JPS6333746A - フオトマスクの製造方法 - Google Patents
フオトマスクの製造方法Info
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- JPS6333746A JPS6333746A JP61178195A JP17819586A JPS6333746A JP S6333746 A JPS6333746 A JP S6333746A JP 61178195 A JP61178195 A JP 61178195A JP 17819586 A JP17819586 A JP 17819586A JP S6333746 A JPS6333746 A JP S6333746A
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 abstract description 4
- 230000001502 supplementing effect Effects 0.000 abstract 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
- G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
- G11B7/261—Preparing a master, e.g. exposing photoresist, electroforming
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、フォトマスクの製造方法に関し、特に、光デ
ィスクの製造工程におけるパターン露光工程（リソグラ
フィー）で用いられるフォトマスクの製造方法に関する
。
ィスクの製造工程におけるパターン露光工程（リソグラ
フィー）で用いられるフォトマスクの製造方法に関する
。
従来技術
第４ＥＩＵｆａ）に従来のフォトマスク２０を示す。
このフォトマスク２０の製造は、次のような方法でなさ
れる。
れる。
まず、第４図１’ｂに示すように、石英、ガラス等の素
材からなる平板の透光性マスク基板１の上面に、Ｃｒ、
Ｔａ等の遮光性材料を蒸着、スパッタリング等で付着し
て遮光性材料層２を形成する。
材からなる平板の透光性マスク基板１の上面に、Ｃｒ、
Ｔａ等の遮光性材料を蒸着、スパッタリング等で付着し
て遮光性材料層２を形成する。
次に、第４図１’ｂ）に示すように、前記遮光性材料層
２の上面に、感光性レジスト膜３を形成する。
２の上面に、感光性レジスト膜３を形成する。
次に、その感光性レジスト膜３上に所望の微細パターン
を投影し、露光・現像して、第４図１’ｂに示すように
、必要な部分のみを残したレジスト膜３′とする。
を投影し、露光・現像して、第４図１’ｂに示すように
、必要な部分のみを残したレジスト膜３′とする。
次に、イオンビーム等によりエツチングを行い、レジス
ト膜３′がない部分の遮光性材料層２を除去し、第４図
ｆｄ＋に示すように、必要な部分のみ残した透光性材料
層２′とする。
ト膜３′がない部分の遮光性材料層２を除去し、第４図
ｆｄ＋に示すように、必要な部分のみ残した透光性材料
層２′とする。
最後に、有機溶剤あるいはプラズマ法等によりレジスト
層３′を除去する。
層３′を除去する。
これにより第４図（ｅ）に示すようなフォトマスク２０
が得られる。
が得られる。
従来技術の問題点
従来のフォトマスク２０では、第４図（ｅ）から理解さ
れるように、透光性マスク基板」の表面に遮光性材料１
”ｆ２’が付着した構造となっている。
れるように、透光性マスク基板」の表面に遮光性材料１
”ｆ２’が付着した構造となっている。
すなわち、所望の微細パターンを構成する遮光性材料層
２′が外部に突出している構造である。
２′が外部に突出している構造である。
そこで、フォトマスク２０の洗浄等により外力が加わる
と、遮光性材料層２′が剥離し易いという問題点がある
。
と、遮光性材料層２′が剥離し易いという問題点がある
。
発明の目的
本発明の目的とするところは、遮光性材料層の剥離を生
じず、信頼性の高い、長寿命のフォトマスクの製造方法
を提供することにある。
じず、信頼性の高い、長寿命のフォトマスクの製造方法
を提供することにある。
発明の構成
本発明のフォトマスクの製造方法は、透光性マスク基板
上にレジスト層を形成する工程、露光・現像により前記
レジスト層に所望パターンを形成する工程、異方性エツ
チングにより透光性マスク基板に所望パターンの溝を成
形する工程、透光性マスク基板上のレジスト層を除去す
る工程、所望パターンの溝を形成した透光性マスク基板
上に遮光性材料層を形成する工程、表面が略均等の高さ
となるように遮光性材料層上に補高層を形成する工程、
エツチングにより所定厚み分の前記補高層および遮光性
材料層を除去し、前記溝部分以外の透光性マスク基板面
を露出させる工程、を具備してなることを構成上の特徴
とするものである。
上にレジスト層を形成する工程、露光・現像により前記
レジスト層に所望パターンを形成する工程、異方性エツ
チングにより透光性マスク基板に所望パターンの溝を成
形する工程、透光性マスク基板上のレジスト層を除去す
る工程、所望パターンの溝を形成した透光性マスク基板
上に遮光性材料層を形成する工程、表面が略均等の高さ
となるように遮光性材料層上に補高層を形成する工程、
エツチングにより所定厚み分の前記補高層および遮光性
材料層を除去し、前記溝部分以外の透光性マスク基板面
を露出させる工程、を具備してなることを構成上の特徴
とするものである。
作用
本発明のフォトマスクの製造方法は、従来のフォトマス
クの製造方法の技術を応用して実施できるので、新たな
設備負担が少なくて済み、容易に実施できる利点がある
。
クの製造方法の技術を応用して実施できるので、新たな
設備負担が少なくて済み、容易に実施できる利点がある
。
実施例
以下、図に示す実施例に基づいて本発明を更に詳しく説
明する。ここに第１図ｔａｌ〜（幻は本発明に係るフォ
トマスクの製造方法の一実施例の各工程における断面図
、第２図及び第３図は本発明方法により得られるフォト
マスクの変形例を示す断面図である。なお、図に示す実
施例により本発明が限定されるものではない。
明する。ここに第１図ｔａｌ〜（幻は本発明に係るフォ
トマスクの製造方法の一実施例の各工程における断面図
、第２図及び第３図は本発明方法により得られるフォト
マスクの変形例を示す断面図である。なお、図に示す実
施例により本発明が限定されるものではない。
第１図（ａ）〜（幻を参照し、本発明のフォトマスクの
製造方法を順に説明する。
製造方法を順に説明する。
まず、第１図ｔａｌに示すように、石英、ガラス等の素
材からなる平板の透光性マスク基板１の上に、ポジ型フ
ォトレジストをスピンコード法等により塗布して、感光
性レジスト膜４を形成する。
材からなる平板の透光性マスク基板１の上に、ポジ型フ
ォトレジストをスピンコード法等により塗布して、感光
性レジスト膜４を形成する。
次に、前記感光性レジスト膜４上に、電子線。
レーザ光等を用いて所望の微細パターンを露光し、現像
し、第り図中）に示すように、必要な部分のみを残した
レジスト膜４′とする。
し、第り図中）に示すように、必要な部分のみを残した
レジスト膜４′とする。
次に、ドライエツチング等による異方性エツチングを施
し、第１図＋Ｃ１に示すように、レジスト膜４′で覆わ
れていない部分に溝５を形成した透光性マスク基板１′
とする。
し、第１図＋Ｃ１に示すように、レジスト膜４′で覆わ
れていない部分に溝５を形成した透光性マスク基板１′
とする。
次に、第１図（ｄｌに示すように、アッシング（灰化）
等によりレジストＩｊ１４ ’を除去する。
等によりレジストＩｊ１４ ’を除去する。
次に、第１ｆｆｌ（ｅ＋に示すように、溝５を形成した
透光性マスク基板１′上に、Ｃｒ、Ｔａ等を蒸着、スパ
ッタリング等により付着して遮光性材料層２を形成する
。この実施例では、溝５の深さｄよりも遮光性材料層２
の厚さｔが大きくなるようにしている。遮光性材料層２
の表面は、透光性マスク基板１′の凹凸に応じて凹凸に
なる。
透光性マスク基板１′上に、Ｃｒ、Ｔａ等を蒸着、スパ
ッタリング等により付着して遮光性材料層２を形成する
。この実施例では、溝５の深さｄよりも遮光性材料層２
の厚さｔが大きくなるようにしている。遮光性材料層２
の表面は、透光性マスク基板１′の凹凸に応じて凹凸に
なる。
次に、遮光性材料Ｎ２と同程度のエツチングレイトを持
つ材料たとえばポジ型フォトレジストをスピンコード法
等により塗布し、第１図（ｆｌに示すように、遮光性材
料層２の上に、高さの均等な補高層６を形成する。
つ材料たとえばポジ型フォトレジストをスピンコード法
等により塗布し、第１図（ｆｌに示すように、遮光性材
料層２の上に、高さの均等な補高層６を形成する。
最後にドライエツチング等により前記補高層６及び遮光
性材料層２のエンチングを行うと、両層のエツチングレ
イトが等しいから、均等な高さを保ちつつ両層が除去さ
れ、通切な時間だけこれを行えば、第１図（幻に示すよ
うに、透光性マスク基板１′の表面が露出し、溝５内に
遮光性材料層２′が残された状態となる。
性材料層２のエンチングを行うと、両層のエツチングレ
イトが等しいから、均等な高さを保ちつつ両層が除去さ
れ、通切な時間だけこれを行えば、第１図（幻に示すよ
うに、透光性マスク基板１′の表面が露出し、溝５内に
遮光性材料層２′が残された状態となる。
かくして、本発明に係るフォトマスク１０が得られる。
このフォトマスク１０では、第１図Ｆｇ＋から理解され
るように、所望の微細パターンを構成する遮光性材料層
２′がｍ５中にあって、透光性マスク基板１′の表面か
ら突出していないので、洗浄等により外力が加わっても
、剥離することがない。
るように、所望の微細パターンを構成する遮光性材料層
２′がｍ５中にあって、透光性マスク基板１′の表面か
ら突出していないので、洗浄等により外力が加わっても
、剥離することがない。
第２図は本発明方法により得られる他のフォトマスク１
１を示すものであって、遮光性材料層２′の表面高さが
透光性マスク基板１′の表面より下にある。このような
フォトマスク１１は、第１図ｔｆｌにおいて、補高層６
のエツチングレイトを遮光性材料層２のエツチングレイ
トより大きくすることにより製造し得る。
１を示すものであって、遮光性材料層２′の表面高さが
透光性マスク基板１′の表面より下にある。このような
フォトマスク１１は、第１図ｔｆｌにおいて、補高層６
のエツチングレイトを遮光性材料層２のエツチングレイ
トより大きくすることにより製造し得る。
第３図はさらに他のフォトマスク１２を示すもので、こ
のフォトマスク１２は、第１図＋Ｉｌ＋において、遮光
性材料層２の厚さｔを、透光性マスク基板１′の溝５の
深さｄより小にすることによって製造し得る。
のフォトマスク１２は、第１図＋Ｉｌ＋において、遮光
性材料層２の厚さｔを、透光性マスク基板１′の溝５の
深さｄより小にすることによって製造し得る。
本発明の更に他の実施例としては、第１図（ｅ）の後、
ポリッシングにより、第１図ｔｆｌの工程を経ないで、
第１図ｔｇｌの状態にするものが挙げられる。
ポリッシングにより、第１図ｔｆｌの工程を経ないで、
第１図ｔｇｌの状態にするものが挙げられる。
発明の効果
本発明によれば、透光性マスク基板上にレジスト層を形
成する工程、露光・現像により前記レジスト層に所望パ
ターンを形成する工程、異方性エツチングにより透光性
マスク基板に所望パターンの溝を成形する工程、透光性
マスク基板上のレジスト層を除去する工程、所望パター
ンの溝を形成した透光性マスク基板上に遮光性材料層を
形成する工程、表面が略均等の高さとなるように遮光性
材料層上に補高層を形成する工程、エツチングにより所
定厚み分の前記補高層および遮光性材料層を除去し、前
記溝部分以外の透光性マスク基板面を露出させる工程、
を具備してなることを特徴とするフォトマスクの製造方
法が提供される。
成する工程、露光・現像により前記レジスト層に所望パ
ターンを形成する工程、異方性エツチングにより透光性
マスク基板に所望パターンの溝を成形する工程、透光性
マスク基板上のレジスト層を除去する工程、所望パター
ンの溝を形成した透光性マスク基板上に遮光性材料層を
形成する工程、表面が略均等の高さとなるように遮光性
材料層上に補高層を形成する工程、エツチングにより所
定厚み分の前記補高層および遮光性材料層を除去し、前
記溝部分以外の透光性マスク基板面を露出させる工程、
を具備してなることを特徴とするフォトマスクの製造方
法が提供される。
これによりマスクパターンの剥離を生じず、信頼性の高
い、長寿命のフォトマスクを得ることができる。また本
発明方法によれば、マスクパターンのエツジ形状を正確
に形成することができ導電不良等の問題を生じないと共
に、全てのエツチングをドライエツチングで構成できる
ので、廃液等における問題もなく、実用性に優れた方法
である。
い、長寿命のフォトマスクを得ることができる。また本
発明方法によれば、マスクパターンのエツジ形状を正確
に形成することができ導電不良等の問題を生じないと共
に、全てのエツチングをドライエツチングで構成できる
ので、廃液等における問題もなく、実用性に優れた方法
である。
第１図＋ａ）〜（沿は本発明にかかるフォトマスクの製
造方法の一実施例の各工程における断面図、第２図及び
第３図は本発明方法により得られる他のフォトマスクの
断面図、第４図は従来のフォトマスクの製造方法の一例
の第１図相工″、田である。 （符号の説明） １．１′・・・透光性マスク基板 ２．２′・・・遮光性材料層 ３．３′・・・レジスト膜 ４．４′・・・レジスト膜 ５・・・溝 ６・・・補高層 １０．１１．１２・・・フォトマスク ２０・・・従来のフォトマスク。
造方法の一実施例の各工程における断面図、第２図及び
第３図は本発明方法により得られる他のフォトマスクの
断面図、第４図は従来のフォトマスクの製造方法の一例
の第１図相工″、田である。 （符号の説明） １．１′・・・透光性マスク基板 ２．２′・・・遮光性材料層 ３．３′・・・レジスト膜 ４．４′・・・レジスト膜 ５・・・溝 ６・・・補高層 １０．１１．１２・・・フォトマスク ２０・・・従来のフォトマスク。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （ａ）透光性マスク基板上にレジスト層を形成する工程
、 （ｂ）露光・現像により前記レジスト層に所望パターン
を形成する工程、 （ｃ）異方性エッチングにより透光性マスク基板に所望
パターンの溝を成形する工程、 （ｄ）透光性マスク基板上のレジスト層を除去する工程
、 （ｅ）所望パターンの溝を形成した透光性マスク基板上
に遮光性材料層を形成する工程、 （ｆ）表面が略均等の高さとなるように遮光性材料層上
に補高層を形成する工程、 （ｇ）エッチングにより所定厚み分の前記補高層および
遮光性材料層を除去し、前記溝部分以外の透光性マスク
基板面を露出させる工程、を具備してなることを特徴と
するフォトマスクの製造方法。
Priority Applications (8)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61178195A JPS6333746A (ja) | 1986-07-29 | 1986-07-29 | フオトマスクの製造方法 |
| CA000530396A CA1313792C (en) | 1986-02-28 | 1987-02-23 | Method of manufacturing photo-mask and photo-mask manufactured thereby |
| DE3752197T DE3752197T2 (de) | 1986-02-28 | 1987-02-24 | Photomaske und Herstellungsverfahren dafür |
| EP87102561A EP0234547B1 (en) | 1986-02-28 | 1987-02-24 | Method of manufacturing photomask and photo-mask manufactured thereby |
| DE3789881T DE3789881T2 (de) | 1986-02-28 | 1987-02-24 | Verfahren zur Herstellung von Photomasken und Photomaske. |
| EP92120246A EP0533217B1 (en) | 1986-02-28 | 1987-02-24 | Photo-mask and method of production thereof |
| US07/019,704 US5087535A (en) | 1986-02-28 | 1987-02-27 | Method of manufacturing photo-mask and photo-mask manufactured thereby |
| US07/684,680 US5457006A (en) | 1986-02-28 | 1991-03-29 | Method of manufacturing photo-mask and photo-mask manufactured thereby |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61178195A JPS6333746A (ja) | 1986-07-29 | 1986-07-29 | フオトマスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6333746A true JPS6333746A (ja) | 1988-02-13 |
Family
ID=16044246
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61178195A Pending JPS6333746A (ja) | 1986-02-28 | 1986-07-29 | フオトマスクの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6333746A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009145539A (ja) * | 2007-12-13 | 2009-07-02 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスクおよび露光方法 |
| JP2011242473A (ja) * | 2010-05-14 | 2011-12-01 | Nikon Corp | 遮光パターンの形成方法 |
-
1986
- 1986-07-29 JP JP61178195A patent/JPS6333746A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009145539A (ja) * | 2007-12-13 | 2009-07-02 | Shin Etsu Chem Co Ltd | フォトマスクおよび露光方法 |
| JP2011242473A (ja) * | 2010-05-14 | 2011-12-01 | Nikon Corp | 遮光パターンの形成方法 |
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