JPH02111506A - ダイシング装置 - Google Patents
ダイシング装置Info
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- JPH02111506A JPH02111506A JP63265446A JP26544688A JPH02111506A JP H02111506 A JPH02111506 A JP H02111506A JP 63265446 A JP63265446 A JP 63265446A JP 26544688 A JP26544688 A JP 26544688A JP H02111506 A JPH02111506 A JP H02111506A
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- wafer
- static electricity
- semiconductor wafer
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Landscapes
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- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
乙の発明はウニ凸状態の半導体素子を素子単位に分離す
るダイシング装置に関するものである。
るダイシング装置に関するものである。
第２図は従来のダイシング装置を示す正面断面図、第３
図は第２図のダイシング装置を含む全体構成図を示す。
図は第２図のダイシング装置を含む全体構成図を示す。
第２図において、１は半導体つエバ、２は前記ウェハ１
を固定する粘着テープ、３は前記粘着テープ２を吸着固
定するチャックテーブル、４は前記ウェハ１を切断する
回転切削刃（以下ブレードと呼ぶ）、５はカバー、８ａ
、６ｂ、６Ｃはそれぞれ前記カバー５に取り付けられた
切削水用、冷却水用および洗浄水用ノズルである。
を固定する粘着テープ、３は前記粘着テープ２を吸着固
定するチャックテーブル、４は前記ウェハ１を切断する
回転切削刃（以下ブレードと呼ぶ）、５はカバー、８ａ
、６ｂ、６Ｃはそれぞれ前記カバー５に取り付けられた
切削水用、冷却水用および洗浄水用ノズルである。
第３図において、８は第２図の切削８１＃Ｒを有したダ
イシング装置、９はＣＯ２バブリング装置、１０はＣ０
２バブリング装Ｍ９に接続された工場純水供給配管を流
れる超純水、１１ばダイシング装置８と００２バブリン
グ装置９とを接続する純水配管を流れる純水である。
イシング装置、９はＣＯ２バブリング装置、１０はＣ０
２バブリング装Ｍ９に接続された工場純水供給配管を流
れる超純水、１１ばダイシング装置８と００２バブリン
グ装置９とを接続する純水配管を流れる純水である。
次に動作について説明する。上記の様な構成の従来のダ
イシング装置においては、工場から供給されろ超純水ｌ
ＯはＣ０２バブリング装置９を介して比抵抗値を下げた
後ダイレンゲ装置８に供給されろ。そしてダイシング装
置８に供給された純水１１ば、粘着テープ２上に固定さ
れたウェハ１がブレード４によ吟ダイシングされる工程
中ノズル６ａ、８ｂ、 ６ｃからそれぞれ吹き出され冷
却および洗浄の役目を果す。
イシング装置においては、工場から供給されろ超純水ｌ
ＯはＣ０２バブリング装置９を介して比抵抗値を下げた
後ダイレンゲ装置８に供給されろ。そしてダイシング装
置８に供給された純水１１ば、粘着テープ２上に固定さ
れたウェハ１がブレード４によ吟ダイシングされる工程
中ノズル６ａ、８ｂ、 ６ｃからそれぞれ吹き出され冷
却および洗浄の役目を果す。
一般に、半導体装置を製造する工程では高比抵抗の超純
水が使われており、また組立工程においても、素子表面
のダメージレス化の為粘着テープ２上に半導体ウェハ１
を固定し、各素子に分離するプロセスが主流になりつつ
ある。
水が使われており、また組立工程においても、素子表面
のダメージレス化の為粘着テープ２上に半導体ウェハ１
を固定し、各素子に分離するプロセスが主流になりつつ
ある。
ところが、高比抵抗値を有する高圧の超純水が半導体ウ
ェハ１に吹掛けられろと静電気が発生し、しかもその静
電気が絶縁体である粘着テープ２によ性遮断されて蓄積
し、半導体ウェハ１の各素子が絶縁破壊を起こす確キが
高くなる。また、さらに切削のあと排出される切粉が、
電極面に引き付けられ歩留りの低下を起こす原因となる
。
ェハ１に吹掛けられろと静電気が発生し、しかもその静
電気が絶縁体である粘着テープ２によ性遮断されて蓄積
し、半導体ウェハ１の各素子が絶縁破壊を起こす確キが
高くなる。また、さらに切削のあと排出される切粉が、
電極面に引き付けられ歩留りの低下を起こす原因となる
。
そこで、従来の技術では前述したようにダイシング装置
８に供給される高比抵抗値の有する超純水ｌＯをＣＯ２
バブリング装置９を通して比抵抗値を下げて使用する。
８に供給される高比抵抗値の有する超純水ｌＯをＣＯ２
バブリング装置９を通して比抵抗値を下げて使用する。
ところが、ＣＯ２ガスが溶けた純水１１を使用するとブ
レード４を腐食しブレード４の使用寿命を縮めるという
問題があった。またＣＯ□バブリング装置自体非常に高
価なもので経済的でなかった。
レード４を腐食しブレード４の使用寿命を縮めるという
問題があった。またＣＯ□バブリング装置自体非常に高
価なもので経済的でなかった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、半導体ウェハの素子の静電破壊及び切粉の付
着を防ぐことができ、かつブレードの使用寿命が長くで
きるダイシング装置を得ろことを目的とする。
たもので、半導体ウェハの素子の静電破壊及び切粉の付
着を防ぐことができ、かつブレードの使用寿命が長くで
きるダイシング装置を得ろことを目的とする。
〔Ｊ７シを解決するための手段〕
この発明に係るダイシング装置は、粘着テープに固定さ
れた半導体ウェハを素子単位に切削・分離する装置にお
いて、静電気を除去するイオン化された気体をウェハ表
面及び粘着テープ上に吹付ける機構を備えたものである
。
れた半導体ウェハを素子単位に切削・分離する装置にお
いて、静電気を除去するイオン化された気体をウェハ表
面及び粘着テープ上に吹付ける機構を備えたものである
。
この発明におけるダイシング装置は、高比抵抗値を有す
る超純水がウェハ表面に衝突する際に発生する静電気を
、イオン化された気体を吹付けることにより除電し、又
、ブレードの使用寿命の低下を防ぐ。
る超純水がウェハ表面に衝突する際に発生する静電気を
、イオン化された気体を吹付けることにより除電し、又
、ブレードの使用寿命の低下を防ぐ。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図において、１は半導体ウェハ、２は前記ウェハ１を固
定する粘着テープ、３は前記ウェハ１を固定した粘着テ
ープ２を真空吸着するダイシングテーブル、４は前記ウ
ェハ１を切削するブレード、５はカバー、６ａは切削水
吹出しノズル、６ｂは冷却水吹出しノズル、６Ｃは洗浄
水吹出しノズル、７はイオン化された気体を吹付けるノ
ズルである。
図において、１は半導体ウェハ、２は前記ウェハ１を固
定する粘着テープ、３は前記ウェハ１を固定した粘着テ
ープ２を真空吸着するダイシングテーブル、４は前記ウ
ェハ１を切削するブレード、５はカバー、６ａは切削水
吹出しノズル、６ｂは冷却水吹出しノズル、６Ｃは洗浄
水吹出しノズル、７はイオン化された気体を吹付けるノ
ズルである。
次に動作について説明する。まず粘着テープ２に固定さ
れた半導体ウェハ１をダイシングテーブル３へ真空吸着
させろ。そしてブレード４とダイシングテーブル３とを
相対的に移動させることにより、半導体ウェハ１へ切込
みを入れることにより前記ウェハ１は素子単位に分離さ
れる。その分離する際に、ノズル６ｍ、６ｂ、 ６ｅの
各々から高比抵抗値を有する超純水がウェハ表面１及び
ブレード４へ吹掛けられる。前記超純水が吹掛けられる
時、前記ウェハ１に静電気が発生し、絶縁体である粘着
テープ２に挟まれ静電気が蓄積されろ。しかし、その蓄
積された静電気はノズル７から吹付けられるイオン化さ
れた気体により除電される。
れた半導体ウェハ１をダイシングテーブル３へ真空吸着
させろ。そしてブレード４とダイシングテーブル３とを
相対的に移動させることにより、半導体ウェハ１へ切込
みを入れることにより前記ウェハ１は素子単位に分離さ
れる。その分離する際に、ノズル６ｍ、６ｂ、 ６ｅの
各々から高比抵抗値を有する超純水がウェハ表面１及び
ブレード４へ吹掛けられる。前記超純水が吹掛けられる
時、前記ウェハ１に静電気が発生し、絶縁体である粘着
テープ２に挟まれ静電気が蓄積されろ。しかし、その蓄
積された静電気はノズル７から吹付けられるイオン化さ
れた気体により除電される。
ここでイオン化された気体を吹付ける工程を詳しく説明
すると、例えば放電により発生したイオンを乾空により
多量に半導体ウェハ１あるいは粘着テープ２上に吹きつ
け、半導体ウェハ１等の上の静電気を中和除去させれば
目的を達成できる。
すると、例えば放電により発生したイオンを乾空により
多量に半導体ウェハ１あるいは粘着テープ２上に吹きつ
け、半導体ウェハ１等の上の静電気を中和除去させれば
目的を達成できる。
以上のように、この発明によればイオン化された気体を
ダイレンゲ中のウェハ及び粘着テープに吹付けるように
構成したので、高価なＣＯ２／（ブリング装置が不要に
なり、装置が安価にでき、また、ブレードの使用寿命を
長くすることができ、かつ素子の静電破壊及び切粉の付
着を防ぐ効果がある。
ダイレンゲ中のウェハ及び粘着テープに吹付けるように
構成したので、高価なＣＯ２／（ブリング装置が不要に
なり、装置が安価にでき、また、ブレードの使用寿命を
長くすることができ、かつ素子の静電破壊及び切粉の付
着を防ぐ効果がある。
第１図はこの発明の一実施例によるダイレンゲ装置を示
す正面断面図、第２図は従来のダイシング装置を示す正
面断面図、第３図は従来のダイシング装置の全体構成図
を示す。 図において、］は半半導体ウェハ２ば粘着テープ、３は
ダイシングテーブル、４はブレード、５はカバー、６ｍ
は切削水吹出しノズル、Ｂｂは冷却水吹出しノズル、６
ｃは洗浄水吹出しノズル、７はイオン化気体吹出しノズ
ルである。 なお、 図中同一符号は同−又（ま相当部分を示す。
す正面断面図、第２図は従来のダイシング装置を示す正
面断面図、第３図は従来のダイシング装置の全体構成図
を示す。 図において、］は半半導体ウェハ２ば粘着テープ、３は
ダイシングテーブル、４はブレード、５はカバー、６ｍ
は切削水吹出しノズル、Ｂｂは冷却水吹出しノズル、６
ｃは洗浄水吹出しノズル、７はイオン化気体吹出しノズ
ルである。 なお、 図中同一符号は同−又（ま相当部分を示す。
Claims (1)
- 粘着テープ上に固着された半導体ウェハを回転切削刃を
用いて各半導体素子に分離する装置において、前記素子
表面あるいは粘着テープ上にイオン化された気体を吹き
つけ静電気を除去する機構を備えたことを特徴とするダ
イシング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63265446A JPH02111506A (ja) | 1988-10-20 | 1988-10-20 | ダイシング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63265446A JPH02111506A (ja) | 1988-10-20 | 1988-10-20 | ダイシング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02111506A true JPH02111506A (ja) | 1990-04-24 |
Family
ID=17417269
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63265446A Pending JPH02111506A (ja) | 1988-10-20 | 1988-10-20 | ダイシング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02111506A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH049711U (ja) * | 1990-05-16 | 1992-01-28 | ||
| JP2009274172A (ja) * | 2008-05-14 | 2009-11-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削装置 |
| JP2016021466A (ja) * | 2014-07-14 | 2016-02-04 | 株式会社ディスコ | 切削装置 |
-
1988
- 1988-10-20 JP JP63265446A patent/JPH02111506A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH049711U (ja) * | 1990-05-16 | 1992-01-28 | ||
| JP2009274172A (ja) * | 2008-05-14 | 2009-11-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削装置 |
| JP2016021466A (ja) * | 2014-07-14 | 2016-02-04 | 株式会社ディスコ | 切削装置 |
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