JPH02154423A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPH02154423A JPH02154423A JP63309290A JP30929088A JPH02154423A JP H02154423 A JPH02154423 A JP H02154423A JP 63309290 A JP63309290 A JP 63309290A JP 30929088 A JP30929088 A JP 30929088A JP H02154423 A JPH02154423 A JP H02154423A
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- JP
- Japan
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- foreign substances
- ionized
- semiconductor chips
- blow
- nozzle
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- Pending
Links
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Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B6/00—Cleaning by electrostatic means
Landscapes
- Cleaning In General (AREA)
- Central Air Conditioning (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体装置の製造方法に関する。
半導体装置の信頼性向上要望に伴って、半導体チップの
製造工程中に付着したチップの表面のシリコンやアルミ
ニウムのくず等の異物を完全に除去することが重要であ
る。
製造工程中に付着したチップの表面のシリコンやアルミ
ニウムのくず等の異物を完全に除去することが重要であ
る。
従来、この種の異物除去法は、イオン化していない通常
の空気をり一１〜フレーム状の半導体チップに吹きつけ
て除去する方法があった。
の空気をり一１〜フレーム状の半導体チップに吹きつけ
て除去する方法があった。
上述した従来の半導体装置の製造方法は、異物が正又は
負の静電気で強固に半導体チップめ表向に付着していた
場合には異物か除去されにくいという欠点があった。
負の静電気で強固に半導体チップめ表向に付着していた
場合には異物か除去されにくいという欠点があった。
本発明の半導体装置の製造方法は、リードフレームのア
イランドに載置され、かつ複数の内部リートにボンデイ
ンクワイヤを介して接続された複数の半導体チップの表
面にイオン化した気体をノズルから吹きつけて前記半導
体チップ゛の表面に（＝１着している異物をふき飛ばし
、かつ吸入ノズルで吸込み除去する工程を有して構成さ
れている４、〔実施例〕 次に、本発明について図面を参照して説明する。
イランドに載置され、かつ複数の内部リートにボンデイ
ンクワイヤを介して接続された複数の半導体チップの表
面にイオン化した気体をノズルから吹きつけて前記半導
体チップ゛の表面に（＝１着している異物をふき飛ばし
、かつ吸入ノズルで吸込み除去する工程を有して構成さ
れている４、〔実施例〕 次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を説明するためのり−ｌ〜フ
レームに載置された半導体チップとノズルの断面模式図
である。
レームに載置された半導体チップとノズルの断面模式図
である。
樹脂モールド工程の直前に、コ１コナ放電等て異物のイ
オンと逆にイオン化された空気Ｇを吹出ノズル５から約
５〜１０ ｋ ｇ ７ ｍ ２の圧力でリードフレーム
２に載置された半導体チップ１の表面に吹きつけ、チッ
プ表面の異物のイオンと中和して除去している。
オンと逆にイオン化された空気Ｇを吹出ノズル５から約
５〜１０ ｋ ｇ ７ ｍ ２の圧力でリードフレーム
２に載置された半導体チップ１の表面に吹きつけ、チッ
プ表面の異物のイオンと中和して除去している。
除去された異物は吸入ノズルに吸込まれるので異物の再
付着はほとんどない。
付着はほとんどない。
以上説明したように本発明はイオン化したカスを吹きつ
けることにより半導体装置表面に静電気て強固に付着し
た異物を除去できるはかりでなく、静電気を中和できる
ため一度除去した異物は適当な吸入装置を併用すること
により、異物の再付着を激減できる効果かある。
けることにより半導体装置表面に静電気て強固に付着し
た異物を除去できるはかりでなく、静電気を中和できる
ため一度除去した異物は適当な吸入装置を併用すること
により、異物の再付着を激減できる効果かある。
第１図は本発明の一実施例を説明するためのリードフレ
ームに載置された半導体チップとノズルの断面模式図で
ある。 １・・半導体チップ、２・ ソー１ヘフレーｌ＼、３ボ
ンデインクワイヤ、４・異物、５ 吹出ノズル、６ 吸
入ノズル、Ｇ・イオン化されたカス。
ームに載置された半導体チップとノズルの断面模式図で
ある。 １・・半導体チップ、２・ ソー１ヘフレーｌ＼、３ボ
ンデインクワイヤ、４・異物、５ 吹出ノズル、６ 吸
入ノズル、Ｇ・イオン化されたカス。
Claims (1)
- リードフレームのアイランドに載置され、かつ複数の内
部ソートにポンチインクワイヤを介して接続された複数
の半導体チップの表面にイオン化した気体をノズルから
吹きつけて前記半導体チップの表面に付着している異物
をふき飛ばし、かつ吸入ノズルで吸込み除去する工程を
有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63309290A JPH02154423A (ja) | 1988-12-06 | 1988-12-06 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63309290A JPH02154423A (ja) | 1988-12-06 | 1988-12-06 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02154423A true JPH02154423A (ja) | 1990-06-13 |
Family
ID=17991217
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63309290A Pending JPH02154423A (ja) | 1988-12-06 | 1988-12-06 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02154423A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1759776A1 (en) * | 2004-06-22 | 2007-03-07 | Koganei Corporation | Static charge and dust removing device |
-
1988
- 1988-12-06 JP JP63309290A patent/JPH02154423A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1759776A1 (en) * | 2004-06-22 | 2007-03-07 | Koganei Corporation | Static charge and dust removing device |
| EP1759776A4 (en) * | 2004-06-22 | 2008-05-21 | Koganei Ltd | DEVICE FOR REMOVING STATIC LOADS AND DUST |
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