JPH02163950A - 半導体装置の実装体およびその実装方法 - Google Patents
半導体装置の実装体およびその実装方法Info
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- JPH02163950A JPH02163950A JP31907988A JP31907988A JPH02163950A JP H02163950 A JPH02163950 A JP H02163950A JP 31907988 A JP31907988 A JP 31907988A JP 31907988 A JP31907988 A JP 31907988A JP H02163950 A JPH02163950 A JP H02163950A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/321—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by conductive adhesives
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- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体装置と回路基板上の端子電極部との電
気的接続に関するものであり、特に、導電性接着剤を用
いたフェースダウンボンディング法に係る半導体装置の
実装方法に関するものである。
気的接続に関するものであり、特に、導電性接着剤を用
いたフェースダウンボンディング法に係る半導体装置の
実装方法に関するものである。
従来の技術
従来、電子部品の接続端子と回路基板上の回路パターン
端子との接続には半田付けがよく利用されてきたが、近
年、例えばＩＣフラットパッケージ等の小型化と、接続
端子の増加により、接続端子間、いわゆるピッチ間隔が
次第に狭くなり、従来の半田付は技術で対処することが
次第に困難になって来た。
端子との接続には半田付けがよく利用されてきたが、近
年、例えばＩＣフラットパッケージ等の小型化と、接続
端子の増加により、接続端子間、いわゆるピッチ間隔が
次第に狭くなり、従来の半田付は技術で対処することが
次第に困難になって来た。
そこで、最近では裸の半導体装置を回路基板上の端子電
極部に直付けして実装面積の効率的使用を図ろうとする
方法が開発されてきた。
極部に直付けして実装面積の効率的使用を図ろうとする
方法が開発されてきた。
なかでも、半導体装置を回路基板上に接続するに際し、
半導体装置を下向きにして、あらかじめ半導体装置の電
極パッド上にＣｒ、ＣｕおよびＡＵの３層の金属蒸着膜
部を形成した後、レジストをかけて半田をメツキや蒸着
によって金属蒸着膜部上に形成し、余分なレジストと金
属蒸着膜を除去して形成した半田バンプ電極を高温に加
熱して融着する方法が、接続後の機械的強度が強く、接
続が一括にできることなどから有効な方法であるとされ
ている。（工業調査会、１９８０年１月１５日発行、日
本マイクロエレクトロニクス協会績、ｒｌＣ化実装技術
」） 以下図面を参照しながら、上述した従来の半田バンプに
よる半導体装置の実装方法の一例について説明する。
半導体装置を下向きにして、あらかじめ半導体装置の電
極パッド上にＣｒ、ＣｕおよびＡＵの３層の金属蒸着膜
部を形成した後、レジストをかけて半田をメツキや蒸着
によって金属蒸着膜部上に形成し、余分なレジストと金
属蒸着膜を除去して形成した半田バンプ電極を高温に加
熱して融着する方法が、接続後の機械的強度が強く、接
続が一括にできることなどから有効な方法であるとされ
ている。（工業調査会、１９８０年１月１５日発行、日
本マイクロエレクトロニクス協会績、ｒｌＣ化実装技術
」） 以下図面を参照しながら、上述した従来の半田バンプに
よる半導体装置の実装方法の一例について説明する。
第３図は従来の半田バンプによる半導体装置の実装方法
の概略説明図である。第３図において、７は半導体装置
であり、８は半田バンプ電極である。９は端子電極部で
あり、１０は回路基板である。
の概略説明図である。第３図において、７は半導体装置
であり、８は半田バンプ電極である。９は端子電極部で
あり、１０は回路基板である。
以上のように構成された半田バンプによる半導体装置の
実装方法について、以下その概略について説明する。
実装方法について、以下その概略について説明する。
まず、半導体装置７のＡＩからなる電極パッド部にあら
かじめ半田バンプ電極８をメツキ等により形成しておき
、この半導体装置７をフェースダウンで回路基板１０の
端子電極部９に位置合せを行った後、２００〜３００°
Ｃの高温に加熱して半田バンプ電極８を溶融し、回路基
板１０の端子電極部９に融着させることによって半導体
装置の実装を行うものである。
かじめ半田バンプ電極８をメツキ等により形成しておき
、この半導体装置７をフェースダウンで回路基板１０の
端子電極部９に位置合せを行った後、２００〜３００°
Ｃの高温に加熱して半田バンプ電極８を溶融し、回路基
板１０の端子電極部９に融着させることによって半導体
装置の実装を行うものである。
発明が解決しようとする課題
しかしながら上記のような半田バンプ電極による半導体
装置の実装方法においては、 （１） 半田を熔融する際に高温に加熱する必要があ
り、熱応力の影響を受は易い。
装置の実装方法においては、 （１） 半田を熔融する際に高温に加熱する必要があ
り、熱応力の影響を受は易い。
（２）半田による接続のために回路基板側の端子電極部
が半田接続可能なものである必要があり、汎用性に欠け
る。
が半田接続可能なものである必要があり、汎用性に欠け
る。
（３）半田バンプ電極を形成する半田が加熱溶融する際
に拡がり、隣接とショートが発生する危険がある。
に拡がり、隣接とショートが発生する危険がある。
（４）熱膨張係数の異なるＳｉと回路基板とを硬度の高
い半田のみで接続しているため、熱応力に対して非常に
脆い。
い半田のみで接続しているため、熱応力に対して非常に
脆い。
などといった課題を存していた。
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その
目的とする所は、半導体装置と回路基板とを信頼性良く
電気的な接続を行うことのできる半導体装置の実装方法
を提供するものである。
目的とする所は、半導体装置と回路基板とを信頼性良く
電気的な接続を行うことのできる半導体装置の実装方法
を提供するものである。
課題を解決するための手段
本発明は上記の課題を解決するため、半導体装置の回路
基板上の端子電極部への実装方法において、半導体装置
の電極パッド部上に台座部と頂上部の２段形状からなる
凸型のバンプ電極を備え、該バンプ電極が可撓性を有す
る導電性接着剤を介して回路基板上の端子電極部に電気
的に接続することを特徴として、信頼性の高い半導体装
置の電気的接続を実現しようとするものである。
基板上の端子電極部への実装方法において、半導体装置
の電極パッド部上に台座部と頂上部の２段形状からなる
凸型のバンプ電極を備え、該バンプ電極が可撓性を有す
る導電性接着剤を介して回路基板上の端子電極部に電気
的に接続することを特徴として、信頼性の高い半導体装
置の電気的接続を実現しようとするものである。
作用
本発明は上記した方法によって、半導体装置の電極パッ
ド部にあらかじめ形成した２段形状で凸型のバンプ電極
を可撓性を有する導電性接着剤を介して回路基板上の端
子電極に接続することにより、応力に対して安定で、か
つ、微小ピッチの接続においても隣接とショートのない
、信頼性の高い半導体装置の電気的な接続が実現できる
。
ド部にあらかじめ形成した２段形状で凸型のバンプ電極
を可撓性を有する導電性接着剤を介して回路基板上の端
子電極に接続することにより、応力に対して安定で、か
つ、微小ピッチの接続においても隣接とショートのない
、信頼性の高い半導体装置の電気的な接続が実現できる
。
実施例
以下、本発明の一実施例の半導体装置の実装方法につい
て、図面を参照しながら説明する。
て、図面を参照しながら説明する。
第１図は本発明の一実施例における半導体装置の実装方
法による接続部の拡大図であり、第２図は、本発明の一
実施例における半導体装置の実装方法の概略説明図であ
る。
法による接続部の拡大図であり、第２図は、本発明の一
実施例における半導体装置の実装方法の概略説明図であ
る。
第１図および第２図において、１は半導体装置であり、
２は電極パッド部である。３は２段形状で凸型のバンプ
電極であり、４は可撓性を有する導電性接着剤である。
２は電極パッド部である。３は２段形状で凸型のバンプ
電極であり、４は可撓性を有する導電性接着剤である。
５は端子電極部であり、６は回路基板である。
以上のように構成された半導体装置の実装方法について
、以下図面を用いて説明する。
、以下図面を用いて説明する。
まず、半導体装置１の電極パッド部２上にあらかじめ２
段形状で凸型のバンプ電極３を形成しておき、このバン
プ電橋３上に転写や印刷によって、可撓性を有する導電
性接着剤４を形成する。
段形状で凸型のバンプ電極３を形成しておき、このバン
プ電橋３上に転写や印刷によって、可撓性を有する導電
性接着剤４を形成する。
その後、この半導体装置１をフェースダウンで回路基板
６の端子電極部５に位置合せを行い、回路基板６上に半
導体装置１をマウントした後、加熱により導電性接着剤
４を硬化させることによって、第１図および第２図に示
す様に、半導体装置１が２段形状で凸型のバンプ電極３
および可撓性を有する導電性接着剤４を介して回路基板
６の端子電極５に電気的に接続される。
６の端子電極部５に位置合せを行い、回路基板６上に半
導体装置１をマウントした後、加熱により導電性接着剤
４を硬化させることによって、第１図および第２図に示
す様に、半導体装置１が２段形状で凸型のバンプ電極３
および可撓性を有する導電性接着剤４を介して回路基板
６の端子電極５に電気的に接続される。
このとき、導電性接着剤４には可撓性を有するものを用
いているため、半導体装置１を構成するＳｉ基板と回路
基板６を構成するたとえばアルミナ基板やガラス基板と
の熱膨張係数の差から起因する熱応力を緩和することが
でき、接続部の安定性が向上する。
いているため、半導体装置１を構成するＳｉ基板と回路
基板６を構成するたとえばアルミナ基板やガラス基板と
の熱膨張係数の差から起因する熱応力を緩和することが
でき、接続部の安定性が向上する。
また、導電性接着剤４の硬化のための加熱は、従来例の
半田バンプによる接続に比べて低温で行えるため、熱硬
化時の熱応力による影響を軽減することができ、掻めて
安定な接続が得られる。
半田バンプによる接続に比べて低温で行えるため、熱硬
化時の熱応力による影響を軽減することができ、掻めて
安定な接続が得られる。
さらに、バンプ電極３が台座部と頂上部の２段形状から
なる凸型であるため、半導体装置１を回路基板６に接続
したときの導電性接着剤４の拡がりが規制でき、微細ピ
ッチでの接続においても、隣接とショートのない信頼性
の高い接続が実現できる。
なる凸型であるため、半導体装置１を回路基板６に接続
したときの導電性接着剤４の拡がりが規制でき、微細ピ
ッチでの接続においても、隣接とショートのない信頼性
の高い接続が実現できる。
しかも、バンプ電極３と回路基板６の端子電極部５の電
気的接続は導電性接着剤４による接着によって行うため
、回路基板６の端子電極部５の材質は配線材料であれば
いかなるものでもよく、汎用性がある。
気的接続は導電性接着剤４による接着によって行うため
、回路基板６の端子電極部５の材質は配線材料であれば
いかなるものでもよく、汎用性がある。
以上のようにして、半導体装置１を回路基板６に極めて
安定で信鎖性よく、かつ、高密度に実装することが可能
となる。
安定で信鎖性よく、かつ、高密度に実装することが可能
となる。
なお、本実施例において２段形状からなる凸型のバンプ
電極３をＡｕよりなるものとしたが、その材質はＡｕに
限られるものでなく、たとえば、Ｃｕなどの他の金属に
よって形成してもよい。
電極３をＡｕよりなるものとしたが、その材質はＡｕに
限られるものでなく、たとえば、Ｃｕなどの他の金属に
よって形成してもよい。
また、バンプ電極３の形成は、従来のメツキによる形成
方法によるものに限られたものでなく、いかなる方法に
よる形成を行ったものでもよく、台座部と頂上部の２段
形状からなる凸型のものであれば何でもよい。
方法によるものに限られたものでなく、いかなる方法に
よる形成を行ったものでもよく、台座部と頂上部の２段
形状からなる凸型のものであれば何でもよい。
さらに、導電性接着剤４の材質は、可撓性を有するもの
であれば何でもよく、たとえば、シリコーン系のように
可撓性を有する導電性接着剤でもよく、また、エポキシ
系、ポリイミド系、アクリル系あるいはフェノール系な
どの導電性接着剤に可撓性を付与したものを用いること
もできる。
であれば何でもよく、たとえば、シリコーン系のように
可撓性を有する導電性接着剤でもよく、また、エポキシ
系、ポリイミド系、アクリル系あるいはフェノール系な
どの導電性接着剤に可撓性を付与したものを用いること
もできる。
また、本実施例において導電性接着剤４をバンプ電極３
上に形成するとしたが、導電性接着剤４を基板６上の端
子電極部５側に印刷や転写法などを用いて形成してもよ
い。
上に形成するとしたが、導電性接着剤４を基板６上の端
子電極部５側に印刷や転写法などを用いて形成してもよ
い。
さらに、導電性接着剤４に分散する導電フィラーには、
Ａｇ、Ａｕ５ＰｄＳＮ ｉ、Ｃなどの金属や合金の粉体
を、単体もしくは組み合せて用いることができ、その粒
径、形は特に限定されるものでない。
Ａｇ、Ａｕ５ＰｄＳＮ ｉ、Ｃなどの金属や合金の粉体
を、単体もしくは組み合せて用いることができ、その粒
径、形は特に限定されるものでない。
発明の効果
以上に説明したように、本発明の半導体装置の実装方法
によれば、可撓性を存する導電性接着剤によって半導体
装置の電極バンド部上に形成した台座部と頂上部の２段
形状からなる凸型のバンプ電極と回路基板上の端子電極
とを接着によって電気的な接続を行うため、応力に対し
て極めて安定な電気的な接続が実現でき、かつ、微細ピ
ッチでの接続においても、隣接とショートのない信頼性
の高い接続が実現できるため、極めて実用上価値の高い
ものである。
によれば、可撓性を存する導電性接着剤によって半導体
装置の電極バンド部上に形成した台座部と頂上部の２段
形状からなる凸型のバンプ電極と回路基板上の端子電極
とを接着によって電気的な接続を行うため、応力に対し
て極めて安定な電気的な接続が実現でき、かつ、微細ピ
ッチでの接続においても、隣接とショートのない信頼性
の高い接続が実現できるため、極めて実用上価値の高い
ものである。
第１図は本発明の一実施例における半導体装置の実装方
法による接続部の拡大図、第２図は、本発明の一実施例
における半導体装置の実装方法の概略を説明するための
正面図、第３図は従来の半田バンプによる半導体装置の
実装方法の概略を説明するための正面図である。 １．７・・・・・・半導体装置、２・・・・・・電極パ
ッド部、３・・・・・・２段形状で凸型のバンプ電極、
４・・・・・・可撓性を有する導電性接着剤、５．９・
・・・・・端子１を橋部、６．１０・・・・・・回路基
板、８・・・・・・半田バンプ電極。
法による接続部の拡大図、第２図は、本発明の一実施例
における半導体装置の実装方法の概略を説明するための
正面図、第３図は従来の半田バンプによる半導体装置の
実装方法の概略を説明するための正面図である。 １．７・・・・・・半導体装置、２・・・・・・電極パ
ッド部、３・・・・・・２段形状で凸型のバンプ電極、
４・・・・・・可撓性を有する導電性接着剤、５．９・
・・・・・端子１を橋部、６．１０・・・・・・回路基
板、８・・・・・・半田バンプ電極。
Claims (3)
- （１）半導体装置の回路基板上の端子電極部への実装方
法において、半導体装置の電極パッド部上に台座部と頂
上部の２段形状からなる凸型のバンプ電極を備え、該バ
ンプ電極を可撓性を有する導電性接着剤を介して回路基
板上の端子電極部に電気的に接続することを特徴とする
半導体装置の実装方法。 - （２）バンプ電極が、Ａｕからなることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の半導体装置の実装方法。 - （３）導電性接着剤が、エポキシ系、ポリイミド系、ア
クリル系、フェノール系あるいはシリコーン系の導電性
接着剤に可撓性を付与したものからなることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項記載の半導体装置の実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63319079A JPH0666355B2 (ja) | 1988-12-16 | 1988-12-16 | 半導体装置の実装体およびその実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63319079A JPH0666355B2 (ja) | 1988-12-16 | 1988-12-16 | 半導体装置の実装体およびその実装方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02163950A true JPH02163950A (ja) | 1990-06-25 |
| JPH0666355B2 JPH0666355B2 (ja) | 1994-08-24 |
Family
ID=18106267
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63319079A Expired - Lifetime JPH0666355B2 (ja) | 1988-12-16 | 1988-12-16 | 半導体装置の実装体およびその実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0666355B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04335542A (ja) * | 1991-05-10 | 1992-11-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の実装体 |
| JPH06302650A (ja) * | 1993-04-14 | 1994-10-28 | Nec Corp | 半導体装置 |
| JPH08213425A (ja) * | 1995-02-03 | 1996-08-20 | Matsushita Electron Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| US6153938A (en) * | 1997-07-28 | 2000-11-28 | Hitachi, Ltd. | Flip-chip connecting method, flip-chip connected structure and electronic device using the same |
| JP2008227476A (ja) * | 2007-02-15 | 2008-09-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 光電変換装置及び電子機器、並びに光電変換装置の作製方法 |
| US8076785B2 (en) | 2005-06-28 | 2011-12-13 | Fujitsu Semiconductor Limited | Semiconductor device |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP6208951B2 (ja) * | 2013-02-21 | 2017-10-04 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光検出ユニット |
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1988
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Also Published As
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|---|---|
| JPH0666355B2 (ja) | 1994-08-24 |
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