JPH0149016B2 - - Google Patents
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- JPH0149016B2 JPH0149016B2 JP933984A JP933984A JPH0149016B2 JP H0149016 B2 JPH0149016 B2 JP H0149016B2 JP 933984 A JP933984 A JP 933984A JP 933984 A JP933984 A JP 933984A JP H0149016 B2 JPH0149016 B2 JP H0149016B2
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- hydrogen gas
- burrs
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/93—Batch processes
- H01L24/95—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips
- H01L24/97—Batch processes at chip-level, i.e. with connecting carried out on a plurality of singulated devices, i.e. on diced chips the devices being connected to a common substrate, e.g. interposer, said common substrate being separable into individual assemblies after connecting
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- General Physics & Mathematics (AREA)
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- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、トランジスター、ダイオード又は
IC等のように合成樹脂のモールド部を有する電
子部品の製造に際して、前記モールド部の成形時
に発生するばりを除去する方法に関するものであ
る。
IC等のように合成樹脂のモールド部を有する電
子部品の製造に際して、前記モールド部の成形時
に発生するばりを除去する方法に関するものであ
る。
一般に、トランジスターは、薄い金属板から第
１図に示すように、一つのトランジスターを構成
するベースリード片２、エミツタリード片３及び
コレクタリード片４とを一定の間隔（Ｐ）で多数
個連接して成るリードフレーム１を打ち抜き、該
リードフレーム１における各ベースリード片２の
先端部に半導体チツプをダイボンデングし、次い
で、この半導体チツプとエミツタリード片３及び
コレクタリード片４とを極く細い金線にてワイヤ
ーボンデングしたのち、各リード片対２，３，４
の先端部における半導体チツプ及び金線部分を、
成形金型内での合成樹脂の成形によるモールド部
５で第２図に示すように密封し、そして、リード
フレーム１における各リード片対２，３，４の相
互間の連接を、第３図に示すように、切断するこ
とにより、製品トランジスター６にするようにし
て製造していることは周知の通りである。
１図に示すように、一つのトランジスターを構成
するベースリード片２、エミツタリード片３及び
コレクタリード片４とを一定の間隔（Ｐ）で多数
個連接して成るリードフレーム１を打ち抜き、該
リードフレーム１における各ベースリード片２の
先端部に半導体チツプをダイボンデングし、次い
で、この半導体チツプとエミツタリード片３及び
コレクタリード片４とを極く細い金線にてワイヤ
ーボンデングしたのち、各リード片対２，３，４
の先端部における半導体チツプ及び金線部分を、
成形金型内での合成樹脂の成形によるモールド部
５で第２図に示すように密封し、そして、リード
フレーム１における各リード片対２，３，４の相
互間の連接を、第３図に示すように、切断するこ
とにより、製品トランジスター６にするようにし
て製造していることは周知の通りである。
この製造中における合成樹脂によるモールド部
５の成形に際して、該モールド部５の周囲には、
成形金型の合せ面部に極く薄いフイルム状のばり
が発生する。このばりは、前記第３図における切
断時に除去されるが、完全に除去されるものでな
く、一部のばりがモールド部５に残ることにな
り、この残つたばりが、モールド部５に付いたま
ま次の工程に移行してその工程中において脱落す
るので、機械系及び電気系のトラブルの原因にな
り、特に、モールド部５の表面に製品名や仕様の
標印を捺印する工程では、その捺印ローラにモー
ルド部５から脱落したばり片が付着することによ
つて、捺印の不良を多発するのである。
５の成形に際して、該モールド部５の周囲には、
成形金型の合せ面部に極く薄いフイルム状のばり
が発生する。このばりは、前記第３図における切
断時に除去されるが、完全に除去されるものでな
く、一部のばりがモールド部５に残ることにな
り、この残つたばりが、モールド部５に付いたま
ま次の工程に移行してその工程中において脱落す
るので、機械系及び電気系のトラブルの原因にな
り、特に、モールド部５の表面に製品名や仕様の
標印を捺印する工程では、その捺印ローラにモー
ルド部５から脱落したばり片が付着することによ
つて、捺印の不良を多発するのである。
しかも、前記モールド部５の成形時に発生する
ばりは、極く薄いフイルム状で、且つ、弾力性を
有するので、これを刃物で完全に切断除去するこ
とは著しく困難であるばかりか、一つの電子部品
におけるばりを一個づつ除去するにはコストが嵩
むのである。
ばりは、極く薄いフイルム状で、且つ、弾力性を
有するので、これを刃物で完全に切断除去するこ
とは著しく困難であるばかりか、一つの電子部品
におけるばりを一個づつ除去するにはコストが嵩
むのである。
本発明は、この問題を解消したばり取り方法を
提供するものである。
提供するものである。
この目的を達成するため本発明は、電子部品に
おけるモールド部に、当該モールド部の成形後に
おいて水素ガスの火炎を吹き付けたのち、空気を
吹き付けることにした。
おけるモールド部に、当該モールド部の成形後に
おいて水素ガスの火炎を吹き付けたのち、空気を
吹き付けることにした。
以下、本発明の実施例について述べる。
すなわち、前記第２図に示すようにしてモール
ド部５の成形の終わつたリードフレーム１を矢印
Ａの方向に一定の速度で移送する途中において、
そのモールド部５に対して、第４図及び第５図に
示すように、水素トーチノズル７から噴出した水
素ガス火炎を吹き付けるのである。
ド部５の成形の終わつたリードフレーム１を矢印
Ａの方向に一定の速度で移送する途中において、
そのモールド部５に対して、第４図及び第５図に
示すように、水素トーチノズル７から噴出した水
素ガス火炎を吹き付けるのである。
すると、前記モールド部５の周囲に形成されて
いる極く薄いフイルム状のばりは、水素ガスの火
炎による燃焼によつて、焼失するか、或いは炭化
して極めて脆い状態になるから、次に、前記水素
トーチノズル７の個所よりリードフレーム１の移
送方向に適宜距離（Ｌ）だけ前方の位置におい
て、空気噴出ノズル８にから噴出する空気を吹き
付けることにより、前記ばりの炭化物は、モール
ド部５から吹き飛ばし除去されるのである（この
場合、前記空気噴出ノズル６に対向する位置に真
空吸引ノズル９を設けると、前記炭化物の除去効
率がより向上すると共に、炭化物の飛散による作
業環境の悪化を防止できる）。
いる極く薄いフイルム状のばりは、水素ガスの火
炎による燃焼によつて、焼失するか、或いは炭化
して極めて脆い状態になるから、次に、前記水素
トーチノズル７の個所よりリードフレーム１の移
送方向に適宜距離（Ｌ）だけ前方の位置におい
て、空気噴出ノズル８にから噴出する空気を吹き
付けることにより、前記ばりの炭化物は、モール
ド部５から吹き飛ばし除去されるのである（この
場合、前記空気噴出ノズル６に対向する位置に真
空吸引ノズル９を設けると、前記炭化物の除去効
率がより向上すると共に、炭化物の飛散による作
業環境の悪化を防止できる）。
ここに水素ガスの火炎を用いたのは、水素ガス
はクリーンでその燃焼に煤及び有害ガスの発生が
ないからであり、この水素ガスの火炎の吹き付け
は極く短時間で良いから、モールド部５内の半導
体チツプ、金線及びリード片２，３，４に対する
熱的な悪影響はなく、また、前記水素ガスの火炎
の吹き付け及びこれに続く空気の吹き付けによつ
て、前記モールド部５の表面に付着しているごみ
も同時に除去されるのである。
はクリーンでその燃焼に煤及び有害ガスの発生が
ないからであり、この水素ガスの火炎の吹き付け
は極く短時間で良いから、モールド部５内の半導
体チツプ、金線及びリード片２，３，４に対する
熱的な悪影響はなく、また、前記水素ガスの火炎
の吹き付け及びこれに続く空気の吹き付けによつ
て、前記モールド部５の表面に付着しているごみ
も同時に除去されるのである。
この場合において本発明者の実験によると、リ
ードフレーム１の長手方向への移送速度が毎秒
100mmであるとき、口径を0.2mmにした水素トーチ
ノズル７から毎分約３リツトル前後の水素ガスの
火炎を噴出したときにおいて、半導体チツプ等に
対する熱的悪影響が少ない状態のもとで、総ての
ばりを除去できるのであつた。
ードフレーム１の長手方向への移送速度が毎秒
100mmであるとき、口径を0.2mmにした水素トーチ
ノズル７から毎分約３リツトル前後の水素ガスの
火炎を噴出したときにおいて、半導体チツプ等に
対する熱的悪影響が少ない状態のもとで、総ての
ばりを除去できるのであつた。
なお、上記実施例は、トランジスターの場合に
ついて説明したが、本発明はこれに限らず、合成
樹脂のモールド部を有するダイオード又はIC等
の他の電子部品におけるばり取りにも同様に適用
できることは言うまでもない。
ついて説明したが、本発明はこれに限らず、合成
樹脂のモールド部を有するダイオード又はIC等
の他の電子部品におけるばり取りにも同様に適用
できることは言うまでもない。
以上の通り本発明によれば、電子部品のモール
ド部の周囲におけるばりを、刃物によることな
く、水素ガスの火炎と空気との吹き付けによつて
至極簡単に除去できると共に、モールド部の表面
のごみをも同時に除去できるから、次の工程にお
いてばり及びごみが、機械系及び電気系に対する
トラブルの原因にならないばかりか、標印工程に
おいてはばり及びごみによつて捺印不良を生じる
ことを防止できるのであり、しかも、クリーンな
水素ガスの火炎を使用するため作業環境を悪化す
ることがなく、且つ、ばり取りに要するコストを
著しく低減できる効果を有する。
ド部の周囲におけるばりを、刃物によることな
く、水素ガスの火炎と空気との吹き付けによつて
至極簡単に除去できると共に、モールド部の表面
のごみをも同時に除去できるから、次の工程にお
いてばり及びごみが、機械系及び電気系に対する
トラブルの原因にならないばかりか、標印工程に
おいてはばり及びごみによつて捺印不良を生じる
ことを防止できるのであり、しかも、クリーンな
水素ガスの火炎を使用するため作業環境を悪化す
ることがなく、且つ、ばり取りに要するコストを
著しく低減できる効果を有する。
第１図、第２図及び第３図はトランジスターの
製造工程を示す図、第４図は本発明の実施例を示
す正面図、第５図は第４図の平面図である。 １……リードフレーム、２，３，４……リード
片、５……モールド部、６……トランジスター、
７……水素トーチノズル、８……空気噴出ノズ
ル。
製造工程を示す図、第４図は本発明の実施例を示
す正面図、第５図は第４図の平面図である。 １……リードフレーム、２，３，４……リード
片、５……モールド部、６……トランジスター、
７……水素トーチノズル、８……空気噴出ノズ
ル。
Claims (1)
- １ 電子部品におけるモールド部に、当該モール
ド部の成形後において水素ガスの火炎を吹き付け
たのち、空気を吹き付けることを特徴とする電子
部品におけるモールド部のばり取り方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP933984A JPS60153133A (ja) | 1984-01-20 | 1984-01-20 | 電子部品におけるモ−ルド部のばり取り方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP933984A JPS60153133A (ja) | 1984-01-20 | 1984-01-20 | 電子部品におけるモ−ルド部のばり取り方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60153133A JPS60153133A (ja) | 1985-08-12 |
| JPH0149016B2 true JPH0149016B2 (ja) | 1989-10-23 |
Family
ID=11717709
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP933984A Granted JPS60153133A (ja) | 1984-01-20 | 1984-01-20 | 電子部品におけるモ−ルド部のばり取り方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60153133A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0712047B2 (ja) * | 1986-06-28 | 1995-02-08 | 新日本無線株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JPH0271535A (ja) * | 1988-05-12 | 1990-03-12 | Sanken Electric Co Ltd | 樹脂封止型電子部品の樹脂バリ除去方法 |
| US5075255A (en) * | 1991-02-27 | 1991-12-24 | Motorola, Inc. | Method of removing contaminants from a plated article with a clean burning hydrogen flame |
-
1984
- 1984-01-20 JP JP933984A patent/JPS60153133A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60153133A (ja) | 1985-08-12 |
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