスボンデ
ィングにより半導体素子を組込んでゆ< T A B 
(Tape Automated Bonding)方
式がある。
このTABでは、半導体素子の各電極端子にバンプを設
け、このバンブと対応するテープキャリアのインナーリ
ードとをボンディングツールにより熱圧着した後、絶縁
性の流動レジンにより樹脂封止され、さらに表面保護コ
ートが施されるという操作が連続的に行なわれる。
最近前記TAB用テープキャリアによるICパッケージ
は、従来の時計用等の民生機からパソコン、高品質液晶
テレビ等にも応用が広がり、いわゆる高級民生機から営
業用にも実用化が急速に進んでいる。
このような、従来のTAB用テープキャリアは、例えば
第2図に示す構造となっている。
すなわち、最近の高信頼性のTAB用テープキャリアは
、第2図の点線で示す部分に保護コート2を施した片面
保護コート型となっている。 この目的は、テープキャ
リア1表面の汚染等による電圧印加時のエレクトロマイ
グレーションの発生、アウターリード5の半田付時の半
田の飛び散りによる短絡、フラックスの飛び散りによる
パターンの腐食等を防止するためである。
この保護コート2層は、通常エポキシ系のソルダーレジ
ストインクを用いスクリーン印刷法により作られる。
なお、3はフィルム、4はパイロットホール、5はデバ
イスホール、6はアウターリード、7はインナーリード
、8はデバイスホール端面である。
〈発明が解決しようとする課題〉 ところで、前記従来のTAB用テープキャリアには以下
のような問題点があった。
ソルダーレジスト等による保護コートの厚さは、通常5
〜50μm1平均では20μmが施されるが、この厚さ
は基材の一層の薄フイルム化(例えば、50〜75μm
のポリイミドフィルム)に対して、充分厚いため、ソル
ダーレジストインクの加熱乾燥時における熱収縮でフィ
ルムの反りがおこる。
この反りの状況を第3図に示した。 こ のフィルムの
反りは、デバイスホール5内のインナーリード7の向き
にも影響をおよぼし、IC素子9を取付ける時の歩留り
を悪化させる。
このため、通常フィルムの反りの要求値は1.0mm以
下におさえられているが、片面ソルダーインク塗布型で
はこれをクリア出来ない。
本発明は、上記従来技術の欠点を解消し、フィルムの反
りを小さくしたTAB用テープキャリアを提供すること
を目的としている。
く課題を解決するための手段〉 上記目的を達成するために本発明によれば、半導体集積
回路素子組み込み用デバイスホール、インナーリードお
よびアウターリードを有するテープキャリアにおいて、
前記インナーリードおよびアウターリードの半田付部以
外の表面および裏面の両面に保護コートを形成させたこ
とを特徴とする両面保護コート型TAB用テープキャリ
アが提供される。
前記保護コートは、ソルダーレジストコートが好ましい
また、前記保護コートは、有機絶縁性化合物または前記
有機絶縁性化合物と無機絶縁性化合物の混合物からなる
のが好ましい。
以下に、本発明をさらに詳細に説明する。
本発明に用いられる有機絶縁材料フィルムは、所定幅の
長尺のフィルムであって、加工性がよく、耐熱性、耐放
射線性、耐湿性などを有し、絶縁性に優れた有機高分子
材料製のフィルムであれば何でもよく、有機絶縁材料と
しては、例えば、代表的にポリイミド、ガラスエポキシ
、エポキシ樹脂、エポキシポリイミド、ポリイミドシリ
コーン、感光性ポリイミドなどを挙げることができる。
 このフィルムの厚さはTAB用テープキャリアに用い
られるテープ厚さを有していればよく、特に限定されな
いが、例えば、通常75〜125μm程度とすればよい
また、本発明に用いられる金属箔としては、導電性のよ
い金属製でフォトエツチング法などにより、リードパタ
ーンあるいは配線パターンを形成できる金属箔であれば
、いかなるものでもよく、例えば、代表的に銅箔、銅合
金箔などが挙げられる。
また、この金属箔の厚さは特に制限的ではなく、TAB
用テープキャリアとして必要な厚さを金属箔の配線パタ
ーン、剛性等により適宜選択すればよいが、例えば、1
8〜35μm程度とすわばよい。
本発明に用いる保護コートは、TAB用テープの両面に
形成させるもので、ソルダーレジストインクを用いスク
リーン印刷法で形成されるのが好ましいが、有機絶縁性
化合物、例えば、エポキシ塗料またはこれに無機系の絶
縁性化合物、例えば石英粉を混合したものは微油パター
ン印刷性(インクの流動性制御)という利点があるので
好ましい。 TAB用テープのインナーリード部および
半田付けするアウターリードの部分を除く表面(第2図
に点線で囲まれた部分)に保護コートを施したのち、前
記表面コートエリアと対向する裏面に同様の保護コート
を施し、約120℃で1時間乾燥硬化熱処理してコート
を形成させる。
また、本発明において、金属箔層に形成される配線パタ
ーンは、第2図に示すrc素子用リードパターンに限定
されないことは勿論、搭載される部品、回路、デバイス
、素子などに応じ適宜必要な配線パターンをフォトエツ
チング法などにより形成すればよい。
〈実施例〉 以下に、本発明に係る両面保護コート型TAB用テープ
キャリアを添付の図面に示す好適実施例に基づいてさら
に詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるわけで
はない。
第1図は、本発明の両面保護コート型TAB用テープキ
ャリアの断面図である。 本実施例は、有機絶縁材料テ
ープとしてテープ状のポリイミドフィルム、金属箔とし
て銅箔を用いるものである。
同図に示すように、両面保護コート型TAB用テープキ
ャリア1はポリイミドフィルム3の表面に銅箔層(図示
せず)を接着剤を用いて貼着し、ポリイミドフィルム3
に空けられたIC素子9取付用のデバイスホール5に突
出するインナーリード7を有するリードパターンすなわ
ちIC素子用配線パターンを形成したものである。 そ
して、TAB用テープキャリア1は、電極パッド(例え
ばAuバンブ)10とインナーリード7とを一度にギヤ
ングボンディングし、点線で示す領域を封止レジン11
で封止するものである。
このような両面保護コート型TAB用テープキャリア1
の表面は、従来のTAB用テープキャリアの表面と同様
なものであってよく、例えば、第2図に示すような表面
構成を有する。
長尺のポリイミドフィルム3にはその中央に実装置C素
子用のデバイスホール5が空けられ、両側に所定間隔で
パイロットホール4が連続して設けられる。 デバイス
ホール5の周囲には、デバイスホール5に延長するイン
ナーリード7とポリイミドフィルムに貼着されているア
ウターリード6からなる銅箔製リードが所定のリードパ
ターンで形成されている。 これらのリードが表面銅箔
層を形成する。
(実施例1) 第1図に示す断面形状を有する本発明の両面保護コート
型TAB用テープキャリア1としてインナーリート10
0ピン用のものを製造した。 このTAB用テープキャ
リア1の製造方法は、まずエポキシ系接着剤付きの0.
125mmX35mm幅のポリイミドフィルム3にパイ
ロットホール4とデバイスホール5を傘型な用いたプレ
スマシンにより開口させた。 次に、この表面に35μ
m厚さの銅箔をパイロットホール4を除く全面に貼付け
、その後フォトエツチング法によりインナーリード7、
アウターリード6共にiooビンのTAB用テープキャ
リアを作った。
この表面に表面保護を目的とする、ソルダーレジストコ
ート2を厚さ10±5μmの管理基準でスクリーン印刷
法により施した。  コートエリアは第2図に点線で示
す様にインナーリード7部および半田付けするアウター
リード6の部分は除いた。 次にこのテープキャリア1
の表面コートエリアと対向する裏面にも、同一のソルダ
ーレジストコートを同様の厚さ施した。
従来の片面コート型(比較例)と本発明の両面コート型
のソルダーレジスト乾燥硬化熱処理後(120℃×1h
)のフィルム反り量と100ピンIC素子接合後の良品
歩留り率を求めた。 その結果を第1表に示す。
比較例では、完成時のフィルムの長手方向50mm当り
の反り量で5mmと10%の反り率であるのに対して、
実施例では反り量1.0mm(反り率2%)と115に
なった。
また、素子接合良品歩留りは95%が目標とされている
が、比較例では初期反り量が大きいためにインナーリー
ド7の高低に変化がおこりIC素子9の電極パッド10
との不接合をおこしやすく、素子接合良品歩留りが75
%と低くなった。 接合不良の素子は、20μmの厚さ
の電極パッド部がインナーリード表面に施された無電解
錫メツキとAu−3nの共晶反応接合してしまっている
ためリペア不能であり、廃却するしかなかった。 この
ため最終製品のコストアップを招いた。
第1表 〈発明の効果〉 本発明は、以上説明したように構成されているので、素
子の接合不良による損失に比べて少ない費用で両面にソ
ルダーレジストインクをコートすることにより素子接合
良品歩留の向上が図れ、製品コストが大幅に低減できる
また本発明によれば、フィルムの反りが小さいため素子
接合のスピードを高くすることができる。 素子接合前
のインナーリードと素子の電極パッドとの位置合わせ時
間は、総ボンディング時間の70%を占めており、イン
ナーリードの高低がある場合は焦点が定まらず、通常の
総ボンディング時間3秒に対し位置合わせに5秒間を必
要としていた。
また本発明によれば、フィルムの反りが小さいためアウ
ターリードのプリント基板への接合力シャすく、接合不
良をおこしにくいという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明に係る両面保護コート型TAB用テー
プキャリアの一実施例の断面図である。 第2図は、TAB用テープキャリアの平面図である。 第3図は、従来のTAB用テープキャリアの断面図であ
る。 符号の説明 1・・・TAB用テープキャリア、 2・・・保護コート、 3・・・フィルム(ポリイミドフィルム)、4・・・パ
イロットホール、 5・・・デバイスホール、 6・・・アウターリード、 7・・・インナーリード、 8・・・デバイスホールの端面、 9・・−IC素子、 10・・・電極パッド、 11・・・封止レジン

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)半導体集積回路素子組み込み用デバイスホール、
    インナーリードおよびアウターリードを有するテープキ
    ャリアにおいて、前記インナーリードおよびアウターリ
    ードの半田付部以外の表面および裏面の両面に保護コー
    トを形成させたことを特徴とする両面保護コート型TA
    B用テープキャリア。
  2. (2)前記保護コートが、ソルダーレジストコートであ
    る請求項1記載の両面保護コート型TAB用テープキャ
    リア。
  3. (3)前記保護コートが、有機絶縁性化合物または前記
    有機絶縁性化合物と無機絶縁性化合物の混合物からなる
    請求項1記載の両面保護コート型TAB用テープキャリ
    ア。
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