JPH02111506A - ダイシング装置 - Google Patents
ダイシング装置Info
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- JPH02111506A JPH02111506A JP63265446A JP26544688A JPH02111506A JP H02111506 A JPH02111506 A JP H02111506A JP 63265446 A JP63265446 A JP 63265446A JP 26544688 A JP26544688 A JP 26544688A JP H02111506 A JPH02111506 A JP H02111506A
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- wafer
- static electricity
- semiconductor wafer
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Landscapes
- Processing Of Stones Or Stones Resemblance Materials (AREA)
- Dicing (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
乙の発明はウニ凸状態の半導体素子を素子単位に分離す
るダイシング装置に関するものである。
るダイシング装置に関するものである。
第2図は従来のダイシング装置を示す正面断面図、第3
図は第2図のダイシング装置を含む全体構成図を示す。
図は第2図のダイシング装置を含む全体構成図を示す。
第2図において、1は半導体つエバ、2は前記ウェハ1
を固定する粘着テープ、3は前記粘着テープ2を吸着固
定するチャックテーブル、4は前記ウェハ1を切断する
回転切削刃(以下ブレードと呼ぶ)、5はカバー、8a
、6b、6Cはそれぞれ前記カバー5に取り付けられた
切削水用、冷却水用および洗浄水用ノズルである。
を固定する粘着テープ、3は前記粘着テープ2を吸着固
定するチャックテーブル、4は前記ウェハ1を切断する
回転切削刃(以下ブレードと呼ぶ)、5はカバー、8a
、6b、6Cはそれぞれ前記カバー5に取り付けられた
切削水用、冷却水用および洗浄水用ノズルである。
第3図において、8は第2図の切削81#Rを有したダ
イシング装置、9はCO2バブリング装置、10はC0
2バブリング装M9に接続された工場純水供給配管を流
れる超純水、11ばダイシング装置8と002バブリン
グ装置9とを接続する純水配管を流れる純水である。
イシング装置、9はCO2バブリング装置、10はC0
2バブリング装M9に接続された工場純水供給配管を流
れる超純水、11ばダイシング装置8と002バブリン
グ装置9とを接続する純水配管を流れる純水である。
次に動作について説明する。上記の様な構成の従来のダ
イシング装置においては、工場から供給されろ超純水l
OはC02バブリング装置9を介して比抵抗値を下げた
後ダイレンゲ装置8に供給されろ。そしてダイシング装
置8に供給された純水11ば、粘着テープ2上に固定さ
れたウェハ1がブレード4によ吟ダイシングされる工程
中ノズル6a、8b、 6cからそれぞれ吹き出され冷
却および洗浄の役目を果す。
イシング装置においては、工場から供給されろ超純水l
OはC02バブリング装置9を介して比抵抗値を下げた
後ダイレンゲ装置8に供給されろ。そしてダイシング装
置8に供給された純水11ば、粘着テープ2上に固定さ
れたウェハ1がブレード4によ吟ダイシングされる工程
中ノズル6a、8b、 6cからそれぞれ吹き出され冷
却および洗浄の役目を果す。
一般に、半導体装置を製造する工程では高比抵抗の超純
水が使われており、また組立工程においても、素子表面
のダメージレス化の為粘着テープ2上に半導体ウェハ1
を固定し、各素子に分離するプロセスが主流になりつつ
ある。
水が使われており、また組立工程においても、素子表面
のダメージレス化の為粘着テープ2上に半導体ウェハ1
を固定し、各素子に分離するプロセスが主流になりつつ
ある。
ところが、高比抵抗値を有する高圧の超純水が半導体ウ
ェハ1に吹掛けられろと静電気が発生し、しかもその静
電気が絶縁体である粘着テープ2によ性遮断されて蓄積
し、半導体ウェハ1の各素子が絶縁破壊を起こす確キが
高くなる。また、さらに切削のあと排出される切粉が、
電極面に引き付けられ歩留りの低下を起こす原因となる
。
ェハ1に吹掛けられろと静電気が発生し、しかもその静
電気が絶縁体である粘着テープ2によ性遮断されて蓄積
し、半導体ウェハ1の各素子が絶縁破壊を起こす確キが
高くなる。また、さらに切削のあと排出される切粉が、
電極面に引き付けられ歩留りの低下を起こす原因となる
。
そこで、従来の技術では前述したようにダイシング装置
8に供給される高比抵抗値の有する超純水lOをCO2
バブリング装置9を通して比抵抗値を下げて使用する。
8に供給される高比抵抗値の有する超純水lOをCO2
バブリング装置9を通して比抵抗値を下げて使用する。
ところが、CO2ガスが溶けた純水11を使用するとブ
レード4を腐食しブレード4の使用寿命を縮めるという
問題があった。またCO□バブリング装置自体非常に高
価なもので経済的でなかった。
レード4を腐食しブレード4の使用寿命を縮めるという
問題があった。またCO□バブリング装置自体非常に高
価なもので経済的でなかった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、半導体ウェハの素子の静電破壊及び切粉の付
着を防ぐことができ、かつブレードの使用寿命が長くで
きるダイシング装置を得ろことを目的とする。
たもので、半導体ウェハの素子の静電破壊及び切粉の付
着を防ぐことができ、かつブレードの使用寿命が長くで
きるダイシング装置を得ろことを目的とする。
〔J7シを解決するための手段〕
この発明に係るダイシング装置は、粘着テープに固定さ
れた半導体ウェハを素子単位に切削・分離する装置にお
いて、静電気を除去するイオン化された気体をウェハ表
面及び粘着テープ上に吹付ける機構を備えたものである
。
れた半導体ウェハを素子単位に切削・分離する装置にお
いて、静電気を除去するイオン化された気体をウェハ表
面及び粘着テープ上に吹付ける機構を備えたものである
。
この発明におけるダイシング装置は、高比抵抗値を有す
る超純水がウェハ表面に衝突する際に発生する静電気を
、イオン化された気体を吹付けることにより除電し、又
、ブレードの使用寿命の低下を防ぐ。
る超純水がウェハ表面に衝突する際に発生する静電気を
、イオン化された気体を吹付けることにより除電し、又
、ブレードの使用寿命の低下を防ぐ。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図において、1は半導体ウェハ、2は前記ウェハ1を固
定する粘着テープ、3は前記ウェハ1を固定した粘着テ
ープ2を真空吸着するダイシングテーブル、4は前記ウ
ェハ1を切削するブレード、5はカバー、6aは切削水
吹出しノズル、6bは冷却水吹出しノズル、6Cは洗浄
水吹出しノズル、7はイオン化された気体を吹付けるノ
ズルである。
図において、1は半導体ウェハ、2は前記ウェハ1を固
定する粘着テープ、3は前記ウェハ1を固定した粘着テ
ープ2を真空吸着するダイシングテーブル、4は前記ウ
ェハ1を切削するブレード、5はカバー、6aは切削水
吹出しノズル、6bは冷却水吹出しノズル、6Cは洗浄
水吹出しノズル、7はイオン化された気体を吹付けるノ
ズルである。
次に動作について説明する。まず粘着テープ2に固定さ
れた半導体ウェハ1をダイシングテーブル3へ真空吸着
させろ。そしてブレード4とダイシングテーブル3とを
相対的に移動させることにより、半導体ウェハ1へ切込
みを入れることにより前記ウェハ1は素子単位に分離さ
れる。その分離する際に、ノズル6m、6b、 6eの
各々から高比抵抗値を有する超純水がウェハ表面1及び
ブレード4へ吹掛けられる。前記超純水が吹掛けられる
時、前記ウェハ1に静電気が発生し、絶縁体である粘着
テープ2に挟まれ静電気が蓄積されろ。しかし、その蓄
積された静電気はノズル7から吹付けられるイオン化さ
れた気体により除電される。
れた半導体ウェハ1をダイシングテーブル3へ真空吸着
させろ。そしてブレード4とダイシングテーブル3とを
相対的に移動させることにより、半導体ウェハ1へ切込
みを入れることにより前記ウェハ1は素子単位に分離さ
れる。その分離する際に、ノズル6m、6b、 6eの
各々から高比抵抗値を有する超純水がウェハ表面1及び
ブレード4へ吹掛けられる。前記超純水が吹掛けられる
時、前記ウェハ1に静電気が発生し、絶縁体である粘着
テープ2に挟まれ静電気が蓄積されろ。しかし、その蓄
積された静電気はノズル7から吹付けられるイオン化さ
れた気体により除電される。
ここでイオン化された気体を吹付ける工程を詳しく説明
すると、例えば放電により発生したイオンを乾空により
多量に半導体ウェハ1あるいは粘着テープ2上に吹きつ
け、半導体ウェハ1等の上の静電気を中和除去させれば
目的を達成できる。
すると、例えば放電により発生したイオンを乾空により
多量に半導体ウェハ1あるいは粘着テープ2上に吹きつ
け、半導体ウェハ1等の上の静電気を中和除去させれば
目的を達成できる。
以上のように、この発明によればイオン化された気体を
ダイレンゲ中のウェハ及び粘着テープに吹付けるように
構成したので、高価なCO2/(ブリング装置が不要に
なり、装置が安価にでき、また、ブレードの使用寿命を
長くすることができ、かつ素子の静電破壊及び切粉の付
着を防ぐ効果がある。
ダイレンゲ中のウェハ及び粘着テープに吹付けるように
構成したので、高価なCO2/(ブリング装置が不要に
なり、装置が安価にでき、また、ブレードの使用寿命を
長くすることができ、かつ素子の静電破壊及び切粉の付
着を防ぐ効果がある。
第1図はこの発明の一実施例によるダイレンゲ装置を示
す正面断面図、第2図は従来のダイシング装置を示す正
面断面図、第3図は従来のダイシング装置の全体構成図
を示す。 図において、]は半半導体ウェハ2ば粘着テープ、3は
ダイシングテーブル、4はブレード、5はカバー、6m
は切削水吹出しノズル、Bbは冷却水吹出しノズル、6
cは洗浄水吹出しノズル、7はイオン化気体吹出しノズ
ルである。 なお、 図中同一符号は同−又(ま相当部分を示す。
す正面断面図、第2図は従来のダイシング装置を示す正
面断面図、第3図は従来のダイシング装置の全体構成図
を示す。 図において、]は半半導体ウェハ2ば粘着テープ、3は
ダイシングテーブル、4はブレード、5はカバー、6m
は切削水吹出しノズル、Bbは冷却水吹出しノズル、6
cは洗浄水吹出しノズル、7はイオン化気体吹出しノズ
ルである。 なお、 図中同一符号は同−又(ま相当部分を示す。
Claims (1)
- 粘着テープ上に固着された半導体ウェハを回転切削刃を
用いて各半導体素子に分離する装置において、前記素子
表面あるいは粘着テープ上にイオン化された気体を吹き
つけ静電気を除去する機構を備えたことを特徴とするダ
イシング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63265446A JPH02111506A (ja) | 1988-10-20 | 1988-10-20 | ダイシング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP63265446A JPH02111506A (ja) | 1988-10-20 | 1988-10-20 | ダイシング装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH02111506A true JPH02111506A (ja) | 1990-04-24 |
Family
ID=17417269
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP63265446A Pending JPH02111506A (ja) | 1988-10-20 | 1988-10-20 | ダイシング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH02111506A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH049711U (ja) * | 1990-05-16 | 1992-01-28 | ||
JP2009274172A (ja) * | 2008-05-14 | 2009-11-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削装置 |
JP2016021466A (ja) * | 2014-07-14 | 2016-02-04 | 株式会社ディスコ | 切削装置 |
-
1988
- 1988-10-20 JP JP63265446A patent/JPH02111506A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH049711U (ja) * | 1990-05-16 | 1992-01-28 | ||
JP2009274172A (ja) * | 2008-05-14 | 2009-11-26 | Disco Abrasive Syst Ltd | 切削装置 |
JP2016021466A (ja) * | 2014-07-14 | 2016-02-04 | 株式会社ディスコ | 切削装置 |
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