JPS6273744A - 金属配線パタ−ンの形成方法 - Google Patents
金属配線パタ−ンの形成方法Info
- Publication number
- JPS6273744A JPS6273744A JP21531885A JP21531885A JPS6273744A JP S6273744 A JPS6273744 A JP S6273744A JP 21531885 A JP21531885 A JP 21531885A JP 21531885 A JP21531885 A JP 21531885A JP S6273744 A JPS6273744 A JP S6273744A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- photoresist
- organic solvent
- film
- pattern
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- Pending
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は金属配線パターンの形成方法に関し、特に配線
の多層化、高密度化、信頼性の向−Ｅに有力な効果を発
揮する半導体集積回路の金属配線パターンの形成方法に
関するものである。
の多層化、高密度化、信頼性の向−Ｅに有力な効果を発
揮する半導体集積回路の金属配線パターンの形成方法に
関するものである。
従来、半導体集積回路の金属配線パターンの形成方法は
、−ｉに基板上にフォトレジストのパターンを形成し、
その基板上全面に金属膜を被着し、上記フォトレジスト
の残存する部分の金属膜をフォトレジストと共に剥離し
て金属配線パターンを形成する所謂リフトオフ方式が実
施されていた。
、−ｉに基板上にフォトレジストのパターンを形成し、
その基板上全面に金属膜を被着し、上記フォトレジスト
の残存する部分の金属膜をフォトレジストと共に剥離し
て金属配線パターンを形成する所謂リフトオフ方式が実
施されていた。
上述した金属配線パターンの形成方法においては、配線
が微細化、高密度化するにつれて、あるい・は金属膜の
被着条件の何如によって、上記金属膜の選択的剥Ｍ（以
下リフトオフと記す）が困難になり、微細配線部分での
リフトオフが不完全となりやすいという欠点があった。
が微細化、高密度化するにつれて、あるい・は金属膜の
被着条件の何如によって、上記金属膜の選択的剥Ｍ（以
下リフトオフと記す）が困難になり、微細配線部分での
リフトオフが不完全となりやすいという欠点があった。
この様な欠点を除く方法としては、従来フォトレジスト
のパターン形成後基板をＣＦ４を含むプラズマに曝す処
理によってフォトレジストと被着金属膜の密着性を低下
させ、リフトオフを容易にする方法が知られている。し
かし、この方法によると基板表面と被着金属膜の密着性
まで低下し、配線の信頼性に悪影響を及ぼしたり、又特
に基板表面がシリコン窒化膜の場きにはシリコン窒化膜
がエツチングされてしまうという欠点があった。
のパターン形成後基板をＣＦ４を含むプラズマに曝す処
理によってフォトレジストと被着金属膜の密着性を低下
させ、リフトオフを容易にする方法が知られている。し
かし、この方法によると基板表面と被着金属膜の密着性
まで低下し、配線の信頼性に悪影響を及ぼしたり、又特
に基板表面がシリコン窒化膜の場きにはシリコン窒化膜
がエツチングされてしまうという欠点があった。
本発明は上記のような欠点を除き、微細な金属配線パタ
ーンを歩留り良く、又信頼性高く形成する方法を提供す
ることを目的とする。
ーンを歩留り良く、又信頼性高く形成する方法を提供す
ることを目的とする。
本発明の金属配線パターンの形成方法は、基板上にフォ
Ｉ・レジストのパターンを形成する工程と、該基板に金
属膜を被着する工程と、超音波で励振した有機溶剤中に
前記基板を浸漬して前記金属膜を選択的に除去する工程
とを含んで構成される。
Ｉ・レジストのパターンを形成する工程と、該基板に金
属膜を被着する工程と、超音波で励振した有機溶剤中に
前記基板を浸漬して前記金属膜を選択的に除去する工程
とを含んで構成される。
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を説明するための途中主要工
程の概念図、第２図及至第５図は本発明の一実施例を説
明するために工程順に示した断面図である１本実施例で
は集積回路のチタン・白金配線パターンの形成に適用し
た場合について説明する。
程の概念図、第２図及至第５図は本発明の一実施例を説
明するために工程順に示した断面図である１本実施例で
は集積回路のチタン・白金配線パターンの形成に適用し
た場合について説明する。
まず、第２図に示すように、シリコン基板１−ヒにシリ
コン酸化膜２及びシリコン窒化膜３を形成し、これにス
ピンコード法等でポジ型フォトレジスト４を被着する。
コン酸化膜２及びシリコン窒化膜３を形成し、これにス
ピンコード法等でポジ型フォトレジスト４を被着する。
次に、第３図に示すように、フォトマスク７を通してフ
ォトレジスト４に選択的に紫外線を照射する。
ォトレジスト４に選択的に紫外線を照射する。
次に、第４図に示すように、紫外線を照射した基板をア
ルカリ性現像液に浸漬すると露光部のフォトレジストが
溶解し、フォトレジストパターン４１が形成される。次
にフォトレジス１〜中の有機溶剤を揮発させるために１
３０℃３０分程度の熱程度を行った後、高周波スパッタ
法によりチタン・白金膜５，６を例えば各々］、 ＯＯ
ｎ ｍ程度被着する。
ルカリ性現像液に浸漬すると露光部のフォトレジストが
溶解し、フォトレジストパターン４１が形成される。次
にフォトレジス１〜中の有機溶剤を揮発させるために１
３０℃３０分程度の熱程度を行った後、高周波スパッタ
法によりチタン・白金膜５，６を例えば各々］、 ＯＯ
ｎ ｍ程度被着する。
次に、第１図に示すように、第４図に示す基板を数十〜
数百ＫＨ２の超音波で励振されたメチルエチルケトン等
の有機溶剤ｌｌ中に浸漬する。なお１０は超音波振動子
である。
数百ＫＨ２の超音波で励振されたメチルエチルケトン等
の有機溶剤ｌｌ中に浸漬する。なお１０は超音波振動子
である。
この工程では、従来技術では超音波を使用しないためリ
フトオフが不完全となり易いが、本発明では超音波によ
りリフトオフが促進されるため、微細のパターンが容易
にリフトオフできる。
フトオフが不完全となり易いが、本発明では超音波によ
りリフトオフが促進されるため、微細のパターンが容易
にリフトオフできる。
次に、さらに有機溶剤又は酸素プラズマでフォトレジス
トを完全に除去すれば第５図に示すようなチタン・白金
配線パターン５２．６２が形成できる。
トを完全に除去すれば第５図に示すようなチタン・白金
配線パターン５２．６２が形成できる。
以上は、本発明を半導体集積回路のチタン・白金配線パ
ターンの形成に適用する場合の方法を述べたが、その他
の基板、その池の金属膜のパターンを形成する場合も同
様に実施できる事は明らかである。
ターンの形成に適用する場合の方法を述べたが、その他
の基板、その池の金属膜のパターンを形成する場合も同
様に実施できる事は明らかである。
以上説明した様に、本発明によれば、リフｌ−オフが非
常に容易になるので、微細な金属配線パターンを容易に
歩留りよく形成することができる。
常に容易になるので、微細な金属配線パターンを容易に
歩留りよく形成することができる。
第１図は本発明の一実施例を説明するための途中主要工
程の概念図、第２図及至第５図は本発明の一実施例を説
明するために工程順に示した断面図である。 １・・・シリコン基板、２・・・シリコン酸化膜、３・
・・シリコン窒化膜、４・・・フォトレジスト、４１・
・・フォトレジストパターン、５・−・チタン膜、６・
・・白金膜、５１．６−１・・・フォトレジスト上のチ
タン膜及び白金膜、５２．６２・・・バターニングされ
たチタン膜及び白金膜、７・・・フォトマスク。 代理人 弁理士 内 原 習 庫２ 回 斗３ 凹 茅４ 図 坪５図
程の概念図、第２図及至第５図は本発明の一実施例を説
明するために工程順に示した断面図である。 １・・・シリコン基板、２・・・シリコン酸化膜、３・
・・シリコン窒化膜、４・・・フォトレジスト、４１・
・・フォトレジストパターン、５・−・チタン膜、６・
・・白金膜、５１．６−１・・・フォトレジスト上のチ
タン膜及び白金膜、５２．６２・・・バターニングされ
たチタン膜及び白金膜、７・・・フォトマスク。 代理人 弁理士 内 原 習 庫２ 回 斗３ 凹 茅４ 図 坪５図
Claims (1)
- 基板上にフォトレジストのパターンを形成する工程と、
該基板に金属膜を被着する工程と、超音波で励振された
有機溶剤中に前記基板を浸漬して前記金属膜を選択的に
除去する工程とを含むことを特徴とする金属配線パター
ンの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21531885A JPS6273744A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | 金属配線パタ−ンの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21531885A JPS6273744A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | 金属配線パタ−ンの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6273744A true JPS6273744A (ja) | 1987-04-04 |
Family
ID=16670322
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21531885A Pending JPS6273744A (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | 金属配線パタ−ンの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6273744A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100629021B1 (ko) * | 1997-09-03 | 2006-11-30 | 지멘스 악티엔게젤샤프트 | 반도체기판에서의층구조화방법 |
| JP2012190905A (ja) * | 2011-03-09 | 2012-10-04 | Hitachi Cable Ltd | 半導体発光素子の製造方法 |
-
1985
- 1985-09-27 JP JP21531885A patent/JPS6273744A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100629021B1 (ko) * | 1997-09-03 | 2006-11-30 | 지멘스 악티엔게젤샤프트 | 반도체기판에서의층구조화방법 |
| JP2012190905A (ja) * | 2011-03-09 | 2012-10-04 | Hitachi Cable Ltd | 半導体発光素子の製造方法 |
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