JPH02129920A - 化学気相成長装置 - Google Patents
化学気相成長装置Info
- Publication number
- JPH02129920A JPH02129920A JP28444088A JP28444088A JPH02129920A JP H02129920 A JPH02129920 A JP H02129920A JP 28444088 A JP28444088 A JP 28444088A JP 28444088 A JP28444088 A JP 28444088A JP H02129920 A JPH02129920 A JP H02129920A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- stage
- blow
- chemical vapor
- semiconductor wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000126 substance Substances 0.000 title description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 58
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 4
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 abstract description 6
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 description 9
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- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
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- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、被処理物としての半導体ウェハに対して薄膜
を形成する場合に使用して好適な化学気相成長装置に関
する。
を形成する場合に使用して好適な化学気相成長装置に関
する。
従来、この種の化学気相成長装置は第１２図および第１
３図に示すように構成されている。これを同図に基づい
て説明すると、同図において、符号１で示すものは反応
生成膜２が形成される半導体ウェハ３を保持する加熱用
のステージ、４はこのステージ１と間隔をもって設けら
れ複数の反応ガスとしてのＳｉＨ，ガス５と０□ガス６
を供給する多数の吹出ロア、８を有するガス供給ヘッド
である。
３図に示すように構成されている。これを同図に基づい
て説明すると、同図において、符号１で示すものは反応
生成膜２が形成される半導体ウェハ３を保持する加熱用
のステージ、４はこのステージ１と間隔をもって設けら
れ複数の反応ガスとしてのＳｉＨ，ガス５と０□ガス６
を供給する多数の吹出ロア、８を有するガス供給ヘッド
である。
このように構成された化学気相成長装置においては、予
めステージ１上で加熱された半導体ウェハ３に対して吹
出ロア、８から吹き出された各々５ｉｌｌ＜ガス５と０
２ガス６を供給すること番４より、半導体ウェハ３上に
反応生成膜２を形成することができる。このとき、Ｓｉ
Ｈ，ガス５と０□ガス６が混合して熱反応する。
めステージ１上で加熱された半導体ウェハ３に対して吹
出ロア、８から吹き出された各々５ｉｌｌ＜ガス５と０
２ガス６を供給すること番４より、半導体ウェハ３上に
反応生成膜２を形成することができる。このとき、Ｓｉ
Ｈ，ガス５と０□ガス６が混合して熱反応する。
ところで、この種の化学気相成長装置においては、反応
生成膜２の成長速度がガス供給へラド４より半導体ウェ
ハ３に供給されるガス濃度に依存することから、反応生
成膜２の膜厚を均一に設定する場合に半導体ウェハ３上
の任意の部位でガス濃度を均一にする必要がある。
生成膜２の成長速度がガス供給へラド４より半導体ウェ
ハ３に供給されるガス濃度に依存することから、反応生
成膜２の膜厚を均一に設定する場合に半導体ウェハ３上
の任意の部位でガス濃度を均一にする必要がある。
ところが、従来の化学気相成長装置においては、ＳｉＨ
４ガス５および０□ガス６が別個の吹出ロア、８から吹
き出すもΦであるため、ステージ１とガス供給ヘッド４
間の距離が小さい場合やガス流速が大きい場合に５ｉＨ
ａガス５と０□ガス６の混合が十分に行われなかった。
４ガス５および０□ガス６が別個の吹出ロア、８から吹
き出すもΦであるため、ステージ１とガス供給ヘッド４
間の距離が小さい場合やガス流速が大きい場合に５ｉＨ
ａガス５と０□ガス６の混合が十分に行われなかった。
この結果、均一な濃度をもつ反応ガスを半導体ウェハ３
上に供給することができず、均一な膜厚をもつ反応生成
膜２を得ることができないという問題があった。これは
、半導体ウェハ３上であって吹出ロアの開口部が対向す
る部位においてＳｉＨ４ガス５の濃度が高くなり、また
吹出口８の開口部が対向する部位において０２ガス６の
濃度が高くなるからである。
上に供給することができず、均一な膜厚をもつ反応生成
膜２を得ることができないという問題があった。これは
、半導体ウェハ３上であって吹出ロアの開口部が対向す
る部位においてＳｉＨ４ガス５の濃度が高くなり、また
吹出口８の開口部が対向する部位において０２ガス６の
濃度が高くなるからである。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、均一
の濃度をもつ反応ガスを半導体ウェハ上に供給すること
ができ、もって均一の膜厚をもつ反応性膜を得ることが
できる化学気相成長装置を提供するものである。
の濃度をもつ反応ガスを半導体ウェハ上に供給すること
ができ、もって均一の膜厚をもつ反応性膜を得ることが
できる化学気相成長装置を提供するものである。
〔課題を解決するための手段〕
本発明に係る化学気相成長装置は、反応ガスによって生
成膜が形成される半導体ウェハを保持するステージと、
このステージと間隔をもって設けられ複数の反応ガスを
供給する多数の吹出口を有するガス供給ヘッドとを備え
、このガス供給ヘッドとステージとの間にガスの流れを
偏向させる偏向板を設けたものである。
成膜が形成される半導体ウェハを保持するステージと、
このステージと間隔をもって設けられ複数の反応ガスを
供給する多数の吹出口を有するガス供給ヘッドとを備え
、このガス供給ヘッドとステージとの間にガスの流れを
偏向させる偏向板を設けたものである。
本発明においては、偏向板によってガス吹出口から供給
される複数の反応ガスの混合を十分に行うことができる
。
される複数の反応ガスの混合を十分に行うことができる
。
〔実施例］
以下、本発明の構成等を図に示す実施例によって詳細に
説明する。
説明する。
第１図は本発明に係る化学気相成長装置を示す断面図、
第２図は同じく本発明における化学気相成長装置の要部
を示す斜視図で、同図以下において第１２図および第１
３図と同一の部材については同一の符号を付し、詳細な
説明は省略する。同図において、符号１１で示すものは
Ｏｔガス６の流れを偏向させる偏向板で、環状に形成さ
れたホルダー１２と、このホルダー１２にその両端部が
取り付けられホルダー径方向に延在する断面円形状の多
数の棒体１３とからなり、前記ステージ１とガス供給ヘ
ッド４との間に固定されている。このうち棒体１３は、
各々が互いに平行な位置関係を保持し、前記両吹出ロア
、８のうち吹出口８のガス吹き出し方向に位置付けられ
ている。そして、この偏向板１１は、前記棒体１３にＯ
ｔガス６が５ｉＨａガス５の流れに方向に衝突拡散する
ように構成されている。
第２図は同じく本発明における化学気相成長装置の要部
を示す斜視図で、同図以下において第１２図および第１
３図と同一の部材については同一の符号を付し、詳細な
説明は省略する。同図において、符号１１で示すものは
Ｏｔガス６の流れを偏向させる偏向板で、環状に形成さ
れたホルダー１２と、このホルダー１２にその両端部が
取り付けられホルダー径方向に延在する断面円形状の多
数の棒体１３とからなり、前記ステージ１とガス供給ヘ
ッド４との間に固定されている。このうち棒体１３は、
各々が互いに平行な位置関係を保持し、前記両吹出ロア
、８のうち吹出口８のガス吹き出し方向に位置付けられ
ている。そして、この偏向板１１は、前記棒体１３にＯ
ｔガス６が５ｉＨａガス５の流れに方向に衝突拡散する
ように構成されている。
このように構成された化学気相成長装置においては、偏
向板１１によってガス吹出ロア、８から供給される５ｉ
Ｈａガス５と０□ガス６の混合を十分に行うことができ
、均一の濃度をもつ反応ガスを半導体ウェハ３上に供給
することができる。
向板１１によってガス吹出ロア、８から供給される５ｉ
Ｈａガス５と０□ガス６の混合を十分に行うことができ
、均一の濃度をもつ反応ガスを半導体ウェハ３上に供給
することができる。
なお、本実施例においては、ステージ１とガス供給ヘッ
ド４との間に偏向板１１を固定する場合を示したが、本
発明はこれに限定されるものではな（、第３図および第
４図に示すようにすべり車２１によって偏向板２２を回
転保持するものでも差し支えない、この偏向板２２は、
環状に形成されたホルダー２３と、Ｏｔガス６の流れを
偏向させる傾斜部２４とによって構成されている。ここ
で、偏向板２２はすべり車２１による伝達手段によって
回転する例を示したが、この他歯車機構やプーリによる
伝達手段によって回転するものでもよい。また、偏向板
２２がホルダー２３の径方向に延在する傾斜部２４をも
つものを示したが、第５図（ａ）に示すようにホルダー
２５の中央部を囲繞する多数の傾斜部２６や第５図中）
に示すように放射状の傾斜部２７をもつものでも何等差
し支えない。
ド４との間に偏向板１１を固定する場合を示したが、本
発明はこれに限定されるものではな（、第３図および第
４図に示すようにすべり車２１によって偏向板２２を回
転保持するものでも差し支えない、この偏向板２２は、
環状に形成されたホルダー２３と、Ｏｔガス６の流れを
偏向させる傾斜部２４とによって構成されている。ここ
で、偏向板２２はすべり車２１による伝達手段によって
回転する例を示したが、この他歯車機構やプーリによる
伝達手段によって回転するものでもよい。また、偏向板
２２がホルダー２３の径方向に延在する傾斜部２４をも
つものを示したが、第５図（ａ）に示すようにホルダー
２５の中央部を囲繞する多数の傾斜部２６や第５図中）
に示すように放射状の傾斜部２７をもつものでも何等差
し支えない。
また、本実施例においては、偏向板１１の各棒体１３が
互いに平行である場合を示したが、本発明は第６図に示
すように棒体３１が交差した偏向板３２であってもよく
、第７図に示すように多数の通孔３３を有する偏向板３
４であってもよい。この他、棒体１３として断面円形状
のものを示したが、本発明は第８図に示すように断面三
角形状の棒体３５としてもよく、その断面形状は適宜変
更することが自由である。
互いに平行である場合を示したが、本発明は第６図に示
すように棒体３１が交差した偏向板３２であってもよく
、第７図に示すように多数の通孔３３を有する偏向板３
４であってもよい。この他、棒体１３として断面円形状
のものを示したが、本発明は第８図に示すように断面三
角形状の棒体３５としてもよく、その断面形状は適宜変
更することが自由である。
さらに、本実施例においては、棒体１３が吹出口８のガ
ス吹き出し方向に位置する例を示したが、本発明はこれ
に限定されず、第９図に示すように棒体３６を吹出ロア
のガス吹き出し方向に位置付けてもよく、第１０図に示
すように棒体５１，５２が各々各吹出ロア、８のガス吹
き出し方向に位置付けても勿論よい。この場合、第１１
図に示すように棒体５１、ガス供給ヘッド４間の距離と
棒体５２．ガス供給ヘッド４間の距離を互いに大小異な
る寸法に設定してもよい。
ス吹き出し方向に位置する例を示したが、本発明はこれ
に限定されず、第９図に示すように棒体３６を吹出ロア
のガス吹き出し方向に位置付けてもよく、第１０図に示
すように棒体５１，５２が各々各吹出ロア、８のガス吹
き出し方向に位置付けても勿論よい。この場合、第１１
図に示すように棒体５１、ガス供給ヘッド４間の距離と
棒体５２．ガス供給ヘッド４間の距離を互いに大小異な
る寸法に設定してもよい。
以上説明したように本発明によれば、反応ガスによって
生成膜が形成される半導体ウェハを保持する加熱用のス
テージと、このステージと間隔をもって設けられ複数の
反応ガスを供給する多数の吹出口を有するガス供給ヘッ
ドとを備え、このガス供給ヘッドとステージとの間にガ
スの流れを偏向させる偏向板を設けたので、偏向板によ
ってガス吹出口から供給される複数の反応ガスの混合を
十分に行うことができる。したがって、均一濃度の反応
ガスを半導体ウェハ上に供給することができるから、均
一の膜厚をもつ反応生成膜を得ることができる。
生成膜が形成される半導体ウェハを保持する加熱用のス
テージと、このステージと間隔をもって設けられ複数の
反応ガスを供給する多数の吹出口を有するガス供給ヘッ
ドとを備え、このガス供給ヘッドとステージとの間にガ
スの流れを偏向させる偏向板を設けたので、偏向板によ
ってガス吹出口から供給される複数の反応ガスの混合を
十分に行うことができる。したがって、均一濃度の反応
ガスを半導体ウェハ上に供給することができるから、均
一の膜厚をもつ反応生成膜を得ることができる。
第１図は本発明に係る化学気相成長装置を示す断面図、
第２図は同じく本発明における化学気相成長装置の要部
を示す斜視図、第３図および第４図は他の実施例を示す
斜視図と断面図、第５図（ａ）・（ｂ）、第６図および
第７図は他の実施例における偏向板を示す平面図、第８
図〜第１１図は他の実施例における要部を示す断面図、
第１２図は従来の化学気相成長装置を示す断面図、第１
３図はそのガス供給ヘッドを示す斜視図である。 １・・・・ステージ、２・・・・生成膜、３・・・・半
導体ウェハ、４・・・・ガス供給ヘッド、−５・・・・
ＳｉＨ４ガス、６・・・・０□ガス、７．８・・・・吹
出口、１１・・・・偏向板。 代 理 人 大 岩 増 雄 第３ズ 二く４Ｊ ベロ区 名７図 履８二 檗９三 〜 マ 只５図 ヌ１２区 処１３ん
第２図は同じく本発明における化学気相成長装置の要部
を示す斜視図、第３図および第４図は他の実施例を示す
斜視図と断面図、第５図（ａ）・（ｂ）、第６図および
第７図は他の実施例における偏向板を示す平面図、第８
図〜第１１図は他の実施例における要部を示す断面図、
第１２図は従来の化学気相成長装置を示す断面図、第１
３図はそのガス供給ヘッドを示す斜視図である。 １・・・・ステージ、２・・・・生成膜、３・・・・半
導体ウェハ、４・・・・ガス供給ヘッド、−５・・・・
ＳｉＨ４ガス、６・・・・０□ガス、７．８・・・・吹
出口、１１・・・・偏向板。 代 理 人 大 岩 増 雄 第３ズ 二く４Ｊ ベロ区 名７図 履８二 檗９三 〜 マ 只５図 ヌ１２区 処１３ん
Claims (1)
- 反応ガスによって生成膜が形成される半導体ウェハを保
持する加熱用のステージと、このステージと間隔をもっ
て設けられ複数の反応ガスを供給する多数の吹出口を有
するガス供給ヘッドとを備え、このガス供給ヘッドと前
記ステージとの間にガスの流れを偏向させる偏向板を設
けたことを特徴とする化学気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28444088A JPH02129920A (ja) | 1988-11-09 | 1988-11-09 | 化学気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28444088A JPH02129920A (ja) | 1988-11-09 | 1988-11-09 | 化学気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02129920A true JPH02129920A (ja) | 1990-05-18 |
Family
ID=17678573
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28444088A Pending JPH02129920A (ja) | 1988-11-09 | 1988-11-09 | 化学気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02129920A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6187319A (ja) * | 1984-10-05 | 1986-05-02 | Hitachi Ltd | プラズマを用いた化学気相成膜装置 |
| JPS6293922A (ja) * | 1985-10-21 | 1987-04-30 | Hitachi Ltd | 処理装置 |
| JPS6393109A (ja) * | 1986-10-07 | 1988-04-23 | Mitsubishi Electric Corp | 縦型気相成長装置 |
-
1988
- 1988-11-09 JP JP28444088A patent/JPH02129920A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6187319A (ja) * | 1984-10-05 | 1986-05-02 | Hitachi Ltd | プラズマを用いた化学気相成膜装置 |
| JPS6293922A (ja) * | 1985-10-21 | 1987-04-30 | Hitachi Ltd | 処理装置 |
| JPS6393109A (ja) * | 1986-10-07 | 1988-04-23 | Mitsubishi Electric Corp | 縦型気相成長装置 |
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